TL750Mxx -Q1 ， TL751Mxx -Q1
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SGLS312J
–
2005年9月
–
经修订的2011年6月
汽车低压差稳压器
检查样品：
TL750Mxx -Q1 ， TL751Mxx -Q1
1
特点
通过汽车应用认证
低压差小于0.6 V时
750毫安
低静态电流
TTL和CMOS兼容启用
TL751M系列
负载突降保护
过压保护
内部过热保护
内置过电流限制电路
描述
该TL750M和TL751M系列是专为汽车设计的低压差正电压稳压器
应用程序。该TL750M和TL751M系列板载集成过压和限流保护
电路保护装置和调节的系统。这两个系列都充分保护，以防止负载突降和
电池反向条件。负载突降保护是最多60伏的在该装置的输入端。低
静态电流，即使在满负荷条件下，使TL750M和TL751M系列适合用于
应用程序被永久地连接到车辆的电池。
该TL750M和TL751M系列提供5 V， 8 - V和12 -V的选项。该TL751M系列有增加的
使能（ ENABLE ）输入。使能输入可完全控制权力，因而可以连续开机
或关机。当ENABLE为高电平时，稳压器输出置于高阻抗状态。启用
输入为TTL和CMOS兼容。
该TL750Mxx和TL751Mxx的特点是工作在虚拟的结温范围内
–40°C
至125 ℃。
可选项
(1)
T
J
V
O
喃（ V）
5V
8V
12 V
–40°C
至125℃
5V
8V
12 V
(1)
(2)
包
(2)
TO-263-3
–
KTT
TO-252-3
–
KVU
TO-263-3
–
KTT
TO-252-3
–
KVU
TO-263-3
–
KTT
TO-252-3
–
KVU
TO-263-5
–
KTT
TO-252-5
–
KVU
TO-263-5
–
KTT
TO-252-5
–
KVU
TO-263-5
–
KTT
TO-252-5
–
KVU
500卷
2500卷
500卷
2500卷
500卷
2500卷
500卷
2500卷
500卷
2500卷
500卷
2500卷
订购型号
TL750M05QKTTRQ1
TL750M05QKVURQ1
TL750M08QKTTRQ1
TL750M08QKVURQ1
TL750M12QKTTRQ1
TL750M12QKVURQ1
TL751M05QKTTRQ1
TL751M05QKVURQ1
TL751M08QKTTRQ1
TL751M08QKVURQ1
TL751M12QKTTRQ1
TL751M12QKVURQ1
顶部端标记
TL750M05Q1
750M05Q
TL750M08Q1
750M08Q
TL750M12Q1
750M12Q
TL751M05Q1
751M05Q
TL751M08Q1
751M08Q
TL751M12Q1
751M12Q
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权
2005-2011 ，德州仪器
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TL750M
KTT （ TO- 263-3 ）包装
（ TOP VIEW ）
TL751M
KTT （ TO- 263-5 ）包装
（ TOP VIEW ）
NC
产量
黎民
输入
启用
常见
常见
输入
TL750M
KVU （ TO- 252-3 ）包装
（ TOP VIEW ）
常见
黎民
产量
黎民
产量
常见
输入
TL751M
KVU （ TO- 252-5 ）包装
（ TOP VIEW ）
NC
产量
常见
输入
启用
注：公共端子与所述安装基座的电接触。
NC
–
无内部连接
TL751Mxx功能框图
输入
启用
启用
当前
限制
28 V
带隙
_
+
过压/
热
关闭
常见
产量
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
连续输入电压
瞬态输入电压（见
图4）
连续反向输入电压
反向瞬态输入电压
θ
JA
T
J
T
英镑
(1)
(2)
封装的热阻抗
(2)
(3)
26 V
60 V
–15
V
T = 100毫秒
KTT包（ 3针）
KTT包（ 5针）
KVU包
–50
V
26.9°C/W
26.5°C/W
38.6°C/W
–40°C
至150℃
–65°C
至150℃
虚拟结温范围
存储温度范围
(3)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大）
–
T
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150 °C可能影响可靠性。由于变化
单个设备的电特性和耐热性，内置的热过载保护可在电源被激活
水平略高于或低于额定耗散。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
热信息
TL750M05
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(2)
(3)
(1)
KTT
3针
27.5
43.2
17.3
2.8
9.3
0.3
单位
结至外壳（顶部）热阻
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
推荐工作条件
民
TL75xM05
V
I
V
IH
V
IL
I
O
T
J
输入电压
高层次的ENABLE输入电压
低级别的ENABLE输入电压
输出电流
工作结温
TL75xM08
TL75xM12
TL751Mxx
TL751Mxx
TL75xMxx
TL75xMxx
–40
6
9
13
2
0
最大
26
26
26
15
0.8
750
125
V
V
mA
°C
V
单位
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TL751Mxx电气特性
V
I
= 14 V，I
O
= 300毫安，T
J
= 25°C
参数
响应时间， ENABLE到输出（启动）
TL751Mxx
典型值
50
单位
s
TL750M05 / TL751M05电气特性
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时，使能在0 V的TL751M05 ，T
J
=
–40°C
至125℃ （除非另有说明）
(1)
参数
输出电压
线路调整
电源纹波抑制
负载调整率
输入输出电压差
(2)
消耗电流
I
q
= I
I
–
I
O
关断电流（ TL751M05只）
(1)
(2)
测试条件
V
I
= 6 V至26 V
V
I
= 9 V至16 V ，
V
I
= 6 V至26 V ，
V
I
= 8 V至18 V ，
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安，T
J
= 25°C
I
O
= 750毫安，T
J
= 25°C
I
O
= 750毫安
I
O
= 10毫安
启用V
IH
≥
2 V
60
I
O
= 250毫安
I
O
= 250毫安
F = 120赫兹
TL750M05
TL751M05
民
4.85
典型值
5
10
12
55
20
50
0.5
0.65
75
5
200
最大
5.15
25
50
V
mV
dB
mV
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图4中。
测量时的输出电压V
O
已经从V获得的标称值下降100毫伏
I
= 14 V.
TL750M08 / TL751M08电气特性
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时，使能在0 V的TL751M08 ，T
J
=
–40°C
至125℃ （除非另有说明）
(1)
参数
输出电压
线路调整
电源纹波抑制
负载调整率
输入输出电压差
(2)
消耗电流
I
q
= I
I
–
I
O
关断电流（ TL751M08只）
(1)
(2)
测试条件
V
I
= 6 V至26 V
V
I
= 10 V至17 V ，
V
I
= 9 V至26 V ，
V
I
= 11 V至21 V，
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安，T
J
= 25°C
I
O
= 750毫安，T
J
= 25°C
I
O
= 750毫安，T
J
= 25°C
I
O
= 10毫安
启用V
IH
≥
2 V
60
I
O
= 250毫安
I
O
= 250毫安
F = 120赫兹
TL750M08
TL751M08
民
7.76
典型值
8
12
15
55
24
80
0.5
0.65
75
5
200
最大
8.24
40
68
V
mV
dB
mV
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图4中。
测量时的输出电压V
O
已经从V获得的标称值下降100毫伏
I
= 14 V.
4
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TL750M12 / TL751M12电气特性
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时，使能在0 V的TL751M12 ，T
J
=
–40°C
至125℃ （除非另有说明）
(1)
参数
输出电压
线路调整
电源纹波抑制
负载调整率
输入输出电压差
(2)
消耗电流
I
q
= I
I
–
I
O
关断电流（ TL751M12只）
(1)
(2)
测试条件
V
I
= 13 V至26 V
V
I
= 14 V至19 V ，
V
I
= 13 V至26 V ，
V
I
= 13 V至23 V，
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安，T
J
= 25°C
I
O
= 750毫安，T
J
= 25°C
I
O
= 750毫安，T
J
= 25°C
I
O
= 10毫安
启用V
IH
≥
2 V
60
I
O
= 250毫安
I
O
= 250毫安
F = 120赫兹
50
TL750M12
TL751M12
民
11.76
典型值
12
15
20
55
30
120
0.5
0.6
75
5
200
最大
12.24
43
78
V
mV
dB
mV
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图4中。
测量时的输出电压V
O
已经从V获得的标称值下降100毫伏
I
= 14 V.
版权
2005-2011 ，德州仪器
5
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