TL750M ， TL751M系列

低压差稳压器

SLVS021H - 1988年1月 - 修订2000年1月

D

D

D

非常低的压差电压，小于0.6 V

在750毫安

低静态电流

TTL和CMOS兼容启用

TL751M系列

D

D

D

D

60 -V负载突降保护

过压保护

内部过热保护

内置过电流限制电路

描述

该TL750M和TL751M系列低压差正电压调节器特别设计

电池供电的系统。该TL750M和TL751M系列板载集成过压和

限流保护电路，保护装置和调节的系统。这两个系列都充分

防止60 V负载突降和电池反接情况。极低静态电流，甚至

在满负荷条件下，使TL750M和TL751M系列适用于备用电源系统。

该TL750M和TL751M系列提供5 V， 8 V， 10 V和12 V的选项。该TL751M系列有加

的使能（ ENABLE ）输入。使能输入使设计人员可以完全控制权力，因而可以

顺序上电或紧急停机。当ENABLE为高电平时，稳压器的输出被放置在

高阻抗状态。使能输入是TTL和CMOS兼容。

该TL750MxxC和TL751MxxC的特点是工作在虚拟的结温范围内

0 ° C至125°C 。

可选项

包装设备

TJ

VO

典型值

(V)

5

0 ° C至125°C

8

10

12

散热器

安装

(3-PIN)

（ KC ）

TL750M05CKC

TL750M08CKC

TL750M10CKC

TL750M12CKC

塑料

法兰安装

（ KTE ）

TL750M05CKTE

TL750M08CKTE

TL750M10CKTE

TL750M12CKTE

塑料

法兰安装

（ KTG ）

TL751M05CKTG

TL751M08CKTG

TL751M10CKTG

TL751M12CKTG

塑料

法兰安装

（ KTP ）

TL750M05CKTPR

TL750M08CKTPR

TL750M10CKTPR

TL750M12CKTPR

芯片

形式

(Y)

TL750M05Y

TL750M08Y

TL750M10Y

TL750M12Y

该KTE和KTG软件包可以录音和缠绕。在KTP仅提供卷带封装。添加后缀R键装置

类型（例如， TL750M05CKTER ） 。芯片的形式在25 ℃条件下测定。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

版权

2000年，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

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1

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TL750M 。 。 。 KC包装

（ TOP VIEW ）

TL750M 。 。 。 KTE包装

（ TOP VIEW ）

产量

常见

输入

TO-220AB

产量

常见

输入

O

C

I

O

C

I

TL750M 。 。 。 KTP包装

（ TOP VIEW ）

TL751M 。 。 。 KTG包装

（ TOP VIEW ）

产量

常见

常见

输入

O

NC

产量

常见

输入

启用

N

C

I

O

C

I

E

公共端与所述安装座的电接触。

NC - 无内部连接

TL751Mxx功能框图

输入

启用

启用

当前

限制

设备

部件

算

晶体管

二极管

28 V

带隙

_

+

过压/

热

关闭

常见

产量

电阻器

电容器

JFET的

隧道

（发射器R）

46

14

44

4

1

2

2

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低压差稳压器

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在虚拟的结温范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

连续输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26 V

瞬时输入电压（参见图3） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60 V

连续的反向输入端的电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -15 V

反向瞬态输入电压： T = 100毫秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50 V

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注1和2 ） ： KC包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22 ° C / W

KTE包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23 ° C / W

KTG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23 ° C / W

KTP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28 ° C / W

虚拟结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注： 1，最大功耗是TJ （最大）的函数，

θ

JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗

环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） /

θ

JA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ可能影响可靠性。由于

变异在个体设备的电特性和耐热性，内置的热过载保护可

在功率电平略高于或低于额定耗散激活。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。

推荐工作条件

民

TL75xM05

输入电压范围， VI

范围

TL75xM08

TL75xM10

TL75xM12

高层次的使能输入电压， VIH

低级别的使能输入电压， VIL

输出电流范围， IO

工作结温范围， TJ

TL751Mxx

TL751Mxx

TL75xMxxC

TL75xMxxC

0

6

9

11

13

2

0

最大

26

26

26

26

15

0.8

750

125

V

V

mA

°C

V

单位

电气特性，V

I

= 14 V，I

O

= 300毫安，T

J

= 25

°

C

参数

响应时间，使能输出

TL751MXXX

民

典型值

50

最大

单位

s

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3

TL750M ， TL751M系列

低压差稳压器

SLVS021H - 1988年1月 - 修订2000年1月

电气特性，V

I

= 14 V，I

O

= 300 mA时，使能在0 V的TL751M05 ，T

J

= 25

°

C（除非

另有说明） （见注3 ）

参数

测试条件

TL750M05C

TL751M05C

民

输出电压

输入电压调节

纹波抑制

输出电压调节

输入输出电压差

输出噪声电压

偏置电流

偏置电流（ TL751M05C和TL751M05Q只）

4.95

TJ = 0 ° C至125°C

VI = 9 V至16 V ，

VI = 6 V至26 V ，

VI = 8 V至18 V ，

IO = 5 mA至750毫安

IO = 500毫安

IO = 750毫安

F = 10赫兹至100千赫兹

IO = 750毫安

IO = 10毫安

ENABLE VIH

≥

2 V

4.9

IO = 250毫安

IO = 250毫安

F = 120赫兹

50

10

12

55

20

50

0.5

0.6

500

60

75

5

200

典型值

5

最大

5.05

5.1

25

50

V

mV

dB

mV

V

V

mA

A

单位

注3 ：脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是

分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容

在输出端，与图3中所示的准则范围内的等效串联电阻。

电气特性，V

I

= 14 V，I

O

= 300 mA时，使能在0 V的TL751M08 ，T

J

= 25

°

C（除非

另有说明） （见注3 ）

参数

测试条件

TL750M08C

TL751M08C

民

输出电压

输入电压调节

纹波抑制

输出电压调节

输入输出电压差

输出噪声电压

偏置电流

偏置电流（ TL751Mxx只）

7.92

TJ = 0 ° C至125°C

VI = 10 V至17 V ，

VI = 9 V至26 V ，

VI = 11 V至21 V，

IO = 5 mA至750毫安

IO = 500毫安

IO = 750毫安

F = 10赫兹至100千赫兹

IO = 750毫安

IO = 10毫安

ENABLE VIH

≥

2 V

7.84

IO = 250毫安

IO = 250毫安

F = 120赫兹

50

12

15

55

24

80

0.5

0.6

500

60

75

5

200

典型值

8

最大

8.08

8.16

40

68

V

mV

dB

mV

V

V

mA

A

单位

注3 ：脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是

分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容

在输出端，与图3中所示的准则范围内的等效串联电阻。

4

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TL750M ， TL751M系列

低压差稳压器

SLVS021H - 1988年1月 - 修订2000年1月

电气特性，V

I

= 14 V，I

O

= 300 mA时，使能在0 V的TL751M10 ，T

J

= 25

°

C（除非

另有说明） （见注3 ）

参数

测试条件

TL750M10C

TL751M10C

民

输出电压

输入电压调节

纹波抑制

输出电压调节

输入输出电压差

输出噪声电压

偏置电流

偏置电流（ TL751Mxx只）

9.9

TJ = 0 ° C至125°C

VI = 12 V至18 V ，

VI = 11 V至26 V ，

VI = 13 V至23 V，

IO = 5 mA至750毫安

IO = 500毫安

IO = 750毫安

F = 10赫兹至100千赫兹

IO = 750毫安

IO = 10毫安

ENABLE VIH

≥

2 V

9.8

IO = 250毫安

IO = 250毫安

F = 120赫兹

50

15

20

55

30

100

0.5

0.6

1000

60

75

5

200

典型值

10

最大

10.1

10.2

43

75

V

mV

dB

mV

V

V

mA

A

单位

注3 ：脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是

分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容

在输出端，与图3中所示的准则范围内的等效串联电阻。

电气特性，V

I

= 14 V，I

O

= 300 mA时，使能在0 V的TL751M12 ，T

J

= 25

°

C（除非

另有说明） （见注3 ）

参数

测试条件

TL750M12C

TL751M12C

民

输出电压

输入电压调节

纹波抑制

输出电压调节

输入输出电压差

输出噪声电压

偏置电流

偏置电流（ TL751Mxx只）

11.88

TJ = 0 ° C至125°C

VI = 14 V至19 V ，

VI = 13 V至26 V ，

VI = 13 V至23 V，

IO = 5 mA至750毫安

IO = 500毫安

IO = 750毫安

F = 10赫兹至100千赫兹

IO = 750毫安

IO = 10毫安

ENABLE VIH

≥

2 V

11.76

IO = 250毫安

IO = 250毫安

F = 120赫兹

50

15

20

55

30

120

0.5

0.6

1000

60

75

5

200

典型值

12

最大

12.12

12.24

43

78

V

mV

dB

mV

V

V

mA

A

单位

注3 ：脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是

分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容

在输出端，与图3中所示的准则范围内的等效串联电阻。

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5