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TLC1550I , TLC1550M , TLC1551I
10位模拟数字转换器
具有并行输出
SLAS043G - 1991年5月 - 修订2003年11月
D
功耗。 。 。 40毫瓦最大
D
高级LinEPIC单多晶工艺
D
D
D
D
D
提供关闭电容搭配的
更好的精度
快速并行处理DSP和
P
接口
内部或外部时钟可以
二手
转换时间。 。 。 6
s
总非调整误差。 。 。
±1
LSB(最大值)
CMOS技术
或DW包装
( TOP VIEW )
描述
该TLC1550x和TLC1551的数据采集
模拟 - 数字用一个10位的转换器(ADC ) ,
开关电容逐次逼近型网络
工作。高速,三态并行端口直接
接口的数字信号处理器(DSP)或
微处理器(μP)的系统数据总线。通过D0
D9是数字输出端与D 0为
所述至少显著位(LSB) 。独立的电源
用于模拟和数字部分的端子
尽量减少在电源引线的噪声。
此外,该数字功率被分成两个
份,以较低电流逻辑从分离
更高的电流巴士司机。外部时钟可以是
适用于CLKIN覆盖内部系统
时钟如果需要的话。
该TLC1550I和TLC1551I的特点为
操作从 - 40 ° C至85°C 。该TLC1550M是
在表征的整个军用范围 - 55°C
至125 ℃。
REF +
参考=
ANLG GND
艾因
ANLG V
DD
DGTL GND1
DGTL GND2
DGTL V
DD1
DGTL V
DD2
EOC
D0
D1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
RD
WR
CLKIN
CS
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
参见机械数据为JW
封装。
艾因
ANLG V
DD
DGTL GND1
NC
DGTL GND2
DGTL V
DD1
DGTL V
DD2
ANLG GND
REF-
REF +
NC
RD
WR
CLKIN
5
6
7
8
9
10
4
NC - 无内部连接
陶瓷DIP
(J)
TLC1550MJ
FK或Fn包装
( TOP VIEW )
3 2 1 28 27 26
25
24
23
22
21
20
11
19
12 13 14 15 16 17 18
CS
D9
D8
NC
D7
D6
D5
可选项
TA
陶瓷芯片载体
( FK )
TLC1550MFK
塑料芯片载体
( FN)的
TLC1550IFN
TLC1551IFN
SOIC
( DW )
TLC1550IDW
TLC1551IDW
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
该器件包含电路,以保护其投入和对输出的伤害,由于高静电压或静电场。这些
电路已合格,根据MIL -STD- 883C ,以保护该器件免受高达2kV的静电放电( ESD )
方法3015 ;然而,建议采取预防措施,以避免应用高于任何电压的最大额定
电压对这些高阻抗电路。在储存或处理,设备引线应短接在一起或设备
应放置在导电泡沫。在一个电路中,未使用的输入应始终连接到拨逻辑电压电平,
优选VCC或地。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinEPIC是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
EOC
D0
D1
NC
D2
D3
D4
版权
2003年,德州仪器
1
SLAS043G - 1991年5月 - 修订2003年11月
TLC1550I , TLC1550M , TLC1551I
10位模拟数字转换器
具有并行输出
功能框图
EOC
CS
WR
RD
控制
逻辑
逐次
近似
注册
10
D0 D9
10
DGTL
VDD1
100 k
频率
除以2
国内
时钟
10-Bit
电容
DAC和S / H
时钟探测器
COMP
CLKIN
REF +
参考=
艾因
典型等效输入量
采样模式在输入过程中短路阻抗
1千欧(典型值)
艾因
CI = 60 pF的典型
(等效输入
电容)
艾因
5 MΩ TYP
HOLD模式在输入过程中短路阻抗
2
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TLC1550I , TLC1550M , TLC1551I
10位模拟数字转换器
具有并行输出
SLAS043G - 1991年5月 - 修订2003年11月
终端功能
终奌站
名字
NO 。
ANLG GND
艾因
ANLG VDD
CLKIN
4
5
6
26
NO 。
3
4
5
22
描述
模拟地。为电压的参考点上施加端子ANLG VDD ,AlN REF +和REF- 。
模拟电压输入。施加到AIN的电压被转换为相应的数字输出。
模拟正电源电压。施加到该端子上的电压被指定VDD3 。
时钟输入。 CLKIN用于外部时钟而不是使用内部系统时钟。它通常需要一
内部时钟前几微秒被禁用。要使用内部时钟, CLKIN应接高
或悬空。
片选。 CS必须为低电平RD或WR待由A / D转换器的识别。
数据总线输出。 D0是第1位( LSB ) 。
数据总线输出。 D1是第2位。
数据总线输出。 D2是第3位。
数据总线输出。 D3是第4位。
数据总线输出。 D4为第5位。
数据总线输出。 D5是第6位。
数据总线输出。 D6是第7位。
数据总线输出。 D7为8位。
数据总线输出。 D8是第9位。
数据总线输出。 D9是10位( MSB) 。
数字地面1.电源DGTL VDD1的地面,是在基板的连接
数字接地2.电源DGTL VDD2地面
数字正电源电压1 DGTL VDD1供给的逻辑。施加到DGTL VDD1电压
指定VDD1 。
只有数字正电源电压2. DGTL VDD2提供更高的电流输出缓冲器。电压
应用到DGTL VDD2指定VDD2 。
最终的转换。 EOC变为低电平,表示转换完成,结果已转移
输出锁存器。 EOC可以连接到所述
P-
或DSP的中断端或者可以连续地轮询。
读取输入。当CS为低和RD为低电平时,数据被放置在数据总线上从输出锁存器。该
输出锁存器存储在EOC的最新下降沿的转换结果。 RD的下降沿
重置EOC到TD ( EOC)规格内的新高。
正电压参考输入。任何模拟输入大于或等于上REF +转换的电压
REF +和REF之间1111111111.模拟输入电压 - 转换为相应的结果,在一个比例
方式。
负参考电压输入。任何模拟输入小于或等于REF上的电压 - 转换
到0000000000 。
写输入。当CS为低时,转换开始在WR的上升沿。在此上升沿时,ADC持有
模拟量输入,直到转换完成。前和转换期间,它是由吨转化率给定后,
在ADC保持在采样模式。
CS
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
DGTL GND1
DGTL GND2
DGTL VDD1
DGTL VDD2
EOC
RD
25
13
14
16
17
18
19
20
21
23
24
7
9
10
11
12
28
21
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
6
7
8
9
10
24
REF +
2
1
参考=
WR
3
27
2
23
为FK和FN封装端子编号。
号航站楼面向J , DW和NW包。
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3
SLAS043G - 1991年5月 - 修订2003年11月
TLC1550I , TLC1550M , TLC1551I
10位模拟数字转换器
具有并行输出
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD1
, V
DD2
和V
DD3
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.5 V
输入电压范围,V
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
输出电压范围,V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
峰值输入电流(所有数字输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
10毫安
峰值总输入电流(所有输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
30毫安
工作的自由空气的温度范围内,T
A
: TLC1550I , TLC1551I 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
TLC1550M 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
外壳温度10秒: FK或FN包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下, 10秒: J或NW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 : VDD1是DGTL VDD1测量方面DGND1的电压。 VDD2是在DGTL VDD2测量相对于电压
DGND2 。 VDD3是ANLG VDD测量相对于AGND的电压。对于这些指标,所有接地端绑
一起(和代表0V)。当VDD1 , VDD2和VDD3都是平等的,他们被简称为VDD 。
推荐工作条件
电源电压, VDD1 , VDD2 , VDD3
正参考电压, VREF + (见注2 )
负参考电压, VREF- (见注2 )
差分基准电压, VREF + - VREF - (见注2 )
模拟输入电压范围
高层次的控制输入电压, VIH
低级别的控制输入电压, VIL
输入时钟频率f ( CLKIN )
建立时间, CS为低电平之前WR或RD变低, TSU ( CS )
WR后的保持时间, CS为低电平或RD变为高电平, TH( CS )
WR或RD脉冲持续时间,总重量(WR)
输入时钟低脉冲持续时间, TW ( L- CLKIN )
经营自由的空气温度, TA
TLC155xI
TLC1550M
0.5
0
0
50
的40%
40
55
80%的
85
125
°C
0
2
0.8
7.8
4.75
5
VDD3
0
VDD3
VDD3
最大
5.5
单位
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
ns
ns
ns
注2 :模拟输入电压大于应用到REF +转换为全1 ( 1111111111 ) ,同时输入电压小于应用于
REF - 转换为全0 ( 0000000000 ) 。总非调整误差可能会增加,因为这差动电压低于4.75 V.
4
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TLC1550I , TLC1550M , TLC1551I
10位模拟数字转换器
具有并行输出
SLAS043G - 1991年5月 - 修订2003年11月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,
V
DD
= V
REF +
= 4.75 V至5.5 V和V
参考=
= 0(除非另有说明)
参数
VOH
VOL
IOZ
IIH
IIL
IIL
IOS
高电平输出电压
低电平输出电压
关断状态(高阻态)输出电流
高层次的输入电流
低电平输入电流(除CLKIN )
低电平输入电流( CLKIN )
输出短路电流
VO = 5 V ,
VO = 0,
模拟输入
数字输入
TA = 25°C
TA = 25°C
测试条件
VDD = 4.75 V ,
VDD = 4.75 V ,
IOL = 2.4毫安
VO = VDD ,
VO = 0,
VI = VDD
VI = 0
IOH = - 360
A
TA = 25°C
TA = - 55 ° C至125°C
CS和RD在VDD
CS和RD在VDD
0.005
2.5
50
7
0.005
50
14
12
2
60
5
6
8
90*
15*
mA
mA
pF
2.4
0.4
0.5
10
10
2.5
V
A
A
A
A
A
TYP
最大
单位
V
我( DD )工作电源电流
Ci
输入电容
CS为低电平且RD高
看到典型的等效输入TLC1550 / 1I
*在产品兼容MIL -STD - 883 , B级,这个参数是不是生产测试。
所有典型值是在VDD = 5V , TA = 25 ℃。
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5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TLC1551IDW
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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TLC1551IDW
TI
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TLC1551IDW
TI
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TLC1551IDW
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