TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
D
D
D
D
B级是100 ％测试噪声
30纳伏/ √Hz的最大值在f = 10赫兹
12纳伏/ √Hz的最大值在f = 1千赫
低输入失调电压。 。 。 500
V
最大
出色的失调电压稳定
随着温度。 。 。 0.5
μV/°C
典型值
轨到轨输出摆幅
D
D
D
低输入偏置电流
1 pA的典型值在T
A
= 25°C
共模输入电压范围
包括负轨
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
典型的等效
输入噪声电压
vs
频率
60
描述
该TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB和
TLC220xY是高精度，低噪声运算
采用德州仪器高级放大器
路LinCMOS 工艺。这些器件结合
最低的噪声JFET的噪声性能
放大器的直流精度可
以前只在双极放大器。该
高级LinCMOS 工艺采用硅栅
技术，以获得输入偏移电压稳定
随温度和时间远远超过
获得使用金属栅极技术。在
此外，这种技术使得可以输入
达到或超过的水平阻抗水平
由顶栅JFET和昂贵的提供
电介质分离的设备。
出色的直流和噪声的组合
用共模输入电压性能
范围包括负轨使得这些
器件的高阻抗的理想选择，
在低电平信号调节应用的任一
单电源或分离电源的配置。
Vn
Hz
VN - 等效输入噪声电压 - 纳伏/赫兹
50
VDD = 5 V
RS = 20
TA = 25°C
40
30
20
10
0
1
10
100
的F - 频率 - 赫兹
1k
10 k
该器件的输入和输出设计，可以承受-100 mA的浪涌电流而不遭受闭锁。
此外，内部ESD保护电路可防止功能失效的电压高达2000伏以下为试
MIL -PRF- 38535 ，方法3015.2 ;但是，应注意在操作这些设备的曝光行使
静电放电可能导致的参数性能的劣化。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40
°C
至85℃ 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围 - 55 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
TLC2201可选项
VIOMAX
在25℃下
200
V
200
V
500
V
200
V
200
V
500
V
200
V
200
V
500
V
VNMAX
F = 10赫兹
在25℃下
35纳伏/ √Hz的
30纳伏/ √Hz的
—
35纳伏/ √Hz的
30纳伏/ √Hz的
—
35纳伏/ √Hz的
30纳伏/ √Hz的
—
VNMAX
F = 1千赫
在25℃下
15纳伏/ √Hz的
12纳伏/ √Hz的
—
15纳伏/ √Hz的
12纳伏/ √Hz的
—
15纳伏/ √Hz的
12纳伏/ √Hz的
—
包装设备
小
外形
(D)
TLC2201ACD
TLC2201BCD
TLC2201CD
TLC2201AID
TLC2201BID
TLC2201ID
TLC2201AMD
TLC2201BMD
TLC2201MD
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
塑料
DIP
(P)
TLC2201ACP
TLC2201BCP
TLC2201CP
TLC2201AIP
TLC2201BIP
TLC2201IP
TLC2201AMP
TLC2201BMP
TLC2201MP
芯片
形成的？
(Y)
TA
0C
0°C
to
70°C
– 40 C
40°C
to
85°C
– 55°C
to
125°C
TLC2201Y
—
TLC2201AMFK
TLC2201BMFK
TLC2201MFK
—
TLC2201AMJG
TLC2201BMJG
TLC2201MJG
—
—
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型（例如TLC220xBCDR ） 。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLC2202可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
V
500
V
1毫伏
500
V
500
V
1毫伏
500
V
500
V
1毫伏
VNMAX
F = 10赫兹
在25℃下
30纳伏/ √Hz的
35纳伏/ √Hz的
—
30纳伏/ √Hz的
35纳伏/ √Hz的
—
30纳伏/ √Hz的
35纳伏/ √Hz的
—
VNMAX
F = 1千赫
在25℃下
12纳伏/ √Hz的
15纳伏/ √Hz的
—
12纳伏/ √Hz的
15纳伏/ √Hz的
—
12纳伏/ √Hz的
15纳伏/ √Hz的
—
小
外形
(D)
TLC2202BCD
TLC2202ACD
TLC2202CD
TLC2202BID
TLC2202AID
TLC2202ID
TLC2202BMD
TLC2202AMD
TLC2202MD
芯片
支架
（ FK ）
—
—
—
—
—
—
TLC2202BMFK
TLC2202AMFK
TLC2202MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
—
—
—
—
TLC2202BMJG
TLC2202AMJG
TLC2202MJG
塑料
DIP
(P)
TLC2202BCP
TLC2202ACP
TLC2202CP
TLC2202BIP
TLC2202AIP
TLC2202IP
TLC2202BMP
TLC2202AMP
TLC2202MP
芯片
形成的？
(Y)
0 ° C至70℃
TLC2202Y
- 40 ° C至85°C
—
- 55 ° C至125°C
—
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型（例如TLC220xBCDR ） 。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
TLC2201
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TLC2202
JG或P包装
（ TOP VIEW ）
TLC2202
包
（ TOP VIEW ）
NC
IN =
IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
DD +
OUT
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
NC
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
NC
TLC2202
FK包装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
NC
NC
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
NC
TLC2201
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
DD +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1OUT
NC
VDD +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC
VDD - / GND
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC - 无内部连接
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
VDD - / GND
NC
2IN+
NC
3
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
等效电路图（每个放大器）
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
C1
IN =
Q1
Q4
Q13
Q15
Q17
OUT
D1
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
Q2
Q5
VDD - / GND
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLC2201
17
2
1
1
TLC2202
34
2
4
2
R2
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
TLC2201Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLC2201C特点。热压
或超声波接合，可以使用掺杂的铝接合路径上。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
VDD +
(7)
+
–
(4)
VDD }
(6)
OUT
(8)
(7)
(6)
IN =
IN +
(2)
(3)
77
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(1)
(2)
(3)
(4)
PIN码（ 4 ）内部连接
芯片的背面。
端子编号为
D， JG和P包。
65
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
D
D
D
D
B级是100 ％测试噪声
30纳伏/ √Hz的最大值在f = 10赫兹
12纳伏/ √Hz的最大值在f = 1千赫
低输入失调电压。 。 。 500
V
最大
出色的失调电压稳定
随着温度。 。 。 0.5
μV/°C
典型值
轨到轨输出摆幅
D
D
D
低输入偏置电流
1 pA的典型值在T
A
= 25°C
共模输入电压范围
包括负轨
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
典型的等效
输入噪声电压
vs
频率
60
描述
该TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB和
TLC220xY是高精度，低噪声运算
采用德州仪器高级放大器
路LinCMOS 工艺。这些器件结合
最低的噪声JFET的噪声性能
放大器的直流精度可
以前只在双极放大器。该
高级LinCMOS 工艺采用硅栅
技术，以获得输入偏移电压稳定
随温度和时间远远超过
获得使用金属栅极技术。在
此外，这种技术使得可以输入
达到或超过的水平阻抗水平
由顶栅JFET和昂贵的提供
电介质分离的设备。
出色的直流和噪声的组合
用共模输入电压性能
范围包括负轨使得这些
器件的高阻抗的理想选择，
在低电平信号调节应用的任一
单电源或分离电源的配置。
Vn
Hz
VN - 等效输入噪声电压 - 纳伏/赫兹
50
VDD = 5 V
RS = 20
TA = 25°C
40
30
20
10
0
1
10
100
的F - 频率 - 赫兹
1k
10 k
该器件的输入和输出设计，可以承受-100 mA的浪涌电流而不遭受闭锁。
此外，内部ESD保护电路可防止功能失效的电压高达2000伏以下为试
MIL -PRF- 38535 ，方法3015.2 ;但是，应注意在操作这些设备的曝光行使
静电放电可能导致的参数性能的劣化。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40
°C
至85℃ 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围 - 55 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
TLC2201可选项
VIOMAX
在25℃下
200
V
200
V
500
V
200
V
200
V
500
V
200
V
200
V
500
V
VNMAX
F = 10赫兹
在25℃下
35纳伏/ √Hz的
30纳伏/ √Hz的
—
35纳伏/ √Hz的
30纳伏/ √Hz的
—
35纳伏/ √Hz的
30纳伏/ √Hz的
—
VNMAX
F = 1千赫
在25℃下
15纳伏/ √Hz的
12纳伏/ √Hz的
—
15纳伏/ √Hz的
12纳伏/ √Hz的
—
15纳伏/ √Hz的
12纳伏/ √Hz的
—
包装设备
小
外形
(D)
TLC2201ACD
TLC2201BCD
TLC2201CD
TLC2201AID
TLC2201BID
TLC2201ID
TLC2201AMD
TLC2201BMD
TLC2201MD
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
塑料
DIP
(P)
TLC2201ACP
TLC2201BCP
TLC2201CP
TLC2201AIP
TLC2201BIP
TLC2201IP
TLC2201AMP
TLC2201BMP
TLC2201MP
芯片
形成的？
(Y)
TA
0C
0°C
to
70°C
– 40 C
40°C
to
85°C
– 55°C
to
125°C
TLC2201Y
—
TLC2201AMFK
TLC2201BMFK
TLC2201MFK
—
TLC2201AMJG
TLC2201BMJG
TLC2201MJG
—
—
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型（例如TLC220xBCDR ） 。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLC2202可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
V
500
V
1毫伏
500
V
500
V
1毫伏
500
V
500
V
1毫伏
VNMAX
F = 10赫兹
在25℃下
30纳伏/ √Hz的
35纳伏/ √Hz的
—
30纳伏/ √Hz的
35纳伏/ √Hz的
—
30纳伏/ √Hz的
35纳伏/ √Hz的
—
VNMAX
F = 1千赫
在25℃下
12纳伏/ √Hz的
15纳伏/ √Hz的
—
12纳伏/ √Hz的
15纳伏/ √Hz的
—
12纳伏/ √Hz的
15纳伏/ √Hz的
—
小
外形
(D)
TLC2202BCD
TLC2202ACD
TLC2202CD
TLC2202BID
TLC2202AID
TLC2202ID
TLC2202BMD
TLC2202AMD
TLC2202MD
芯片
支架
（ FK ）
—
—
—
—
—
—
TLC2202BMFK
TLC2202AMFK
TLC2202MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
—
—
—
—
TLC2202BMJG
TLC2202AMJG
TLC2202MJG
塑料
DIP
(P)
TLC2202BCP
TLC2202ACP
TLC2202CP
TLC2202BIP
TLC2202AIP
TLC2202IP
TLC2202BMP
TLC2202AMP
TLC2202MP
芯片
形成的？
(Y)
0 ° C至70℃
TLC2202Y
- 40 ° C至85°C
—
- 55 ° C至125°C
—
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型（例如TLC220xBCDR ） 。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
TLC2201
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TLC2202
JG或P包装
（ TOP VIEW ）
TLC2202
包
（ TOP VIEW ）
NC
IN =
IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
DD +
OUT
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
NC
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
NC
TLC2202
FK包装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
NC
NC
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
NC
TLC2201
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
DD +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1OUT
NC
VDD +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC
VDD - / GND
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC - 无内部连接
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
VDD - / GND
NC
2IN+
NC
3
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
等效电路图（每个放大器）
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
C1
IN =
Q1
Q4
Q13
Q15
Q17
OUT
D1
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
Q2
Q5
VDD - / GND
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLC2201
17
2
1
1
TLC2202
34
2
4
2
R2
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
TLC2201Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLC2201C特点。热压
或超声波接合，可以使用掺杂的铝接合路径上。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
VDD +
(7)
+
–
(4)
VDD }
(6)
OUT
(8)
(7)
(6)
IN =
IN +
(2)
(3)
77
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(1)
(2)
(3)
(4)
PIN码（ 4 ）内部连接
芯片的背面。
端子编号为
D， JG和P包。
65
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
D
D
D
D
B级是100 ％测试噪声
30纳伏/ √Hz的最大值在f = 10赫兹
12纳伏/ √Hz的最大值在f = 1千赫
低输入失调电压。 。 。 500
V
最大
出色的失调电压稳定
随着温度。 。 。 0.5
μV/°C
典型值
轨到轨输出摆幅
D
D
D
低输入偏置电流
1 pA的典型值在T
A
= 25°C
共模输入电压范围
包括负轨
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
典型的等效
输入噪声电压
vs
频率
60
描述
该TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB和
TLC220xY是高精度，低噪声运算
采用德州仪器高级放大器
路LinCMOS 工艺。这些器件结合
最低的噪声JFET的噪声性能
放大器的直流精度可
以前只在双极放大器。该
高级LinCMOS 工艺采用硅栅
技术，以获得输入偏移电压稳定
随温度和时间远远超过
获得使用金属栅极技术。在
此外，这种技术使得可以输入
达到或超过的水平阻抗水平
由顶栅JFET和昂贵的提供
电介质分离的设备。
出色的直流和噪声的组合
用共模输入电压性能
范围包括负轨使得这些
器件的高阻抗的理想选择，
在低电平信号调节应用的任一
单电源或分离电源的配置。
Vn
Hz
VN - 等效输入噪声电压 - 纳伏/赫兹
50
VDD = 5 V
RS = 20
TA = 25°C
40
30
20
10
0
1
10
100
的F - 频率 - 赫兹
1k
10 k
该器件的输入和输出设计，可以承受-100 mA的浪涌电流而不遭受闭锁。
此外，内部ESD保护电路可防止功能失效的电压高达2000伏以下为试
MIL -PRF- 38535 ，方法3015.2 ;但是，应注意在操作这些设备的曝光行使
静电放电可能导致的参数性能的劣化。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40
°C
至85℃ 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围 - 55 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
TLC2201可选项
VIOMAX
在25℃下
200
V
200
V
500
V
200
V
200
V
500
V
200
V
200
V
500
V
VNMAX
F = 10赫兹
在25℃下
35纳伏/ √Hz的
30纳伏/ √Hz的
—
35纳伏/ √Hz的
30纳伏/ √Hz的
—
35纳伏/ √Hz的
30纳伏/ √Hz的
—
VNMAX
F = 1千赫
在25℃下
15纳伏/ √Hz的
12纳伏/ √Hz的
—
15纳伏/ √Hz的
12纳伏/ √Hz的
—
15纳伏/ √Hz的
12纳伏/ √Hz的
—
包装设备
小
外形
(D)
TLC2201ACD
TLC2201BCD
TLC2201CD
TLC2201AID
TLC2201BID
TLC2201ID
TLC2201AMD
TLC2201BMD
TLC2201MD
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
塑料
DIP
(P)
TLC2201ACP
TLC2201BCP
TLC2201CP
TLC2201AIP
TLC2201BIP
TLC2201IP
TLC2201AMP
TLC2201BMP
TLC2201MP
芯片
形成的？
(Y)
TA
0C
0°C
to
70°C
– 40 C
40°C
to
85°C
– 55°C
to
125°C
TLC2201Y
—
TLC2201AMFK
TLC2201BMFK
TLC2201MFK
—
TLC2201AMJG
TLC2201BMJG
TLC2201MJG
—
—
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型（例如TLC220xBCDR ） 。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLC2202可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
V
500
V
1毫伏
500
V
500
V
1毫伏
500
V
500
V
1毫伏
VNMAX
F = 10赫兹
在25℃下
30纳伏/ √Hz的
35纳伏/ √Hz的
—
30纳伏/ √Hz的
35纳伏/ √Hz的
—
30纳伏/ √Hz的
35纳伏/ √Hz的
—
VNMAX
F = 1千赫
在25℃下
12纳伏/ √Hz的
15纳伏/ √Hz的
—
12纳伏/ √Hz的
15纳伏/ √Hz的
—
12纳伏/ √Hz的
15纳伏/ √Hz的
—
小
外形
(D)
TLC2202BCD
TLC2202ACD
TLC2202CD
TLC2202BID
TLC2202AID
TLC2202ID
TLC2202BMD
TLC2202AMD
TLC2202MD
芯片
支架
（ FK ）
—
—
—
—
—
—
TLC2202BMFK
TLC2202AMFK
TLC2202MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
—
—
—
—
TLC2202BMJG
TLC2202AMJG
TLC2202MJG
塑料
DIP
(P)
TLC2202BCP
TLC2202ACP
TLC2202CP
TLC2202BIP
TLC2202AIP
TLC2202IP
TLC2202BMP
TLC2202AMP
TLC2202MP
芯片
形成的？
(Y)
0 ° C至70℃
TLC2202Y
- 40 ° C至85°C
—
- 55 ° C至125°C
—
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型（例如TLC220xBCDR ） 。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
TLC2201
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TLC2202
JG或P包装
（ TOP VIEW ）
TLC2202
包
（ TOP VIEW ）
NC
IN =
IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
DD +
OUT
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
NC
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
NC
TLC2202
FK包装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
NC
NC
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
NC
TLC2201
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
DD +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1OUT
NC
VDD +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC
VDD - / GND
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC - 无内部连接
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
VDD - / GND
NC
2IN+
NC
3
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
等效电路图（每个放大器）
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
C1
IN =
Q1
Q4
Q13
Q15
Q17
OUT
D1
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
Q2
Q5
VDD - / GND
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLC2201
17
2
1
1
TLC2202
34
2
4
2
R2
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
TLC2201Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLC2201C特点。热压
或超声波接合，可以使用掺杂的铝接合路径上。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
VDD +
(7)
+
–
(4)
VDD }
(6)
OUT
(8)
(7)
(6)
IN =
IN +
(2)
(3)
77
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(1)
(2)
(3)
(4)
PIN码（ 4 ）内部连接
芯片的背面。
端子编号为
D， JG和P包。
65
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
D
D
D
D
B级是100 ％测试噪声
30纳伏/ √Hz的最大值在f = 10赫兹
12纳伏/ √Hz的最大值在f = 1千赫
低输入失调电压。 。 。 500
V
最大
出色的失调电压稳定
随着温度。 。 。 0.5
μV/°C
典型值
轨到轨输出摆幅
D
D
D
低输入偏置电流
1 pA的典型值在T
A
= 25°C
共模输入电压范围
包括负轨
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
典型的等效
输入噪声电压
vs
频率
60
描述
该TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB和
TLC220xY是高精度，低噪声运算
采用德州仪器高级放大器
路LinCMOS 工艺。这些器件结合
最低的噪声JFET的噪声性能
放大器的直流精度可
以前只在双极放大器。该
高级LinCMOS 工艺采用硅栅
技术，以获得输入偏移电压稳定
随温度和时间远远超过
获得使用金属栅极技术。在
此外，这种技术使得可以输入
达到或超过的水平阻抗水平
由顶栅JFET和昂贵的提供
电介质分离的设备。
出色的直流和噪声的组合
用共模输入电压性能
范围包括负轨使得这些
器件的高阻抗的理想选择，
在低电平信号调节应用的任一
单电源或分离电源的配置。
Vn
Hz
VN - 等效输入噪声电压 - 纳伏/赫兹
50
VDD = 5 V
RS = 20
TA = 25°C
40
30
20
10
0
1
10
100
的F - 频率 - 赫兹
1k
10 k
该器件的输入和输出设计，可以承受-100 mA的浪涌电流而不遭受闭锁。
此外，内部ESD保护电路可防止功能失效的电压高达2000伏以下为试
MIL -PRF- 38535 ，方法3015.2 ;但是，应注意在操作这些设备的曝光行使
静电放电可能导致的参数性能的劣化。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40
°C
至85℃ 。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围 - 55 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
TLC2201可选项
VIOMAX
在25℃下
200
V
200
V
500
V
200
V
200
V
500
V
200
V
200
V
500
V
VNMAX
F = 10赫兹
在25℃下
35纳伏/ √Hz的
30纳伏/ √Hz的
—
35纳伏/ √Hz的
30纳伏/ √Hz的
—
35纳伏/ √Hz的
30纳伏/ √Hz的
—
VNMAX
F = 1千赫
在25℃下
15纳伏/ √Hz的
12纳伏/ √Hz的
—
15纳伏/ √Hz的
12纳伏/ √Hz的
—
15纳伏/ √Hz的
12纳伏/ √Hz的
—
包装设备
小
外形
(D)
TLC2201ACD
TLC2201BCD
TLC2201CD
TLC2201AID
TLC2201BID
TLC2201ID
TLC2201AMD
TLC2201BMD
TLC2201MD
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
塑料
DIP
(P)
TLC2201ACP
TLC2201BCP
TLC2201CP
TLC2201AIP
TLC2201BIP
TLC2201IP
TLC2201AMP
TLC2201BMP
TLC2201MP
芯片
形成的？
(Y)
TA
0C
0°C
to
70°C
– 40 C
40°C
to
85°C
– 55°C
to
125°C
TLC2201Y
—
TLC2201AMFK
TLC2201BMFK
TLC2201MFK
—
TLC2201AMJG
TLC2201BMJG
TLC2201MJG
—
—
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型（例如TLC220xBCDR ） 。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
TLC2202可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
500
V
500
V
1毫伏
500
V
500
V
1毫伏
500
V
500
V
1毫伏
VNMAX
F = 10赫兹
在25℃下
30纳伏/ √Hz的
35纳伏/ √Hz的
—
30纳伏/ √Hz的
35纳伏/ √Hz的
—
30纳伏/ √Hz的
35纳伏/ √Hz的
—
VNMAX
F = 1千赫
在25℃下
12纳伏/ √Hz的
15纳伏/ √Hz的
—
12纳伏/ √Hz的
15纳伏/ √Hz的
—
12纳伏/ √Hz的
15纳伏/ √Hz的
—
小
外形
(D)
TLC2202BCD
TLC2202ACD
TLC2202CD
TLC2202BID
TLC2202AID
TLC2202ID
TLC2202BMD
TLC2202AMD
TLC2202MD
芯片
支架
（ FK ）
—
—
—
—
—
—
TLC2202BMFK
TLC2202AMFK
TLC2202MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
—
—
—
—
TLC2202BMJG
TLC2202AMJG
TLC2202MJG
塑料
DIP
(P)
TLC2202BCP
TLC2202ACP
TLC2202CP
TLC2202BIP
TLC2202AIP
TLC2202IP
TLC2202BMP
TLC2202AMP
TLC2202MP
芯片
形成的？
(Y)
0 ° C至70℃
TLC2202Y
- 40 ° C至85°C
—
- 55 ° C至125°C
—
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀的设备类型（例如TLC220xBCDR ） 。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
TLC2201
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TLC2202
JG或P包装
（ TOP VIEW ）
TLC2202
包
（ TOP VIEW ）
NC
IN =
IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
DD +
OUT
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
NC
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
NC
TLC2202
FK包装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
NC
NC
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
NC
TLC2201
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
DD +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1OUT
NC
VDD +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC
VDD - / GND
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC - 无内部连接
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达拉斯，德克萨斯州75265
NC
VDD - / GND
NC
2IN+
NC
3
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
等效电路图（每个放大器）
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
C1
IN =
Q1
Q4
Q13
Q15
Q17
OUT
D1
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
Q2
Q5
VDD - / GND
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLC2201
17
2
1
1
TLC2202
34
2
4
2
R2
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC220x ， TLC220xA ， TLC220xB ， TLC220xY
高级LinCMOS 低噪声精密
运算放大器
SLOS175 - 1997年2月
TLC2201Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLC2201C特点。热压
或超声波接合，可以使用掺杂的铝接合路径上。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
VDD +
(7)
+
–
(4)
VDD }
(6)
OUT
(8)
(7)
(6)
IN =
IN +
(2)
(3)
77
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(1)
(2)
(3)
(4)
PIN码（ 4 ）内部连接
芯片的背面。
端子编号为
D， JG和P包。
65
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
QQ：2881677436 复制
