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TLE207x -Q1 , TLE207xA -Q1
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SGLS226B - 2003年12月 - 修订2008年5月
D
通过汽车应用认证
D
直接升级到TL05x , TL07x和
D
TL08x的BiFET运算放大器
大于2×带宽( 10兆赫)和
3 ×压摆率( 45 V / μs)内比TL07x
D
有保证的最大本底噪声
D
D
17纳伏/ √Hz的
片偏移电压的微调
改进的DC性能
更宽的电源轨增加动态
信号范围
±19
V
描述/订购信息
该TLE207x系列JFET输入运算放大器的两倍以上的带宽和三重摆
率的BiFET运算放大器的TL07x和TL08x家庭。德州仪器神剑过程
产量11.6内华达州/ √Hz的, 17 -NV / √Hz的最大保证,一个典型的本底噪声,提供立即的改善
对噪声敏感的电路使用TL07x设计。该TLE207x还具有更宽的电源电压轨,增加
供的BiFET电路的动态信号范围
±19
五片齐纳二极管的偏置电压精度产量微调
等级的直流耦合应用更高的精度。该TLE207x是引脚兼容的低
在改进现有的设计性能,便于性能的BiFET运算放大器。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗,无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号。他们还配备了比天生好交流响应
双极或CMOS器件具有可比性的功耗。
该TLE207x系列的BiFET放大器是德州仪器最高性能BiFETs ,实行更严格的输入
失调电压,并确保最大噪声规格。要求不那么严格的规范,但设计师
寻求TLE207x的改进交流特性应该考虑TLE208x运算放大器
家庭。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用,必须小心,以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的,负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
订购信息
T
A
V
IO
最大
在25℃下
2毫伏
4毫伏
-40_C到125_C
40°C
3.5毫伏
6毫伏
4毫伏
7毫伏
SOIC - D
SOIC - D
SOIC - D
SOIC - D
SOP - DW
SOP - DW
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
TLE2071AQDRQ1
TLE2071QDRQ1
TLE2072AQDRQ1
TLE2072QDRQ1
TLE2074AQDWRQ1
§
TLE2074QDWRQ1
§
TOP- SIDE
记号
2071AQ
2071Q1
2072AQ
2072Q1
TLE2074AQ1
TLE2074Q1
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本月底
文档或查看TI网站http://www.ti.com 。
包装图纸,热数据和符号可在http://www.ti.com/packaging 。
§
产品预览
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2008年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLE207x -Q1 , TLE207xA -Q1
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SGLS226B - 2003年12月 - 修订2008年5月
描述/订购信息(续)
该TLE207x是在完全指定
±15
V和
±
5五,适用于低电压和/或单电源系统的操作,
推荐运算放大器( TLC-和TLV -前缀)德州仪器路LinCMOS家庭。当
从移动的BiFET和CMOS放大器,应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。
TLE2071和TLE2071A
( TOP VIEW )
TLE2072和TLE2072A
( TOP VIEW )
TLE2074和TLE2074A
DW包装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN+
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
NC - 无内部连接
符号
IN +
IN =
+
OUT
2
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达拉斯,德克萨斯州75265
等效原理图
V
CC +
Q1
R2
R1
R6
R11
Q11
Q3
Q17
Q23
Q8
R3
C1
D2
Q13
Q20
Q28
Q24
D3
R13
R12
OUT
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IN =
Q4
Q12
Q15
Q19
IN +
Q9
Q30
Q16
TLE207x -Q1 , TLE207xA -Q1
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
Q5
C3
Q18
Q2
D1
Q6
Q10
R7
Q7
R4
R5
C2
C4
R8
Q25
C6
Q29
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月(从源)
Q14
Q21
Q22
Q26
Q27
C5
R9
R10
Q31
R14
OFFSET N1
(见注一)
V
CC
偏移N2
(见注一)
注意事项: A. OFFSET N1和N2 OFFSET仅在所属行业的TLE2071x设备。
3
模板发布日期: 94年7月11日
TLE207x -Q1 , TLE207xA -Q1
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月(从源)
TLE2074
74
37
5
8
电容器
二极管
6
11
电阻器
25
10
实际的设备元件数
TLE2072
TLE2071
部件
等效电路图(续)
晶体管
33
57
114
22
4
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TLE207x -Q1 , TLE207xA -Q1
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SGLS226A - 2003年12月 - 修订2004年8月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
CC +
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19 V
电源电压,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -19 V
差分输入电压范围,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC +
到V
CC
输入电压范围,V
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC +
到V
CC
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1毫安
输出电流,I
O
(每个输出) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
80毫安
总电流为V
CC +
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 160毫安
总电流输出的V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 160毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
最高结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注4 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 126 ° C / W
DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 ° C / W
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续3秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于V之间的中点
CC +
和V
CC
.
2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
耗散率不超标。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
电源电压,V
CC±
共模
共模输入电压V
IC
电压,
经营自由的空气温度,T
A
V
CC
±
=
±
5 V
V
CC
±
=
±15
V
±
2.25
0.8
10.8
40
最大
±
19
5
15
125
V
°C
单位
V
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5
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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