TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191B - 1997年2月 - 修订2002年1月
D
D
D
D
D
D
电源电流。 。 。 300
A
最大
高单位增益带宽。 。 。 2 MHz的典型值
高转换率。 。 。 0.45 V / μs最小值
电源电流变化对军事温度
范围内。 。 。 10
A
典型的V
CC
±
=
±
15 V
指定了两个5 -V单电源和
±15-V
手术
相位反转保护
D
D
D
D
D
高开环增益。 。 。 6.5 V / μV
（136 dB）的典型值
低失调电压。 。 。 100
V
最大
失调电压漂移时间
0.005
μV /月
典型值
低输入偏置电流。 。 。 50 nA的最大
低噪声电压。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值
描述
该TLE202x ， TLE202xA ，并TLE202xB设备精密，高速，低功耗运算放大器
使用新的德州仪器的Excalibur过程。这些器件结合OP21的最好的功能
大大提高转换率和单位增益带宽。
互补双极神剑工艺采用能产生戏剧性的隔离垂直PNP晶体管
提高单位增益带宽和压摆率过类似的设备。
结合增加了一个偏置电路的这一过程的结果与两个极其稳定参数
时间和温度。这意味着，一个精密设备仍然是一个精密的设备，即使有变化
温度和超过使用年限。
出色的直流性能与包括一个共模输入电压范围内该组合
负电源使这些器件用于在任一低电平信号调节应用的理想选择。
单电源或分离电源的配置。此外，这些器件提供了相位反转保护电路
这消除了在输出状态的意外变化时的输入之一变为低于负电源
轨。
有多种可用的选项包括小外形和芯片载体的版本为高密度系统
应用程序。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40 ° C至85°C 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围 - 55 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2002年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191B - 1997年2月 - 修订2002年1月
TLE2021可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
200
V
500
V
200
V
500
V
100
V
200
V
500
V
小
外形
(D)
TLE2021ACD
TLE2021CD
TLE2021AID
TLE2021ID
—
TLE2021AMD
TLE2021MD
SSOP
（ dB）的
TLE2021CDBLE
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷DIP
（ JG ）
—
塑料DIP
(P)
TLE2021ACP
TLE2021CP
TLE2021AIP
TLE2021IP
—
TLE2021AMP
TLE2021MP
TSSOP
（ PW ）
—
TLE2021CPWLE
—
芯片
形成的？
(Y)
—
TLE2021Y
—
0℃至
70°C
– 40°C
to
85°C
– 55°C
to
125°C
—
—
TLE2021BMFK
TLE2021AMFK
TLE2021MFK
—
TLE2021BMJG
TLE2021AMJG
TLE2021MJG
—
—
—
为D软件包可以录音和缠绕。要订购录音和缠绕的部分，添加后缀R（例如， TLE2021CDR ） 。
的DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2022可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
150
V
300
V
500
V
150
V
300
V
500
V
150
V
300
V
500
V
小
外形
(D)
TLE2022BCD
TLE2022ACD
TLE2022CD
TLE2022BID
TLE2022AID
TLE2022ID
—
TLE2022AMD
TLE2022MD
SSOP
（ dB）的
—
—
TLE2022CDBLE
—
—
—
芯片
支架
（ FK ）
陶瓷的
DIP
（ JG ）
塑料
DIP
(P)
—
TLE2022ACP
TLE2022CP
—
TLE2022AIP
TLE2022IP
—
TLE2022AMP
TLE2022MP
TSSOP
（ PW ）
—
—
TLE2022CPWLE
—
芯片
形成的？
(Y)
—
—
TLE2022Y
—
0°C
to
70°C
– 40°C
to
85°C
– 55°C
55 C
to
125°C
—
—
TLE2022AMFK
TLE2022MFK
—
TLE2022BMJG
TLE2022AMJG
TLE2022MJG
—
—
—
为D软件包可以录音和缠绕。要订购录音和缠绕的部分，添加后缀R（例如， TLE2022CDR ） 。
的DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2024可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
V
750
V
1000
V
500
V
750
V
1000
V
500
V
750
V
1000
V
小
概要
（ DW ）
TLE2024BCDW
TLE2024ACDW
TLE2024CDW
TLE2024BIDW
TLE2024AIDW
TLE2024IDW
TLE2024BMDW
TLE2024AMDW
TLE2024MDW
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷的
DIP
(J)
—
塑料
DIP
(N)
TLE2024BCN
TLE2024ACN
TLE2024CN
TLE2024BIN
TLE2024AIN
TLE2024IN
TLE2024BMN
TLE2024AMN
TLE2024MN
芯片
形成的？
(Y)
—
—
TLE2024Y
—
0 ° C至70
°
C
- 40 ° C至85°C
—
TLE2024BMFK
TLE2024AMFK
TLE2024MFK
—
TLE2024BMJ
TLE2024AMJ
TLE2024MJ
- 55 ° C至125°C
—
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191B - 1997年2月 - 修订2002年1月
TLE2021
D， DB ， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
TLE2021
FK包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN-
IN +
V
CC –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC
IN-
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
V
CC+
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC - 无内部连接
D， DB ， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN–
2IN+
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC - 无内部连接
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
CC- V / GND
NC
2IN +
NC
NC
CC- V / GND
NC
偏移N2
NC
FK包装
（ TOP VIEW ）
3
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191B - 1997年2月 - 修订2002年1月
DW包装
（ TOP VIEW ）
FK包装
（ TOP VIEW ）
J或N包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN–
4IN +
V
CC –
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
4IN +
NC
V
CC –
/ GND
NC
3英寸+
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC - 无内部连接
TLE2021Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似的TLE2021的特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。这个芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
(5)
(1)
(3)
(2)
(5)
(4)
VCC - / GND
+
–
VCC +
(7)
(6)
OUT
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
78
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(4)
(1)
(2)
54
(3)
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191B - 1997年2月 - 修订2002年1月
TLE2022Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLE2022的特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。这个芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
VCC +
(8)
+
–
+
–
(4)
VCC =
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(5)
(6)
IN +
IN =
(1)
OUT
IN +
IN =
(8)
(5)
80
(1)
(4)
OUT
(3)
(2)
(7)
(2)
86
(3)
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
D
D
D
D
D
D
电源电流。 。 。 230
A
最大
高单位增益带宽。 。 。 2 MHz的典型值
高转换率。 。 。 0.45 V / μs最小值
电源电流变化对军事温度
范围内。 。 。 10
A
典型的V
CC
±
=
±
15 V
指定了两个5 -V单电源和
±15-V
手术
相位反转保护
D
D
D
D
D
高开环增益。 。 。 6.5 V / μV
（136 dB）的典型值
低失调电压。 。 。 100
V
最大
失调电压漂移时间
0.005
μV /月
典型值
低输入偏置电流。 。 。 50 nA的最大
低噪声电压。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值
描述
该TLE202x ， TLE202xA ，并TLE202xB设备精密，高速，低功耗运算放大器
使用新的德州仪器的Excalibur过程。这些器件结合OP21的最好的功能
大大提高转换率和单位增益带宽。
互补双极神剑工艺采用能产生戏剧性的隔离垂直PNP晶体管
提高单位增益带宽和压摆率过类似的设备。
结合增加了一个偏置电路的这一过程的结果与两个极其稳定参数
时间和温度。这意味着，一个精密设备仍然是一个精密的设备，即使有变化
温度和超过使用年限。
出色的直流性能与包括一个共模输入电压范围内该组合
负电源使这些器件用于在任一低电平信号调节应用的理想选择。
单电源或分离电源的配置。此外，这些器件提供了相位反转保护电路
这消除了在输出状态的意外变化时的输入之一变为低于负电源
轨。
有多种可用的选项包括小外形和芯片载体的版本为高密度系统
应用程序。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40 ° C至85°C 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围 - 55 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
TLE2021可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
200
V
500
V
200
V
500
V
100
V
200
V
500
V
小
外形
(D)
TLE2021ACD
TLE2021CD
TLE2021AID
TLE2021ID
—
TLE2021AMD
TLE2021MD
SSOP
（ dB）的
TLE2021CDBLE
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷DIP
（ JG ）
—
塑料DIP
(P)
TLE2021ACP
TLE2021CP
TLE2021AIP
TLE2021IP
—
TLE2021AMP
TLE2021MP
TSSOP
（ PW ）
—
TLE2021CPWLE
—
芯片
形成的？
(Y)
—
TLE2021Y
—
0℃至
70°C
– 40°C
to
85°C
– 55°C
to
125°C
—
—
TLE2021BMFK
TLE2021AMFK
TLE2021MFK
—
TLE2021BMJG
TLE2021AMJG
TLE2021MJG
—
—
—
为D软件包可以录音和缠绕。要订购录音和缠绕的部分，添加后缀R（例如， TLE2021CDR ） 。
的DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2022可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
150
V
300
V
500
V
150
V
300
V
500
V
150
V
300
V
500
V
小
外形
(D)
TLE2022BCD
TLE2022ACD
TLE2022CD
TLE2022BID
TLE2022AID
TLE2022ID
—
TLE2022AMD
TLE2022MD
SSOP
（ dB）的
—
—
TLE2022CDBLE
—
—
—
芯片
支架
（ FK ）
陶瓷的
DIP
（ JG ）
塑料
DIP
(P)
—
TLE2022ACP
TLE2022CP
—
TLE2022AIP
TLE2022IP
—
TLE2022AMP
TLE2022MP
TSSOP
（ PW ）
—
—
TLE2022CPWLE
—
芯片
形成的？
(Y)
—
—
TLE2022Y
—
0°C
to
70°C
– 40°C
to
85°C
– 55°C
55 C
to
125°C
—
—
TLE2022AMFK
TLE2022MFK
—
TLE2022BMJG
TLE2022AMJG
TLE2022MJG
—
—
—
为D软件包可以录音和缠绕。要oerder一个录音和缠绕的部分，添加后缀R（例如， TLE2022CDR ） 。
的DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2024可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
V
750
V
1000
V
500
V
750
V
1000
V
500
V
750
V
1000
V
小
概要
（ DW ）
TLE2024BCDW
TLE2024ACDW
TLE2024CDW
TLE2024BIDW
TLE2024AIDW
TLE2024IDW
TLE2024BMDW
TLE2024AMDW
TLE2024MDW
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷的
DIP
(J)
—
塑料
DIP
(N)
TLE2024BCN
TLE2024ACN
TLE2024CN
TLE2024BIN
TLE2024AIN
TLE2024IN
TLE2024BMN
TLE2024AMN
TLE2024MN
芯片
形成的？
(Y)
—
—
TLE2024Y
—
0 ° C至70
°
C
- 40 ° C至85°C
—
TLE2024BMFK
TLE2024AMFK
TLE2024MFK
—
TLE2024BMJ
TLE2024AMJ
TLE2024MJ
- 55 ° C至125°C
—
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
描述（续）
TLE2021
D， DB ， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
TLE2021
FK包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC - 无内部连接
D， DB ， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
FK包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC - 无内部连接
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
VCC - / GND
NC
2IN +
NC
NC
VCC - / GND
NC
偏移N2
NC
3
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
DW包装
（ TOP VIEW ）
FK包装
（ TOP VIEW ）
J或N包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
4IN +
NC
V
CC –
/ GND
NC
3英寸+
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC - 无内部连接
4
邮政信箱655303
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
达拉斯，德克萨斯州75265
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
TLE2021Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似的TLE2021的特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。这个芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
(5)
(1)
(3)
(2)
(5)
(4)
VCC - / GND
+
–
VCC +
(7)
(6)
OUT
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
78
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(4)
(1)
(2)
54
(3)
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
邮政信箱655303
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5
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191C - 1997年2月 - 修订2007年4月
D
D
D
D
D
D
电源电流。 。 。 300
A
最大
高单位增益带宽。 。 。 2 MHz的典型值
高转换率。 。 。 0.45 V / μs最小值
电源电流变化对军事温度
范围内。 。 。 10
A
典型的V
CC
±
=
±
15 V
指定了两个5 -V单电源和
±15-V
手术
相位反转保护
D
高开环增益。 。 。 6.5 V / μV
D
D
D
D
（136 dB）的典型值
低失调电压。 。 。 100
V
最大
失调电压漂移时间
0.005
μV /月
典型值
低输入偏置电流。 。 。 50 nA的最大
低噪声电压。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值
描述
该TLE202x ， TLE202xA ，并TLE202xB设备精密，高速，低功耗运算放大器
使用新的德州仪器的Excalibur过程。这些器件结合OP21的最好的功能
大大提高转换率和单位增益带宽。
互补双极神剑工艺采用能产生戏剧性的隔离垂直PNP晶体管
提高单位增益带宽和压摆率过类似的设备。
结合增加了一个偏置电路的这一过程的结果与两个极其稳定参数
时间和温度。这意味着，一个精密设备仍然是一个精密的设备，即使有变化
温度和超过使用年限。
出色的直流性能与包括一个共模输入电压范围内该组合
负电源使这些器件用于在任一低电平信号调节应用的理想选择。
单电源或分离电源的配置。此外，这些器件提供了相位反转保护电路
这消除了在输出状态的意外变化时的输入之一变为低于负电源
轨。
有多种可用的选项包括小外形和芯片载体的版本为高密度系统
应用程序。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40 ° C至85°C 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围为-55 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997-2007年，德州仪器
邮政信箱655303
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1
SLOS191C - 1997年2月 - 修订2007年4月
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
TLE2021可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
200
V
500
V
200
V
500
V
100
V
200
V
500
V
小
外形
(D)
TLE2021ACD
TLE2021CD
TLE2021AID
TLE2021ID
—
TLE2021AMD
TLE2021MD
SSOP
（ dB）的
TLE2021CDBLE
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷DIP
（ JG ）
—
塑料DIP
(P)
TLE2021ACP
TLE2021CP
TLE2021AIP
TLE2021IP
—
TLE2021AMP
TLE2021MP
TSSOP
（ PW ）
—
TLE2021CPWLE
—
芯片
形成的？
(Y)
—
TLE2021Y
—
0℃至
0C
70°C
40°C
to
85°C
55 C
55°C
to
125°C
—
—
TLE2021BMFK
TLE2021AMFK
TLE2021MFK
—
TLE2021BMJG
TLE2021AMJG
TLE2021MJG
—
—
—
为D软件包可以录音和缠绕。要订购录音和缠绕的部分，添加后缀R（例如， TLE2021CDR ） 。
的DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2022可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
150
V
300
V
500
V
150
V
300
V
500
V
150
V
300
V
500
V
小
外形
(D)
TLE2022BCD
TLE2022ACD
TLE2022CD
TLE2022BID
TLE2022AID
TLE2022ID
—
TLE2022AMD
TLE2022MD
SSOP
（ dB）的
—
—
TLE2022CDBLE
—
—
—
芯片
支架
（ FK ）
陶瓷的
DIP
（ JG ）
塑料
DIP
(P)
—
TLE2022ACP
TLE2022CP
—
TLE2022AIP
TLE2022IP
—
TLE2022AMP
TLE2022MP
TSSOP
（ PW ）
—
—
TLE2022CPWLE
—
芯片
形成的？
(Y)
—
—
TLE2022Y
—
0°C
to
70°C
40°C
to
85°C
55 C
55°C
to
125°C
—
—
TLE2022AMFK
TLE2022MFK
—
TLE2022BMJG
TLE2022AMJG
TLE2022MJG
—
—
—
为D软件包可以录音和缠绕。要订购录音和缠绕的部分，添加后缀R（例如， TLE2022CDR ） 。
的DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2024可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
V
750
V
1000
V
500
V
750
V
1000
V
500
V
750
V
1000
V
小
概要
（ DW ）
TLE2024BCDW
TLE2024ACDW
TLE2024CDW
TLE2024BIDW
TLE2024AIDW
TLE2024IDW
TLE2024BMDW
TLE2024AMDW
TLE2024MDW
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷的
DIP
(J)
—
塑料
DIP
(N)
TLE2024BCN
TLE2024ACN
TLE2024CN
TLE2024BIN
TLE2024AIN
TLE2024IN
TLE2024BMN
TLE2024AMN
TLE2024MN
芯片
形成的？
(Y)
—
—
TLE2024Y
—
0C
0 ° C至70
°
C
40 C 85 C
-40 ° C至85°C
—
TLE2024BMFK
TLE2024AMFK
TLE2024MFK
—
TLE2024BMJ
TLE2024AMJ
TLE2024MJ
55 C 125 C
-55 ° C至125°C
—
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
2
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达拉斯，德克萨斯州75265
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191C - 1997年2月 - 修订2007年4月
TLE2021
D， DB ， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
TLE2021
FK包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN-
IN +
V
CC
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC
IN-
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
V
CC+
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC - 无内部连接
D， DB ， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC - 无内部连接
DW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN
4IN +
V
CC
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
NC
CC- V / GND
NC
2IN +
NC
J或N包装
（ TOP VIEW ）
NC
CC- V / GND
NC
偏移N2
NC
FK包装
（ TOP VIEW ）
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
4IN +
NC
V
CC
/ GND
NC
3英寸+
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC - 无内部连接
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
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3
SLOS191C - 1997年2月 - 修订2007年4月
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
TLE2021Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似的TLE2021的特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。这个芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
(5)
(1)
(3)
(2)
(5)
(4)
VCC - / GND
+
VCC +
(7)
(6)
OUT
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
78
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(4)
(1)
(2)
54
(3)
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191C - 1997年2月 - 修订2007年4月
TLE2022Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLE2022的特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。这个芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
VCC +
(8)
+
+
(4)
VCC =
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(5)
(6)
IN +
IN =
(1)
OUT
IN +
IN =
(8)
(5)
80
(1)
(4)
OUT
(3)
(2)
(7)
(2)
86
(3)
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
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5
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
D
D
D
D
D
D
电源电流。 。 。 230
A
最大
高单位增益带宽。 。 。 2 MHz的典型值
高转换率。 。 。 0.45 V / μs最小值
电源电流变化对军事温度
范围内。 。 。 10
A
典型的V
CC
±
=
±
15 V
指定了两个5 -V单电源和
±15-V
手术
相位反转保护
D
D
D
D
D
高开环增益。 。 。 6.5 V / μV
（136 dB）的典型值
低失调电压。 。 。 100
V
最大
失调电压漂移时间
0.005
μV /月
典型值
低输入偏置电流。 。 。 50 nA的最大
低噪声电压。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值
描述
该TLE202x ， TLE202xA ，并TLE202xB设备精密，高速，低功耗运算放大器
使用新的德州仪器的Excalibur过程。这些器件结合OP21的最好的功能
大大提高转换率和单位增益带宽。
互补双极神剑工艺采用能产生戏剧性的隔离垂直PNP晶体管
提高单位增益带宽和压摆率过类似的设备。
结合增加了一个偏置电路的这一过程的结果与两个极其稳定参数
时间和温度。这意味着，一个精密设备仍然是一个精密的设备，即使有变化
温度和超过使用年限。
出色的直流性能与包括一个共模输入电压范围内该组合
负电源使这些器件用于在任一低电平信号调节应用的理想选择。
单电源或分离电源的配置。此外，这些器件提供了相位反转保护电路
这消除了在输出状态的意外变化时的输入之一变为低于负电源
轨。
有多种可用的选项包括小外形和芯片载体的版本为高密度系统
应用程序。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40 ° C至85°C 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围 - 55 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
TLE2021可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
200
V
500
V
200
V
500
V
100
V
200
V
500
V
小
外形
(D)
TLE2021ACD
TLE2021CD
TLE2021AID
TLE2021ID
—
TLE2021AMD
TLE2021MD
SSOP
（ dB）的
TLE2021CDBLE
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷DIP
（ JG ）
—
塑料DIP
(P)
TLE2021ACP
TLE2021CP
TLE2021AIP
TLE2021IP
—
TLE2021AMP
TLE2021MP
TSSOP
（ PW ）
—
TLE2021CPWLE
—
芯片
形成的？
(Y)
—
TLE2021Y
—
0℃至
70°C
– 40°C
to
85°C
– 55°C
to
125°C
—
—
TLE2021BMFK
TLE2021AMFK
TLE2021MFK
—
TLE2021BMJG
TLE2021AMJG
TLE2021MJG
—
—
—
为D软件包可以录音和缠绕。要订购录音和缠绕的部分，添加后缀R（例如， TLE2021CDR ） 。
的DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2022可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
150
V
300
V
500
V
150
V
300
V
500
V
150
V
300
V
500
V
小
外形
(D)
TLE2022BCD
TLE2022ACD
TLE2022CD
TLE2022BID
TLE2022AID
TLE2022ID
—
TLE2022AMD
TLE2022MD
SSOP
（ dB）的
—
—
TLE2022CDBLE
—
—
—
芯片
支架
（ FK ）
陶瓷的
DIP
（ JG ）
塑料
DIP
(P)
—
TLE2022ACP
TLE2022CP
—
TLE2022AIP
TLE2022IP
—
TLE2022AMP
TLE2022MP
TSSOP
（ PW ）
—
—
TLE2022CPWLE
—
芯片
形成的？
(Y)
—
—
TLE2022Y
—
0°C
to
70°C
– 40°C
to
85°C
– 55°C
55 C
to
125°C
—
—
TLE2022AMFK
TLE2022MFK
—
TLE2022BMJG
TLE2022AMJG
TLE2022MJG
—
—
—
为D软件包可以录音和缠绕。要oerder一个录音和缠绕的部分，添加后缀R（例如， TLE2022CDR ） 。
的DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2024可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
V
750
V
1000
V
500
V
750
V
1000
V
500
V
750
V
1000
V
小
概要
（ DW ）
TLE2024BCDW
TLE2024ACDW
TLE2024CDW
TLE2024BIDW
TLE2024AIDW
TLE2024IDW
TLE2024BMDW
TLE2024AMDW
TLE2024MDW
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷的
DIP
(J)
—
塑料
DIP
(N)
TLE2024BCN
TLE2024ACN
TLE2024CN
TLE2024BIN
TLE2024AIN
TLE2024IN
TLE2024BMN
TLE2024AMN
TLE2024MN
芯片
形成的？
(Y)
—
—
TLE2024Y
—
0 ° C至70
°
C
- 40 ° C至85°C
—
TLE2024BMFK
TLE2024AMFK
TLE2024MFK
—
TLE2024BMJ
TLE2024AMJ
TLE2024MJ
- 55 ° C至125°C
—
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
2
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TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
描述（续）
TLE2021
D， DB ， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
TLE2021
FK包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC - 无内部连接
D， DB ， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
FK包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC - 无内部连接
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
VCC - / GND
NC
2IN +
NC
NC
VCC - / GND
NC
偏移N2
NC
3
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
DW包装
（ TOP VIEW ）
FK包装
（ TOP VIEW ）
J或N包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
4IN +
NC
V
CC –
/ GND
NC
3英寸+
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC - 无内部连接
4
邮政信箱655303
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
达拉斯，德克萨斯州75265
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191 - 1997年2月
TLE2021Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似的TLE2021的特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。这个芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
(5)
(1)
(3)
(2)
(5)
(4)
VCC - / GND
+
–
VCC +
(7)
(6)
OUT
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
78
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(4)
(1)
(2)
54
(3)
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
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达拉斯，德克萨斯州75265
5
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191D
1997年2月
经修订的2010年11月
D
D
D
D
D
D
电源电流。 。 。 300
μA
最大
高单位增益带宽。 。 。 2 MHz的典型值
高转换率。 。 。 0.45 V / μs最小值
电源电流变化对军事温度
范围内。 。 。 10
μA
典型的V
CC
±
=
±
15 V
指定了两个5 -V单电源和
±15-V
手术
相位反转保护
D
高开环增益。 。 。 6.5 V / μV
D
D
D
D
（136 dB）的典型值
低失调电压。 。 。 100
μV
最大
失调电压漂移时间
0.005
μV /月
典型值
低输入偏置电流。 。 。 50 nA的最大
低噪声电压。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值
描述
该TLE202x ， TLE202xA ，并TLE202xB设备精密，高速，低功耗运算放大器
使用新的德州仪器的Excalibur过程。这些器件结合OP21的最好的功能
大大提高转换率和单位增益带宽。
互补双极神剑工艺采用能产生戏剧性的隔离垂直PNP晶体管
提高单位增益带宽和压摆率过类似的设备。
结合增加了一个偏置电路的这一过程的结果与两个极其稳定参数
时间和温度。这意味着，一个精密设备仍然是一个精密的设备，即使有变化
温度和超过使用年限。
出色的直流性能与包括一个共模输入电压范围内该组合
负电源使这些器件用于在任一低电平信号调节应用的理想选择。
单电源或分离电源的配置。此外，这些器件提供了相位反转保护电路
这消除了在输出状态的意外变化时的输入之一变为低于负电源
轨。
有多种可用的选项包括小外形和芯片载体的版本为高密度系统
应用程序。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
操作从
40 ° C至85°C 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
的温度范围内
55 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2010年，德州仪器
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1
SLOS191D
1997年2月
经修订的2010年11月
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
TLE2021可选项
包装设备
T
A
V
IO
最大
在25℃下
200
μV
500
μV
200
μV
500
μV
100
μV
V
500
μV
小
概要
(D)
TLE2021ACD
TLE2021CD
TLE2021AID
TLE2021ID
—
TLE2021MD
SSOP
（ dB）的
TLE2021CDBLE
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷DIP
（ JG ）
—
塑料DIP
(P)
TLE2021ACP
TLE2021CP
TLE2021AIP
TLE2021IP
—
TLE2021MP
TSSOP
（ PW ）
—
TLE2021CPWLE
—
芯片
形式
§
(Y)
—
TLE2021Y
—
0℃至
0C
70°C
40°C
to
85°C
55
C
55°C
to
125°C
—
—
TLE2021BMFK
TLE2021MFK
—
TLE2021BMJG
TLE2021MJG
—
—
—
对D软件包可以录音和缠绕。要订购录音和缠绕的部分，添加后缀R（例如， TLE2021CDR ） 。
在DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§
芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2022可选项
包装设备
T
A
V
IO
最大
在25℃下
150
μV
300
μV
500
μV
150
μV
300
μV
500
μV
150
μV
300
μV
500
μV
小
概要
(D)
TLE2022BCD
TLE2022ACD
TLE2022CD
TLE2022BID
TLE2022AID
TLE2022ID
—
TLE2022AMD
TLE2022MD
SSOP
（ dB）的
—
—
TLE2022CDBLE
—
—
—
芯片
支架
（ FK ）
陶瓷的
DIP
（ JG ）
塑料
DIP
(P)
—
TLE2022ACP
TLE2022CP
—
TLE2022AIP
TLE2022IP
—
TLE2022AMP
TLE2022MP
TSSOP
（ PW ）
—
—
TLE2022CPWLE
—
芯片
形式
§
(Y)
—
—
TLE2022Y
—
0°C
to
70°C
40°C
to
85°C
55
C
55°C
to
125°C
—
—
TLE2022AMFK
TLE2022MFK
—
TLE2022BMJG
TLE2022AMJG
TLE2022MJG
—
—
—
对D软件包可以录音和缠绕。要订购录音和缠绕的部分，添加后缀R（例如， TLE2022CDR ） 。
在DB和PW包仅适用左端录音和缠绕。
§
芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLE2024可选项
包装设备
T
A
V
IO
最大
在25℃下
500
μV
750
μV
1000
μV
500
μV
750
μV
1000
μV
500
μV
750
μV
1000
μV
小
概要
（ DW ）
TLE2024BCDW
TLE2024ACDW
TLE2024CDW
TLE2024BIDW
TLE2024AIDW
TLE2024IDW
TLE2024BMDW
TLE2024AMDW
TLE2024MDW
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷的
DIP
(J)
—
塑料
DIP
(N)
TLE2024BCN
TLE2024ACN
TLE2024CN
TLE2024BIN
TLE2024AIN
TLE2024IN
TLE2024BMN
TLE2024AMN
TLE2024MN
芯片
形式
§
(Y)
—
—
TLE2024Y
—
0C
0 ° C至70
°
C
40°C
至85℃
40 C 85 C
—
TLE2024BMFK
TLE2024AMFK
TLE2024MFK
—
TLE2024BMJ
TLE2024AMJ
TLE2024MJ
55°C
至125℃
55 C 125 C
§
—
芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
2
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TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191D
1997年2月
经修订的2010年11月
TLE2021
D， DB ， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
TLE2021
FK包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN-
IN +
V
CC
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC
IN-
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
无内部连接
NC
V
CC+
NC
OUT
NC
D， DB ， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
1IN
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
CC- V / GND
NC
偏移N2
NC
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
无内部连接
NC
2OUT
NC
2IN
NC
DW包装
（ TOP VIEW ）
FK包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN
4IN +
V
CC
/ GND
3英寸+
3IN
3OUT
NC
1IN
1OUT
NC
4OUT
4IN
NC
CC- V / GND
NC
2IN +
NC
J或N包装
（ TOP VIEW ）
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
4IN +
NC
V
CC
/ GND
NC
3英寸+
1OUT
1IN
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN +
V
CC
/ GND
3英寸+
3IN
3OUT
NC
无内部连接
2IN
2OUT
NC
3OUT
3IN
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3
SLOS191D
1997年2月
经修订的2010年11月
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
TLE2021Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似的TLE2021的特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。这个芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
(5)
OFFSET N1
IN +
IN
偏移N2
(1)
(3)
(2)
(5)
(4)
V
CC
/ GND
+
V
CC+
(7)
(6)
OUT
78
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
T
JMAX
= 150°C
公差
±
10%.
(4)
所有尺寸都以密耳。
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
(2)
54
(3)
(1)
4
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达拉斯，德克萨斯州75265
TLE202x ， TLE202xA ， TLE202xB ， TLE202xY
神剑高速低功耗精密
运算放大器
SLOS191D
1997年2月
经修订的2010年11月
TLE2022Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLE2022的特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。这个芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
V
CC+
IN +
IN
(3)
(2)
(7)
(8)
+
+
(4)
V
CC
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
T
J
MAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(5)
(6)
(1)
OUT
IN +
IN
(8)
(5)
80
(1)
(4)
OUT
(2)
86
(3)
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
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5
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