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TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
D
直接升级到TL05x ， TL07x和
D
D
TL08x的BiFET运算放大器
大于2×带宽（ 10兆赫）和
3 ×压摆率（ 45 V / μs）内比TL07x
有保证的最大本底噪声
17纳伏/ √Hz的
D
片偏移电压的微调
D
改进的DC性能
更宽的电源轨增加动态
信号范围
±19
V
描述
该TLE207x系列JFET输入运算放大器的两倍以上的带宽和三重摆
率的BiFET运算放大器的TL07x和TL08x家庭。德州仪器神剑过程
产量11.6内华达州/ √Hz的， 17 -NV / √Hz的最大保证，一个典型的本底噪声，提供立即的改善
对噪声敏感的电路使用TL07x设计。该TLE207x还具有更宽的电源电压轨，增加
供的BiFET电路的动态信号范围
±19
五片齐纳二极管的偏置电压精度产量微调
等级的直流耦合应用更高的精度。该TLE207x是引脚兼容的低
在改进现有的设计性能，便于性能的BiFET运算放大器。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗，无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号。他们还配备了比天生好交流响应
双极或CMOS器件具有可比性的功耗。
该TLE207x系列的BiFET放大器是德州仪器最高性能BiFETs ，实行更严格的输入
失调电压，并确保最大噪声规格。要求不那么严格的规范，但设计师
寻求TLE207x的改进交流特性应该考虑TLE208x运算放大器
家庭。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用，必须小心，以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的，负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
该TLE207x是在完全指定
±15
V和
±
5五，适用于低电压和/或单电源系统的操作，
推荐运算放大器（ TLC-和TLV -前缀）德州仪器路LinCMOS家庭。当
从移动的BiFET和CMOS放大器，应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年至2004年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
TLE2071可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
小
外形
(D)
TLE2071ACD
TLE2071CD
TLE2071AID
TLE2071ID
—
—
芯片载体
（ FK ）
—
—
TLE2071AMFK
TLE2071MFK
陶瓷DIP
（ JG ）
—
—
TLE2071AMJG
TLE2071MJG
塑料DIP
(P)
TLE2071ACP
TLE2071CP
TLE2071AIP
TLE2071IP
—
—
陶瓷的
扁平封装
(U)
—
—
TLE2071AMU
TLE2071MU
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2071ACDR ） 。
TLE2072可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
小
外形
(D)
TLE2072ACD
TLE2072CD
TLE2072AID
TLE2072ID
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2072AMFK
TLE2072MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
TLE2072AMJG
TLE2072MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2072ACP
TLE2072CP
TLE2072AIP
TLE2072IP
—
陶瓷的
扁平封装
(U)
—
—
TLE2072AMU
TLE2072MU
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2072ACDR ） 。
TLE2074可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
小
外形
（ DW ）
TLE2074ACDW
TLE2074CDW
TLE2074AIDW
TLE2074IDW
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2074AMFK
TLE2074MFK
陶瓷的
DIP
(J)
—
—
TLE2074AMJ
TLE2074MJ
塑料
DIP
(N)
TLE2074ACN
TLE2074CN
TLE2074AIN
TLE2074IN
—
陶瓷的
扁平封装
(W)
—
—
TLE2074AMW
TLE2074MW
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
在DW软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2074ACDWR ） 。
符号
IN +
IN =
+
OUT
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE2071和TLE2071A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TLE2072和TLE2072A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN+
TLE2074和TLE2074A
J，N或W包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074和TLE2074A
DW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
TLE2071M和TLE2071AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
TLE2072M和TLE2072AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074M和TLE2074AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
CC +
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN+
NC
V
CC
NC
3IN+
2IN -
TLE2072和TLE2072A
ü套餐
（ TOP VIEW ）
2OUT
V
CC
NC
偏移N2
NC
V
CC
NC
2IN+
NC
NC
NC
TLE2071和TLE2071A
ü套餐
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
NC - 无内部连接
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
3OUT
3英寸 -
3
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
4
VCC +
R2
R1
R6
R11
Q11
Q17
Q23
R3
C1
Q24
D3
Q12
Q15
Q19
R13
R12
OUT
Q13
Q20
D2
Q28
Q3
Q8
Q9
Q16
R8
C3
Q18
Q6
Q14
Q10
R7
Q7
C2
R4
R5
C4
R9
R10
C5
Q31
R14
Q25
C6
Q29
Q30
Q21
Q22
Q26
Q27
OFFSET N1
（见注一）
VCC =
偏移N2
（见注一）
等效原理图
Q1
模板发布日期： 94年7月11日
IN =
Q4
IN +
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
Q5
Q2
D1
注意事项： A. OFFSET N1和N2 OFFSET仅在所属行业的TLE2071x设备。
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE2074
74
37
25
电阻器
10
5
8
二极管
实际的设备元件数
TLE2072
57
114
TLE2071
33
部件
晶体管
等效电路图（续）
电容器
6
11
22
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
TLE2072 ， TLE2072A ， TLE2072Y
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入双运算放大器
SLOS124A - 1993年6月 - 修订1994年8月
40 - V / μs压摆率典型值
低噪音
17纳伏/ √Hz的最大值在f = 10千赫
11.6内华达州/ √Hz的典型值在f = 10千赫
高增益带宽积。 。 。 10兆赫
±
30 -MA最小输出短路
当前
等效输入噪声电压
vs
频率
50
VCC
±
=
±
15 V
VIC = 0
RS = 20
TA = 25°C
宽电源电压范围。 。 。
±
2.25 V至
±
19 V
输入范围包括正电源
包括宏
快速建立时间使用10 -V步骤
400 ns至10 mV的典型值
1.5
s
1 mV的典型
增益带宽积
vs
自由空气的温度
13
F = 100千赫
VIC = 0
VO = 0
RL = 2 kΩ的
CL = 100 pF的
Hz
Vn
VN - 等效输入噪声电压 - 内华达州/
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
10
增益带宽积 - 兆赫
12
11
VCC
±
=
±
15 V
10
VCC
±
=
±
5 V
9
8
100
1k
10 k
7
– 75 – 55 – 35 –15
5
25
45
65
85 105 125
的F - 频率 - 赫兹
TA - 自由空气的温度 -
°C
描述
该TLE2072和TLE2072A是低噪音，高性能，内部补偿JFET输入双
运算放大器内置采用德州仪器互补双极神剑的过程。这些设备
结合低噪声，出色的输出驱动能力，高转换率和宽带宽。
可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
小
概要
(D)
TLE2072ACD
TLE2072CD
TLE2072AID
TLE2072ID
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2072AMFK
TLE2072MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
TLE2072AMJG
TLE2072MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2072ACP
TLE2072CP
TLE2072AIP
TLE2072IP
—
芯片
形式
(Y)
—
TLE2072Y
—
—
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
对D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2072ACDR ） 。芯片形式的版本
在TA进行测试= 25°C 。对于芯片形式的订单，请联系您当地的TI销售办事处。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1994年，德州仪器
关于产品符合MIL -STD - 883 ， B类，所有的参数都
测试，除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5–1
TLE2072 ， TLE2072A ， TLE2072Y
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入双运算放大器
SLOS124A - 1993年6月 - 修订1994年8月
描述（续）
该设计采用了28 -V /μs的最小压摆率，从而导致了高功率带宽。低音频频段
28纳伏/ √Hz的噪声是典型的具有55纳伏/ √Hz的最大值在10赫兹。沉淀了10 -V步时间至0.1％
（ 1千欧/ 100 - pF负载）大约为400纳秒。增益带宽积通常为10 MHz的8 MHz的
最低限度。这样， TLE2072和TLE2072A提供显著速度和噪声的优点在低1.5毫安
每个通道的典型电源电流。
与传统的JFET输入放大器相关的输入电流特性进行了保留。输入
偏置电压等级为6 mV至3.5 mV（最大值）的TLE2072和TLE2072A分别。通常情况下，
输入偏移电压的温度系数为2.4
μV/°C
和典型CMRR和k
SVR
98 dB和99分贝，
分别。器件的性能是相对独立的电源电压在宽
±
2.25 V至
±
19-V
范围内。输入共模电压范围从正电源向下延伸到V
CC –
+ 4 V无
显著退化的动态性能。最大峰值输出电压摆幅为V
CC +
= 1V至
V
CC –
+ 1在轻负载电流条件下V 。输出能够送出和吸收电流的
至少30 mA，并且可以维持短裤任一电源。必须小心，以确保最大功率
功耗不超过。
两者TLE2072和TLE2072A可用在各种各样的包，其中包括两个
工业标准的8引脚小外形版本和芯片的形式为高密度系统的应用程序。在C-后缀
器件的特点是运行在0 ° C至70 ° C，超过了I-后缀设备 - 40 ° C至85°C的范围内，
以上的整个军用温度范围内的M后缀的设备 - 55 ° C至125°C 。
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
FK包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN+
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC - 无内部连接
符号
IN +
IN =
+
OUT
–
5–2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
V
CC –
NC
2IN+
NC
NC
TLE2072 ， TLE2072A ， TLE2072Y
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入双运算放大器
SLOS124A - 1993年6月 - 修订1994年8月
TLE2072Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似的TLE2072的特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(8)
1IN +
1IN -
2OUT
(7)
(3)
(2)
VCC +
(8)
+
–
+
–
(4)
VCC =
(5)
(6)
2IN -
2IN +
(1)
1OUT
(1)
(7)
90
(2)
(6)
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(3)
(4)
80
(5)
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5–3
TLE2072 ， TLE2072A ， TLE2072Y
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入双运算放大器
SLOS124A - 1993年6月 - 修订1994年8月
5–4
实际设备
元件数量
VCC +
晶体管
电阻器
二极管
电容器
57
37
5
11
R2
R1
R6
R11
Q17
Q23
R3
C1
Q13
Q20
D2
Q24
D3
Q15
Q19
Q12
R13
R12
OUT
Q28
Q11
Q3
Q8
Q9
Q16
R8
C3
Q18
Q6
Q10
R7
R4
Q7
C2
R5
C4
R9
R10
C5
Q31
R14
Q14
Q30
Q25
C6
Q29
Q21
Q22
Q26
Q27
VCC =
等效电路图（每个通道）
Q1
IN =
Q4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
IN +
Q5
Q2
D1
TLE2072 ， TLE2072A ， TLE2072Y
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入双运算放大器
SLOS124A - 1993年6月 - 修订1994年8月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
CC +
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19 V
电源电压，V
CC –
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 19 V
差分输入电压范围，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC +
到V
CC –
输入电压范围，V
I
（任意输入）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC +
到V
CC –
输入电流I
I
（每一个输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1毫安
输出电流，I
O
（每个输出） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
80毫安
总电流为V
CC +
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 160毫安
总电流输出的V
CC –
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 160毫安
短路电流的持续时间（或低于） 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内，T
A
：C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
外壳温度60秒： FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下10秒：D或P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下60秒： JG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注释：1.除了差分电压所有电压值都是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.输出可以短至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大
耗散率不超标。
额定功耗表
包
D
FK
JG
P
TA
≤
25°C
额定功率
725毫瓦
1375毫瓦
1050毫瓦
1000毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
464毫瓦
880毫瓦
672毫瓦
640毫瓦
TA = 85°C
额定功率
377毫瓦
715毫瓦
546毫瓦
344毫瓦
TA = 125°C
额定功率
145毫瓦
275毫瓦
210毫瓦
200毫瓦
推荐工作条件
后缀
民
电源电压， VCC-
共模输入电压VIC
电压，
经营自由的空气温度， TA
VCC
±
=
±
5 V
VCC
±
=
±15
V
±
2.25
– 0.9
– 10.9
0
最大
±
19
5
15
70
我的后缀
民
±
2.25
– 0.8
– 10.8
– 40
最大
±
19
5
15
85
M后缀
民
±
2.25
– 0.8
– 10.8
– 55
最大
±
19
5
15
125
单位
V
V
°C
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5–5
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
D
直接升级到TL05x ， TL07x和
D
D
TL08x的BiFET运算放大器
大于2×带宽（ 10兆赫）和
3 ×压摆率（ 45 V / μs）内比TL07x
有保证的最大本底噪声
17纳伏/ √Hz的
D
片偏移电压的微调
D
改进的DC性能
更宽的电源轨增加动态
信号范围
±19
V
描述
该TLE207x系列JFET输入运算放大器的两倍以上的带宽和三重摆
率的BiFET运算放大器的TL07x和TL08x家庭。德州仪器神剑过程
产量11.6内华达州/ √Hz的， 17 -NV / √Hz的最大保证，一个典型的本底噪声，提供立即的改善
对噪声敏感的电路使用TL07x设计。该TLE207x还具有更宽的电源电压轨，增加
供的BiFET电路的动态信号范围
±19
五片齐纳二极管的偏置电压精度产量微调
等级的直流耦合应用更高的精度。该TLE207x是引脚兼容的低
在改进现有的设计性能，便于性能的BiFET运算放大器。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗，无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号。他们还配备了比天生好交流响应
双极或CMOS器件具有可比性的功耗。
该TLE207x系列的BiFET放大器是德州仪器最高性能BiFETs ，实行更严格的输入
失调电压，并确保最大噪声规格。要求不那么严格的规范，但设计师
寻求TLE207x的改进交流特性应该考虑TLE208x运算放大器
家庭。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用，必须小心，以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的，负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
该TLE207x是在完全指定
±15
V和
±
5五，适用于低电压和/或单电源系统的操作，
推荐运算放大器（ TLC-和TLV -前缀）德州仪器路LinCMOS家庭。当
从移动的BiFET和CMOS放大器，应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年至2004年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
TLE2071可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
小
外形
(D)
TLE2071ACD
TLE2071CD
TLE2071AID
TLE2071ID
—
—
芯片载体
（ FK ）
—
—
TLE2071AMFK
TLE2071MFK
陶瓷DIP
（ JG ）
—
—
TLE2071AMJG
TLE2071MJG
塑料DIP
(P)
TLE2071ACP
TLE2071CP
TLE2071AIP
TLE2071IP
—
—
陶瓷的
扁平封装
(U)
—
—
TLE2071AMU
TLE2071MU
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2071ACDR ） 。
TLE2072可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
小
外形
(D)
TLE2072ACD
TLE2072CD
TLE2072AID
TLE2072ID
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2072AMFK
TLE2072MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
TLE2072AMJG
TLE2072MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2072ACP
TLE2072CP
TLE2072AIP
TLE2072IP
—
陶瓷的
扁平封装
(U)
—
—
TLE2072AMU
TLE2072MU
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2072ACDR ） 。
TLE2074可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
小
外形
（ DW ）
TLE2074ACDW
TLE2074CDW
TLE2074AIDW
TLE2074IDW
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2074AMFK
TLE2074MFK
陶瓷的
DIP
(J)
—
—
TLE2074AMJ
TLE2074MJ
塑料
DIP
(N)
TLE2074ACN
TLE2074CN
TLE2074AIN
TLE2074IN
—
陶瓷的
扁平封装
(W)
—
—
TLE2074AMW
TLE2074MW
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
在DW软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2074ACDWR ） 。
符号
IN +
IN =
+
OUT
2
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达拉斯，德克萨斯州75265
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE2071和TLE2071A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TLE2072和TLE2072A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN+
TLE2074和TLE2074A
J，N或W包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074和TLE2074A
DW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
TLE2071M和TLE2071AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
TLE2072M和TLE2072AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074M和TLE2074AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
CC +
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN+
NC
V
CC
NC
3IN+
2IN -
TLE2072和TLE2072A
ü套餐
（ TOP VIEW ）
2OUT
V
CC
NC
偏移N2
NC
V
CC
NC
2IN+
NC
NC
NC
TLE2071和TLE2071A
ü套餐
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
NC - 无内部连接
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
3OUT
3英寸 -
3
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
4
VCC +
R2
R1
R6
R11
Q11
Q17
Q23
R3
C1
Q24
D3
Q12
Q15
Q19
R13
R12
OUT
Q13
Q20
D2
Q28
Q3
Q8
Q9
Q16
R8
C3
Q18
Q6
Q14
Q10
R7
Q7
C2
R4
R5
C4
R9
R10
C5
Q31
R14
Q25
C6
Q29
Q30
Q21
Q22
Q26
Q27
OFFSET N1
（见注一）
VCC =
偏移N2
（见注一）
等效原理图
Q1
模板发布日期： 94年7月11日
IN =
Q4
IN +
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达拉斯，德克萨斯州75265
Q5
Q2
D1
注意事项： A. OFFSET N1和N2 OFFSET仅在所属行业的TLE2071x设备。
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE2074
74
37
25
电阻器
10
5
8
二极管
实际的设备元件数
TLE2072
57
114
TLE2071
33
部件
晶体管
等效电路图（续）
电容器
6
11
22
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
TLE207x ， TLE207xA ， TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
D
D
D
直接升级到TL05x ， TL07x和
TL08x的BiFET运算放大器
大于2×带宽（ 10兆赫）和
3 ×压摆率（ 45 V / μs）内比TL07x
有保证的最大本底噪声
17纳伏/ √Hz的
D
D
片偏移电压的微调
改进的DC性能
更宽的电源轨增加动态
信号范围
±19
V
描述
该TLE207x系列JFET输入运算放大器的两倍以上的带宽和三重摆
率的BiFET运算放大器的TL07x和TL08x家庭。德州仪器神剑过程
产量11.6内华达州/ √Hz的， 17 -NV / √Hz的最大保证，一个典型的本底噪声，提供立即的改善
对噪声敏感的电路使用TL07x设计。该TLE207x还具有更宽的电源电压轨，增加
供的BiFET电路的动态信号范围
±19
五片齐纳二极管的偏置电压精度产量微调
等级的直流耦合应用更高的精度。该TLE207x是引脚兼容的低
在改进现有的设计性能，便于性能的BiFET运算放大器。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗，无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号。他们还配备了比天生好交流响应
双极或CMOS器件具有可比性的功耗。
该TLE207x系列的BiFET放大器是德州仪器最高性能BiFETs ，实行更严格的输入
失调电压，并确保最大噪声规格。要求不那么严格的规范，但设计师
寻求TLE207x的改进交流特性应该考虑TLE208x运算放大器
家庭。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用，必须小心，以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的，负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
该TLE207x是在完全指定
±15
V和
±
5五，适用于低电压和/或单电源系统的操作，
推荐运算放大器（ TLC-和TLV -前缀）德州仪器路LinCMOS家庭。当
从移动的BiFET和CMOS放大器，应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2000年，德州仪器
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1
TLE207x ， TLE207xA ， TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2071可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
小
外形
(D)
TLE2071ACD
TLE2071CD
TLE2071AID
TLE2071ID
—
—
芯片载体
（ FK ）
—
—
TLE2071AMFK
TLE2071MFK
陶瓷DIP
（ JG ）
—
—
TLE2071AMJG
TLE2071MJG
塑料DIP
(P)
TLE2071ACP
TLE2071CP
TLE2071AIP
TLE2071IP
—
—
CHIP FORM
(Y)
—
TLE2071Y
—
—
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2071ACDR ） 。
芯片形式的版本是在TA = 25 ℃条件下测定。
TLE2072可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
小
外形
(D)
TLE2072ACD
TLE2072CD
TLE2072AID
TLE2072ID
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2072AMFK
TLE2072MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
TLE2072AMJG
TLE2072MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2072ACP
TLE2072CP
TLE2072AIP
TLE2072IP
—
芯片
形成的？
(Y)
—
TLE2072Y
—
—
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2072ACDR ） 。
芯片形式的版本是在TA = 25 ℃条件下测定。
TLE2074可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
小
外形
（ DW ）
TLE2074ACDW
TLE2074CDW
TLE2074AIDW
TLE2074IDW
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2074AMFK
TLE2074MFK
陶瓷的
DIP
(J)
—
—
TLE2074AMJ
TLE2074MJ
塑料
DIP
(N)
TLE2074ACN
TLE2074CN
TLE2074AIN
TLE2074IN
—
芯片
形成的？
(Y)
—
TLE2074Y
—
—
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
在DW软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2074ACDWR ） 。
芯片形式的版本是在TA = 25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
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TLE207x ， TLE207xA ， TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2071和TLE2071A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TLE2072和TLE2072A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN+
TLE2074和TLE2074A
J或N包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074和TLE2074A
DW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
TLE2071M和TLE2071AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
TLE2072M和TLE2072AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074M和TLE2074AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
CC +
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN+
NC
V
CC –
NC
3IN+
2IN -
2OUT
V
CC –
NC
偏移N2
NC
V
CC –
NC
2IN+
NC
NC
NC
NC - 无内部连接
符号
IN +
IN =
+
OUT
–
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
3OUT
3英寸 -
3
TLE207x ， TLE207xA ， TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2071Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLE2071C特点。热压
或超声波接合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(1)
(8)
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
(1)
(3)
(2)
(5)
VCC +
(7)
+
–
(4)
VCC =
(6)
OUT
(2)
85
(7)
(3)
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
(4)
(5)
(6)
所有尺寸都以密耳。
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
58
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLE207x ， TLE207xA ， TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2072Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLE2072C特点。热压
或超声波接合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(8)
1IN +
1IN -
2OUT
(7)
(3)
(2)
VCC +
(8)
+
–
+
–
(4)
VCC =
(5)
(6)
2IN -
2IN +
(1)
1OUT
(1)
(7)
90
(2)
(6)
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(3)
(4)
80
(5)
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
TLE207x ， TLE207xA ， TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
D
D
D
直接升级到TL05x ， TL07x和
TL08x的BiFET运算放大器
大于2×带宽（ 10兆赫）和
3 ×压摆率（ 45 V / μs）内比TL07x
有保证的最大本底噪声
17纳伏/ √Hz的
D
D
片偏移电压的微调
改进的DC性能
更宽的电源轨增加动态
信号范围
±19
V
描述
该TLE207x系列JFET输入运算放大器的两倍以上的带宽和三重摆
率的BiFET运算放大器的TL07x和TL08x家庭。德州仪器神剑过程
产量11.6内华达州/ √Hz的， 17 -NV / √Hz的最大保证，一个典型的本底噪声，提供立即的改善
对噪声敏感的电路使用TL07x设计。该TLE207x还具有更宽的电源电压轨，增加
供的BiFET电路的动态信号范围
±19
五片齐纳二极管的偏置电压精度产量微调
等级的直流耦合应用更高的精度。该TLE207x是引脚兼容的低
在改进现有的设计性能，便于性能的BiFET运算放大器。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗，无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号。他们还配备了比天生好交流响应
双极或CMOS器件具有可比性的功耗。
该TLE207x系列的BiFET放大器是德州仪器最高性能BiFETs ，实行更严格的输入
失调电压，并确保最大噪声规格。要求不那么严格的规范，但设计师
寻求TLE207x的改进交流特性应该考虑TLE208x运算放大器
家庭。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用，必须小心，以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的，负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
该TLE207x是在完全指定
±15
V和
±
5五，适用于低电压和/或单电源系统的操作，
推荐运算放大器（ TLC-和TLV -前缀）德州仪器路LinCMOS家庭。当
从移动的BiFET和CMOS放大器，应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2000年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLE207x ， TLE207xA ， TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2071可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
小
外形
(D)
TLE2071ACD
TLE2071CD
TLE2071AID
TLE2071ID
—
—
芯片载体
（ FK ）
—
—
TLE2071AMFK
TLE2071MFK
陶瓷DIP
（ JG ）
—
—
TLE2071AMJG
TLE2071MJG
塑料DIP
(P)
TLE2071ACP
TLE2071CP
TLE2071AIP
TLE2071IP
—
—
CHIP FORM
(Y)
—
TLE2071Y
—
—
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2071ACDR ） 。
芯片形式的版本是在TA = 25 ℃条件下测定。
TLE2072可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
小
外形
(D)
TLE2072ACD
TLE2072CD
TLE2072AID
TLE2072ID
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2072AMFK
TLE2072MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
TLE2072AMJG
TLE2072MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2072ACP
TLE2072CP
TLE2072AIP
TLE2072IP
—
芯片
形成的？
(Y)
—
TLE2072Y
—
—
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2072ACDR ） 。
芯片形式的版本是在TA = 25 ℃条件下测定。
TLE2074可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
小
外形
（ DW ）
TLE2074ACDW
TLE2074CDW
TLE2074AIDW
TLE2074IDW
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2074AMFK
TLE2074MFK
陶瓷的
DIP
(J)
—
—
TLE2074AMJ
TLE2074MJ
塑料
DIP
(N)
TLE2074ACN
TLE2074CN
TLE2074AIN
TLE2074IN
—
芯片
形成的？
(Y)
—
TLE2074Y
—
—
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
在DW软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2074ACDWR ） 。
芯片形式的版本是在TA = 25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
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TLE207x ， TLE207xA ， TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2071和TLE2071A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TLE2072和TLE2072A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN+
TLE2074和TLE2074A
J或N包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074和TLE2074A
DW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
TLE2071M和TLE2071AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
TLE2072M和TLE2072AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074M和TLE2074AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
CC +
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN+
NC
V
CC –
NC
3IN+
2IN -
2OUT
V
CC –
NC
偏移N2
NC
V
CC –
NC
2IN+
NC
NC
NC
NC - 无内部连接
符号
IN +
IN =
+
OUT
–
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达拉斯，德克萨斯州75265
NC
3OUT
3英寸 -
3
TLE207x ， TLE207xA ， TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2071Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLE2071C特点。热压
或超声波接合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(1)
(8)
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
(1)
(3)
(2)
(5)
VCC +
(7)
+
–
(4)
VCC =
(6)
OUT
(2)
85
(7)
(3)
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
(4)
(5)
(6)
所有尺寸都以密耳。
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
58
4
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TLE207x ， TLE207xA ， TLE207xY
EXCALIBUR低噪声高速
JFET输入运算放大器
SLOS181A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2072Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLE2072C特点。热压
或超声波接合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(8)
1IN +
1IN -
2OUT
(7)
(3)
(2)
VCC +
(8)
+
–
+
–
(4)
VCC =
(5)
(6)
2IN -
2IN +
(1)
1OUT
(1)
(7)
90
(2)
(6)
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(3)
(4)
80
(5)
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
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5
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
D
直接升级到TL05x ， TL07x和
D
D
TL08x的BiFET运算放大器
大于2×带宽（ 10兆赫）和
3 ×压摆率（ 45 V / μs）内比TL07x
有保证的最大本底噪声
17纳伏/ √Hz的
D
片偏移电压的微调
D
改进的DC性能
更宽的电源轨增加动态
信号范围
±19
V
描述
该TLE207x系列JFET输入运算放大器的两倍以上的带宽和三重摆
率的BiFET运算放大器的TL07x和TL08x家庭。德州仪器神剑过程
产量11.6内华达州/ √Hz的， 17 -NV / √Hz的最大保证，一个典型的本底噪声，提供立即的改善
对噪声敏感的电路使用TL07x设计。该TLE207x还具有更宽的电源电压轨，增加
供的BiFET电路的动态信号范围
±19
五片齐纳二极管的偏置电压精度产量微调
等级的直流耦合应用更高的精度。该TLE207x是引脚兼容的低
在改进现有的设计性能，便于性能的BiFET运算放大器。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗，无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号。他们还配备了比天生好交流响应
双极或CMOS器件具有可比性的功耗。
该TLE207x系列的BiFET放大器是德州仪器最高性能BiFETs ，实行更严格的输入
失调电压，并确保最大噪声规格。要求不那么严格的规范，但设计师
寻求TLE207x的改进交流特性应该考虑TLE208x运算放大器
家庭。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用，必须小心，以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的，负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
该TLE207x是在完全指定
±15
V和
±
5五，适用于低电压和/或单电源系统的操作，
推荐运算放大器（ TLC-和TLV -前缀）德州仪器路LinCMOS家庭。当
从移动的BiFET和CMOS放大器，应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年至2004年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
TLE2071可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
小
外形
(D)
TLE2071ACD
TLE2071CD
TLE2071AID
TLE2071ID
—
—
芯片载体
（ FK ）
—
—
TLE2071AMFK
TLE2071MFK
陶瓷DIP
（ JG ）
—
—
TLE2071AMJG
TLE2071MJG
塑料DIP
(P)
TLE2071ACP
TLE2071CP
TLE2071AIP
TLE2071IP
—
—
陶瓷的
扁平封装
(U)
—
—
TLE2071AMU
TLE2071MU
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2071ACDR ） 。
TLE2072可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
小
外形
(D)
TLE2072ACD
TLE2072CD
TLE2072AID
TLE2072ID
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2072AMFK
TLE2072MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
TLE2072AMJG
TLE2072MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2072ACP
TLE2072CP
TLE2072AIP
TLE2072IP
—
陶瓷的
扁平封装
(U)
—
—
TLE2072AMU
TLE2072MU
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2072ACDR ） 。
TLE2074可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
小
外形
（ DW ）
TLE2074ACDW
TLE2074CDW
TLE2074AIDW
TLE2074IDW
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2074AMFK
TLE2074MFK
陶瓷的
DIP
(J)
—
—
TLE2074AMJ
TLE2074MJ
塑料
DIP
(N)
TLE2074ACN
TLE2074CN
TLE2074AIN
TLE2074IN
—
陶瓷的
扁平封装
(W)
—
—
TLE2074AMW
TLE2074MW
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
在DW软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2074ACDWR ） 。
符号
IN +
IN =
+
OUT
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE2071和TLE2071A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TLE2072和TLE2072A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN+
TLE2074和TLE2074A
J，N或W包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074和TLE2074A
DW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
TLE2071M和TLE2071AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
TLE2072M和TLE2072AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074M和TLE2074AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
CC +
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN+
NC
V
CC
NC
3IN+
2IN -
TLE2072和TLE2072A
ü套餐
（ TOP VIEW ）
2OUT
V
CC
NC
偏移N2
NC
V
CC
NC
2IN+
NC
NC
NC
TLE2071和TLE2071A
ü套餐
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
NC - 无内部连接
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
3OUT
3英寸 -
3
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
4
VCC +
R2
R1
R6
R11
Q11
Q17
Q23
R3
C1
Q24
D3
Q12
Q15
Q19
R13
R12
OUT
Q13
Q20
D2
Q28
Q3
Q8
Q9
Q16
R8
C3
Q18
Q6
Q14
Q10
R7
Q7
C2
R4
R5
C4
R9
R10
C5
Q31
R14
Q25
C6
Q29
Q30
Q21
Q22
Q26
Q27
OFFSET N1
（见注一）
VCC =
偏移N2
（见注一）
等效原理图
Q1
模板发布日期： 94年7月11日
IN =
Q4
IN +
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达拉斯，德克萨斯州75265
Q5
Q2
D1
注意事项： A. OFFSET N1和N2 OFFSET仅在所属行业的TLE2071x设备。
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE2074
74
37
25
电阻器
10
5
8
二极管
实际的设备元件数
TLE2072
57
114
TLE2071
33
部件
晶体管
等效电路图（续）
电容器
6
11
22
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5
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TMP320C6416CGLZA300
TLK1201AIRCPR
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