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TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
D
D
D
D
D
D
D
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 9内华达州/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
共模输入电压范围
包括负轨
高增益带宽。 。 。 2.2 MHz的典型值
高转换率。 。 。 3.6 V /μs的典型值
D
低输入偏移电压
D
D
D
950
V
马克斯在T
A
= 25°C
包括宏
性能升级为TS272 ,
TS274 , TLC272和TLC274
可在Q-临时汽车
HighRel汽车领域的应用
配置控制/打印支持
资质汽车标准
描述
在TLC2272与TLC2274是双和
来自德克萨斯州四倍运算放大器
仪器。两款器件具有轨至轨
增加动态范围输出性能
在单或分离电源应用。该
TLC227x系列提供2 MHz的带宽和
3 V /压摆率更高速度的应用的微秒。
这些器件提供可比较的交流性能
而具有更好的噪声,输入偏移电压,并
功耗比现有的CMOS
运算放大器。该TLC227x有噪音
9纳伏/ √Hz的电压, 2倍低于
有竞争力的解决方案。
最大峰峰值输出电压
vs
电源电压
V O( PP )
V( OPP ) - 最大峰峰值输出电压 - V
16
TA = 25°C
14
12
IO =
±
50
A
10
IO =
±
500
A
8
该TLC227x ,具有高输入阻抗
和低噪声,是极好的小信号
6
调节为高阻抗源,如
压电换能器。由于微的
4
功耗水平,这些设备运行良好
16
4
6
8
10
12
14
在手持式监测和遥感
| VDD
±
| - 电源电压 - V
应用程序。另外,轨到轨输出
功能,具有单或分割用品,使这
当家庭与模拟 - 数字转换器(ADC )接口的理想选择。对于高精度应用,
TLC227xA家庭可与950最大输入失调电压
V.
这家完全表征
在5V和
±
5 V.
在TLC2272 / 4也使得对TLC272 / 4或TS272 / 4标准设计极大的升级。他们提供
增加的输出动态范围,低噪声电压和较低的输入偏移电压。这种增强的功能集
使他们能够在更宽范围的应用中使用。对于要求更高的输出驱动器的应用程序和
较宽的输入电压范围,请参阅TLV2432和TLV2442设备。
如果设计需要一个放大器,请参阅TLV2211 / 31分之21家庭。这些器件是单轨到轨
运算放大器在SOT- 23封装。其小尺寸和低功耗,使他们的理想
为高密度,电池供电的设备。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
版权
2004年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
TLC2272可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
-40_C到125_C
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
外形
(D)
TLC2272ACD
TLC2272CD
TLC2272AID
TLC2272ID
TLC2272AQD
TLC2272QD
TLC2272AMD
TLC2272MD
陶瓷的
LCC
( FK )
TLC2272AMFK
TLC2272MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLC2272AMJG
TLC2272MJG
塑料DIP
(P)
TLC2272ACP
TLC2272CP
TLC2272AIP
TLC2272IP
TLC2272AMP
TLC2272MP
TSSOP
( PW )
TLC2272ACPW
TLC2272CPW
TLC2272IPW
TLC2272AQPW
TLC2272QPW
陶瓷的
扁平封装
(U)
TLC2272AMU
TLC2272MU
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型(例如, TLC2272CDR ) 。
的PW封装提供卷带封装。加上R后缀的设备类型(例如, TLC2272PWR ) 。
§芯片在25 ℃条件下测定。
TLC2274可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
-40_C到125_C
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
外形
(D)
TLC2274ACD
TLC2274CD
TLC2274AID
TLC2274ID
TLC2274AQD
TLC2274QD
TLC2274AMD
TLC2274MD
陶瓷的
LCC
( FK )
TLC2274AMFK
TLC2274MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLC2274AMJ
TLC2274MJ
塑料
DIP
(N)
TLC2274ACN
TLC2274CN
TLC2274AIN
TLC2274IN
TLC2274AMN
TLC2274MN
TSSOP
( PW )
TLC2274ACPW
TLC2274CPW
TLC2274AIPW
TLC2274IPW
陶瓷的
扁平封装
(W)
TLC2274AMW
TLC2274MW
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLC2274CDR ) 。
的PW封装提供卷带封装。
§芯片在25 ℃条件下测定。
2
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达拉斯,德克萨斯州75265
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLC2272
FK包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1IN +
NC
V
DD +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
DD
NC
3英寸+
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
TLC2272
D, JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
TLC2274
D, J,N , PW ,或W包装
( TOP VIEW )
TLC2274
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
V
DD+
NC
NC
1 IN-
NC
1 IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2 OUT
NC
2 IN-
NC
TLC2272
ü套餐
( TOP VIEW )
NC - 无内部连接
NC
V
DD
/ GND
NC
2 IN +
NC
NC
1 OUT
1 IN-
1 IN +
V
DD
/ GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
DD+
2 OUT
2 IN-
2 IN +
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3
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
等效电路图(每个放大器)
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
C1
IN =
Q1
Q4
Q13
Q15
Q17
R5
OUT
D1
Q2
R3
Q5
R4
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
R2
VDD “
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
TLC2272
38
26
9
TLC2274
76
52
18
电容器
3
6
包括两个放大器和所有ESD ,偏置和修剪电路
4
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TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD +
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 V
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -8 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
16 V
输入电压范围,V
I
(任何输入,见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD
- 0.3 V到V
DD+
输入电流I
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注4和5 ) :D封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97.1 ° C / W
,D封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86.2 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79.7 ° C / W
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84.6 ° C / W
PW封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 149 ° C / W
PW封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
封装的热阻抗,
θ
JC
(见注4和5 ) : FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.6 ° C / W
包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15.1 ° C / W
ü包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.7 ° C / W
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
I,Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒:D ,N,P和PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下60秒:J-或U包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD +和VDD之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。过大的电流会流,如果输入被带到低于VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
4.最大功耗是TJ (最大)的函数,
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = ( TJ(MAX) - TA ) /
θ
JA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 (塑料)和MIL -STD- 883方法1012 (陶瓷) 。
推荐工作条件
后缀
电源电压(VDD)
±
输入电压VI
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
±
2.2
VDD }
VDD }
0
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
70
我的后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
Q后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
M后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
55
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
单位
V
V
V
°C
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5
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
D
D
D
D
D
D
D
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 9内华达州/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
共模输入电压范围
包括负轨
高增益带宽。 。 。 2.2 MHz的典型值
高转换率。 。 。 3.6 V /μs的典型值
D
低输入偏移电压
D
D
D
950
V
马克斯在T
A
= 25°C
包括宏
性能升级为TS272 ,
TS274 , TLC272和TLC274
可在Q-临时汽车
HighRel汽车领域的应用
配置控制/打印支持
资质汽车标准
描述
在TLC2272与TLC2274是双和
来自德克萨斯州四倍运算放大器
仪器。两款器件具有轨至轨
增加动态范围输出性能
在单或分离电源应用。该
TLC227x系列提供2 MHz的带宽和
3 V /压摆率更高速度的应用的微秒。
这些器件提供可比较的交流性能
而具有更好的噪声,输入偏移电压,并
功耗比现有的CMOS
运算放大器。该TLC227x有噪音
9纳伏/ √Hz的电压, 2倍低于
有竞争力的解决方案。
最大峰峰值输出电压
vs
电源电压
V O( PP )
V( OPP ) - 最大峰峰值输出电压 - V
16
TA = 25°C
14
12
IO =
±
50
A
10
IO =
±
500
A
8
该TLC227x ,具有高输入阻抗
和低噪声,是极好的小信号
6
调节为高阻抗源,如
压电换能器。由于微的
4
功耗水平,这些设备运行良好
16
4
6
8
10
12
14
在手持式监测和遥感
| VDD
±
| - 电源电压 - V
应用程序。另外,轨到轨输出
功能,具有单或分割用品,使这
当家庭与模拟 - 数字转换器(ADC )接口的理想选择。对于高精度应用,
TLC227xA家庭可与950最大输入失调电压
V.
这家完全表征
在5V和
±
5 V.
在TLC2272 / 4也使得对TLC272 / 4或TS272 / 4标准设计极大的升级。他们提供
增加的输出动态范围,低噪声电压和较低的输入偏移电压。这种增强的功能集
使他们能够在更宽范围的应用中使用。对于要求更高的输出驱动器的应用程序和
较宽的输入电压范围,请参阅TLV2432和TLV2442设备。
如果设计需要一个放大器,请参阅TLV2211 / 31分之21家庭。这些器件是单轨到轨
运算放大器在SOT- 23封装。其小尺寸和低功耗,使他们的理想
为高密度,电池供电的设备。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
版权
2004年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
TLC2272可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
-40_C到125_C
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
外形
(D)
TLC2272ACD
TLC2272CD
TLC2272AID
TLC2272ID
TLC2272AQD
TLC2272QD
TLC2272AMD
TLC2272MD
陶瓷的
LCC
( FK )
TLC2272AMFK
TLC2272MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLC2272AMJG
TLC2272MJG
塑料DIP
(P)
TLC2272ACP
TLC2272CP
TLC2272AIP
TLC2272IP
TLC2272AMP
TLC2272MP
TSSOP
( PW )
TLC2272ACPW
TLC2272CPW
TLC2272IPW
TLC2272AQPW
TLC2272QPW
陶瓷的
扁平封装
(U)
TLC2272AMU
TLC2272MU
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型(例如, TLC2272CDR ) 。
的PW封装提供卷带封装。加上R后缀的设备类型(例如, TLC2272PWR ) 。
§芯片在25 ℃条件下测定。
TLC2274可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
-40_C到125_C
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
外形
(D)
TLC2274ACD
TLC2274CD
TLC2274AID
TLC2274ID
TLC2274AQD
TLC2274QD
TLC2274AMD
TLC2274MD
陶瓷的
LCC
( FK )
TLC2274AMFK
TLC2274MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLC2274AMJ
TLC2274MJ
塑料
DIP
(N)
TLC2274ACN
TLC2274CN
TLC2274AIN
TLC2274IN
TLC2274AMN
TLC2274MN
TSSOP
( PW )
TLC2274ACPW
TLC2274CPW
TLC2274AIPW
TLC2274IPW
陶瓷的
扁平封装
(W)
TLC2274AMW
TLC2274MW
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLC2274CDR ) 。
的PW封装提供卷带封装。
§芯片在25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLC2272
FK包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1IN +
NC
V
DD +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
DD
NC
3英寸+
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
TLC2272
D, JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
TLC2274
D, J,N , PW ,或W包装
( TOP VIEW )
TLC2274
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
V
DD+
NC
NC
1 IN-
NC
1 IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2 OUT
NC
2 IN-
NC
TLC2272
ü套餐
( TOP VIEW )
NC - 无内部连接
NC
V
DD
/ GND
NC
2 IN +
NC
NC
1 OUT
1 IN-
1 IN +
V
DD
/ GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
DD+
2 OUT
2 IN-
2 IN +
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
等效电路图(每个放大器)
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
C1
IN =
Q1
Q4
Q13
Q15
Q17
R5
OUT
D1
Q2
R3
Q5
R4
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
R2
VDD “
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
TLC2272
38
26
9
TLC2274
76
52
18
电容器
3
6
包括两个放大器和所有ESD ,偏置和修剪电路
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD +
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 V
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -8 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
16 V
输入电压范围,V
I
(任何输入,见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD
- 0.3 V到V
DD+
输入电流I
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注4和5 ) :D封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97.1 ° C / W
,D封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86.2 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79.7 ° C / W
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84.6 ° C / W
PW封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 149 ° C / W
PW封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
封装的热阻抗,
θ
JC
(见注4和5 ) : FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.6 ° C / W
包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15.1 ° C / W
ü包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.7 ° C / W
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
I,Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒:D ,N,P和PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下60秒:J-或U包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD +和VDD之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。过大的电流会流,如果输入被带到低于VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
4.最大功耗是TJ (最大)的函数,
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = ( TJ(MAX) - TA ) /
θ
JA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 (塑料)和MIL -STD- 883方法1012 (陶瓷) 。
推荐工作条件
后缀
电源电压(VDD)
±
输入电压VI
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
±
2.2
VDD }
VDD }
0
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
70
我的后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
Q后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
M后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
55
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
单位
V
V
V
°C
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
D
D
D
D
D
D
D
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 9内华达州/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
共模输入电压范围
包括负轨
高增益带宽。 。 。 2.2 MHz的典型值
高转换率。 。 。 3.6 V /μs的典型值
D
低输入偏移电压
D
D
D
950
V
马克斯在T
A
= 25°C
包括宏
性能升级为TS272 ,
TS274 , TLC272和TLC274
可在Q-临时汽车
HighRel汽车领域的应用
配置控制/打印支持
资质汽车标准
描述
在TLC2272与TLC2274是双和
来自德克萨斯州四倍运算放大器
仪器。两款器件具有轨至轨
增加动态范围输出性能
在单或分离电源应用。该
TLC227x系列提供2 MHz的带宽和
3 V /压摆率更高速度的应用的微秒。
这些器件提供可比较的交流性能
而具有更好的噪声,输入偏移电压,并
功耗比现有的CMOS
运算放大器。该TLC227x有噪音
9纳伏/ √Hz的电压, 2倍低于
有竞争力的解决方案。
最大峰峰值输出电压
vs
电源电压
V O( PP )
V( OPP ) - 最大峰峰值输出电压 - V
16
TA = 25°C
14
12
IO =
±
50
A
10
IO =
±
500
A
8
该TLC227x ,具有高输入阻抗
和低噪声,是极好的小信号
6
调节为高阻抗源,如
压电换能器。由于微的
4
功耗水平,这些设备运行良好
16
4
6
8
10
12
14
在手持式监测和遥感
| VDD
±
| - 电源电压 - V
应用程序。另外,轨到轨输出
功能,具有单或分割用品,使这
当家庭与模拟 - 数字转换器(ADC )接口的理想选择。对于高精度应用,
TLC227xA家庭可与950最大输入失调电压
V.
这家完全表征
在5V和
±
5 V.
在TLC2272 / 4也使得对TLC272 / 4或TS272 / 4标准设计极大的升级。他们提供
增加的输出动态范围,低噪声电压和较低的输入偏移电压。这种增强的功能集
使他们能够在更宽范围的应用中使用。对于要求更高的输出驱动器的应用程序和
较宽的输入电压范围,请参阅TLV2432和TLV2442设备。
如果设计需要一个放大器,请参阅TLV2211 / 31分之21家庭。这些器件是单轨到轨
运算放大器在SOT- 23封装。其小尺寸和低功耗,使他们的理想
为高密度,电池供电的设备。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
版权
2004年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
TLC2272可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
-40_C到125_C
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
外形
(D)
TLC2272ACD
TLC2272CD
TLC2272AID
TLC2272ID
TLC2272AQD
TLC2272QD
TLC2272AMD
TLC2272MD
陶瓷的
LCC
( FK )
TLC2272AMFK
TLC2272MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLC2272AMJG
TLC2272MJG
塑料DIP
(P)
TLC2272ACP
TLC2272CP
TLC2272AIP
TLC2272IP
TLC2272AMP
TLC2272MP
TSSOP
( PW )
TLC2272ACPW
TLC2272CPW
TLC2272IPW
TLC2272AQPW
TLC2272QPW
陶瓷的
扁平封装
(U)
TLC2272AMU
TLC2272MU
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型(例如, TLC2272CDR ) 。
的PW封装提供卷带封装。加上R后缀的设备类型(例如, TLC2272PWR ) 。
§芯片在25 ℃条件下测定。
TLC2274可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
-40_C到125_C
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
外形
(D)
TLC2274ACD
TLC2274CD
TLC2274AID
TLC2274ID
TLC2274AQD
TLC2274QD
TLC2274AMD
TLC2274MD
陶瓷的
LCC
( FK )
TLC2274AMFK
TLC2274MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLC2274AMJ
TLC2274MJ
塑料
DIP
(N)
TLC2274ACN
TLC2274CN
TLC2274AIN
TLC2274IN
TLC2274AMN
TLC2274MN
TSSOP
( PW )
TLC2274ACPW
TLC2274CPW
TLC2274AIPW
TLC2274IPW
陶瓷的
扁平封装
(W)
TLC2274AMW
TLC2274MW
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLC2274CDR ) 。
的PW封装提供卷带封装。
§芯片在25 ℃条件下测定。
2
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TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLC2272
FK包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1IN +
NC
V
DD +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
DD
NC
3英寸+
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
TLC2272
D, JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
TLC2274
D, J,N , PW ,或W包装
( TOP VIEW )
TLC2274
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
V
DD+
NC
NC
1 IN-
NC
1 IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2 OUT
NC
2 IN-
NC
TLC2272
ü套餐
( TOP VIEW )
NC - 无内部连接
NC
V
DD
/ GND
NC
2 IN +
NC
NC
1 OUT
1 IN-
1 IN +
V
DD
/ GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
DD+
2 OUT
2 IN-
2 IN +
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
等效电路图(每个放大器)
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
C1
IN =
Q1
Q4
Q13
Q15
Q17
R5
OUT
D1
Q2
R3
Q5
R4
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
R2
VDD “
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
TLC2272
38
26
9
TLC2274
76
52
18
电容器
3
6
包括两个放大器和所有ESD ,偏置和修剪电路
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD +
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 V
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -8 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
16 V
输入电压范围,V
I
(任何输入,见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD
- 0.3 V到V
DD+
输入电流I
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注4和5 ) :D封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97.1 ° C / W
,D封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86.2 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79.7 ° C / W
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84.6 ° C / W
PW封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 149 ° C / W
PW封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
封装的热阻抗,
θ
JC
(见注4和5 ) : FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.6 ° C / W
包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15.1 ° C / W
ü包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.7 ° C / W
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
I,Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒:D ,N,P和PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下60秒:J-或U包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD +和VDD之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。过大的电流会流,如果输入被带到低于VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
4.最大功耗是TJ (最大)的函数,
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = ( TJ(MAX) - TA ) /
θ
JA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 (塑料)和MIL -STD- 883方法1012 (陶瓷) 。
推荐工作条件
后缀
电源电压(VDD)
±
输入电压VI
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
±
2.2
VDD }
VDD }
0
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
70
我的后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
Q后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
M后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
55
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
单位
V
V
V
°C
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
D
D
D
D
D
D
D
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 9内华达州/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
共模输入电压范围
包括负轨
高增益带宽。 。 。 2.2 MHz的典型值
高转换率。 。 。 3.6 V /μs的典型值
D
低输入偏移电压
D
D
D
950
V
马克斯在T
A
= 25°C
包括宏
性能升级为TS272 ,
TS274 , TLC272和TLC274
可在Q-临时汽车
HighRel汽车领域的应用
配置控制/打印支持
资质汽车标准
描述
在TLC2272与TLC2274是双和
来自德克萨斯州四倍运算放大器
仪器。两款器件具有轨至轨
增加动态范围输出性能
在单或分离电源应用。该
TLC227x系列提供2 MHz的带宽和
3 V /压摆率更高速度的应用的微秒。
这些器件提供可比较的交流性能
而具有更好的噪声,输入偏移电压,并
功耗比现有的CMOS
运算放大器。该TLC227x有噪音
9纳伏/ √Hz的电压, 2倍低于
有竞争力的解决方案。
最大峰峰值输出电压
vs
电源电压
V O( PP )
V( OPP ) - 最大峰峰值输出电压 - V
16
TA = 25°C
14
12
IO =
±
50
A
10
IO =
±
500
A
8
该TLC227x ,具有高输入阻抗
和低噪声,是极好的小信号
6
调节为高阻抗源,如
压电换能器。由于微的
4
功耗水平,这些设备运行良好
16
4
6
8
10
12
14
在手持式监测和遥感
| VDD
±
| - 电源电压 - V
应用程序。另外,轨到轨输出
功能,具有单或分割用品,使这
当家庭与模拟 - 数字转换器(ADC )接口的理想选择。对于高精度应用,
TLC227xA家庭可与950最大输入失调电压
V.
这家完全表征
在5V和
±
5 V.
在TLC2272 / 4也使得对TLC272 / 4或TS272 / 4标准设计极大的升级。他们提供
增加的输出动态范围,低噪声电压和较低的输入偏移电压。这种增强的功能集
使他们能够在更宽范围的应用中使用。对于要求更高的输出驱动器的应用程序和
较宽的输入电压范围,请参阅TLV2432和TLV2442设备。
如果设计需要一个放大器,请参阅TLV2211 / 31分之21家庭。这些器件是单轨到轨
运算放大器在SOT- 23封装。其小尺寸和低功耗,使他们的理想
为高密度,电池供电的设备。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
版权
2004年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
TLC2272可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
-40_C到125_C
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
外形
(D)
TLC2272ACD
TLC2272CD
TLC2272AID
TLC2272ID
TLC2272AQD
TLC2272QD
TLC2272AMD
TLC2272MD
陶瓷的
LCC
( FK )
TLC2272AMFK
TLC2272MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLC2272AMJG
TLC2272MJG
塑料DIP
(P)
TLC2272ACP
TLC2272CP
TLC2272AIP
TLC2272IP
TLC2272AMP
TLC2272MP
TSSOP
( PW )
TLC2272ACPW
TLC2272CPW
TLC2272IPW
TLC2272AQPW
TLC2272QPW
陶瓷的
扁平封装
(U)
TLC2272AMU
TLC2272MU
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型(例如, TLC2272CDR ) 。
的PW封装提供卷带封装。加上R后缀的设备类型(例如, TLC2272PWR ) 。
§芯片在25 ℃条件下测定。
TLC2274可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
-40_C到125_C
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
外形
(D)
TLC2274ACD
TLC2274CD
TLC2274AID
TLC2274ID
TLC2274AQD
TLC2274QD
TLC2274AMD
TLC2274MD
陶瓷的
LCC
( FK )
TLC2274AMFK
TLC2274MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLC2274AMJ
TLC2274MJ
塑料
DIP
(N)
TLC2274ACN
TLC2274CN
TLC2274AIN
TLC2274IN
TLC2274AMN
TLC2274MN
TSSOP
( PW )
TLC2274ACPW
TLC2274CPW
TLC2274AIPW
TLC2274IPW
陶瓷的
扁平封装
(W)
TLC2274AMW
TLC2274MW
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLC2274CDR ) 。
的PW封装提供卷带封装。
§芯片在25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLC2272
FK包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1IN +
NC
V
DD +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
DD
NC
3英寸+
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
TLC2272
D, JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
TLC2274
D, J,N , PW ,或W包装
( TOP VIEW )
TLC2274
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
V
DD+
NC
NC
1 IN-
NC
1 IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2 OUT
NC
2 IN-
NC
TLC2272
ü套餐
( TOP VIEW )
NC - 无内部连接
NC
V
DD
/ GND
NC
2 IN +
NC
NC
1 OUT
1 IN-
1 IN +
V
DD
/ GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
DD+
2 OUT
2 IN-
2 IN +
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
等效电路图(每个放大器)
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
C1
IN =
Q1
Q4
Q13
Q15
Q17
R5
OUT
D1
Q2
R3
Q5
R4
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
R2
VDD “
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
TLC2272
38
26
9
TLC2274
76
52
18
电容器
3
6
包括两个放大器和所有ESD ,偏置和修剪电路
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD +
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 V
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -8 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
16 V
输入电压范围,V
I
(任何输入,见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD
- 0.3 V到V
DD+
输入电流I
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注4和5 ) :D封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97.1 ° C / W
,D封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86.2 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79.7 ° C / W
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84.6 ° C / W
PW封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 149 ° C / W
PW封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
封装的热阻抗,
θ
JC
(见注4和5 ) : FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.6 ° C / W
包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15.1 ° C / W
ü包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.7 ° C / W
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
I,Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒:D ,N,P和PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下60秒:J-或U包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD +和VDD之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。过大的电流会流,如果输入被带到低于VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
4.最大功耗是TJ (最大)的函数,
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = ( TJ(MAX) - TA ) /
θ
JA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 (塑料)和MIL -STD- 883方法1012 (陶瓷) 。
推荐工作条件
后缀
电源电压(VDD)
±
输入电压VI
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
±
2.2
VDD }
VDD }
0
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
70
我的后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
Q后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
M后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
55
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
单位
V
V
V
°C
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
D
D
D
D
D
D
D
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 9内华达州/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
共模输入电压范围
包括负轨
高增益带宽。 。 。 2.2 MHz的典型值
高转换率。 。 。 3.6 V /μs的典型值
D
低输入偏移电压
D
D
D
950
V
马克斯在T
A
= 25°C
包括宏
性能升级为TS272 ,
TS274 , TLC272和TLC274
可在Q-临时汽车
HighRel汽车领域的应用
配置控制/打印支持
资质汽车标准
描述
在TLC2272与TLC2274是双和
来自德克萨斯州四倍运算放大器
仪器。两款器件具有轨至轨
增加动态范围输出性能
在单或分离电源应用。该
TLC227x系列提供2 MHz的带宽和
3 V /压摆率更高速度的应用的微秒。
这些器件提供可比较的交流性能
而具有更好的噪声,输入偏移电压,并
功耗比现有的CMOS
运算放大器。该TLC227x有噪音
9纳伏/ √Hz的电压, 2倍低于
有竞争力的解决方案。
最大峰峰值输出电压
vs
电源电压
V O( PP )
V( OPP ) - 最大峰峰值输出电压 - V
16
TA = 25°C
14
12
IO =
±
50
A
10
IO =
±
500
A
8
该TLC227x ,具有高输入阻抗
和低噪声,是极好的小信号
6
调节为高阻抗源,如
压电换能器。由于微的
4
功耗水平,这些设备运行良好
16
4
6
8
10
12
14
在手持式监测和遥感
| VDD
±
| - 电源电压 - V
应用程序。另外,轨到轨输出
功能,具有单或分割用品,使这
当家庭与模拟 - 数字转换器(ADC )接口的理想选择。对于高精度应用,
TLC227xA家庭可与950最大输入失调电压
V.
这家完全表征
在5V和
±
5 V.
在TLC2272 / 4也使得对TLC272 / 4或TS272 / 4标准设计极大的升级。他们提供
增加的输出动态范围,低噪声电压和较低的输入偏移电压。这种增强的功能集
使他们能够在更宽范围的应用中使用。对于要求更高的输出驱动器的应用程序和
较宽的输入电压范围,请参阅TLV2432和TLV2442设备。
如果设计需要一个放大器,请参阅TLV2211 / 31分之21家庭。这些器件是单轨到轨
运算放大器在SOT- 23封装。其小尺寸和低功耗,使他们的理想
为高密度,电池供电的设备。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
版权
2004年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
TLC2272可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
-40_C到125_C
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
外形
(D)
TLC2272ACD
TLC2272CD
TLC2272AID
TLC2272ID
TLC2272AQD
TLC2272QD
TLC2272AMD
TLC2272MD
陶瓷的
LCC
( FK )
TLC2272AMFK
TLC2272MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLC2272AMJG
TLC2272MJG
塑料DIP
(P)
TLC2272ACP
TLC2272CP
TLC2272AIP
TLC2272IP
TLC2272AMP
TLC2272MP
TSSOP
( PW )
TLC2272ACPW
TLC2272CPW
TLC2272IPW
TLC2272AQPW
TLC2272QPW
陶瓷的
扁平封装
(U)
TLC2272AMU
TLC2272MU
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型(例如, TLC2272CDR ) 。
的PW封装提供卷带封装。加上R后缀的设备类型(例如, TLC2272PWR ) 。
§芯片在25 ℃条件下测定。
TLC2274可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
-40_C到125_C
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
外形
(D)
TLC2274ACD
TLC2274CD
TLC2274AID
TLC2274ID
TLC2274AQD
TLC2274QD
TLC2274AMD
TLC2274MD
陶瓷的
LCC
( FK )
TLC2274AMFK
TLC2274MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLC2274AMJ
TLC2274MJ
塑料
DIP
(N)
TLC2274ACN
TLC2274CN
TLC2274AIN
TLC2274IN
TLC2274AMN
TLC2274MN
TSSOP
( PW )
TLC2274ACPW
TLC2274CPW
TLC2274AIPW
TLC2274IPW
陶瓷的
扁平封装
(W)
TLC2274AMW
TLC2274MW
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLC2274CDR ) 。
的PW封装提供卷带封装。
§芯片在25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLC2272
FK包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1IN +
NC
V
DD +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
DD
NC
3英寸+
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
TLC2272
D, JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
TLC2274
D, J,N , PW ,或W包装
( TOP VIEW )
TLC2274
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
V
DD+
NC
NC
1 IN-
NC
1 IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2 OUT
NC
2 IN-
NC
TLC2272
ü套餐
( TOP VIEW )
NC - 无内部连接
NC
V
DD
/ GND
NC
2 IN +
NC
NC
1 OUT
1 IN-
1 IN +
V
DD
/ GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
DD+
2 OUT
2 IN-
2 IN +
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
等效电路图(每个放大器)
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
C1
IN =
Q1
Q4
Q13
Q15
Q17
R5
OUT
D1
Q2
R3
Q5
R4
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
R2
VDD “
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
TLC2272
38
26
9
TLC2274
76
52
18
电容器
3
6
包括两个放大器和所有ESD ,偏置和修剪电路
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS190G - 1997年2月 - 修订2004年5月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD +
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 V
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -8 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
16 V
输入电压范围,V
I
(任何输入,见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD
- 0.3 V到V
DD+
输入电流I
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注4和5 ) :D封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97.1 ° C / W
,D封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86.2 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79.7 ° C / W
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 84.6 ° C / W
PW封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 149 ° C / W
PW封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
封装的热阻抗,
θ
JC
(见注4和5 ) : FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.6 ° C / W
包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15.1 ° C / W
ü包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.7 ° C / W
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
I,Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒:D ,N,P和PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下60秒:J-或U包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD +和VDD之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。过大的电流会流,如果输入被带到低于VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
4.最大功耗是TJ (最大)的函数,
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = ( TJ(MAX) - TA ) /
θ
JA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 (塑料)和MIL -STD- 883方法1012 (陶瓷) 。
推荐工作条件
后缀
电源电压(VDD)
±
输入电压VI
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
±
2.2
VDD }
VDD }
0
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
70
我的后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
Q后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
M后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
55
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
单位
V
V
V
°C
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS RAIL- TO- RAIL
运算放大器
SLOS190B - 1997年2月 - 修订1999年7月
D
D
D
D
D
D
D
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 9内华达州/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
共模输入电压范围
包括负轨
高增益带宽。 。 。 2.2 MHz的典型值
高转换率。 。 。 3.6 V /μs的典型值
D
D
D
D
低输入偏移电压
950
V
马克斯在T
A
= 25°C
包括宏
性能升级为TS272 ,
TS274 , TLC272和TLC274
可在Q-临时汽车
HighRel汽车领域的应用
配置控制/打印支持
资质汽车标准
最大峰峰值输出电压
vs
电源电压
描述
VO ( PP ) - 最大峰峰值输出电压 - V
V( OPP )
在TLC2272与TLC2274是双和
来自德克萨斯州四倍运算放大器
仪器。两款器件具有轨至轨
增加动态范围输出性能
在单或分离电源应用。该
TLC227x系列提供2 MHz的带宽和
3 V /压摆率更高速度的应用的微秒。
这些器件提供可比较的交流性能
而具有更好的噪声,输入偏移电压,并
功耗比现有的CMOS
运算放大器。该TLC227x有噪音
9纳伏/ √Hz的电压, 2倍低于
有竞争力的解决方案。
16
TA = 25°C
14
12
IO =
±
50
A
10
IO =
±
500
A
8
该TLC227x ,具有高输入阻抗
6
和低噪声,是极好的小信号
调节为高阻抗源,如
4
压电换能器。由于微的
16
10
12
14
4
6
8
功耗水平,这些设备运行良好
| VDD
±
| - 电源电压 - V
在手持式监测和遥感
应用程序。另外,轨到轨输出
功能,具有单或分割用品,使这
家庭与一个伟大的选择接口时,
模拟 - 数字转换器(ADC ) 。对于高精度应用, TLC227xA家庭提供有
950最大输入失调电压
V.
该系列产品的特点完全在5 V和
±
5 V.
在TLC2272 / 4也使得对TLC272 / 4或TS272 / 4标准设计极大的升级。他们提供
增加的输出动态范围,低噪声电压和较低的输入偏移电压。这种增强的功能集
使他们能够在更宽范围的应用中使用。对于要求更高的输出驱动器的应用程序和
较宽的输入电压范围,请参阅TLV2432和TLV2442设备。
如果设计需要一个放大器,请参阅TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件是单
轨至轨运算放大器在SOT- 23封装。它们的小尺寸和低功耗,使
非常适用于高密度,电池供电设备。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1999年,德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
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1
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS RAIL- TO- RAIL
运算放大器
SLOS190B - 1997年2月 - 修订1999年7月
TLC2272可选项
包装设备
TA
VIOmax在
25°C
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
外形
(D)
TLC2272ACD
TLC2272CD
TLC2272AID
TLC2272ID
TLC2272AQD
TLC2272QD
TLC2272AMD
TLC2272MD
塑料DIP
(P)
TLC2272ACP
TLC2272CP
TLC2272AIP
TLC2272IP
TLC2272AMP
TLC2272MP
TSSOP
( PW )
TLC2272CPW
TLC2272AQPW
TLC2272QPW
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 40 ° C至125°C
- 55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型(例如, TLC2272CDR ) 。
的PW封装提供卷带封装。加上R后缀的设备类型(例如, TLC2272PWR ) 。
§芯片在25 ℃条件下测定。
TLC2274可选项
包装设备
TA
VIOmax在
25°C
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
外形
(D)
TLC2274ACD
TLC2274CD
TLC2274AID
TLC2274ID
TLC2274AQD
TLC2274QD
TLC2274AMD
TLC2274MD
芯片
支架
( FK )
TLC2274AMFK
TLC2274MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLC2274AMJ
TLC2274MJ
塑料
DIP
(N)
TLC2274ACN
TLC2274CN
TLC2274AIN
TLC2274IN
TLC2274AMN
TLC2274MN
TSSOP
( PW )
TLC2274CPW
TLC2274IPW
0℃至
70°C
- 40 ° C至
85°C
- 40 ° C至
125°C
= 55 ° C至
125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLC2274CDR ) 。
的PW封装提供卷带封装。
§芯片在25 ℃条件下测定。
TLC2272
D,P ,或PW包
( TOP VIEW )
TLC2274
D, J,N ,或PW包装
( TOP VIEW )
TLC2274
FK包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1IN +
NC
V
DD +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
DD –
NC
3英寸+
NC - 无内部连接
2
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达拉斯,德克萨斯州75265
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
等效电路图(每个放大器)
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
C1
IN =
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
OUT
R5
Q1
Q4
Q13
Q15
Q17
D1
Q2
R3
Q5
R4
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
R2
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS
轨到轨
运算放大器
SLOS190B - 1997年2月 - 修订1999年7月
VDD }
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLC2272
38
26
9
3
TLC2274
76
52
18
6
包括两个放大器和所有ESD ,偏置和修剪电路
3
TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS RAIL- TO- RAIL
运算放大器
SLOS190B - 1997年2月 - 修订1999年7月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD +
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 V
电源电压,V
DD –
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 8 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
16 V
输入电压V
I
(任何输入,见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD–
- 0.3 V到V
DD+
输入电流I
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD –
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒:D ,N,P和PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下60秒:J-包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD +和VDD之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。过大的电流会流,如果输入被带到低于VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
额定功耗表
D–8
D–14
FK
J
N
P
PW–8
PW–14
TA
25°C
额定功率
725毫瓦
950毫瓦
1375毫瓦
1375毫瓦
1150毫瓦
1000毫瓦
525毫瓦
700毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
9.2毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
4.2毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
464毫瓦
608毫瓦
880毫瓦
880毫瓦
736毫瓦
640毫瓦
336毫瓦
448毫瓦
TA = 85°C
额定功率
337毫瓦
494毫瓦
715毫瓦
715毫瓦
598毫瓦
520毫瓦
273毫瓦
364毫瓦
TA = 125°C
额定功率
145毫瓦
190毫瓦
275毫瓦
275毫瓦
230毫瓦
200毫瓦
105毫瓦
推荐工作条件
后缀
电源电压(VDD)
±
输入电压范围, VI
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
±
2.2
VDD }
VDD }
0
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
70
我的后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
– 40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
85
Q后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
– 40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
M后缀
±
2.2
VDD }
VDD }
– 55
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
单位
V
V
V
°C
4
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TLC227x , TLC227xA
高级LinCMOS RAIL- TO- RAIL
运算放大器
SLOS190B - 1997年2月 - 修订1999年7月
TLC2272C在指定的自由空气的温度,V电气特性
DD
= 5V (除非另有
说明)
参数
VIO
α
VIO
输入失调电压
温度COEF网络cient
输入偏移电压的
输入失调电压
长期漂移
(见注4 )
IIO
IIB
输入失调电流
输入偏置电流
VIC = 0,
0
VO = 0,
2.5 V,
VDD
±
=
±
2 V
RS = 50
测试条件
TA
25°C
全系列
25°C
至70℃
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
VICR
共模输入
电压范围
RS = 50
,
|V
IO
| ≤
5毫伏
全系列
g
IOH = - 20
A
VOH
高电平输出
高位
电压
IOH = - 200
A
IOH = - 1毫安
VIC = 2.5 V ,
VOL
低电平
低电平输出
电压
VIC 2 = 5 V
2.5 V,
VIC 2 = 5 V
2.5 V,
大信号
大信号差
上午lification
电压放大
差分输入
阻力
共模输入
阻力
共模输入
电容
闭环输出
阻抗
共模
抑制比
电源电压抑制
y
g
j
比( ΔVDD / ΔVIO )
电源电流
F = 10 kHz时,
F = 1MHz时,
P包
AV = 10
IOL = 50
A
IOL = 500
A
IOL = 5
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
70
70
80
80
2.2
3
3
95
15
15
175
1012
1012
8
140
75
70
70
80
80
2.2
3
3
95
35
0.9
4.85
4.85
4.25
4.25
0.01
0.09
0.15
0.15
1.5
1.5
15
15
175
1012
1012
8
140
75
pF
dB
dB
mA
35
V / MV
0.9
4.65
0
to
4
0
to
3.5
4.99
4.93
4.85
4.85
4.25
4.25
0.01
0.09
0.15
0.15
1.5
1.5
V
4.65
– 0.3
to
4.2
1
100
0
to
4
0
to
3.5
4.99
4.93
V
– 0.3
to
4.2
V
2
TLC2272C
典型值
300
最大
2500
3000
2
TLC2272AC
典型值
300
最大
950
1500
单位
V
μV/°C
μV /月
0.002
0.5
100
0.002
0.5
100
1
100
pA
pA
m
A
AVD
RL = 10 kΩ的
VIC = 2.5 V
2 5 V,
VO = 1 V至24 V
RL = 1 MΩ
RID
ri
ci
zo
CMRR
kSVR
国际直拨电话
VIC = 0 2.7 V ,
,
VO = 2.5 V ,
RS = 50
VDD = 4.4 V至16 V ,
VIC = VDD / 2 ,空载
VO = 2 5 V ,
2.5 V
空载
全范围为0 ℃ 70℃ 。
参考2.5 V
注4 :典型值是基于通过168小时的工作寿命试验在TA = 150℃下观察到的所述输入偏移电压偏移推断
以使用Arrhenius方程,并假设为0.96电子伏特的激活能,TA = 25 ℃。
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