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集成电路
8XC54/58
8XC51FA/FB/FC/80C51FA
8XC51RA + / RB + / RC + / RD + / 80C51RA +
80C51的8位微控制器系列
8K - 64K / 256-1K OTP / ROM /无ROM ,
低电压( 2.7V - 5.5V ) ,低功耗,高速( 33兆赫)
产品speci fi cation
替换数据表8XC52 / 54/ 58 / 80C32
8XC51FA/FB/FC/80C51FA
1999 / 80C51RA + 8XC51RA + / RB + / RC + / RD + 4月1日
2000 8月07
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
80C51的8位微控制器系列
8K - 64K / 256-1K OTP / ROM /无ROM ,低电压( 2.7V - 5.5V ) ,
低功耗,高速( 33兆赫)
8XC54/58
8XC51FA/FB/FC/80C51FA
8XC51RA+/RB+/RC+/RD+/80C51RA+
描述
三种不同的单芯片8位微控制器系列是
提交本数据表:
特点
8XC54/8XC58
80C51FA/8XC51FA/8XC51FB/8XC51FC
80C51RA+/8XC51RA+/8XC51RB+/8XC51RC+/8XC51RD+
对于需要4K ROM / EPROM的应用程序,看到8XC51 / 80C31
8位CMOS (低电压,低功耗,以及高速)
微控制器系列的数据表。
所有的家庭都制造的单芯片8位微控制器
在先进的CMOS工艺,并且是8051的衍生品
微控制器系列。所有的设备都具有相同的指令集
为80C51 。
这些器件提供了架构改进,使它们
适用于各种用于普通控制系统的应用。
ROM / EPROM
内存大小
( 8 X)
80C31/8XC51
0K/4K
8XC54/58
0K/8K/16K/32K
256
No
No
128
No
No
RAM大小
( 8 X)
可编程
定时器计数器
( PCA)的
五金
看门狗
定时器
80C51中央处理单元
加速到33 MHz的
全静态操作
工作电压范围: 2.7 V至5.5 V @ 16兆赫
安全位:
ROM - 2位
OTP - EPROM - 3位
加密阵列 - 64个字节
内存可扩展到64K字节
4级优先中断
6 OR 7个中断源,这取决于设备
4个8位I / O端口
全双工增强型UART
帧错误检测
自动地址识别
功率控制模式
时钟可以停止和恢复
空闲模式
掉电模式
80C51FA/8XC51FA/FB/FC
0K/8K/16K/32K
256
是的
No
80C51RA+/8XC51RA+/RB+/RC+
0K/8K/16K/32K
8XC51RD+
64K
1024
是的
是的
512
是的
是的
可编程时钟输出
第二个DPTR寄存器
异步端口复位
低EMI (禁止ALE )
在无ROM器件, 80C51FA和80C51RA +能寻址
64K的外部存储器。所有的设备有4个8位I / O端口,
3个16位的定时器/计数器,多源,四优先级,
嵌套的中断结构,一个增强型UART和片上振荡器
和时序电路。对于需要额外的内存容量系统
高达64K字节的,每个都可以用标准的扩展
TTL兼容的存储器和逻辑。
其附加功能,使其成为一个更强大的微控制器
需要应用脉冲宽度调制,高速I / O和
增/减计数功能,如马达控制。它也有一
有利于多更通用串行通道
通信。
2000 8月07
2
853-2068 24292
飞利浦半导体
产品speci fi cation
80C51的8位微控制器系列
8K - 64K / 256-1K OTP / ROM /无ROM ,低电压( 2.7V - 5.5V ) ,
低功耗,高速( 33兆赫)
8XC54/58
8XC51FA/FB/FC/80C51FA
8XC51RA+/RB+/RC+/RD+/80C51RA+
框图
P0.0–P0.7
P2.0–P2.7
端口0
DRIVERS
V
CC
V
SS
RAM地址
注册
内存
端口0
LATCH
端口2
DRIVERS
端口2
LATCH
ROM / EPROM
8
B
注册
指针
TMP2
TMP1
节目
地址
注册
ALU
特殊功能寄存器
计时器
PSW
P.C.A. ( FA & RA +只)
8
卜FF器
PC
增量
M输入
16
节目
计数器
PSEN
ALE / PROG
EAV
PP
RST
PD
定时
控制
指令
注册
DPTR 'S
多种
端口1
LATCH
端口3
LATCH
振荡器
端口1
DRIVERS
XTAL1
XTAL2
P1.0–P1.7
端口3
DRIVERS
P3.0–P3.7
SU00831B
2000 8月07
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
80C51的8位微控制器系列
8K - 64K / 256-1K OTP / ROM /无ROM ,低电压( 2.7V - 5.5V ) ,
低功耗,高速( 33兆赫)
8XC54/58
8XC51FA/FB/FC/80C51FA
8XC51RA+/RB+/RC+/RD+/80C51RA+
逻辑符号
V
CC
XTAL1
端口0
地址
数据总线
V
SS
塑料引线芯片载体引脚功能
6
1
40
7
39
LCC
XTAL2
T2
T2EX
端口1
RST
EA / V
PP
PSEN
辅助功能
ALE / PROG
RXD
TXD
INT0
INT1
T0
T1
WR
RD
17
29
18
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
功能
NIC *
P1.0/T2
P1.1/T2EX
P1.2/ECI
P1.3/CEX0
P1.4/CEX1
P1.5/CEX2
P1.6/CEX3
P1.7/CEX4
RST
P3.0/RxD
NIC *
P3.1/TxD
P3.2/INT0
P3.3/INT1
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
功能
P3.4/T0
P3.5/T1
P3.6/WR
P3.7/RD
XTAL2
XTAL1
V
SS
NIC *
P2.0/A8
P2.1/A9
P2.2/A10
P2.3/A11
P2.4/A12
P2.5/A13
P2.6/A14
28
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
功能
P2.7/A15
PSEN
ALE / PROG
NIC *
EA / V
PP
P0.7/AD7
P0.6/AD6
P0.5/AD5
P0.4/AD4
P0.3/AD3
P0.2/AD2
P0.1/AD1
P0.0/AD0
V
CC
端口3
端口2
地址总线
SU00830
销刀豆网络gurations
双列直插封装引脚功能
T2 / P1.0 1
T2EX / P1.1 2
ECI / P1.2 3
CEX0 / P1.3 4
CEX1 / P1.4 5
CEX2 / P1.5 6
CEX3 / P1.6 7
CEX4 / P1.7 8
RST 9
的RxD / P3.0 10
的TxD / P3.1 11
INT0 / P3.2 12
INT1 / P3.3 13
T0 / P3.4 14
T1 / P3.5 15
WR / P3.6 16
RD / P3.7 17
XTAL2 18
XTAL1 19
V
SS
20
IN- LINE
40 V
CC
39 P0.0 / AD0
38 P0.1 / AD1
37 P0.2 / AD2
36 P0.3 / AD3
35 P0.4 / AD4
34 P0.5 / AD5
33 P0.6 / AD6
32 P0.7 / AD7
31 EA / V
PP
30 ALE / PROG
29 PSEN
28 P2.7 / A15
27 P2.6 / A14
26 P2.5 / A13
25 P2.4 / A12
24 P2.3 / A11
23 P2.2 / A10
22 P2.1 / A9
21 P2.0 / A8
*无内部连接
SU00023
塑料四方扁平的包
引脚功能
44
34
1
33
PQFP
11
23
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
功能
P1.5/CEX2
P1.6/CEX3
P1.7/CEX4
RST
P3.0/RxD
NIC *
P3.1/TxD
P3.2/INT0
P3.3/INT1
P3.4/T0
P3.5/T1
P3.6/WR
P3.7/RD
XTAL2
XTAL1
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
功能
V
SS
NIC *
P2.0/A8
P2.1/A9
P2.2/A10
P2.3/A11
P2.4/A12
P2.5/A13
P2.6/A14
P2.7/A15
PSEN
ALE / PROG
NIC *
EA / V
PP
P0.7/AD7
22
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
功能
P0.6/AD6
P0.5/AD5
P0.4/AD4
P0.3/AD3
P0.2/AD2
P0.1/AD1
P0.0/AD0
V
CC
NIC *
P1.0/T2
P1.1/T2EX
P1.2/ECI
P1.3/CEX0
P1.4/CEX1
SU00021
*无内部连接
SU00024
2000 8月07
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
80C51的8位微控制器系列
8K - 64K / 256-1K OTP / ROM /无ROM ,低电压( 2.7V - 5.5V ) ,
低功耗,高速( 33兆赫)
8XC54/58
8XC51FA/FB/FC/80C51FA
8XC51RA+/RB+/RC+/RD+/80C51RA+
引脚说明
引脚数
助记符
V
SS
V
CC
P0.0–0.7
DIP
20
40
39–32
LCC
22
44
43–36
QFP
16
38
37–30
TYPE
I
I
I / O
名称和功能
地面:
0V参考。
电源:
这是在电源电压为正常,空闲和掉电操作。
端口0 :
端口0是一个开漏双向I / O口。 P0口具有1秒写入
这些浮动,可作为高阻抗输入。端口0也是多路复用
低位地址和数据总线在访问外部程序和数据存储器。在
这个应用程序,它使用强大的内部上拉发送1 。 P0口输出
在程序验证码字节和EPROM期间收到的字节码
编程。在程序的验证,需要外部上拉电阻。
端口1 :
端口1是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P1口有1秒
写入它们的拉高由内部上拉电阻,可以用来作为输入。作为输入,
P1口被外部电路拉,因为内部上拉的时将输出电流。
(见DC电气特性:我
IL
) 。端口1也接收低位地址字节
在程序存储器的验证。
备用功能8XC51FX和8XC51RX +端口1包括:
T2 ( P1.0 ) :
定时器/计数器2的外部计数输入/时钟输出(见可编程时钟输出)
T2EX ( P1.1 ) :
定时器/计数器2重载/捕获/方向控制
ECI ( P1.2 ) :
外部时钟输入到PCA
CEX0 ( P1.3 ) :
捕捉/比较外部I / O PCA模块0
CEX1 ( P1.4 ) :
捕捉/比较外部I / O PCA模块1
CEX2 ( P1.5 ) :
捕捉/比较外部I / O PCA模块2
CEX3 ( P1.6 ) :
捕捉/比较外部I / O PCA模块3
CEX4 ( P1.7 ) :
捕捉/比较外部I / O PCA模块4
端口2 :
端口2是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P2口有1秒
写入它们的拉高由内部上拉电阻,可以用来作为输入。作为输入,
这被外部拉低的,因为内部时将输出电流端口2引脚
引体向上。 (见DC电气特性:我
IL
) 。端口2发出的高位地址字节
在从外部程序存储器取,并在外部数据存储器访问
即使用16位地址( MOVX @ DPTR ) 。在这种应用中,它使用强大的内部
发射1秒,当拉。在使用8位地址以访问外部数据存储器
(MOV @Ri ),端口2发出的P2的特殊功能寄存器的内容。一些端口2引脚
在收到EPROM编程和验证的高位地址。
端口3 :
端口3是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P3口有1秒
写入它们的拉高由内部上拉电阻,可以用来作为输入。作为输入,
端口3引脚被外部拉低由于上拉的时将输出电流。
(见DC电气特性:我
IL
) 。端口3还提供了特殊功能的80C51
家庭,具体如下:
RXD( P3.0 ) :
串行输入端口
的TxD ( P3.1 ) :
串行输出端口
INT0 ( P3.2 ) :
外部中断
INT1 ( P3.3 ) :
外部中断
T0 ( P3.4 ) :
定时器0外部输入
T1 ( P3.5 ) :
定时器1外部输入
WR ( P3.6 ) :
外部数据存储器写选通
RD ( P3.7 ) :
外部数据存储器读选通
RESET :
高该引脚上的晶振工作时两个机器周期,复位
装置。内部扩散电阻到V
SS
允许仅使用一个外部上电复位
电容V
CC
.
地址锁存使能/编程脉冲:
输出脉冲用于锁存的低字节
在访问外部存储器地址。在正常操作中, ALE是在发射
的1/6的振荡器频率恒定的速率,并且可用于外部定时或时钟。
请注意,一个ALE脉冲在每次访问外部数据存储器跳过。该引脚
也用作编程输入脉冲(PROG)期间EPROM编程。 ALE可以通过禁用
设置SFR auxiliary.0 。与此位设置, ALE只有在执行MOVX指令被激活。
P1.0–P1.7
1–8
2–9
40–44,
1–3
I / O
1
2
3
4
5
6
7
8
P2.0–P2.7
21–28
2
3
4
5
6
7
8
9
24–31
40
41
42
43
44
1
2
3
18–25
I / O
I
I
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
P3.0–P3.7
10–17
11,
13–19
5,
7–13
I / O
10
11
12
13
14
15
16
17
RST
9
11
13
14
15
16
17
18
19
10
5
7
8
9
10
11
12
13
4
I
O
I
I
I
I
O
O
I
ALE / PROG
30
33
27
O
2000 8月07
5
TLE202x , TLE202xA , TLE202xB , TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
D
D
D
D
D
D
电源电流。 。 。 230
A
最大
高单位增益带宽。 。 。 2 MHz的典型值
高转换率。 。 。 0.45 V / μs最小值
电源电流变化对军事温度
范围内。 。 。 10
A
典型的V
CC
±
=
±
15 V
指定了两个5 -V单电源和
±15-V
手术
相位反转保护
D
D
D
D
D
高开环增益。 。 。 6.5 V / μV
(136 dB)的典型值
低失调电压。 。 。 100
V
最大
失调电压漂移时间
0.005
μV /月
典型值
低输入偏置电流。 。 。 50 nA的最大
低噪声电压。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值
描述
该TLE202x , TLE202xA ,并TLE202xB设备精密,高速,低功耗运算放大器
使用新的德州仪器的Excalibur过程。这些器件结合OP21的最好的功能
大大提高转换率和单位增益带宽。
互补双极神剑工艺采用能产生戏剧性的隔离垂直PNP晶体管
提高单位增益带宽和压摆率过类似的设备。
结合增加了一个偏置电路的这一过程的结果与两个极其稳定参数
时间和温度。这意味着,一个精密设备仍然是一个精密的设备,即使有变化
温度和超过使用年限。
出色的直流性能与包括一个共模输入电压范围内该组合
负电源使这些器件用于在任一低电平信号调节应用的理想选择。
单电源或分离电源的配置。此外,这些器件提供了相位反转保护电路
这消除了在输出状态的意外变化时的输入之一变为低于负电源
轨。
有多种可用的选项包括小外形和芯片载体的版本为高密度系统
应用程序。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40 ° C至85°C 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围 - 55 ° C至125°C 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLE202x , TLE202xA , TLE202xB , TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
TLE2021可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
200
V
500
V
200
V
500
V
100
V
200
V
500
V
外形
(D)
TLE2021ACD
TLE2021CD
TLE2021AID
TLE2021ID
TLE2021AMD
TLE2021MD
SSOP
( dB)的
TLE2021CDBLE
芯片
支架
( FK )
陶瓷DIP
( JG )
塑料DIP
(P)
TLE2021ACP
TLE2021CP
TLE2021AIP
TLE2021IP
TLE2021AMP
TLE2021MP
TSSOP
( PW )
TLE2021CPWLE
芯片
形成的?
(Y)
TLE2021Y
0℃至
70°C
– 40°C
to
85°C
– 55°C
to
125°C
TLE2021BMFK
TLE2021AMFK
TLE2021MFK
TLE2021BMJG
TLE2021AMJG
TLE2021MJG
为D软件包可以录音和缠绕。要订购录音和缠绕的部分,添加后缀R(例如, TLE2021CDR ) 。
的DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2022可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
150
V
300
V
500
V
150
V
300
V
500
V
150
V
300
V
500
V
外形
(D)
TLE2022BCD
TLE2022ACD
TLE2022CD
TLE2022BID
TLE2022AID
TLE2022ID
TLE2022AMD
TLE2022MD
SSOP
( dB)的
TLE2022CDBLE
芯片
支架
( FK )
陶瓷的
DIP
( JG )
塑料
DIP
(P)
TLE2022ACP
TLE2022CP
TLE2022AIP
TLE2022IP
TLE2022AMP
TLE2022MP
TSSOP
( PW )
TLE2022CPWLE
芯片
形成的?
(Y)
TLE2022Y
0°C
to
70°C
– 40°C
to
85°C
– 55°C
55 C
to
125°C
TLE2022AMFK
TLE2022MFK
TLE2022BMJG
TLE2022AMJG
TLE2022MJG
为D软件包可以录音和缠绕。要oerder一个录音和缠绕的部分,添加后缀R(例如, TLE2022CDR ) 。
的DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2024可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
V
750
V
1000
V
500
V
750
V
1000
V
500
V
750
V
1000
V
概要
( DW )
TLE2024BCDW
TLE2024ACDW
TLE2024CDW
TLE2024BIDW
TLE2024AIDW
TLE2024IDW
TLE2024BMDW
TLE2024AMDW
TLE2024MDW
芯片
支架
( FK )
陶瓷的
DIP
(J)
塑料
DIP
(N)
TLE2024BCN
TLE2024ACN
TLE2024CN
TLE2024BIN
TLE2024AIN
TLE2024IN
TLE2024BMN
TLE2024AMN
TLE2024MN
芯片
形成的?
(Y)
TLE2024Y
0 ° C至70
°
C
- 40 ° C至85°C
TLE2024BMFK
TLE2024AMFK
TLE2024MFK
TLE2024BMJ
TLE2024AMJ
TLE2024MJ
- 55 ° C至125°C
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLE202x , TLE202xA , TLE202xB , TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
描述(续)
TLE2021
D, DB , JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
TLE2021
FK包装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC - 无内部连接
D, DB , JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
FK包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC - 无内部连接
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
NC
VCC - / GND
NC
2IN +
NC
NC
VCC - / GND
NC
偏移N2
NC
3
TLE202x , TLE202xA , TLE202xB , TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
DW包装
( TOP VIEW )
FK包装
( TOP VIEW )
J或N包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
4IN +
NC
V
CC –
/ GND
NC
3英寸+
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC - 无内部连接
4
邮政信箱655303
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
达拉斯,德克萨斯州75265
TLE202x , TLE202xA , TLE202xB , TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
TLE2021Y芯片信息
该芯片,当正确组装,显示类似的TLE2021的特点。热压缩或
超声键合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。这个芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
(5)
(1)
(3)
(2)
(5)
(4)
VCC - / GND
+
VCC +
(7)
(6)
OUT
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
78
切屑厚度: 15 MILS典型
焊盘: 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(4)
(1)
(2)
54
(3)
PIN码( 4 )内部连接
背侧的芯片。
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5
集成电路
8XC54/58
8XC51FA/FB/FC/80C51FA
8XC51RA + / RB + / RC + / RD + / 80C51RA +
80C51的8位微控制器系列
8K - 64K / 256-1K OTP / ROM /无ROM ,
低电压( 2.7V - 5.5V ) ,低功耗,高速( 33兆赫)
产品speci fi cation
替换数据表8XC52 / 54/ 58 / 80C32
8XC51FA/FB/FC/80C51FA
1999 / 80C51RA + 8XC51RA + / RB + / RC + / RD + 4月1日
2000 8月07
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
80C51的8位微控制器系列
8K - 64K / 256-1K OTP / ROM /无ROM ,低电压( 2.7V - 5.5V ) ,
低功耗,高速( 33兆赫)
8XC54/58
8XC51FA/FB/FC/80C51FA
8XC51RA+/RB+/RC+/RD+/80C51RA+
描述
三种不同的单芯片8位微控制器系列是
提交本数据表:
特点
8XC54/8XC58
80C51FA/8XC51FA/8XC51FB/8XC51FC
80C51RA+/8XC51RA+/8XC51RB+/8XC51RC+/8XC51RD+
对于需要4K ROM / EPROM的应用程序,看到8XC51 / 80C31
8位CMOS (低电压,低功耗,以及高速)
微控制器系列的数据表。
所有的家庭都制造的单芯片8位微控制器
在先进的CMOS工艺,并且是8051的衍生品
微控制器系列。所有的设备都具有相同的指令集
为80C51 。
这些器件提供了架构改进,使它们
适用于各种用于普通控制系统的应用。
ROM / EPROM
内存大小
( 8 X)
80C31/8XC51
0K/4K
8XC54/58
0K/8K/16K/32K
256
No
No
128
No
No
RAM大小
( 8 X)
可编程
定时器计数器
( PCA)的
五金
看门狗
定时器
80C51中央处理单元
加速到33 MHz的
全静态操作
工作电压范围: 2.7 V至5.5 V @ 16兆赫
安全位:
ROM - 2位
OTP - EPROM - 3位
加密阵列 - 64个字节
内存可扩展到64K字节
4级优先中断
6 OR 7个中断源,这取决于设备
4个8位I / O端口
全双工增强型UART
帧错误检测
自动地址识别
功率控制模式
时钟可以停止和恢复
空闲模式
掉电模式
80C51FA/8XC51FA/FB/FC
0K/8K/16K/32K
256
是的
No
80C51RA+/8XC51RA+/RB+/RC+
0K/8K/16K/32K
8XC51RD+
64K
1024
是的
是的
512
是的
是的
可编程时钟输出
第二个DPTR寄存器
异步端口复位
低EMI (禁止ALE )
在无ROM器件, 80C51FA和80C51RA +能寻址
64K的外部存储器。所有的设备有4个8位I / O端口,
3个16位的定时器/计数器,多源,四优先级,
嵌套的中断结构,一个增强型UART和片上振荡器
和时序电路。对于需要额外的内存容量系统
高达64K字节的,每个都可以用标准的扩展
TTL兼容的存储器和逻辑。
其附加功能,使其成为一个更强大的微控制器
需要应用脉冲宽度调制,高速I / O和
增/减计数功能,如马达控制。它也有一
有利于多更通用串行通道
通信。
2000 8月07
2
853-2068 24292
飞利浦半导体
产品speci fi cation
80C51的8位微控制器系列
8K - 64K / 256-1K OTP / ROM /无ROM ,低电压( 2.7V - 5.5V ) ,
低功耗,高速( 33兆赫)
8XC54/58
8XC51FA/FB/FC/80C51FA
8XC51RA+/RB+/RC+/RD+/80C51RA+
框图
P0.0–P0.7
P2.0–P2.7
端口0
DRIVERS
V
CC
V
SS
RAM地址
注册
内存
端口0
LATCH
端口2
DRIVERS
端口2
LATCH
ROM / EPROM
8
B
注册
指针
TMP2
TMP1
节目
地址
注册
ALU
特殊功能寄存器
计时器
PSW
P.C.A. ( FA & RA +只)
8
卜FF器
PC
增量
M输入
16
节目
计数器
PSEN
ALE / PROG
EAV
PP
RST
PD
定时
控制
指令
注册
DPTR 'S
多种
端口1
LATCH
端口3
LATCH
振荡器
端口1
DRIVERS
XTAL1
XTAL2
P1.0–P1.7
端口3
DRIVERS
P3.0–P3.7
SU00831B
2000 8月07
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
80C51的8位微控制器系列
8K - 64K / 256-1K OTP / ROM /无ROM ,低电压( 2.7V - 5.5V ) ,
低功耗,高速( 33兆赫)
8XC54/58
8XC51FA/FB/FC/80C51FA
8XC51RA+/RB+/RC+/RD+/80C51RA+
逻辑符号
V
CC
XTAL1
端口0
地址
数据总线
V
SS
塑料引线芯片载体引脚功能
6
1
40
7
39
LCC
XTAL2
T2
T2EX
端口1
RST
EA / V
PP
PSEN
辅助功能
ALE / PROG
RXD
TXD
INT0
INT1
T0
T1
WR
RD
17
29
18
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
功能
NIC *
P1.0/T2
P1.1/T2EX
P1.2/ECI
P1.3/CEX0
P1.4/CEX1
P1.5/CEX2
P1.6/CEX3
P1.7/CEX4
RST
P3.0/RxD
NIC *
P3.1/TxD
P3.2/INT0
P3.3/INT1
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
功能
P3.4/T0
P3.5/T1
P3.6/WR
P3.7/RD
XTAL2
XTAL1
V
SS
NIC *
P2.0/A8
P2.1/A9
P2.2/A10
P2.3/A11
P2.4/A12
P2.5/A13
P2.6/A14
28
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
功能
P2.7/A15
PSEN
ALE / PROG
NIC *
EA / V
PP
P0.7/AD7
P0.6/AD6
P0.5/AD5
P0.4/AD4
P0.3/AD3
P0.2/AD2
P0.1/AD1
P0.0/AD0
V
CC
端口3
端口2
地址总线
SU00830
销刀豆网络gurations
双列直插封装引脚功能
T2 / P1.0 1
T2EX / P1.1 2
ECI / P1.2 3
CEX0 / P1.3 4
CEX1 / P1.4 5
CEX2 / P1.5 6
CEX3 / P1.6 7
CEX4 / P1.7 8
RST 9
的RxD / P3.0 10
的TxD / P3.1 11
INT0 / P3.2 12
INT1 / P3.3 13
T0 / P3.4 14
T1 / P3.5 15
WR / P3.6 16
RD / P3.7 17
XTAL2 18
XTAL1 19
V
SS
20
IN- LINE
40 V
CC
39 P0.0 / AD0
38 P0.1 / AD1
37 P0.2 / AD2
36 P0.3 / AD3
35 P0.4 / AD4
34 P0.5 / AD5
33 P0.6 / AD6
32 P0.7 / AD7
31 EA / V
PP
30 ALE / PROG
29 PSEN
28 P2.7 / A15
27 P2.6 / A14
26 P2.5 / A13
25 P2.4 / A12
24 P2.3 / A11
23 P2.2 / A10
22 P2.1 / A9
21 P2.0 / A8
*无内部连接
SU00023
塑料四方扁平的包
引脚功能
44
34
1
33
PQFP
11
23
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
功能
P1.5/CEX2
P1.6/CEX3
P1.7/CEX4
RST
P3.0/RxD
NIC *
P3.1/TxD
P3.2/INT0
P3.3/INT1
P3.4/T0
P3.5/T1
P3.6/WR
P3.7/RD
XTAL2
XTAL1
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
功能
V
SS
NIC *
P2.0/A8
P2.1/A9
P2.2/A10
P2.3/A11
P2.4/A12
P2.5/A13
P2.6/A14
P2.7/A15
PSEN
ALE / PROG
NIC *
EA / V
PP
P0.7/AD7
22
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
功能
P0.6/AD6
P0.5/AD5
P0.4/AD4
P0.3/AD3
P0.2/AD2
P0.1/AD1
P0.0/AD0
V
CC
NIC *
P1.0/T2
P1.1/T2EX
P1.2/ECI
P1.3/CEX0
P1.4/CEX1
SU00021
*无内部连接
SU00024
2000 8月07
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
80C51的8位微控制器系列
8K - 64K / 256-1K OTP / ROM /无ROM ,低电压( 2.7V - 5.5V ) ,
低功耗,高速( 33兆赫)
8XC54/58
8XC51FA/FB/FC/80C51FA
8XC51RA+/RB+/RC+/RD+/80C51RA+
引脚说明
引脚数
助记符
V
SS
V
CC
P0.0–0.7
DIP
20
40
39–32
LCC
22
44
43–36
QFP
16
38
37–30
TYPE
I
I
I / O
名称和功能
地面:
0V参考。
电源:
这是在电源电压为正常,空闲和掉电操作。
端口0 :
端口0是一个开漏双向I / O口。 P0口具有1秒写入
这些浮动,可作为高阻抗输入。端口0也是多路复用
低位地址和数据总线在访问外部程序和数据存储器。在
这个应用程序,它使用强大的内部上拉发送1 。 P0口输出
在程序验证码字节和EPROM期间收到的字节码
编程。在程序的验证,需要外部上拉电阻。
端口1 :
端口1是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P1口有1秒
写入它们的拉高由内部上拉电阻,可以用来作为输入。作为输入,
P1口被外部电路拉,因为内部上拉的时将输出电流。
(见DC电气特性:我
IL
) 。端口1也接收低位地址字节
在程序存储器的验证。
备用功能8XC51FX和8XC51RX +端口1包括:
T2 ( P1.0 ) :
定时器/计数器2的外部计数输入/时钟输出(见可编程时钟输出)
T2EX ( P1.1 ) :
定时器/计数器2重载/捕获/方向控制
ECI ( P1.2 ) :
外部时钟输入到PCA
CEX0 ( P1.3 ) :
捕捉/比较外部I / O PCA模块0
CEX1 ( P1.4 ) :
捕捉/比较外部I / O PCA模块1
CEX2 ( P1.5 ) :
捕捉/比较外部I / O PCA模块2
CEX3 ( P1.6 ) :
捕捉/比较外部I / O PCA模块3
CEX4 ( P1.7 ) :
捕捉/比较外部I / O PCA模块4
端口2 :
端口2是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P2口有1秒
写入它们的拉高由内部上拉电阻,可以用来作为输入。作为输入,
这被外部拉低的,因为内部时将输出电流端口2引脚
引体向上。 (见DC电气特性:我
IL
) 。端口2发出的高位地址字节
在从外部程序存储器取,并在外部数据存储器访问
即使用16位地址( MOVX @ DPTR ) 。在这种应用中,它使用强大的内部
发射1秒,当拉。在使用8位地址以访问外部数据存储器
(MOV @Ri ),端口2发出的P2的特殊功能寄存器的内容。一些端口2引脚
在收到EPROM编程和验证的高位地址。
端口3 :
端口3是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P3口有1秒
写入它们的拉高由内部上拉电阻,可以用来作为输入。作为输入,
端口3引脚被外部拉低由于上拉的时将输出电流。
(见DC电气特性:我
IL
) 。端口3还提供了特殊功能的80C51
家庭,具体如下:
RXD( P3.0 ) :
串行输入端口
的TxD ( P3.1 ) :
串行输出端口
INT0 ( P3.2 ) :
外部中断
INT1 ( P3.3 ) :
外部中断
T0 ( P3.4 ) :
定时器0外部输入
T1 ( P3.5 ) :
定时器1外部输入
WR ( P3.6 ) :
外部数据存储器写选通
RD ( P3.7 ) :
外部数据存储器读选通
RESET :
高该引脚上的晶振工作时两个机器周期,复位
装置。内部扩散电阻到V
SS
允许仅使用一个外部上电复位
电容V
CC
.
地址锁存使能/编程脉冲:
输出脉冲用于锁存的低字节
在访问外部存储器地址。在正常操作中, ALE是在发射
的1/6的振荡器频率恒定的速率,并且可用于外部定时或时钟。
请注意,一个ALE脉冲在每次访问外部数据存储器跳过。该引脚
也用作编程输入脉冲(PROG)期间EPROM编程。 ALE可以通过禁用
设置SFR auxiliary.0 。与此位设置, ALE只有在执行MOVX指令被激活。
P1.0–P1.7
1–8
2–9
40–44,
1–3
I / O
1
2
3
4
5
6
7
8
P2.0–P2.7
21–28
2
3
4
5
6
7
8
9
24–31
40
41
42
43
44
1
2
3
18–25
I / O
I
I
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
P3.0–P3.7
10–17
11,
13–19
5,
7–13
I / O
10
11
12
13
14
15
16
17
RST
9
11
13
14
15
16
17
18
19
10
5
7
8
9
10
11
12
13
4
I
O
I
I
I
I
O
O
I
ALE / PROG
30
33
27
O
2000 8月07
5
TLE202x , TLE202xA , TLE202xB , TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
D
D
D
D
D
D
电源电流。 。 。 230
A
最大
高单位增益带宽。 。 。 2 MHz的典型值
高转换率。 。 。 0.45 V / μs最小值
电源电流变化对军事温度
范围内。 。 。 10
A
典型的V
CC
±
=
±
15 V
指定了两个5 -V单电源和
±15-V
手术
相位反转保护
D
D
D
D
D
高开环增益。 。 。 6.5 V / μV
(136 dB)的典型值
低失调电压。 。 。 100
V
最大
失调电压漂移时间
0.005
μV /月
典型值
低输入偏置电流。 。 。 50 nA的最大
低噪声电压。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值
描述
该TLE202x , TLE202xA ,并TLE202xB设备精密,高速,低功耗运算放大器
使用新的德州仪器的Excalibur过程。这些器件结合OP21的最好的功能
大大提高转换率和单位增益带宽。
互补双极神剑工艺采用能产生戏剧性的隔离垂直PNP晶体管
提高单位增益带宽和压摆率过类似的设备。
结合增加了一个偏置电路的这一过程的结果与两个极其稳定参数
时间和温度。这意味着,一个精密设备仍然是一个精密的设备,即使有变化
温度和超过使用年限。
出色的直流性能与包括一个共模输入电压范围内该组合
负电源使这些器件用于在任一低电平信号调节应用的理想选择。
单电源或分离电源的配置。此外,这些器件提供了相位反转保护电路
这消除了在输出状态的意外变化时的输入之一变为低于负电源
轨。
有多种可用的选项包括小外形和芯片载体的版本为高密度系统
应用程序。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40 ° C至85°C 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围 - 55 ° C至125°C 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLE202x , TLE202xA , TLE202xB , TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
TLE2021可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
200
V
500
V
200
V
500
V
100
V
200
V
500
V
外形
(D)
TLE2021ACD
TLE2021CD
TLE2021AID
TLE2021ID
TLE2021AMD
TLE2021MD
SSOP
( dB)的
TLE2021CDBLE
芯片
支架
( FK )
陶瓷DIP
( JG )
塑料DIP
(P)
TLE2021ACP
TLE2021CP
TLE2021AIP
TLE2021IP
TLE2021AMP
TLE2021MP
TSSOP
( PW )
TLE2021CPWLE
芯片
形成的?
(Y)
TLE2021Y
0℃至
70°C
– 40°C
to
85°C
– 55°C
to
125°C
TLE2021BMFK
TLE2021AMFK
TLE2021MFK
TLE2021BMJG
TLE2021AMJG
TLE2021MJG
为D软件包可以录音和缠绕。要订购录音和缠绕的部分,添加后缀R(例如, TLE2021CDR ) 。
的DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2022可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
150
V
300
V
500
V
150
V
300
V
500
V
150
V
300
V
500
V
外形
(D)
TLE2022BCD
TLE2022ACD
TLE2022CD
TLE2022BID
TLE2022AID
TLE2022ID
TLE2022AMD
TLE2022MD
SSOP
( dB)的
TLE2022CDBLE
芯片
支架
( FK )
陶瓷的
DIP
( JG )
塑料
DIP
(P)
TLE2022ACP
TLE2022CP
TLE2022AIP
TLE2022IP
TLE2022AMP
TLE2022MP
TSSOP
( PW )
TLE2022CPWLE
芯片
形成的?
(Y)
TLE2022Y
0°C
to
70°C
– 40°C
to
85°C
– 55°C
55 C
to
125°C
TLE2022AMFK
TLE2022MFK
TLE2022BMJG
TLE2022AMJG
TLE2022MJG
为D软件包可以录音和缠绕。要oerder一个录音和缠绕的部分,添加后缀R(例如, TLE2022CDR ) 。
的DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2024可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
V
750
V
1000
V
500
V
750
V
1000
V
500
V
750
V
1000
V
概要
( DW )
TLE2024BCDW
TLE2024ACDW
TLE2024CDW
TLE2024BIDW
TLE2024AIDW
TLE2024IDW
TLE2024BMDW
TLE2024AMDW
TLE2024MDW
芯片
支架
( FK )
陶瓷的
DIP
(J)
塑料
DIP
(N)
TLE2024BCN
TLE2024ACN
TLE2024CN
TLE2024BIN
TLE2024AIN
TLE2024IN
TLE2024BMN
TLE2024AMN
TLE2024MN
芯片
形成的?
(Y)
TLE2024Y
0 ° C至70
°
C
- 40 ° C至85°C
TLE2024BMFK
TLE2024AMFK
TLE2024MFK
TLE2024BMJ
TLE2024AMJ
TLE2024MJ
- 55 ° C至125°C
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
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TLE202x , TLE202xA , TLE202xB , TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
描述(续)
TLE2021
D, DB , JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
TLE2021
FK包装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC - 无内部连接
D, DB , JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
FK包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC - 无内部连接
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NC
VCC - / GND
NC
2IN +
NC
NC
VCC - / GND
NC
偏移N2
NC
3
TLE202x , TLE202xA , TLE202xB , TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
DW包装
( TOP VIEW )
FK包装
( TOP VIEW )
J或N包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
4IN +
NC
V
CC –
/ GND
NC
3英寸+
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC - 无内部连接
4
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2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
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神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
TLE2021Y芯片信息
该芯片,当正确组装,显示类似的TLE2021的特点。热压缩或
超声键合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。这个芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
(5)
(1)
(3)
(2)
(5)
(4)
VCC - / GND
+
VCC +
(7)
(6)
OUT
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
78
切屑厚度: 15 MILS典型
焊盘: 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(4)
(1)
(2)
54
(3)
PIN码( 4 )内部连接
背侧的芯片。
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电话:0755-82170267
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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