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TLC5615C , TLC5615I
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SLAS142E - 1996年10月 - 修订2007年6月
10位数字 - 模拟转换器
特点
10位CMOS电压输出DAC中
8 ,终端包装
5V单电源供电
3线串行接口
高阻抗基准输入
电压输出范围: 2倍于基准
输入电压
内部上电复位
低功耗: 1.75mW最大
1.21MHz的更新率
建立时间0.5LSB : 12.5μs典型值
单调过热
引脚兼容Maxim的MAX515
描述
该TLC5615是一个10位的电压输出
数字 - 模拟转换器(DAC),用缓冲
基准输入(高阻抗) 。该DAC具有
输出电压范围为2倍于基准
电压,并且在DAC是单调的。该装置是
简单易用,从5V的单电源运行。一
上电复位功能被结合,以确保
重复启动条件。
在TLC5615的数字控制是通过三线
串行总线,是CMOS兼容并轻松
接口行业标准微处理器和
微控制器的设备。该装置接收一个16位的
数据字以产生模拟输出。数码
输入施密特触发器高噪声
免疫力。数字通信协议包括:
在SPI , QSPI ,和Microwire 标准。
8终端小外形,D封装允许数字
模拟功能在控制空间的关键
应用程序。该TLC5615C的特点是
运行在0 ° C至+ 70°C 。该TLC5615I是
特点是操作温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
D, P或DGK包装
( TOP VIEW )
应用
电池供电测试仪器
数字增益与失调调节
电池供电/远程工业控制
机器和运动控制设备
移动电话
DIN
SCLK
CS
DOUT
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
OUT
REFIN
AGND
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SPI , QSPI是Motorola,Inc.的商标。
MICROWIRE是美国国家半导体公司的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1996-2007 ,德州仪器
TLC5615C , TLC5615I
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SLAS142E - 1996年10月 - 修订2007年6月
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
功能框图
_
REFIN
+
DAC
+
_ 2
OUT
(电压输出)
R
AGND
POWER- ON
RESET
R
10位DAC寄存器
控制
逻辑
2
0s
( LSB )
(MSB)
4
DUMMY
DOUT
CS
SCLK
DIN
10个数据位
16位移位寄存器
终端功能
终奌站
名字
DIN
SCLK
CS
DOUT
AGND
REFIN
OUT
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
I
O
I / O
I
I
I
O
串行数据输入
串行时钟输入
片选信号,低电平有效
串行数据输出为菊花链
模拟地
参考输入
DAC模拟电压输出
正电源。
描述
封装/订购信息
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本月底
文档,或参阅TI的网站
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TLC5615C , TLC5615I
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SLAS142E - 1996年10月 - 修订2007年6月
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
(1)
单位
电源电压(V
DD
对于AGND)
数字输入电压范围为AGND
参考输入电压范围为AGND
从外部源的输出电压OUT
在任何终端连续电流
工作的自由空气的温度范围内,T
A
存储温度范围,T
英镑
从案例引线温度1,6mm ( 1/16英寸) ,持续10秒
(1)
TLC5615C
TLC5615I
7V
-0.3V到V
DD
+ 0.3V
-0.3V到V
DD
+ 0.3V
V
DD
+ 0.3V
±20mA
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
电源电压,V
DD
高层次的数字输入电压,V
IH
低层次的数字输入电压,V
IL
参考电压,V
REF
到REFIN端
负载电阻R
L
经营自由的空气温度,T
A
TLC5615C
TLC5615I
2
2
0
40
70
85
2.048
4.5
2.4
0.8
V
DD
–2
5
最大
5.5
单位
V
V
V
V
k
°C
°C
电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围,V
DD
= 5V
±
5%, V
REF
= 2.048V (除非另有说明)
静态DAC规格
参数
决议
调整积分非线性,终点( INL )
微分非线性( DNL )
E
ZS
E
G
零刻度误差(在零刻度偏移误差)
零误差温度系数
增益误差
增益误差温度系数
PSRR电源抑制比
模拟满量程输出
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
零刻度
收益
V
REF
= 2.048V,
V
REF
= 2.048V,
V
REF
= 2.048V,
V
REF
= 2.048V,
V
REF
= 2.048V,
V
REF
= 2.048V,
SEE
(7) (8)
测试条件
SEE
SEE
SEE
SEE
SEE
SEE
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
10
典型值
最大
±1
单位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
PPM /°C的
dB
±0.1
3
±0.5
±3
±3
1
80
80
2V
REF
(1023/1024)
R
L
= 100k
V
相对精度或积分非线性(INL ) ,有时也称为线性误差是输出从最大偏差
零点和满度之间的界限,不包括零代码和满度误差(见正文)的影响。从测试的代码3代码1024 。
微分非线性(DNL) ,有时被称为差分误差,是测得的和理想的1LSB之间的差
的任意两个相邻码的振幅变化。单调性意味着在相同方向上的输出电压的变化(或保持不变)
如在数字输入码的变更。从测试的代码3代码1024 。
零刻度误差是零电压输出的偏差时,数字输入代码为零(见正文) 。
零误差温度系数由下式给出:电子
ZS
TC = [E
ZS
(T
最大
) – E
ZS
(T
)]/V
REF
×
10
6
/(T
最大
– T
).
增益误差是与理想输出的偏差(Ⅴ
REF
- 1 LSB )与10k的输出负载,不包括零刻度误差的影响。
增益温度系数由下式给出:电子
G
TC = [E
G
(T
最大
) – E
G
(T
)]/V
REF
×
10
6
/(T
最大
– T
).
零电平误差抑制比( EZS RR )是通过改变V开始测量
DD
4.5V至5.5V的DC和测量这种比例
信号施加在零码输出电压。
增益误差抑制比( EG- RR),是通过改变V开始测量
DD
4.5V至5.5V的DC和测量此信号的比例
减去零刻度变更后施加在满量程输出电压。
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TLC5615C , TLC5615I
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SLAS142E - 1996年10月 - 修订2007年6月
电压输出(OUT)
参数
V
O
I
OSC
V
OL ( LOW )
V
OH (高)
V
I
r
i
C
i
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
C
i
V
OH
V
OL
V
DD
电压输出范围
输出负载稳压精度
输出短路电流
输出电压,低电平
输出电压,高电平
输入电压
输入阻抗
输入电容
高层次的数字输入电压
低电平数字输入电压
高层次的数字输入电流
低层次的数字输入电流
输入电容
输出电压,高电平
输出电压,低电平
电源电压
V
DD
= 5.5V ,无负载,
所有输入= 0V或V
DD
V
DD
= 5.5V ,无负载,
所有输入= 0V或V
DD
V
REF
= 0
V
REF
= 2.048V
I
O
= -2mA
I
O
= 2毫安
4.5
5
150
230
V
DD
–1
0.4
5.5
250
350
V
I
= V
DD
V
I
= 0
8
2.4
0.8
±1
±1
R
L
= 10k
V
O( OUT )
= 2V,
OUT到V
DD
或AGND
I
O( OUT )
5mA
I
O( OUT )
≤–
5mA
4.75
0
10
5
V
DD
–2
R
L
= 2k
20
0.25
测试条件
0
典型值
最大
V
DD
–0.4
0.5
单位
V
最低位
mA
V
V
V
M
pF
V
V
A
A
pF
V
V
V
A
A
基准输入(REFIN )
数字量输入( DIN , SCLK , CS )
数字输出( DOUT )
电源
I
DD
电源电流
模拟输出动态性能
信号与噪声+失真, S /(N + D)的
(1)
V
REF
= 1V
PP
在1kHz + 2.048Vdc ,
CODE = 11 1111 1111
(1)
60
dB
在1V的限制频率值
PP
由输出放大器的转换速率决定的。
数字输入时序要求(见
图1)
参数
t
SU( DS )
t
H( DH )
t
SU( CSS )
t
su(CS1)
t
h(CSH0)
t
h(CSH1)
t
W( CS )
t
W( CL)的
t
瓦特(CH)
建立时间, DIN SCLK前高
保持时间, DIN在SCLK的高有效
建立时间, CS从低到高SCLK
建立时间, CS高到SCLK高
保持时间, SCLK低到CS低
保持时间, SCLK从低到高CS
脉冲持续时间,最小的芯片选择脉冲宽度高
脉冲持续时间,SCLK低
脉冲持续时间,SCLK高
45
0
1
50
1
0
20
25
25
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出开关特性
参数
t
PD ( DOUT )
传播延迟时间, DOUT
C
L
= 50pF的
测试条件
最小值标称值最大值
50
单位
ns
4
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TLC5615C , TLC5615I
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SLAS142E - 1996年10月 - 修订2007年6月
工作特性
在推荐工作的自由空气的温度范围,V
DD
= 5V
±5%,
V
REF
= 2.048V (除非另有说明)
参数
模拟输出动态性能
SR
t
s
输出压摆率
输出建立时间
毛刺能量
基准输入(REFIN )
参考穿心
参考输入
带宽(如果f-3dB )
(1)
(2)
REFIN = 1V
PP
在1kHz + 2.048Vdc
REFIN = 0.2V
PP
+ 2.048Vdc
(2)
测试条件
C
L
= 100pF的,
T
A
= +25°C
至0.5LSB ,
R
L
= 10k,
DIN =全0至全1
典型值
最大
单位
R
L
= 10k,
C
L
= 100pF的,
(1)
0.3
0.5
12.5
5
–80
30
V / μs的
s
nV-s表示
dB
千赫
建立时间是时间为输出信号,以保持在
±0.5LSB
对于000数字输入代码更改的最终测量值
十六进制3FF十六进制或十六进制3FF为000 (十六进制) 。
参考馈通的测量是在DAC输出与输入代码= 000 (十六进制)之间的V型
REF
输入= 2.048Vdc + 1V
pp
在1kHz 。
参数测量信息
CS
t
瓦特(CH)
t
W( CL)的
t
h(CSH1)
SCLK
另请注意一个
t
SU( DS )
t
H( DH )
DIN
t
PD ( DOUT )
最高位
DOUT
上一页LSB
见注释B
注意事项: A.输入时钟,用于在SCLK的终端,应被禁止低当CS为高,以尽量减少时钟馈通。
从前述转换周期B.数据输入。
C.第十六届SCLK下降沿
图1.时序图
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t
su(CS1)
另请注意:C
另请注意一个
最低位
t
h(CSH0)
t
SU( CSS )
t
W( CS )
5
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