TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
高级LinCMOS 硅栅
技术
8位分辨率
差分参考输入
并行微处理器接口
转换和访问时间过
温度范围
阅读模式。 。 。 2.5
s
最大
无需外部时钟或振荡器
组件所需
片内采样和保持
单5V电源
TLC0820A是直接替换
美国国家半导体ADC0820C / CC和
ADI公司AD7820K / B / T
DB ， DW或N包装
（ TOP VIEW ）
ANLG IN
（ LSB ） D0
D1
D2
D3
WR / RDY
模式
RD
INT
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
NC
OFLW
D7 （MSB）
D6
D5
D4
CS
REF +
参考=
FN包装
（ TOP VIEW ）
描述
该TLC0820AC和TLC0820AI是
高级LinCMOS 8位模 - 数
转换器各包括两个4位快闪
3 2 1 20 19
D2
18
OFLW
4
转换器，一个4位数字 - 模拟转换器，一
D3
17
D7 （MSB）
5
求和（误差）放大器，控制逻辑，以及一
WR / RDY
16
D6
6
导致闩锁电路。修改后的闪存技术
模式
15
D5
7
实现了低功耗的集成电路来完成
RD
14
D4
8
在1.18的8位转换
s
温度过高。
9 10 11 12 13
片上采样和保持电路具有一个100纳秒
采样窗口，并允许这些设备
转换为转换连续的模拟信号
高达100毫伏/微秒的没有外部率
NC - 无内部连接
采样组件。 TTL兼容的3态
输出驱动器和两种操作模式允许
接口到多种微处理器。详细信息接口，以最流行的微处理器
很容易从工厂。
可选项
总
未经调整
错误
±
1 LSB
±
1 LSB
包
SSOP
（ dB）的
TLC0820ACDB
—
塑料
小尺寸
（ DW ）
TLC0820ACDW
TLC0820AIDW
塑料
芯片载体
（ FN）的
TLC0820ACFN
TLC0820AIFN
塑料DIP
(N)
TLC0820ACN
TLC0820AIN
TA
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1994年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
INT
GND
参考=
REF +
CS
D1
D0 （ LSB ）
ANLG IN
VCC
NC
2–1
TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
功能框图
REF +
参考=
12
11
4位闪存
模拟 - 数字
变流器
（ 4个MSB ）
4
4
18
2
OFLW
D0 （ LSB ）
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7 （MSB）
数字
输出
4
3
4
产量
LATCH
和
3-State
缓冲器
4-Bit
数字 - 模拟
变流器
5
14
15
16
总结
扩音器
–1
ANLG IN
1
+1
4位闪存
模拟 - 数字
变流器
（ 4个LSB ）
4
17
模式
WR / RDY
CS
RD
7
6
13
8
定时
和
控制
9
INT
2–2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
终端功能
终奌站
名字
ANLG IN
CS
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
GND
INT
号
1
13
2
3
4
5
14
15
16
17
10
9
O
I / O
I
I
O
O
O
O
O
O
O
O
模拟量输入
片选。 CS必须为低电平，以便为RD或WR可以由ADC识别。
数字， 3态输出的数据， 1位（ LSB ）
数字， 3态输出的数据， 2位
数字， 3态输出的数据， 3位
数字， 3态输出的数据， 4位
数字， 3态输出的数据，第5位
数字， 3态输出的数据，第6位
数字， 3态输出的数据，第7位
数字， 3态输出的数据， 8位（ MSB ）
地
中断。在写 - 读模式时，中断输出（INT）变低表明内部倒计数延迟
时间TD （int）的，是完整的，该数据的结果是在输出锁存器。的延迟时间td （int）的是通常在800纳秒开始
之后WR的上升沿（见经营特色和图3） 。如果RD之前的TD （int）的所述端变为低电平，
INT变低，在TD （RIL ）的端部和所述转换结果提供更快（参见图2） 。 INT被重置
在RD或CS的上升沿。
模式选择。模式是通过一个50 μA电流源，它的作用就像一个下拉电阻内部连接到GND 。
当模式为低电平时，读出的模式被选择。当模式为高时，写 - 读模式被选择。
无内部连接
O
I
溢出。通常OFLW是一个逻辑高电平。然而，如果模拟输入电压低于Vref的+更高， OFLW将是低的，在
转换结束。它可以用来级联两个或多个设备来提高分辨率（ 9位或10位） 。
阅读。在写读模式在CS为低电平，通过D7三态数据输出D0是当RD去激活
低。 RD还可以用于之前提高转换速度通过读数据到内部的端部
往下计数延迟时间。其结果，传递到输出锁存器中的数据RD的下降沿之后进行锁存。
在CS为低电平的读模式，转换开始， RD变低。 RD还可以使3态数据输出
在转换完成。 RDY进入高阻状态， INT变低指示完成
的转化率。
基准电压。 REF - 被放置在电阻梯形的底部。
基准电压。 REF +放置在电阻阶梯的顶部。
电源电压
I / O
写就绪。在写读模式在CS为低电平时，转换开始于WR输入信号的下降沿。
的转换的结果被选通到输出锁存器中的内部倒计数延迟时间， TD （int）的后，提供
该RD输入不进去低在此之前的时间。的延迟时间td （int）的大约是800纳秒。在读模式中，
RDY （漏极开路输出）变为低电平CS下降沿后进入高阻状态时，
转换被选通到输出锁存器。它被用来简化接口到微处理器系统。
描述
模式
NC
OFLW
RD
7
19
18
8
I
参考=
REF +
VCC
WR / RDY
11
12
20
6
I
I
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
2–3
TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V
输入电压范围，所有投入（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.2 V到V
CC
+ 0.2 V
输出电压范围，所有输出（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.2 V到V
CC
+ 0.2 V
工作自由空气的温度范围： TLC0820AC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
TLC0820AI 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
外壳温度10秒： FN包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下10秒： DB ， DW或N封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：所有的电压都是相对于网络GND 。
推荐工作条件
民
电源电压VCC
模拟输入电压
正参考电压VREF +
负参考电压VREF -
高位
高电平输入电压， VIH
电压
低电平
低电平输入电压VIL
电压，
VCC = 4.75 V至5.25 V
4 75
5 25
VCC = 4.75 V至5.25 V
4 75
5 25
CS ， WR / RDY ， RD
模式
CS ， WR / RDY ， RD
模式
0.5
0
– 40
4.5
– 0.1
VREF =
GND
2
3.5
0.8
1.5
50
70
85
喃
5
最大
8
VCC + 0.1
VCC
VREF +
单位
V
V
V
V
V
V
s
°C
脉冲持续时间，写在写 - 读模式中，总重量（W） （参见图2 ，图3和4）
经营自由的空气温度， TA
自由的空气温度
TLC0820AC
TLC0820AI
2–4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
在指定的经营自由的空气温度，V电气特性
CC
= 5V （除非另有
说明）
参数
测试条件
VCC = 4.75 V ，
IOH = - 360
A
VCC = 4.75 V ，
,
IOH = - 10
A
,
VCC = 5.25 V ，
IOL = 1.6毫安
TA
全系列
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
全系列
VIH = 5 V
25°C
全系列
25°C
VIL = 0
VO = 5 V
D0 - D7或WR / RDY
VO = 0
CS在5 V
V,
II
模拟输入电流
CS在5 V
V,
D0 - D7 ， OFLW ， INT ，
或WR / RDY
IOS
短路
短路输出电流
D0 - D7或OFLW
VO = 0
INT
RREF
f
ICC
Ci
参考阻力
电源电流
输入电容
D0 – D7
ANLG IN
CS ， WR / RDY和
RD为0 V
VO = 5 V
VI = 0
VI = 5 V
全系列
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
全系列
7.5
5
45
5
7
8.4
–6
– 7.2
– 4.5
– 5.3
1.25
1.4
2.3
–9
6
5.3
15
13
k
mA
pF
pF
– 12
14
mA
– 0.1
0.1
50
– 0.005
0.1
0.005
民
2.4
4.5
4.6
0.4
0.34
1
3
0.3
200
170
–1
3
0.3
–3
– 0.3
3
0.3
–3
– 0.3
A
A
A
A
V
V
典型值
最大
单位
VOH
高电平输出电压
嗨H L
L T吨LT
D0 - D7 ， INT ，或
OFLW
VOL
低电平
低电平输出电压
D0 - D7 ， OFLW ， INT ，
或WR / RDY
CS或RD
IIH
高层次的输入电流
WR / RDY
模式
IIL
低电平输入电流
CS ， WR / RDY ， RD ，
OR模式
IOZ
断态（G
（高阻态）
)
输出电流
Co
输出电容
D0 – D7
全系列是在推荐工作条件规定。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
2–5
TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
高级LinCMOS 硅栅
技术
8位分辨率
差分参考输入
并行微处理器接口
转换和访问时间过
温度范围
阅读模式。 。 。 2.5
s
最大
无需外部时钟或振荡器
组件所需
片内采样和保持
单5V电源
TLC0820A是直接替换
美国国家半导体ADC0820C / CC和
ADI公司AD7820K / B / T
DB ， DW或N包装
（ TOP VIEW ）
ANLG IN
（ LSB ） D0
D1
D2
D3
WR / RDY
模式
RD
INT
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
NC
OFLW
D7 （MSB）
D6
D5
D4
CS
REF +
参考=
FN包装
（ TOP VIEW ）
描述
该TLC0820AC和TLC0820AI是
高级LinCMOS 8位模 - 数
转换器各包括两个4位快闪
3 2 1 20 19
D2
18
OFLW
4
转换器，一个4位数字 - 模拟转换器，一
D3
17
D7 （MSB）
5
求和（误差）放大器，控制逻辑，以及一
WR / RDY
16
D6
6
导致闩锁电路。修改后的闪存技术
模式
15
D5
7
实现了低功耗的集成电路来完成
RD
14
D4
8
在1.18的8位转换
s
温度过高。
9 10 11 12 13
片上采样和保持电路具有一个100纳秒
采样窗口，并允许这些设备
转换为转换连续的模拟信号
高达100毫伏/微秒的没有外部率
NC - 无内部连接
采样组件。 TTL兼容的3态
输出驱动器和两种操作模式允许
接口到多种微处理器。详细信息接口，以最流行的微处理器
很容易从工厂。
可选项
总
未经调整
错误
±
1 LSB
±
1 LSB
包
SSOP
（ dB）的
TLC0820ACDB
—
塑料
小尺寸
（ DW ）
TLC0820ACDW
TLC0820AIDW
塑料
芯片载体
（ FN）的
TLC0820ACFN
TLC0820AIFN
塑料DIP
(N)
TLC0820ACN
TLC0820AIN
TA
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1994年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
INT
GND
参考=
REF +
CS
D1
D0 （ LSB ）
ANLG IN
VCC
NC
2–1
TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
功能框图
REF +
参考=
12
11
4位闪存
模拟 - 数字
变流器
（ 4个MSB ）
4
4
18
2
OFLW
D0 （ LSB ）
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7 （MSB）
数字
输出
4
3
4
产量
LATCH
和
3-State
缓冲器
4-Bit
数字 - 模拟
变流器
5
14
15
16
总结
扩音器
–1
ANLG IN
1
+1
4位闪存
模拟 - 数字
变流器
（ 4个LSB ）
4
17
模式
WR / RDY
CS
RD
7
6
13
8
定时
和
控制
9
INT
2–2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
终端功能
终奌站
名字
ANLG IN
CS
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
GND
INT
号
1
13
2
3
4
5
14
15
16
17
10
9
O
I / O
I
I
O
O
O
O
O
O
O
O
模拟量输入
片选。 CS必须为低电平，以便为RD或WR可以由ADC识别。
数字， 3态输出的数据， 1位（ LSB ）
数字， 3态输出的数据， 2位
数字， 3态输出的数据， 3位
数字， 3态输出的数据， 4位
数字， 3态输出的数据，第5位
数字， 3态输出的数据，第6位
数字， 3态输出的数据，第7位
数字， 3态输出的数据， 8位（ MSB ）
地
中断。在写 - 读模式时，中断输出（INT）变低表明内部倒计数延迟
时间TD （int）的，是完整的，该数据的结果是在输出锁存器。的延迟时间td （int）的是通常在800纳秒开始
之后WR的上升沿（见经营特色和图3） 。如果RD之前的TD （int）的所述端变为低电平，
INT变低，在TD （RIL ）的端部和所述转换结果提供更快（参见图2） 。 INT被重置
在RD或CS的上升沿。
模式选择。模式是通过一个50 μA电流源，它的作用就像一个下拉电阻内部连接到GND 。
当模式为低电平时，读出的模式被选择。当模式为高时，写 - 读模式被选择。
无内部连接
O
I
溢出。通常OFLW是一个逻辑高电平。然而，如果模拟输入电压低于Vref的+更高， OFLW将是低的，在
转换结束。它可以用来级联两个或多个设备来提高分辨率（ 9位或10位） 。
阅读。在写读模式在CS为低电平，通过D7三态数据输出D0是当RD去激活
低。 RD还可以用于之前提高转换速度通过读数据到内部的端部
往下计数延迟时间。其结果，传递到输出锁存器中的数据RD的下降沿之后进行锁存。
在CS为低电平的读模式，转换开始， RD变低。 RD还可以使3态数据输出
在转换完成。 RDY进入高阻状态， INT变低指示完成
的转化率。
基准电压。 REF - 被放置在电阻梯形的底部。
基准电压。 REF +放置在电阻阶梯的顶部。
电源电压
I / O
写就绪。在写读模式在CS为低电平时，转换开始于WR输入信号的下降沿。
的转换的结果被选通到输出锁存器中的内部倒计数延迟时间， TD （int）的后，提供
该RD输入不进去低在此之前的时间。的延迟时间td （int）的大约是800纳秒。在读模式中，
RDY （漏极开路输出）变为低电平CS下降沿后进入高阻状态时，
转换被选通到输出锁存器。它被用来简化接口到微处理器系统。
描述
模式
NC
OFLW
RD
7
19
18
8
I
参考=
REF +
VCC
WR / RDY
11
12
20
6
I
I
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
2–3
TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V
输入电压范围，所有投入（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.2 V到V
CC
+ 0.2 V
输出电压范围，所有输出（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.2 V到V
CC
+ 0.2 V
工作自由空气的温度范围： TLC0820AC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
TLC0820AI 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
外壳温度10秒： FN包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下10秒： DB ， DW或N封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：所有的电压都是相对于网络GND 。
推荐工作条件
民
电源电压VCC
模拟输入电压
正参考电压VREF +
负参考电压VREF -
高位
高电平输入电压， VIH
电压
低电平
低电平输入电压VIL
电压，
VCC = 4.75 V至5.25 V
4 75
5 25
VCC = 4.75 V至5.25 V
4 75
5 25
CS ， WR / RDY ， RD
模式
CS ， WR / RDY ， RD
模式
0.5
0
– 40
4.5
– 0.1
VREF =
GND
2
3.5
0.8
1.5
50
70
85
喃
5
最大
8
VCC + 0.1
VCC
VREF +
单位
V
V
V
V
V
V
s
°C
脉冲持续时间，写在写 - 读模式中，总重量（W） （参见图2 ，图3和4）
经营自由的空气温度， TA
自由的空气温度
TLC0820AC
TLC0820AI
2–4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
在指定的经营自由的空气温度，V电气特性
CC
= 5V （除非另有
说明）
参数
测试条件
VCC = 4.75 V ，
IOH = - 360
A
VCC = 4.75 V ，
,
IOH = - 10
A
,
VCC = 5.25 V ，
IOL = 1.6毫安
TA
全系列
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
全系列
VIH = 5 V
25°C
全系列
25°C
VIL = 0
VO = 5 V
D0 - D7或WR / RDY
VO = 0
CS在5 V
V,
II
模拟输入电流
CS在5 V
V,
D0 - D7 ， OFLW ， INT ，
或WR / RDY
IOS
短路
短路输出电流
D0 - D7或OFLW
VO = 0
INT
RREF
f
ICC
Ci
参考阻力
电源电流
输入电容
D0 – D7
ANLG IN
CS ， WR / RDY和
RD为0 V
VO = 5 V
VI = 0
VI = 5 V
全系列
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
全系列
7.5
5
45
5
7
8.4
–6
– 7.2
– 4.5
– 5.3
1.25
1.4
2.3
–9
6
5.3
15
13
k
mA
pF
pF
– 12
14
mA
– 0.1
0.1
50
– 0.005
0.1
0.005
民
2.4
4.5
4.6
0.4
0.34
1
3
0.3
200
170
–1
3
0.3
–3
– 0.3
3
0.3
–3
– 0.3
A
A
A
A
V
V
典型值
最大
单位
VOH
高电平输出电压
嗨H L
L T吨LT
D0 - D7 ， INT ，或
OFLW
VOL
低电平
低电平输出电压
D0 - D7 ， OFLW ， INT ，
或WR / RDY
CS或RD
IIH
高层次的输入电流
WR / RDY
模式
IIL
低电平输入电流
CS ， WR / RDY ， RD ，
OR模式
IOZ
断态（G
（高阻态）
)
输出电流
Co
输出电容
D0 – D7
全系列是在推荐工作条件规定。
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2–5
TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
高级LinCMOS 硅栅
技术
8位分辨率
差分参考输入
并行微处理器接口
转换和访问时间过
温度范围
阅读模式。 。 。 2.5
s
最大
无需外部时钟或振荡器
组件所需
片内采样和保持
单5V电源
TLC0820A是直接替换
美国国家半导体ADC0820C / CC和
ADI公司AD7820K / B / T
DB ， DW或N包装
（ TOP VIEW ）
ANLG IN
（ LSB ） D0
D1
D2
D3
WR / RDY
模式
RD
INT
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
NC
OFLW
D7 （MSB）
D6
D5
D4
CS
REF +
参考=
FN包装
（ TOP VIEW ）
描述
该TLC0820AC和TLC0820AI是
高级LinCMOS 8位模 - 数
转换器各包括两个4位快闪
3 2 1 20 19
D2
18
OFLW
4
转换器，一个4位数字 - 模拟转换器，一
D3
17
D7 （MSB）
5
求和（误差）放大器，控制逻辑，以及一
WR / RDY
16
D6
6
导致闩锁电路。修改后的闪存技术
模式
15
D5
7
实现了低功耗的集成电路来完成
RD
14
D4
8
在1.18的8位转换
s
温度过高。
9 10 11 12 13
片上采样和保持电路具有一个100纳秒
采样窗口，并允许这些设备
转换为转换连续的模拟信号
高达100毫伏/微秒的没有外部率
NC - 无内部连接
采样组件。 TTL兼容的3态
输出驱动器和两种操作模式允许
接口到多种微处理器。详细信息接口，以最流行的微处理器
很容易从工厂。
可选项
总
未经调整
错误
±
1 LSB
±
1 LSB
包
SSOP
（ dB）的
TLC0820ACDB
—
塑料
小尺寸
（ DW ）
TLC0820ACDW
TLC0820AIDW
塑料
芯片载体
（ FN）的
TLC0820ACFN
TLC0820AIFN
塑料DIP
(N)
TLC0820ACN
TLC0820AIN
TA
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1994年，德州仪器
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达拉斯，德克萨斯州75265
INT
GND
参考=
REF +
CS
D1
D0 （ LSB ）
ANLG IN
VCC
NC
2–1
TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
功能框图
REF +
参考=
12
11
4位闪存
模拟 - 数字
变流器
（ 4个MSB ）
4
4
18
2
OFLW
D0 （ LSB ）
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7 （MSB）
数字
输出
4
3
4
产量
LATCH
和
3-State
缓冲器
4-Bit
数字 - 模拟
变流器
5
14
15
16
总结
扩音器
–1
ANLG IN
1
+1
4位闪存
模拟 - 数字
变流器
（ 4个LSB ）
4
17
模式
WR / RDY
CS
RD
7
6
13
8
定时
和
控制
9
INT
2–2
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TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
终端功能
终奌站
名字
ANLG IN
CS
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
GND
INT
号
1
13
2
3
4
5
14
15
16
17
10
9
O
I / O
I
I
O
O
O
O
O
O
O
O
模拟量输入
片选。 CS必须为低电平，以便为RD或WR可以由ADC识别。
数字， 3态输出的数据， 1位（ LSB ）
数字， 3态输出的数据， 2位
数字， 3态输出的数据， 3位
数字， 3态输出的数据， 4位
数字， 3态输出的数据，第5位
数字， 3态输出的数据，第6位
数字， 3态输出的数据，第7位
数字， 3态输出的数据， 8位（ MSB ）
地
中断。在写 - 读模式时，中断输出（INT）变低表明内部倒计数延迟
时间TD （int）的，是完整的，该数据的结果是在输出锁存器。的延迟时间td （int）的是通常在800纳秒开始
之后WR的上升沿（见经营特色和图3） 。如果RD之前的TD （int）的所述端变为低电平，
INT变低，在TD （RIL ）的端部和所述转换结果提供更快（参见图2） 。 INT被重置
在RD或CS的上升沿。
模式选择。模式是通过一个50 μA电流源，它的作用就像一个下拉电阻内部连接到GND 。
当模式为低电平时，读出的模式被选择。当模式为高时，写 - 读模式被选择。
无内部连接
O
I
溢出。通常OFLW是一个逻辑高电平。然而，如果模拟输入电压低于Vref的+更高， OFLW将是低的，在
转换结束。它可以用来级联两个或多个设备来提高分辨率（ 9位或10位） 。
阅读。在写读模式在CS为低电平，通过D7三态数据输出D0是当RD去激活
低。 RD还可以用于之前提高转换速度通过读数据到内部的端部
往下计数延迟时间。其结果，传递到输出锁存器中的数据RD的下降沿之后进行锁存。
在CS为低电平的读模式，转换开始， RD变低。 RD还可以使3态数据输出
在转换完成。 RDY进入高阻状态， INT变低指示完成
的转化率。
基准电压。 REF - 被放置在电阻梯形的底部。
基准电压。 REF +放置在电阻阶梯的顶部。
电源电压
I / O
写就绪。在写读模式在CS为低电平时，转换开始于WR输入信号的下降沿。
的转换的结果被选通到输出锁存器中的内部倒计数延迟时间， TD （int）的后，提供
该RD输入不进去低在此之前的时间。的延迟时间td （int）的大约是800纳秒。在读模式中，
RDY （漏极开路输出）变为低电平CS下降沿后进入高阻状态时，
转换被选通到输出锁存器。它被用来简化接口到微处理器系统。
描述
模式
NC
OFLW
RD
7
19
18
8
I
参考=
REF +
VCC
WR / RDY
11
12
20
6
I
I
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2–3
TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
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在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V
输入电压范围，所有投入（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.2 V到V
CC
+ 0.2 V
输出电压范围，所有输出（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.2 V到V
CC
+ 0.2 V
工作自由空气的温度范围： TLC0820AC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
TLC0820AI 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
外壳温度10秒： FN包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下10秒： DB ， DW或N封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：所有的电压都是相对于网络GND 。
推荐工作条件
民
电源电压VCC
模拟输入电压
正参考电压VREF +
负参考电压VREF -
高位
高电平输入电压， VIH
电压
低电平
低电平输入电压VIL
电压，
VCC = 4.75 V至5.25 V
4 75
5 25
VCC = 4.75 V至5.25 V
4 75
5 25
CS ， WR / RDY ， RD
模式
CS ， WR / RDY ， RD
模式
0.5
0
– 40
4.5
– 0.1
VREF =
GND
2
3.5
0.8
1.5
50
70
85
喃
5
最大
8
VCC + 0.1
VCC
VREF +
单位
V
V
V
V
V
V
s
°C
脉冲持续时间，写在写 - 读模式中，总重量（W） （参见图2 ，图3和4）
经营自由的空气温度， TA
自由的空气温度
TLC0820AC
TLC0820AI
2–4
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TLC0820AC ， TLC0820AI
高级LinCMOS 高速8位模拟 - 数字
使用改进的FLASH技术转换器
SLAS064A - 1986年9月 - 修订1994年6月
在指定的经营自由的空气温度，V电气特性
CC
= 5V （除非另有
说明）
参数
测试条件
VCC = 4.75 V ，
IOH = - 360
A
VCC = 4.75 V ，
,
IOH = - 10
A
,
VCC = 5.25 V ，
IOL = 1.6毫安
TA
全系列
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
全系列
VIH = 5 V
25°C
全系列
25°C
VIL = 0
VO = 5 V
D0 - D7或WR / RDY
VO = 0
CS在5 V
V,
II
模拟输入电流
CS在5 V
V,
D0 - D7 ， OFLW ， INT ，
或WR / RDY
IOS
短路
短路输出电流
D0 - D7或OFLW
VO = 0
INT
RREF
f
ICC
Ci
参考阻力
电源电流
输入电容
D0 – D7
ANLG IN
CS ， WR / RDY和
RD为0 V
VO = 5 V
VI = 0
VI = 5 V
全系列
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
全系列
7.5
5
45
5
7
8.4
–6
– 7.2
– 4.5
– 5.3
1.25
1.4
2.3
–9
6
5.3
15
13
k
mA
pF
pF
– 12
14
mA
– 0.1
0.1
50
– 0.005
0.1
0.005
民
2.4
4.5
4.6
0.4
0.34
1
3
0.3
200
170
–1
3
0.3
–3
– 0.3
3
0.3
–3
– 0.3
A
A
A
A
V
V
典型值
最大
单位
VOH
高电平输出电压
嗨H L
L T吨LT
D0 - D7 ， INT ，或
OFLW
VOL
低电平
低电平输出电压
D0 - D7 ， OFLW ， INT ，
或WR / RDY
CS或RD
IIH
高层次的输入电流
WR / RDY
模式
IIL
低电平输入电流
CS ， WR / RDY ， RD ，
OR模式
IOZ
断态（G
（高阻态）
)
输出电流
Co
输出电容
D0 – D7
全系列是在推荐工作条件规定。
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2–5
QQ：2880707522 复制
