TLC254 ， TLC254A ， TLC254B ， TLC254Y ， TLC25L4 ， TLC25L4A ， TLC25L4B
TLC25L4Y ， TLC25M4 ， TLC25M4A ， TLC25M4B ， TLC25M4Y
路LinCMOS 四路运算放大器
SLOS003F - 1983年6月 - 修订1994年8月
D
D
D
D
D
D
A-后缀版本提供5 mV的V
IO
B-后缀版本提供2 mV的V
IO
电源电压范围广
1.4 V至16 V
真正的单电源供电
共模输入电压包括
负电压轨
低噪声。 。 。 25纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
（高偏置版）
D，N ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD –
/ GND
3英寸+
2IN -
3OUT
描述
该TLC254 ， TLC254A ， TLC254B ， TLC25L4 ，
符号（每个放大器）
TLC254L4A ， TLC254L4B ， TLC25M4 ， TLC25M4A
和TL25M4B是低成本，低功耗的四核
+
IN +
设计为与操作运算放大器
OUT
单电源或双电源。这些器件利用
IN =
–
德州仪器硅栅路LinCMOS
过程中，给予他们稳定的输入偏移电压是在第2，第5 ，或10毫伏选定等级可用
最大的，非常高的输入阻抗和极低的输入偏置电流和偏置电流。因为输入
共模范围扩展到负电源轨和功率消耗非常低，这系列是
非常适合电池供电或节能应用。该系列提供操作降低到
1.4 V电源，是稳定的单位增益，并具有优良的噪音特性。
这些器件具有内部静电放电（ESD）保护电路，以防止灾难性故障
在电压高达2000伏的下MIL -STD- 883C ，方法3015.1进行测试。然而，应谨慎
在处理这些设备暴露于静电放电可能会导致器件性能参数的劣化。
因为非常高的输入阻抗和低输入偏置和偏置电流，应用这些
设备包括先前已经限于BIFET和NFET的产品类型很多领域。任何电路
使用高阻抗元件，并要求小偏移误差是一个很好的候选人符合成本效益的应用
这些设备。可与路LinCMOS运作与双极技术相关的许多功能
放大器，而没有传统双极型器件的功率损耗。
可选项
TA
VIOMAX
在25℃下
10毫伏
5毫伏
2毫伏
0 ° C至70℃
10毫伏
5毫伏
2毫伏
10毫伏
5毫伏
2毫伏
包装设备
小尺寸
(D)
TLC254CD
TLC254ACD
TLC254BCD
TLC25L4CD
TLC25L4ACD
TLC25L2BCD
TLC25M4CD
TLC25M4ACD
TLC25M4BCD
塑料DIP
(N)
TLC254CN
TLC254ACN
TLC254BCN
TLC25L4CN
TLC25L4ACN
TLC25L4BCN
TLC25M4CN
TLC25M4ACN
TLC25M4BCN
TSSOP
（ PW ）
TLC254CPW
—
—
TLC25L4CPW
—
—
TLC25M4CPW
—
—
芯片形式
(Y)
TLC254Y
—
—
TLC25L4Y
—
—
TLC25M4Y
—
—
D封装中提供卷带封装。添加后缀R键的设备类型（例如， TLC254CDR ） 。芯片
在25℃下进行测试。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1994年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLC254 ， TLC254A ， TLC254B ， TLC254Y ， TLC25L4 ， TLC25L4A ， TLC25L4B
TLC25L4Y ， TLC25M4 ， TLC25M4A ， TLC25M4B ， TLC25M4Y
路LinCMOS 四路运算放大器
SLOS003F - 1983年6月 - 修订1994年8月
描述（续）
一般的应用，如传感器接口，模拟计算，放大器块，有源滤波器，以及
信号缓冲都是容易地设计这些设备。边远和交通不便的设备应用程序
是能够利用其低电压和低功耗的功能。这些器件非常适用于解决
与单电池及太阳能电池供电的应用相关联的难题。这一系列包括
为特征的商业级温度范围，采用14引脚塑料DIP封装的器件和
小外形封装。该设备也处于芯片的形式提供。
这些装置的特征在于，操作从0℃至70℃。
设备特点
参数
电源电流（典型值）
转换速率（典型值）
输入失调电压（最大）
TLC254C ， TLC25L4C ， TLC25M4C
TLC254AC ， TLC25L4AC ， TLC25M4AC
TLC254BC ， TLC25L4BC ， TLC25M4BC
失调电压漂移（典型值）
失调电压温度系数（典型值）
输入偏置电流（典型值）
TLC25L4_C
（低偏置）
40
A
0.04 V / μA
10毫伏
5毫伏
2毫伏
0.1
μV /月
0.7
μV/°C
1 pA的
TLC25M4_C
（ MEDIUM BIAS ）
600
A
0.6 V / μA
10毫伏
5毫伏
2毫伏
0.1
μV /月
2
μV/°C
1 pA的
1 pA的
TLC254_C
（高偏置）
4000
A
4.5 V / μA
10毫伏
5毫伏
2毫伏
0.1
μV /月
5
μV/°C
1 pA的
1 pA的
输入偏置电流（典型值）
1 pA的
的第一个月后的长期漂移值适用。
等效电路图（每个放大器）
VDD
IN +
的ESD
保护的
网
IN =
的ESD
保护的
网
OUT
VDD - / GND
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC254 ， TLC254A ， TLC254B ， TLC254Y ， TLC25L4 ， TLC25L4A ， TLC25L4B
TLC25L4Y ， TLC25M4 ， TLC25M4A ， TLC25M4B ， TLC25M4Y
路LinCMOS 四路运算放大器
SLOS003F - 1983年6月 - 修订1994年8月
芯片信息
这些芯片，如果正确组装，显示类似TLC25_4C特点。热压
或超声波接合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
VDD
(4)
+
–
+
–
+
–
+
–
(11)
VDD- / GND
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(3)
1IN +
1IN -
(14)
(13)
(12) (11)
(10)
(9)
(8)
(1)
1OUT
(5)
(6)
(8)
3OUT
(12)
(13)
4IN +
4IN -
2IN +
2IN -
(2)
(7)
2OUT
(10)
3英寸+
(9)
3英寸 -
68
4OUT
(14)
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
PIN码（ 11 ）内部连接
背侧的芯片。
108
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
TLC254 ， TLC254A ， TLC254B ， TLC254Y ， TLC25L4 ， TLC25L4A ， TLC25L4B
TLC25L4Y ， TLC25M4 ， TLC25M4A ， TLC25M4B ， TLC25M4Y
路LinCMOS 四路运算放大器
SLOS003F - 1983年6月 - 修订1994年8月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18 V
差分输入电压（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
18 V
输入电压范围（任意输入）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至18 V
短路时（或低于） 25℃自由空气的温度持续时间（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作自由空气的温度范围内。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - / GND 。
2.差分电压是在IN + ，相对于中 - 。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大的耗散
等级不超过。
额定功耗表
包
D
N
PW
TA
≤
25°C
额定功率
725毫瓦
1050毫瓦
700毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
9.2毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
464毫瓦
736毫瓦
448毫瓦
推荐工作条件
民
电源电压（VDD）
VDD = 1.4 V
VDD = 5 V
VDD = 10 V
VDD = 16 V
1.4
0
– 0.2
– 0.2
– 0.2
0
最大
16
0.2
4
9
14
70
°C
V
单位
V
共模
共模输入电压VIC
电压，
经营自由的空气温度， TA
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
在指定的自由空气的温度，V电气特性
DD
= 1.4 V（除非另有说明）
参数
TLC25_4C
TLC25 4C
VIO
输入失调电压
TLC25_4AC
TLC25 4AC
TLC25 4BC
TLC25_4BC
AVIO
IIO
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
测试条件
TLC254_C
TA
25°C
0 ° C至70℃
25°C
0 ° C至70℃
25°C
0 ° C至70℃
25℃
70°C
1
1
300
1
600
0
0.2
450
700
10
60
77
民
典型值
最大
10
12
5
6.5
2
3
TLC25L4_C
民
典型值
最大
10
12
5
6.5
2
3
1
1
300
1
600
0
0.2
450
700
20
60
77
TLC25M4_C
民
典型值
最大
10
12
5
6.5
2
3
1
1
300
1
600
0
0.2
450
700
20
60
77
单位
VO = 0 2 V ，
0.2 V
RS = 50
mV
TLC254 ， TLC254A ， TLC254B ， TLC254Y ， TLC25L4 ， TLC25L4A ， TLC25L4B
TLC25L4Y ， TLC25M4 ， TLC25M4A ， TLC25M4B ， TLC25M4Y
路LinCMOS
TM
四路运算放大器
平均温度系数
g
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入电压范围
峰值输出电压摆幅
大信号差分电压
放大器阳离子
共模抑制比
VID = 100 mV的
VO = 100 300毫伏，
RS = 50
VO = 0.2 V ，
VIC = VICRmin
VO = 0 2 V
0.2
VO = 0 2 V
0.2
μV/°C
pA
pA
V
mV
V / MV
dB
25°C
0 ° C至70℃
25°C
0 ° C至70℃
25°C
25°C
25°C
25°C
IIB
VICR
VOM
AVD
CMRR
国际直拨电话
电源电流
VO = 0.2 V，无负载
25°C
600
750
50
68
400
500
A
所有特性的开环条件下测得的零的共模输入电压，除非另有规定。除非另有说明，一个输出负载电阻是
从输出连接到地，并且具有以下的值：对于低偏压，RL = 1 M ，对于介质偏压RL = 100kΩ的，而对于高偏压RL = 10千欧。
§输出摆幅VDD的潜力 - / GND 。
SLOS003F - 1983年6月 - 修订1994年8月
经营特色，V
DD
= 1.4 V，T
A
= 25°C
参数
SR
B1
压摆率在单位增益
单位增益带宽
过冲因子
测试条件
见图1
AV = 40 dB时，
RS = 50
,
见图1
CL = 10 pF的，
见图1
TLC254_C
民
典型值
0.1
12
30%
最大
TLC25L4_C
民
典型值
0.001
12
35%
最大
TLC25M4_C
民
典型值
0.01
12
35%
最大
单位
V / μs的
千赫
5
TLC252 ， TLC252A ， TLC252B ， TLC252Y ， TLC25L2 ， TLC25L2A ， TLC25L2B
TLC25L2Y ， TLC25M2 ， TLC25M2A ， TLC25M2B ， TLC25M2Y
路LinCMOS 双运算放大器
SLOS002G - 1983年6月 - 修订1996年8月
D
D
D
D
D
D
A-后缀版本提供5 mV的V
IO
B-后缀版本提供2 mV的V
IO
电源电压范围广
1.4 V至16 V
真正的单电源供电
共模输入电压包括
负电压轨
低噪声。 。 。 30纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
（高偏置版本）
D或P封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
2OUT
2IN -
2IN +
符号（每个放大器）
IN +
+
描述
该TLC252 ， TLC25L2和TLC25M2是
OUT
IN =
–
低成本，低功耗双运算放大器
设计为单或双电源供电。
这些器件采用德州仪器
硅栅路LinCMOS 工艺，给他们稳定的输入失调电压是在选定的等级可供选择
第2，第5 ，或10毫伏最大，非常高的输入阻抗和非常低的输入偏置电流和偏置电流。
因为输入共模范围扩展到负电源轨和功率消耗是极
低，这个系列非常适合于电池供电或节能应用。该系列产品提供
操作降低到1.4 V电源，是稳定的单位增益，并具有优良的噪音特性。
这些器件具有内部静电放电（ESD）保护电路，以防止灾难性故障
在电压高达2000伏的下MIL -STD- 883C ，方法3015.1进行测试。然而，应谨慎
在处理这些设备暴露于静电放电可能导致器件参数的劣化
性能。
可选项
TA
VIOMAX
在25℃下
10毫伏
5毫伏
2毫伏
0 ° C至70℃
10毫伏
5毫伏
2毫伏
10毫伏
5毫伏
2毫伏
包装设备
小尺寸
(D)
TLC252CD
TLC252ACD
TLC252BCD
TLC25L2CD
TLC25L2ACD
TLC25L2BCD
TLC25M2CD
TLC25M2ACD
TLC25M2BCD
塑料DIP
(P)
TLC252CP
TLC252ACP
TLC252BCP
TLC25L2CP
TLC25L2ACP
TLC25L2BCP
TLC25M2CP
TLC25M2ACP
TLC25M2BCP
芯片形式
(Y)
TLC252Y
—
—
TLC25L2Y
—
—
TLC25M2Y
—
—
D封装中提供卷带封装。添加后缀R键的设备类型（例如， TLC252CDR ） 。芯片
在25℃下进行测试。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1996年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLC252 ， TLC252A ， TLC252B ， TLC252Y ， TLC25L2 ， TLC25L2A ， TLC25L2B
TLC25L2Y ， TLC25M2 ， TLC25M2A ， TLC25M2B ， TLC25M2Y
路LinCMOS 双运算放大器
SLOS002G - 1983年6月 - 修订1996年8月
描述（续）
因为非常高的输入阻抗和低输入偏置和偏置电流，应用程序的
TLC252 / 25_2系列包括先前已经限于BIFET和NFET的产品种类很多领域。
使用高阻抗元件，并要求小失调误差的任何电路是一个很好的候选人
成本效益地使用这些装置。可与双极技术相关的许多功能
路LinCMOS 运算放大器，而没有传统双极型器件的功率损耗。一般
应用，如传感器接口，模拟计算，放大器块，有源滤波器和信号
缓冲都容易设计与TLC252 / 25_2系列设备。边远和交通不便的设备
应用是可能使用其低电压和低功耗的功能。该TLC252 / 25_2系列是很好
适合于解决与单电池及太阳能电池供电的应用相关联的难题。这
系列包括为特征的商业级温度范围，采用8引脚器件
塑料DIP和小外形封装。该设备也处于芯片的形式提供。
该TLC252 / 25_2系列的特点是操作从0° C至70 ℃。
等效电路图（每个放大器）
VDD
8
IN +
3, 5
的ESD
保护的
网
IN =
2, 6
的ESD
保护的
网
1, 7
OUT
VDD - / GND
4
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC252 ， TLC252A ， TLC252B ， TLC252Y ， TLC25L2 ， TLC25L2A ， TLC25L2B
TLC25L2Y ， TLC25M2 ， TLC25M2A ， TLC25M2B ， TLC25M2Y
路LinCMOS 双运算放大器
SLOS002G - 1983年6月 - 修订1996年8月
TLC252Y ， TLC25L2Y和TLC25M2Y芯片信息
这些芯片的正确组装，类似于TLC252 / 25_2的显示特性。热压
或超声波接合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(5)
(4)
(3)
(3)
1IN +
(2)
VDD
(8)
+
–
+
–
(4)
VDD - / GND
(5)
(6)
2IN +
2IN -
(1)
1OUT
(6)
60
(2)
1IN -
2OUT
(7)
切屑厚度： 15典型
(7)
(8)
73
(1)
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
TLC252 ， TLC252A ， TLC252B ， TLC252Y ， TLC25L2 ， TLC25L2A ， TLC25L2B
TLC25L2Y ， TLC25M2 ， TLC25M2A ， TLC25M2B ， TLC25M2Y
路LinCMOS 双运算放大器
SLOS002G - 1983年6月 - 修订1996年8月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
18 V
输入电压范围，V
I
（任意输入）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至18 V
短路时（或低于） 25℃自由空气的温度持续时间（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内，T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - / GND 。
2.差分电压是在IN + ，相对于中 - 。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大的耗散
等级不超过。
额定功耗表
包
D
P
TA
≤
25°C
额定功率
725毫瓦
1000毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
464毫瓦
640毫瓦
推荐工作条件
民
电源电压（VDD）
VDD = 1.4 V
VDD = 5 V
VDD = 10 V
VDD = 16 V
1.4
0
– 0.2
– 0.2
– 0.2
0
最大
16
0.2
4
9
14
70
°C
V
单位
V
共模
共模输入电压VIC
电压，
经营自由的空气温度， TA
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC252 ， TLC252A ， TLC252B ， TLC252Y ， TLC25L2 ， TLC25L2A ， TLC25L2B
TLC25L2Y ， TLC25M2 ， TLC25M2A ， TLC25M2B ， TLC25M2Y
路LinCMOS 双运算放大器
SLOS002G - 1983年6月 - 修订1996年8月
在指定的自由空气的温度，V电气特性
DD
= 1.4 V（除非另有说明）
参数
测试条件
25°C
TLC25_2C
输入
OFFSET
电压
0℃至
70°C
VO = 0 2 V
0.2 V,
RS = 50
25°C
0℃至
70°C
25°C
TLC25_2BC
平均气温
输入的COEF网络cient
失调电压
输入失调电流
VO = 0.2 V
0℃至
70°C
25°C
to
70°C
25°C
IIO
0℃至
70°C
25°C
IIB
输入偏置电流
共模输入
电压范围
峰值输出电压
swing
大信号
差分电压
放大器阳离子
共模
抑制比
电源电流
VID = 100 mV的
VO = 100 300毫伏，
RS = 50
VO = 0.2 V ，
VIC = VICRmin
VO = 0.2 V ，
空载
VO = 0.2 V
0℃至
70°C
25°C
25°C
0
0.2
450
700
1
600
0
0.2
450
700
1
1
300
1
600
0
0.2
450
700
TLC252_C
民
典型值
最大
10
12
5
6.5
2
3
TLC25L2_C
民
典型值
最大
10
12
5
6.5
2
3
TLC25M2_C
民
典型值
最大
10
12
5
6.5
2
3
μV/°C
mV
单位
VIO
TLC25_2AC
α
VIO
1
1
300
1
1
300
1
600
pA
pA
VICR
VOM
AVD
V
mV
25°C
10
20
20
V / MV
CMRR
国际直拨电话
25°C
25°C
60
77
300
375
60
77
25
34
60
77
200
250
dB
A
所有特性的开环条件下测得的零的共模输入电压，除非另有规定。除非另有
注意，输出负载电阻从输出连接到地面，并具有以下的值：对于低偏压RL = 1 M ，对于介质偏压
RL = 100 kΩ的，而对于高偏置RL = 10 kΩ的。
§输出摆幅VDD的潜力 - / GND 。
经营特色，V
DD
= 1.4 V，T
A
= 25°C
参数
测试条件
AV = 40 dB时，
CL = 10 pF的，
RS = 50
见图1
见图1
TLC252_C
民
典型值
12
0.1
30%
最大
TLC25L2_C
民
典型值
12
0.001
35%
最大
TLC25M2_C
民
典型值
12
0.01
35%
最大
单位
B1
SR
单位增益带宽
压摆率在单位增益
过冲因子
千赫
V / μs的
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
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