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TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
“权力
运算放大器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订2004年5月
D
2 ×带宽的TL06x (2兆赫)和
D
D
TL03x运算放大器
低电源电流。 。 。 290
μA /通道
典型值
片偏移电压的微调
改进的DC性能
D
高输出驱动,指定为100 Ω
D
负载
比以前的低本底噪声
低功耗BiFETs的代
描述
该TLE206x系列低功耗JFET输入运算放大器的两倍较早的带宽
代TL06x和TL03x的BiFET家庭没有显著增加功耗。得克萨斯州
仪器神剑过程中还提供了一个低本底噪声低于TL06x和TL03x 。片上稳压
微调偏置电压的产生精度等级的直流耦合应用。该TL206x设备
引脚兼容于其它德州仪器BiFETs ;它们可以被用来增加一倍TL06x的带宽和
TL03x电路或由近90%的减少TL05x , TL07x和TL08x电路的功耗。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的,更高的输入阻抗,无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或低电平的交流信号。它们还具有比双极本身更好的交流响应
或有可比功耗CMOS器件。该TLE206x系列具有高输出驱动
电路可驱动100 Ω负载时电源低至中
±
5五,这使它们特别适用于驾驶
在调制解调器和其他需要良好的AC性能,低功耗和高负荷的变压器
输出驱动器。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用,必须小心,以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的,负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
该TLE206x是在完全指定
±15
V和
±
5五,适用于低电压和/或单电源系统的操作,
推荐运算放大器( TLC-和TLV -前缀),德州仪器路LinCMOS家庭。
当从移动的BiFET和CMOS放大器,应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。德州仪器TLV2432和TLV2442 CMOS运算放大器
需要考虑的极佳选择。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
“权力
运算放大器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLE2061可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
V
0 C 70°C
0 ° C至70℃
1.5毫伏
3毫伏
500
V
40 C 85 C
-40 ° C至85°C
1.5毫伏
3毫伏
500
V
55 C 125 C
-55 ° C至125°C
1.5毫伏
3毫伏
外形
(D)
TLE2061ACD
TLE2061CD
TLE2061AID
TLE2061ID
TLE2061AMD
TLE2061MD
芯片
支架
( FK )
TLE2061AMFK
TLE2061MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLE2061BMJG
TLE2061AMJG
TLE2061MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2061ACP
TLE2061CP
TLE2061AIP
TLE2061IP
TSSOP
( PW )
TLE2061CPWLE
陶瓷的
扁平封装
(U)
TLE2061AMU
TLE2061MU
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型(例如, TLE2061ACDR ) .Chips在25 ℃条件下测定。
的PW包可左端卷带封装(由LE后缀设备类型(例如, TLE2061CPWLE )表示。
TLE2062可选项
包装设备
TA
0°C
to
70°C
40°C
to
85°C
55°C
to
125°C
VIOMAX
在25℃下
1毫伏
2毫伏
4毫伏
1毫伏
2毫伏
4毫伏
1毫伏
2毫伏
4毫伏
小尺寸
(D)
TLE2062BCD
TLE2062ACD
TLE2062CD
TLE2062BID
TLE2062AID
TLE2062ID
TLE2062BMD
TLE2062AMD
TLE2062MD
芯片载体
( FK )
TLE2062AMFK
TLE2062MFK
陶瓷DIP
( JG )
TLE2062BMJG
TLE2062AMJG
TLE2062MJG
塑料DIP
(P)
TLE2062BCP
TLE2062ACP
TLE2062CP
TLE2062BIP
TLE2062AIP
TLE2062IP
陶瓷的
扁平封装
(U)
TLE2062AMU
TLE2062MU
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2062ACDR ) 。
TLE2064可选项
包装设备
TA
0°C
to
70°C
40°C
to
85°C
55°C
to
125°C
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
4毫伏
6毫伏
2毫伏
4毫伏
6毫伏
2毫伏
4毫伏
6毫伏
小尺寸
(D)
TLE2064ACD
TLE2064CD
TLE2064AID
TLE2064ID
TLE2064AMD
TLE2064MD
芯片载体
( FK )
陶瓷DIP
(J)
塑料DIP
(N)
TLE2064BCN
TLE2064ACN
TLE2064CN
TLE2064BIN
TLE2064AIN
TLE2064IN
陶瓷的
扁平封装
(W)
TLE2064BMFK
TLE2064AMFK
TLE2064MFK
TLE2064BMJ
TLE2064AMJ
TLE2064MJ
TLE2064AMW
TLE2064MW
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型(例如, TLE2064ACDR ) 。
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
“权力
运算放大器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLE2061 , TLE2061A ,和TLE2061B
D, DB , JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
TLE2062 , TLE2062A , TLE2062B
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TLE2064 , TLE2064A , TLE2064B
D, J,N或W包装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TLE2061M , TLE2061AM , TLE2061BM
FK包装
( TOP VIEW )
TLE2062M , TLE2062AM , TLE2062BM
FK包装
( TOP VIEW )
TLE2064M , TLE2064AM , TLE2064BM
FK包装
( TOP VIEW )
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
TLE2061和TLE2061A
ü套餐
( TOP VIEW )
VCC =
NC
偏移N2
NC
NC
TLE2062和TLE2062A
ü套餐
( TOP VIEW )
NC
OFFSET N1
IN-
IN +
V
CC
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
1
2
3
4
5
NC - 无内部连接
V
CC
NC
2IN+
NC
10
9
8
7
6
NC
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
3 2 1 20 19
18
4
5
6
7
8
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
3 2 1 20 19
18
4
5
6
7
8
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC
NC
3英寸+
3
TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
功率运算
2004年4月
放大器器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订版
4
VCC +
Q9
Q32
Q13
Q14
Q18
Q29
Q33
Q35
Q16
Q19
Q25
Q34
Q27
Q23
Q5
Q17
Q11
2.7 k
Q10
Q20
Q24
Q38
Q31
Q15
Q21
Q12
R4
55 k
R2
1.1 k
R5
60 k
Q22
Q26
R7
600
Q8
C2
15 pF的
Q6
C1
R3
2.4 k
C3
5.3 pF的
Q28
Q30
D1
Q37
Q41
Q40
R6
Q7
D2
Q36
Q39
R8
20
R9
100
OUT
Q42
Q4
另请注意一个
VCC =
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLE2061
43
9
1
3
TLE2062
42
9
2
3
TLE2064
42
9
2
3
等效电路图(每个通道)
IN +
IN =
模板发布日期: 94年7月11日
Q1
Q3
邮政信箱655303
15 pF的
Q2
达拉斯,德克萨斯州75265
R1
1.1 k
偏移N2
OFFSET N1
注意事项: A. OFFSET N1和N2 OFFSET仅在所属行业的TLE2061x设备。
B.组件的值是有名无实。
TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
“权力
运算放大器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订2004年5月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
CC+
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19 V
电源电压,V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
38 V
输入电压范围,V
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±V
CC
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
80毫安
总电流为V
CC+
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80毫安
总电流输出的V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -80毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注4和5 ) :D封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97.1 ° C / W
,D封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86.2 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79.7 ° C / W
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84.6 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
封装的热阻抗,
θ
JC
(见注4和5 ) : FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.6 ° C / W
包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15.1 ° C / W
JG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.5 ° C / W
ü包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.7 ° C / W
W包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10℃ / W的
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
外壳温度60秒: FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下,10秒: D,P ,或PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下60秒: JG ,U或W包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
4.最大功耗是TJ (最大)的函数,
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = ( TJ(MAX) - TA ) /
θ
JA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 (塑料)和MIL -STD- 883方法1012 (陶瓷) 。
推荐工作条件
后缀
电源电压VCC
±
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
VCC ± =
±5
V
VCC ± =
±15
V
±
3.5
1.6
11
0
最大
±
18
4
13
70
我的后缀
±
3.5
1.6
11
40
最大
±
18
4
13
85
M后缀
最大
±
3.5
1.6
11
55
±
18
4
13
125
V
°C
单位
V
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5
TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
“权力
运算放大器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订2004年5月
D
2 ×带宽的TL06x (2兆赫)和
D
D
TL03x运算放大器
低电源电流。 。 。 290
μA /通道
典型值
片偏移电压的微调
改进的DC性能
D
高输出驱动,指定为100 Ω
D
负载
比以前的低本底噪声
低功耗BiFETs的代
描述
该TLE206x系列低功耗JFET输入运算放大器的两倍较早的带宽
代TL06x和TL03x的BiFET家庭没有显著增加功耗。得克萨斯州
仪器神剑过程中还提供了一个低本底噪声低于TL06x和TL03x 。片上稳压
微调偏置电压的产生精度等级的直流耦合应用。该TL206x设备
引脚兼容于其它德州仪器BiFETs ;它们可以被用来增加一倍TL06x的带宽和
TL03x电路或由近90%的减少TL05x , TL07x和TL08x电路的功耗。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的,更高的输入阻抗,无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或低电平的交流信号。它们还具有比双极本身更好的交流响应
或有可比功耗CMOS器件。该TLE206x系列具有高输出驱动
电路可驱动100 Ω负载时电源低至中
±
5五,这使它们特别适用于驾驶
在调制解调器和其他需要良好的AC性能,低功耗和高负荷的变压器
输出驱动器。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用,必须小心,以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的,负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
该TLE206x是在完全指定
±15
V和
±
5五,适用于低电压和/或单电源系统的操作,
推荐运算放大器( TLC-和TLV -前缀),德州仪器路LinCMOS家庭。
当从移动的BiFET和CMOS放大器,应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。德州仪器TLV2432和TLV2442 CMOS运算放大器
需要考虑的极佳选择。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
“权力
运算放大器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLE2061可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
V
0 C 70°C
0 ° C至70℃
1.5毫伏
3毫伏
500
V
40 C 85 C
-40 ° C至85°C
1.5毫伏
3毫伏
500
V
55 C 125 C
-55 ° C至125°C
1.5毫伏
3毫伏
外形
(D)
TLE2061ACD
TLE2061CD
TLE2061AID
TLE2061ID
TLE2061AMD
TLE2061MD
芯片
支架
( FK )
TLE2061AMFK
TLE2061MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLE2061BMJG
TLE2061AMJG
TLE2061MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2061ACP
TLE2061CP
TLE2061AIP
TLE2061IP
TSSOP
( PW )
TLE2061CPWLE
陶瓷的
扁平封装
(U)
TLE2061AMU
TLE2061MU
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型(例如, TLE2061ACDR ) .Chips在25 ℃条件下测定。
的PW包可左端卷带封装(由LE后缀设备类型(例如, TLE2061CPWLE )表示。
TLE2062可选项
包装设备
TA
0°C
to
70°C
40°C
to
85°C
55°C
to
125°C
VIOMAX
在25℃下
1毫伏
2毫伏
4毫伏
1毫伏
2毫伏
4毫伏
1毫伏
2毫伏
4毫伏
小尺寸
(D)
TLE2062BCD
TLE2062ACD
TLE2062CD
TLE2062BID
TLE2062AID
TLE2062ID
TLE2062BMD
TLE2062AMD
TLE2062MD
芯片载体
( FK )
TLE2062AMFK
TLE2062MFK
陶瓷DIP
( JG )
TLE2062BMJG
TLE2062AMJG
TLE2062MJG
塑料DIP
(P)
TLE2062BCP
TLE2062ACP
TLE2062CP
TLE2062BIP
TLE2062AIP
TLE2062IP
陶瓷的
扁平封装
(U)
TLE2062AMU
TLE2062MU
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2062ACDR ) 。
TLE2064可选项
包装设备
TA
0°C
to
70°C
40°C
to
85°C
55°C
to
125°C
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
4毫伏
6毫伏
2毫伏
4毫伏
6毫伏
2毫伏
4毫伏
6毫伏
小尺寸
(D)
TLE2064ACD
TLE2064CD
TLE2064AID
TLE2064ID
TLE2064AMD
TLE2064MD
芯片载体
( FK )
陶瓷DIP
(J)
塑料DIP
(N)
TLE2064BCN
TLE2064ACN
TLE2064CN
TLE2064BIN
TLE2064AIN
TLE2064IN
陶瓷的
扁平封装
(W)
TLE2064BMFK
TLE2064AMFK
TLE2064MFK
TLE2064BMJ
TLE2064AMJ
TLE2064MJ
TLE2064AMW
TLE2064MW
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型(例如, TLE2064ACDR ) 。
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
“权力
运算放大器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLE2061 , TLE2061A ,和TLE2061B
D, DB , JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
TLE2062 , TLE2062A , TLE2062B
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TLE2064 , TLE2064A , TLE2064B
D, J,N或W包装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TLE2061M , TLE2061AM , TLE2061BM
FK包装
( TOP VIEW )
TLE2062M , TLE2062AM , TLE2062BM
FK包装
( TOP VIEW )
TLE2064M , TLE2064AM , TLE2064BM
FK包装
( TOP VIEW )
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
TLE2061和TLE2061A
ü套餐
( TOP VIEW )
VCC =
NC
偏移N2
NC
NC
TLE2062和TLE2062A
ü套餐
( TOP VIEW )
NC
OFFSET N1
IN-
IN +
V
CC
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
1
2
3
4
5
NC - 无内部连接
V
CC
NC
2IN+
NC
10
9
8
7
6
NC
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
3 2 1 20 19
18
4
5
6
7
8
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
3 2 1 20 19
18
4
5
6
7
8
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC
NC
3英寸+
3
TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
功率运算
2004年4月
放大器器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订版
4
VCC +
Q9
Q32
Q13
Q14
Q18
Q29
Q33
Q35
Q16
Q19
Q25
Q34
Q27
Q23
Q5
Q17
Q11
2.7 k
Q10
Q20
Q24
Q38
Q31
Q15
Q21
Q12
R4
55 k
R2
1.1 k
R5
60 k
Q22
Q26
R7
600
Q8
C2
15 pF的
Q6
C1
R3
2.4 k
C3
5.3 pF的
Q28
Q30
D1
Q37
Q41
Q40
R6
Q7
D2
Q36
Q39
R8
20
R9
100
OUT
Q42
Q4
另请注意一个
VCC =
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLE2061
43
9
1
3
TLE2062
42
9
2
3
TLE2064
42
9
2
3
等效电路图(每个通道)
IN +
IN =
模板发布日期: 94年7月11日
Q1
Q3
邮政信箱655303
15 pF的
Q2
达拉斯,德克萨斯州75265
R1
1.1 k
偏移N2
OFFSET N1
注意事项: A. OFFSET N1和N2 OFFSET仅在所属行业的TLE2061x设备。
B.组件的值是有名无实。
TLE206x , TLE206xA , TLE206xB
神剑JFET输入高输出驱动
“权力
运算放大器
SLOS193B - 1997年2月 - 修订2004年5月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
CC+
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19 V
电源电压,V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
38 V
输入电压范围,V
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±V
CC
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
80毫安
总电流为V
CC+
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80毫安
总电流输出的V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -80毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注4和5 ) :D封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97.1 ° C / W
,D封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86.2 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79.7 ° C / W
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84.6 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
封装的热阻抗,
θ
JC
(见注4和5 ) : FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.6 ° C / W
包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15.1 ° C / W
JG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.5 ° C / W
ü包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.7 ° C / W
W包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10℃ / W的
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
外壳温度60秒: FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下,10秒: D,P ,或PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下60秒: JG ,U或W包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
4.最大功耗是TJ (最大)的函数,
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = ( TJ(MAX) - TA ) /
θ
JA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 (塑料)和MIL -STD- 883方法1012 (陶瓷) 。
推荐工作条件
后缀
电源电压VCC
±
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
VCC ± =
±5
V
VCC ± =
±15
V
±
3.5
1.6
11
0
最大
±
18
4
13
70
我的后缀
±
3.5
1.6
11
40
最大
±
18
4
13
85
M后缀
最大
±
3.5
1.6
11
55
±
18
4
13
125
V
°C
单位
V
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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