【TLC3702 EP双通道，微LinCMOS电压比较器SGLS127 - 2002年7月D控制基线D】,IC型号TLC3702MDREP,TLC3702MDREP PDF资料,TLC3702MDREP经销商,ic,电子元器件-51电子网

TLC3702 EP

双通道，微LinCMOS电压比较器

SGLS127 - 2002年7月

控制基线

- 一个封装/测试网站，一个制造

现场

扩展温度性能

-55 ° C至125°C

提高制造业递减

源（ DMS ）支持

增强型产品变更通知

资质谱系

推挽式CMOS输出驱动容性

如果没有加载上拉电阻，

8毫安

非常低的功耗。。。 100

典型值在5 V

快速的响应时间。。。吨

PLH

= 2.7

典型值

与5 - mV过载

单电源供电。。。 4 V至16 V

片上ESD保护

1OUT

1IN -

1IN +

GND

包

（ TOP VIEW ）

2OUT

2IN -

2IN +

符号（每个比较器）

IN +

OUT

IN =

按照JEDEC和产业组件资质

标准，以确保可靠的操作在长时间

温度范围。这包括，但不限于，高

加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，温度

循环，高压灭菌器或偏见的HAST ，电，债券

间的生活，模塑料的使用寿命。该项资格

检测不应该被看作是证明使用该组件的

超出规定的性能和环境的限制。

描述

在TLC3702由两个独立的微功率电压比较器设计用来从单一的操作

电源，并与现代HCMOS逻辑系统兼容。它们在功能上是类似的LM339但

使用的二十分之一的功率的类似响应时间。推挽CMOS输出级驱动器的电容性

负载的情况下直接功率消耗上拉电阻，以实现所述的响应时间。消除

上拉电阻，不仅降低了功耗，同时也节省了电路板空间和元件成本。输出

舞台也与TTL要求完全兼容。

德州仪器LinCMOS过程中提供卓越的模拟性能，以标准CMOS工艺。

随着低功耗标准CMOS的优点，而不会牺牲速度快，输入阻抗高，并

低偏置电流，该LinCMOS过程提供了极其稳定的输入失调电压，大差

输入电压。这种特性使得能够建立可靠的CMOS比较器。

订购信息

-55 ° C至125°C

SOP - D

包装

磁带和卷轴

订购

产品型号

TLC3702MDREP

TOP- SIDE

记号

3702ME

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南

可在www.ti.com/sc/package 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

路LinCMOS是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2002年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TLC3702 EP

双通道，微LinCMOS电压比较器

SGLS127 - 2002年7月

功能框图（每个比较器）

VDD

IN +

迪FF erential

输入

电路

IN-

OUT

GND

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至18 V

差分输入电压，V

（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±18

输入电压范围，V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V到V

输出电压范围，V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 0.3 V到V

输入电流I

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±5

输出电流，I

（每个输出）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±20

总电源电流为V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 40毫安

总电流流出GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 40毫安

连续总功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。见耗散额定值表

工作的自由空气的温度范围内，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至125°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于网络接地。

2.差分电压为IN +相对于 - 。

额定功耗表

包

≤

25°C

额定功率

725毫瓦

降额因子

以上TA = 25°C

5.8毫瓦/°C的

TA = 70℃

额定功率

464毫瓦

TA = 85°C

额定功率

377毫瓦

TA = 125°C

额定功率

145毫瓦

推荐工作条件

民

电源电压（VDD）

共模输入电压，维多利亚

高层次的输出电流， IOH

低电平输出电流， IOL

经营自由的空气温度， TA

喃

最大

VDD - 1.5

125

单位

°C

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在指定的经营自由的空气温度，V电气特性

= 5V （除非另有

说明）

参数

VIO

IIO

IIB

输入失调电压

输入失调电流

输入偏置电流

测试条件

VDD = 5 V至10 V ，

VIC = VICRmin ，见注3

VIC = 2.5 V

25°C

-55 ° C至125°C

25°C

125°C

25°C

125°C

25°C

VICR

共模输入电压范围

-55 ° C至125°C

25°C

CMRR

共模抑制比

VIC = VICRmin

125°C

55°C

25°C

kSVR

电源电压抑制比

VDD = 5 V至10 V

125°C

55°C

25°C

VOH

VOL

国际直拨电话

高电平输出电压

低电平输出电压

电源电流（两个比较）

VID = 1 V ，

VID = -1 V，

输出低电平，

IOH = - 4毫安

空载

125°C

25°C

125°C

25°C

-55 ° C至125°C

4.5

4.2

210

300

500

VDD - 1

VDD - 1.5

4.7

民

典型值

1.2

最大

单位

所有特征被测量以零的共模电压，除非另有说明。

注3中给出的偏移电压的限制是，驱动输出到4.5伏或下降到0.3 V所需的最大值

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开关特性，V

= 5 V ，T

= 25

°C

参数

测试条件

过载= 2 mV的

过载= 5毫伏

TPLH

传播延迟时间，从低到高的电平输出

F = 10 kHz时，

CL = 50 pF的

过载= 10 mV的

过载= 20 mV的

过载= 40 mV的

VI =在1.4 V步+

过载= 2 mV的

过载= 5毫伏

的TPH1

传播延迟时间，高到低级别的输出

F = 10 kHz时，

CL = 50 pF的

过载= 10 mV的

过载= 20 mV的

过载= 40 mV的

VI =在1.4 V步+

F = 10 kHz时，

过载= 50 mV的

CL = 50 pF的

F = 10 kHz时，

CL = 50 pF的

过载= 50 mV的

民

典型值

4.5

2.7

1.9

1.4

1.1

2.3

1.5

0.95

0.65

0.15

125

最大

单位

下降时间

上升时间

输入同步开关导致退化的输出响应。

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操作原理

路LinCMOS

过程

该LinCMOS过程是一个线性多晶硅栅的CMOS工艺。主要用于单电源

应用程序， LinCMOS产品方便了广泛的高性能模拟功能设计

从运算放大器到复杂的混合模式转换器。

而数字设计师是有经验的CMOS ， MOS技术是比较新的模拟设计师。

这个简短的指南旨在回答有关质量和可靠性的最常见问题

的LinCMOS产品。进一步的问题，应直接向最近的TI外地销售办事处。

静电放电

CMOS电路是容易栅氧化层击穿，当暴露在高电压，即使在曝光是唯一

的时间很短。静电放电（ESD ）的损坏的最常见的原因之一

CMOS器件。当设备没有适当考虑环保处理，它可以发生

静电荷，例如，电路板组装过程中。如果一个电路，其中从双运算放大器1放大器正在被

使用和未使用的引脚悬空，高电压往往发展。如果有ESD保护没有规定，

这些电压可以通过栅极氧化物最终冲而导致器件失效。为了防止电压

建设，每个引脚由内部电路的保护。

标准的ESD保护电路安全地分流ESD电流通过提供一种机制，使一个或多个

晶体管分解在电压比正常工作电压小于击穿更高但低于

电压输入门。这种类型的保护方案是通过在其中流过的漏电流的限制

在正常工作期间分路晶体管已经发生的ESD电压之后。虽然这些电流是

小，几十毫微安的量级上， CMOS放大器经常被指定为绘制输入电流低至

几十皮安。

为了克服这个限制，TI设计工程师开发中所示的专利ESD保护电路

图1.该电路能够承受几个连续的2千伏的ESD脉冲，同时减少或消除泄漏

电流可通过该输入引脚进行绘制。德州仪器的操作的更详细的讨论

ESD保护电路呈现的下一个页面上。

上LinCMOS和高级LinCMOS产品的所有输入和输出管脚相关联的ESD保护

电路，经过资格测试可承受2000伏从100 pF的电容通过放电

1500 - Ω电阻（人体模型）和200 V的100 pF的电容，没有限流电阻

（带电器件模型）。在正常的这些测试模拟两种操作人员和机器设备的处理

测试和组装操作。

VDD

输入

保护电路

GND

图1. LinCMOS ESD保护原理图

路LinCMOS和高级LinCMOS是德州仪器的商标。

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