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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第313页 > TLC271CPSRG4
TLC271 ， TLC271A ， TLC271B
路LinCMOS 可编程低功耗
运算放大器
SLOS090D - 1987年11月 - 修订2001年3月
D
D
D
D
D
D
D
D
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
OFFSET N1
NC
BIAS选择
NC
NC
V
DD
NC
OUT
NC
包
芯片载体
（ FK ）
—
陶瓷DIP
（ JG ）
—
D
D
输入失调电压漂移。 。 。通常
0.1
μV /月，
包括头30天
电源电压在很宽的范围
规定温度范围：
0℃至70℃。 。 。 3伏至16 V
- 40 ° C至85°C 。 。 。 4 V至16 V
- 55 ° C至125°C 。 。 。 5 V至16 V
单电源供电
共模输入电压范围
扩展低于负轨（ C-后缀
和I-后缀类型）
低噪声。 。 。 25纳伏/ √Hz的通常在
F = 1千赫（高偏置模式）
输出电压范围包括负
轨
高输入阻抗。 。 。 10
12
典型值
ESD保护电路
小外形封装选项还
可用磁带和卷轴
设计，在闭锁抗扰度
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
BIAS选择
V
DD
OUT
偏移N2
FK包装
（ TOP VIEW ）
描述
该TLC271运算放大器结合了
宽范围的输入失调电压等级低的
NC - 无内部连接
偏移电压漂移和高输入阻抗。在
此外， TLC271提供偏置选择模式
它允许用户选择用于特定功率耗散和交流性能的最佳组合
应用程序。这些器件采用德州仪器硅栅路LinCMOS 技术，可提供补偿
电压稳定性远超过可与常规的金属栅工艺的稳定性。
可选项
TA
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
5毫伏
10毫伏
2毫伏
5毫伏
10毫伏
10毫伏
小尺寸
(D)
TLC271BCD
TLC271ACD
TLC271CD
TLC271BID
TLC271AID
TLC271ID
TLC271MD
塑料DIP
(P)
TLC271BCP
TLC271ACP
TLC271CP
TLC271BIP
TLC271AIP
TLC271IP
TLC271MP
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
—
TLC271MFK
TLC271MJG
D封装中提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如， TLC271BCDR ） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
GND
NC
偏移N2
NC
—
1
TLC271 ， TLC271A ， TLC271B
路LinCMOS 可编程低功耗
运算放大器
SLOS090D - 1987年11月 - 修订2001年3月
设备特点
参数“
PD
SR
Vn
B1
BIAS选模式
高
3375
3.6
25
1.7
中
525
0.4
32
0.5
170
低
50
0.03
68
0.09
480
单位
W
V / μs的
纳伏/赫兹÷
兆赫
V / MV
AVD
23
典型在VDD = 5V ， TA = 25℃
描述（续）
使用偏置选择选项，这些成本效益的设备可以被编程以跨越大范围的
应用以前需要的BiFET ， NFET ，或双极性技术。三失调电压等级的
可用的（C-后缀和I-后缀类型） ，从低成本TLC271 （10毫伏）到TLC271B （2毫伏）
低偏移的版本。极高的输入阻抗和低偏置电流，在具有良好的结合
共模抑制和电源电压抑制，使这些器件新的好选择
先进设备，最先进的设计，以及升级现有设计。
一般情况下，在路LinCMOS 运算放大器可提供双极技术相关的许多功能，
没有双极性工艺的功率损失。一般应用，如换能器的接口，模拟
计算，放大器块，有源滤波器和信号缓冲都容易设计与TLC271 。该
器件还具有低电压单电源工作，使它们非常适用于远程和
人迹罕至的电池供电的应用。的共模输入电压范围包括负供电轨。
广泛的封装选项是可用的，包括小外形和芯片载体的版本为高密度
系统的应用程序。
该器件的输入和输出设计，可以承受 - 100 mA的浪涌电流而不遭受闭锁。
该TLC271内部集成了ESD保护电路，防止功能失效的电压高达2000
V根据MIL - STD- 883C ，方法3015.2的测试;但是，应注意在操作这些设备的行使
由于暴露于静电放电可能会导致器件性能参数的劣化。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40 ° C至85°C 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围 - 55 ° C至125°C 。
偏向选择功能
该TLC271提供了一个偏置选择功能，允许用户选择三个偏置电平的任何一个视
在性能水平所需。偏置电平之间的权衡涉及的AC性能和功耗
耗散（见表1） 。
偏置选择对性能表1.影响
典型参数值是
25 C,
TA = 25 ℃， VDD = 5 V
PD
SR
Vn
B1
φ
m
AVD
功耗
压摆率
在f = 1kHz的等效输入噪声电压
单位增益带宽
相位裕度
大信号的差分电压放大
模式
高偏置
RL = 10 kΩ的
3.4
3.6
25
1.7
46°
23
中等偏差
RL = 100 kΩ的
0.5
0.4
32
0.5
40°
170
低偏置
RL = 1 MΩ
0.05
0.03
68
0.09
34°
480
V / MV
单位
mW
V / μs的
纳伏/赫兹÷
兆赫
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC271 ， TLC271A ， TLC271B
路LinCMOS 可编程低功耗
运算放大器
SLOS090D - 1987年11月 - 修订2001年3月
偏置选择
偏压的选择是由连接所述偏压选择管脚对的三个电压电平（参见图1 ）一种实现。为
中等偏差的应用程序，则建议将偏压选择引脚被连接到之间的中点
电源轨。这个过程是分离电源应用简单，因为这点接地。在单电源供电
应用中，介质偏压模式就必须使用一个分压器如在图1中使用的表示
在分压器的大值电阻器降低从电源线除法器的电流消耗。不过，
结合使用具有大电容值的电容器的大值电阻器需要显著时间充电到
供应后级供电中点接通。电压低于中点其他可如果是内使用
在图1中指定的电压。
VDD
低
向偏置
选择引脚
中
1 M
偏置模式
低
BIAS选择电压
（单电源）
VDD
1 V至VDD - 1 V
GND
高
1 M
0.01
F
中
高
图1.选择偏置单电源应用
高偏压模式
在高偏置模式下， TLC271系列具有低失调电压漂移，输入阻抗高，噪声低。
速度在此模式接近的的BiFET器件，但在功耗的一小部分这一点。单位增益
带宽通常大于1兆赫。
MEDIUM -偏置模式
在中等偏模式TLC271具有低失调电压漂移，输入阻抗高，噪声低。
速度在此模式类似于通用的双极型器件，但功耗是，只有一小部分
由双极型器件消耗。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
TLC271 ， TLC271A ， TLC271B
路LinCMOS 可编程低功耗
运算放大器
SLOS090D - 1987年11月 - 修订2001年3月
LOW-偏置模式
在低偏置模式下， TLC271具有低失调电压漂移，高输入阻抗，超低功耗
耗和高的差分电压增益。
订单录
话题
概要
绝对最大额定值
推荐工作条件
电气特性
工作特性
典型特征
电气特性
工作特性
典型特征
电气特性
工作特性
典型特征
参数测量信息
应用信息
偏置模式
所有
所有
所有
高
（图2 - 33 ）
中
（图34 - 65 ）
低
（图66 - 97 ）
所有
所有
等效原理图
VDD
P3
P9A
R6
P12
P4
P1
P2
R2
P5
P9B
P11
IN =
R1
N5
P10
N11
P6A
P6B
P7B
P7A
P8
IN +
R5
C1
N3
N6
N7
N1
R3
D1
R4
N2
N4
D2
R7
N12
N9
N13
N10
偏移补偿
N1
N2
OUT
GND
BIAS
SELECT
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC271 ， TLC271A ， TLC271B
路LinCMOS 可编程低功耗
运算放大器
SLOS090D - 1987年11月 - 修订2001年3月
在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
DD
输入电压范围，V
I
（任意输入）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
–
0.3 V到V
DD
输入电流I
I
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
5毫安
输出电流，I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
30毫安
短路电流的持续时间（或低于） 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
经营自由的空气温度，T
A
：C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
外壳温度60秒： FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下10秒：D或P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下60秒： JG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于网络接地。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大
额定功耗不超过（见应用部分） 。
额定功耗表
包
D
FK
JG
P
TA
≤
25°C
额定功率
725毫瓦
1375毫瓦
1050毫瓦
1000毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
464毫瓦
880毫瓦
672毫瓦
640毫瓦
TA = 85°C
额定功率
377毫瓦
715毫瓦
546毫瓦
520毫瓦
TA = 125°C
额定功率
145毫瓦
275毫瓦
210毫瓦
200毫瓦
推荐工作条件
后缀
民
电源电压（VDD）
共模
共模输入电压， VIC
电压
经营自由的空气温度， TA
VDD = 5 V
VDD = 10 V
3
– 0.2
– 0.2
0
最大
16
3.5
8.5
70
我的后缀
民
4
– 0.2
– 0.2
– 40
最大
16
3.5
8.5
85
M后缀
民
5
0
0
– 55
最大
16
3.5
8.5
125
单位
V
V
°C
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5
TLC271 ， TLC271A ， TLC271B
路LinCMOS 可编程低功耗
运算放大器
SLOS090D - 1987年11月 - 修订2001年3月
D
D
D
D
D
D
D
D
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
OFFSET N1
NC
BIAS选择
NC
NC
V
DD
NC
OUT
NC
包
芯片载体
（ FK ）
—
陶瓷DIP
（ JG ）
—
D
D
输入失调电压漂移。 。 。通常
0.1
μV /月，
包括头30天
电源电压在很宽的范围
规定温度范围：
0℃至70℃。 。 。 3伏至16 V
- 40 ° C至85°C 。 。 。 4 V至16 V
- 55 ° C至125°C 。 。 。 5 V至16 V
单电源供电
共模输入电压范围
扩展低于负轨（ C-后缀
和I-后缀类型）
低噪声。 。 。 25纳伏/ √Hz的通常在
F = 1千赫（高偏置模式）
输出电压范围包括负
轨
高输入阻抗。 。 。 10
12
典型值
ESD保护电路
小外形封装选项还
可用磁带和卷轴
设计，在闭锁抗扰度
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
BIAS选择
V
DD
OUT
偏移N2
FK包装
（ TOP VIEW ）
描述
该TLC271运算放大器结合了
宽范围的输入失调电压等级低的
NC - 无内部连接
偏移电压漂移和高输入阻抗。在
此外， TLC271提供偏置选择模式
它允许用户选择用于特定功率耗散和交流性能的最佳组合
应用程序。这些器件采用德州仪器硅栅路LinCMOS 技术，可提供补偿
电压稳定性远超过可与常规的金属栅工艺的稳定性。
可选项
TA
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
5毫伏
10毫伏
2毫伏
5毫伏
10毫伏
10毫伏
小尺寸
(D)
TLC271BCD
TLC271ACD
TLC271CD
TLC271BID
TLC271AID
TLC271ID
TLC271MD
塑料DIP
(P)
TLC271BCP
TLC271ACP
TLC271CP
TLC271BIP
TLC271AIP
TLC271IP
TLC271MP
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
—
TLC271MFK
TLC271MJG
D封装中提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如， TLC271BCDR ） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
GND
NC
偏移N2
NC
—
1
TLC271 ， TLC271A ， TLC271B
路LinCMOS 可编程低功耗
运算放大器
SLOS090D - 1987年11月 - 修订2001年3月
设备特点
参数“
PD
SR
Vn
B1
BIAS选模式
高
3375
3.6
25
1.7
中
525
0.4
32
0.5
170
低
50
0.03
68
0.09
480
单位
W
V / μs的
纳伏/赫兹÷
兆赫
V / MV
AVD
23
典型在VDD = 5V ， TA = 25℃
描述（续）
使用偏置选择选项，这些成本效益的设备可以被编程以跨越大范围的
应用以前需要的BiFET ， NFET ，或双极性技术。三失调电压等级的
可用的（C-后缀和I-后缀类型） ，从低成本TLC271 （10毫伏）到TLC271B （2毫伏）
低偏移的版本。极高的输入阻抗和低偏置电流，在具有良好的结合
共模抑制和电源电压抑制，使这些器件新的好选择
先进设备，最先进的设计，以及升级现有设计。
一般情况下，在路LinCMOS 运算放大器可提供双极技术相关的许多功能，
没有双极性工艺的功率损失。一般应用，如换能器的接口，模拟
计算，放大器块，有源滤波器和信号缓冲都容易设计与TLC271 。该
器件还具有低电压单电源工作，使它们非常适用于远程和
人迹罕至的电池供电的应用。的共模输入电压范围包括负供电轨。
广泛的封装选项是可用的，包括小外形和芯片载体的版本为高密度
系统的应用程序。
该器件的输入和输出设计，可以承受 - 100 mA的浪涌电流而不遭受闭锁。
该TLC271内部集成了ESD保护电路，防止功能失效的电压高达2000
V根据MIL - STD- 883C ，方法3015.2的测试;但是，应注意在操作这些设备的行使
由于暴露于静电放电可能会导致器件性能参数的劣化。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40 ° C至85°C 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围 - 55 ° C至125°C 。
偏向选择功能
该TLC271提供了一个偏置选择功能，允许用户选择三个偏置电平的任何一个视
在性能水平所需。偏置电平之间的权衡涉及的AC性能和功耗
耗散（见表1） 。
偏置选择对性能表1.影响
典型参数值是
25 C,
TA = 25 ℃， VDD = 5 V
PD
SR
Vn
B1
φ
m
AVD
功耗
压摆率
在f = 1kHz的等效输入噪声电压
单位增益带宽
相位裕度
大信号的差分电压放大
模式
高偏置
RL = 10 kΩ的
3.4
3.6
25
1.7
46°
23
中等偏差
RL = 100 kΩ的
0.5
0.4
32
0.5
40°
170
低偏置
RL = 1 MΩ
0.05
0.03
68
0.09
34°
480
V / MV
单位
mW
V / μs的
纳伏/赫兹÷
兆赫
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC271 ， TLC271A ， TLC271B
路LinCMOS 可编程低功耗
运算放大器
SLOS090D - 1987年11月 - 修订2001年3月
偏置选择
偏压的选择是由连接所述偏压选择管脚对的三个电压电平（参见图1 ）一种实现。为
中等偏差的应用程序，则建议将偏压选择引脚被连接到之间的中点
电源轨。这个过程是分离电源应用简单，因为这点接地。在单电源供电
应用中，介质偏压模式就必须使用一个分压器如在图1中使用的表示
在分压器的大值电阻器降低从电源线除法器的电流消耗。不过，
结合使用具有大电容值的电容器的大值电阻器需要显著时间充电到
供应后级供电中点接通。电压低于中点其他可如果是内使用
在图1中指定的电压。
VDD
低
向偏置
选择引脚
中
1 M
偏置模式
低
BIAS选择电压
（单电源）
VDD
1 V至VDD - 1 V
GND
高
1 M
0.01
F
中
高
图1.选择偏置单电源应用
高偏压模式
在高偏置模式下， TLC271系列具有低失调电压漂移，输入阻抗高，噪声低。
速度在此模式接近的的BiFET器件，但在功耗的一小部分这一点。单位增益
带宽通常大于1兆赫。
MEDIUM -偏置模式
在中等偏模式TLC271具有低失调电压漂移，输入阻抗高，噪声低。
速度在此模式类似于通用的双极型器件，但功耗是，只有一小部分
由双极型器件消耗。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
TLC271 ， TLC271A ， TLC271B
路LinCMOS 可编程低功耗
运算放大器
SLOS090D - 1987年11月 - 修订2001年3月
LOW-偏置模式
在低偏置模式下， TLC271具有低失调电压漂移，高输入阻抗，超低功耗
耗和高的差分电压增益。
订单录
话题
概要
绝对最大额定值
推荐工作条件
电气特性
工作特性
典型特征
电气特性
工作特性
典型特征
电气特性
工作特性
典型特征
参数测量信息
应用信息
偏置模式
所有
所有
所有
高
（图2 - 33 ）
中
（图34 - 65 ）
低
（图66 - 97 ）
所有
所有
等效原理图
VDD
P3
P9A
R6
P12
P4
P1
P2
R2
P5
P9B
P11
IN =
R1
N5
P10
N11
P6A
P6B
P7B
P7A
P8
IN +
R5
C1
N3
N6
N7
N1
R3
D1
R4
N2
N4
D2
R7
N12
N9
N13
N10
偏移补偿
N1
N2
OUT
GND
BIAS
SELECT
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC271 ， TLC271A ， TLC271B
路LinCMOS 可编程低功耗
运算放大器
SLOS090D - 1987年11月 - 修订2001年3月
在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
DD
输入电压范围，V
I
（任意输入）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
–
0.3 V到V
DD
输入电流I
I
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
5毫安
输出电流，I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
30毫安
短路电流的持续时间（或低于） 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
经营自由的空气温度，T
A
：C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
外壳温度60秒： FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下10秒：D或P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下60秒： JG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于网络接地。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大
额定功耗不超过（见应用部分） 。
额定功耗表
包
D
FK
JG
P
TA
≤
25°C
额定功率
725毫瓦
1375毫瓦
1050毫瓦
1000毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
464毫瓦
880毫瓦
672毫瓦
640毫瓦
TA = 85°C
额定功率
377毫瓦
715毫瓦
546毫瓦
520毫瓦
TA = 125°C
额定功率
145毫瓦
275毫瓦
210毫瓦
200毫瓦
推荐工作条件
后缀
民
电源电压（VDD）
共模
共模输入电压， VIC
电压
经营自由的空气温度， TA
VDD = 5 V
VDD = 10 V
3
– 0.2
– 0.2
0
最大
16
3.5
8.5
70
我的后缀
民
4
– 0.2
– 0.2
– 40
最大
16
3.5
8.5
85
M后缀
民
5
0
0
– 55
最大
16
3.5
8.5
125
单位
V
V
°C
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