TLC254 ， TLC254A ， TLC254B ， TLC254Y ， TLC25L4 ， TLC25L4A ， TLC25L4B
TLC25L4Y ， TLC25M4 ， TLC25M4A ， TLC25M4B ， TLC25M4Y
路LinCMOS 四路运算放大器
SLOS003F - 1983年6月 - 修订1994年8月
D
D
D
D
D
D
A-后缀版本提供5 mV的V
IO
B-后缀版本提供2 mV的V
IO
电源电压范围广
1.4 V至16 V
真正的单电源供电
共模输入电压包括
负电压轨
低噪声。 。 。 25纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
（高偏置版）
D，N ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD –
/ GND
3英寸+
2IN -
3OUT
描述
该TLC254 ， TLC254A ， TLC254B ， TLC25L4 ，
符号（每个放大器）
TLC254L4A ， TLC254L4B ， TLC25M4 ， TLC25M4A
和TL25M4B是低成本，低功耗的四核
+
IN +
设计为与操作运算放大器
OUT
单电源或双电源。这些器件利用
IN =
–
德州仪器硅栅路LinCMOS
过程中，给予他们稳定的输入偏移电压是在第2，第5 ，或10毫伏选定等级可用
最大的，非常高的输入阻抗和极低的输入偏置电流和偏置电流。因为输入
共模范围扩展到负电源轨和功率消耗非常低，这系列是
非常适合电池供电或节能应用。该系列提供操作降低到
1.4 V电源，是稳定的单位增益，并具有优良的噪音特性。
这些器件具有内部静电放电（ESD）保护电路，以防止灾难性故障
在电压高达2000伏的下MIL -STD- 883C ，方法3015.1进行测试。然而，应谨慎
在处理这些设备暴露于静电放电可能会导致器件性能参数的劣化。
因为非常高的输入阻抗和低输入偏置和偏置电流，应用这些
设备包括先前已经限于BIFET和NFET的产品类型很多领域。任何电路
使用高阻抗元件，并要求小偏移误差是一个很好的候选人符合成本效益的应用
这些设备。可与路LinCMOS运作与双极技术相关的许多功能
放大器，而没有传统双极型器件的功率损耗。
可选项
TA
VIOMAX
在25℃下
10毫伏
5毫伏
2毫伏
0 ° C至70℃
10毫伏
5毫伏
2毫伏
10毫伏
5毫伏
2毫伏
包装设备
小尺寸
(D)
TLC254CD
TLC254ACD
TLC254BCD
TLC25L4CD
TLC25L4ACD
TLC25L2BCD
TLC25M4CD
TLC25M4ACD
TLC25M4BCD
塑料DIP
(N)
TLC254CN
TLC254ACN
TLC254BCN
TLC25L4CN
TLC25L4ACN
TLC25L4BCN
TLC25M4CN
TLC25M4ACN
TLC25M4BCN
TSSOP
（ PW ）
TLC254CPW
—
—
TLC25L4CPW
—
—
TLC25M4CPW
—
—
芯片形式
(Y)
TLC254Y
—
—
TLC25L4Y
—
—
TLC25M4Y
—
—
D封装中提供卷带封装。添加后缀R键的设备类型（例如， TLC254CDR ） 。芯片
在25℃下进行测试。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1994年，德州仪器
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达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLC254 ， TLC254A ， TLC254B ， TLC254Y ， TLC25L4 ， TLC25L4A ， TLC25L4B
TLC25L4Y ， TLC25M4 ， TLC25M4A ， TLC25M4B ， TLC25M4Y
路LinCMOS 四路运算放大器
SLOS003F - 1983年6月 - 修订1994年8月
描述（续）
一般的应用，如传感器接口，模拟计算，放大器块，有源滤波器，以及
信号缓冲都是容易地设计这些设备。边远和交通不便的设备应用程序
是能够利用其低电压和低功耗的功能。这些器件非常适用于解决
与单电池及太阳能电池供电的应用相关联的难题。这一系列包括
为特征的商业级温度范围，采用14引脚塑料DIP封装的器件和
小外形封装。该设备也处于芯片的形式提供。
这些装置的特征在于，操作从0℃至70℃。
设备特点
参数
电源电流（典型值）
转换速率（典型值）
输入失调电压（最大）
TLC254C ， TLC25L4C ， TLC25M4C
TLC254AC ， TLC25L4AC ， TLC25M4AC
TLC254BC ， TLC25L4BC ， TLC25M4BC
失调电压漂移（典型值）
失调电压温度系数（典型值）
输入偏置电流（典型值）
TLC25L4_C
（低偏置）
40
A
0.04 V / μA
10毫伏
5毫伏
2毫伏
0.1
μV /月
0.7
μV/°C
1 pA的
TLC25M4_C
（ MEDIUM BIAS ）
600
A
0.6 V / μA
10毫伏
5毫伏
2毫伏
0.1
μV /月
2
μV/°C
1 pA的
1 pA的
TLC254_C
（高偏置）
4000
A
4.5 V / μA
10毫伏
5毫伏
2毫伏
0.1
μV /月
5
μV/°C
1 pA的
1 pA的
输入偏置电流（典型值）
1 pA的
的第一个月后的长期漂移值适用。
等效电路图（每个放大器）
VDD
IN +
的ESD
保护的
网
IN =
的ESD
保护的
网
OUT
VDD - / GND
2
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TLC254 ， TLC254A ， TLC254B ， TLC254Y ， TLC25L4 ， TLC25L4A ， TLC25L4B
TLC25L4Y ， TLC25M4 ， TLC25M4A ， TLC25M4B ， TLC25M4Y
路LinCMOS 四路运算放大器
SLOS003F - 1983年6月 - 修订1994年8月
芯片信息
这些芯片，如果正确组装，显示类似TLC25_4C特点。热压
或超声波接合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
VDD
(4)
+
–
+
–
+
–
+
–
(11)
VDD- / GND
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(3)
1IN +
1IN -
(14)
(13)
(12) (11)
(10)
(9)
(8)
(1)
1OUT
(5)
(6)
(8)
3OUT
(12)
(13)
4IN +
4IN -
2IN +
2IN -
(2)
(7)
2OUT
(10)
3英寸+
(9)
3英寸 -
68
4OUT
(14)
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
PIN码（ 11 ）内部连接
背侧的芯片。
108
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3
TLC254 ， TLC254A ， TLC254B ， TLC254Y ， TLC25L4 ， TLC25L4A ， TLC25L4B
TLC25L4Y ， TLC25M4 ， TLC25M4A ， TLC25M4B ， TLC25M4Y
路LinCMOS 四路运算放大器
SLOS003F - 1983年6月 - 修订1994年8月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18 V
差分输入电压（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
18 V
输入电压范围（任意输入）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至18 V
短路时（或低于） 25℃自由空气的温度持续时间（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作自由空气的温度范围内。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - / GND 。
2.差分电压是在IN + ，相对于中 - 。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大的耗散
等级不超过。
额定功耗表
包
D
N
PW
TA
≤
25°C
额定功率
725毫瓦
1050毫瓦
700毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
9.2毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
464毫瓦
736毫瓦
448毫瓦
推荐工作条件
民
电源电压（VDD）
VDD = 1.4 V
VDD = 5 V
VDD = 10 V
VDD = 16 V
1.4
0
– 0.2
– 0.2
– 0.2
0
最大
16
0.2
4
9
14
70
°C
V
单位
V
共模
共模输入电压VIC
电压，
经营自由的空气温度， TA
4
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在指定的自由空气的温度，V电气特性
DD
= 1.4 V（除非另有说明）
参数
TLC25_4C
TLC25 4C
VIO
输入失调电压
TLC25_4AC
TLC25 4AC
TLC25 4BC
TLC25_4BC
AVIO
IIO
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测试条件
TLC254_C
TA
25°C
0 ° C至70℃
25°C
0 ° C至70℃
25°C
0 ° C至70℃
25℃
70°C
1
1
300
1
600
0
0.2
450
700
10
60
77
民
典型值
最大
10
12
5
6.5
2
3
TLC25L4_C
民
典型值
最大
10
12
5
6.5
2
3
1
1
300
1
600
0
0.2
450
700
20
60
77
TLC25M4_C
民
典型值
最大
10
12
5
6.5
2
3
1
1
300
1
600
0
0.2
450
700
20
60
77
单位
VO = 0 2 V ，
0.2 V
RS = 50
mV
TLC254 ， TLC254A ， TLC254B ， TLC254Y ， TLC25L4 ， TLC25L4A ， TLC25L4B
TLC25L4Y ， TLC25M4 ， TLC25M4A ， TLC25M4B ， TLC25M4Y
路LinCMOS
TM
四路运算放大器
平均温度系数
g
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入电压范围
峰值输出电压摆幅
大信号差分电压
放大器阳离子
共模抑制比
VID = 100 mV的
VO = 100 300毫伏，
RS = 50
VO = 0.2 V ，
VIC = VICRmin
VO = 0 2 V
0.2
VO = 0 2 V
0.2
μV/°C
pA
pA
V
mV
V / MV
dB
25°C
0 ° C至70℃
25°C
0 ° C至70℃
25°C
25°C
25°C
25°C
IIB
VICR
VOM
AVD
CMRR
国际直拨电话
电源电流
VO = 0.2 V，无负载
25°C
600
750
50
68
400
500
A
所有特性的开环条件下测得的零的共模输入电压，除非另有规定。除非另有说明，一个输出负载电阻是
从输出连接到地，并且具有以下的值：对于低偏压，RL = 1 M ，对于介质偏压RL = 100kΩ的，而对于高偏压RL = 10千欧。
§输出摆幅VDD的潜力 - / GND 。
SLOS003F - 1983年6月 - 修订1994年8月
经营特色，V
DD
= 1.4 V，T
A
= 25°C
参数
SR
B1
压摆率在单位增益
单位增益带宽
过冲因子
测试条件
见图1
AV = 40 dB时，
RS = 50
,
见图1
CL = 10 pF的，
见图1
TLC254_C
民
典型值
0.1
12
30%
最大
TLC25L4_C
民
典型值
0.001
12
35%
最大
TLC25M4_C
民
典型值
0.01
12
35%
最大
单位
V / μs的
千赫
5
QQ：2880707522 复制
