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TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
www.ti.com
SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
特点
非常低的压差电压，小于0.6 V
在750毫安
低静态电流
TTL和CMOS兼容启用
TL751M系列
TL750M ... KC包装
（ TOP VIEW ）
(1)
60 -V负载突降保护
过压保护
内部热过载保护
内置过电流限制电路
TL750M ... KTP包装
（ TOP VIEW ）
(1)
常见
产量
常见
输入
产量
常见
输入
TL750M ... KTE包装
(1)
（ TOP VIEW ）
TL750M ... KTT包装
(1)
（ TOP VIEW ）
常见
产量
常见
输入
产量
常见
输入
TL751M ... KTG包装
（ TOP VIEW ）
(1)
NC
产量
常见
输入
启用
NC - 无NAL之间的连接
（1）公共端与所述安装基座的电接触。
描述/订购信息
该TL750M和TL751M系列低压差正电压调节器特别设计
电池供电的系统。该TL750M和TL751M系列合并板载过压和限流
保护电路，保护装置和调节的系统。这两个系列都充分保护，免受60 -V
抛负载和电池反接情况。极低静态电流，即使在满负荷条件下，
使得TL750M和TL751M系列适用于备用电源系统。
该TL750M和TL751M系列提供5 V， 8 V， 10 V和12 V的选项。该TL751M系列有加
使能（ ENABLE ）输入。使能输入使设计人员可以完全控制权力，因而可以
顺序上电或紧急停机。当ENABLE为高电平时，稳压器的输出被放置在
高阻抗状态。使能输入是TTL和CMOS兼容。
该TL750MxxC和TL751MxxC的特点是工作在虚拟的结温范围内
0 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
POWERFLEX是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 1988-2006 ，德州仪器
TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
www.ti.com
订购信息
T
J
V
O
典型值
包
(1)
的PowerFlex - KTE
POWERFLEX - KTG
5V
0 ° C至125°C
10 V
12 V
(1)
(2)
POWERFLEX - KTP
的TO-220 - KC
TO- 263 - KTT
的TO-220 - KC
的TO-220 - KC
2000年卷
2000年卷
3000卷
50管
500卷
50管
50管
订购型号
(2)
TL750M05CKTER
TL751M05CKTGR
TL750M05CKTPR
TL750M05CKC
TL750M05CKTTR
TL750M10CKC
TL750M12CKC
顶部端标记
TL750M05C
TL751M05C
750M05C
TL750M05C
TL750M05C
TL750M10C
TL750M12C
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
有关最新的订购信息，请参阅封装选项附录在此数据表的末尾。
TL751Mxx功能框图
输入
启用
启用
当前
限制
28 V
带隙
_
+
过压/
热
关闭
常见
产量
设备组件COUNT
晶体管
二极管
电阻器
电容器
JFET的
隧道（发射R）
46
14
44
4
1
2
2
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www.ti.com
TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
绝对最大额定值
(1)
在虚拟的结温范围内（除非另有说明）
民
连续输入电压
瞬态输入电压（见
图3）
连续反向输入电压
反向瞬态输入电压
T = 100毫秒
KC包装
KTE包装
θ
JA
封装的热阻抗
(2) (3)
KTG包
KTP包装
KTT套餐
T
J
T
英镑
(1)
(2)
虚拟结温范围
焊接温度
存储温度范围
从案例10秒1.6毫米（ 1/16 ）
–65
0
最大
26
60
–15
–50
22
23
23
28
25.3
150
260
150
°C
°C
°C
° C / W
单位
V
V
V
V
(3)
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。由于变化
单个设备的电特性和耐热性，内置的热过载保护可在电源被激活
水平略高于或低于额定耗散。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
推荐工作条件
民
TL75xM05
V
I
输入电压
TL75xM08
TL75xM10
TL75xM12
V
IH
V
IL
I
O
T
J
高层次的ENABLE输入电压
低级别的ENABLE输入电压
输出电流
工作结温
TL751Mxx
TL751Mxx
TL75xMxxC
TL75xMxxC
0
6
9
11
13
2
0
最大
26
26
26
26
15
0.8
750
125
V
V
mA
°C
V
单位
TL751MxxC开关特性
V
I
= 14 V，I
O
= 300毫安，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
t
r
响应时间，使能输出
TL751MxxC
典型值
50
单位
s
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3
TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
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TL75xM05C电气特性
(1)
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时， ENABLE = 0 V的TL751M05 ，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
测试条件
民
输出电压
输入电压调节
纹波抑制
输出电压调节
输入输出电压差
输出噪声电压
偏置电流
偏置电流（ TL751Mxx只）
(1)
4.95
T
J
= 0 ° C至125°C
V
I
= 9 V至16 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 6 V至26 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 8 V至18 V ， F = 120赫兹
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安
I
O
= 750毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
I
O
= 750毫安
I
O
= 10毫安
启用
≥
2 V
500
60
75
5
200
50
4.9
10
12
55
20
50
0.5
0.6
TL750M05C
TL751M05C
典型值
5
最大
5.05
5.1
25
50
V
mV
dB
mV
V
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图1 。
TL75xM08C电气特性
(1)
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时， ENABLE = 0 V的TL751M08 ，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
测试条件
民
输出电压
输入电压调节
纹波抑制
输出电压调节
输入输出电压差
输出噪声电压
偏置电流
偏置电流（ TL751Mxx只）
(1)
7.92
T
J
= 0 ° C至125°C
V
I
= 10 V至17 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 9 V至26 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 11 V至21 V，F = 120赫兹
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安
I
O
= 750毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
I
O
= 750毫安
I
O
= 10毫安
启用
≥
2 V
500
60
75
5
200
50
7.84
12
15
55
24
80
0.5
0.6
TL750M08C
TL751M08C
典型值
8
最大
8.08
8.16
40
68
V
mV
dB
mV
V
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图1 。
4
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TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
TL75xM10C电气特性
(1)
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时， ENABLE = 0 V的TL751M10 ，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
测试条件
民
输出电压
输入电压调节
纹波抑制
输出电压调节
输入输出电压差
输出噪声电压
偏置电流
偏置电流（ TL751Mxx只）
(1)
9.9
T
J
= 0 ° C至125°C
V
I
= 12 V至18 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 11 V至26 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 13 V至23 V，F = 120赫兹
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安
I
O
= 750毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
I
O
= 750毫安
I
O
= 10毫安
启用
≥
2 V
1000
60
75
5
200
50
9.8
15
20
55
30
100
0.5
0.6
TL750M10C
TL751M10C
典型值
10
最大
10.1
10.2
43
75
V
mV
dB
mV
V
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图1 。
TL75xM12C电气特性
(1)
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时， ENABLE = 0 V的TL751M12 ，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
测试条件
民
输出电压
输入电压调节
纹波抑制
输出电压调节
输入输出电压差
输出噪声电压
偏置电流
偏置电流（ TL751Mxx只）
(1)
11.88
T
J
= 0 ° C至125°C
V
I
= 14 V至19 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 13 V至26 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 13 V至23 V，F = 120赫兹
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安
I
O
= 750毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
I
O
= 750毫安
I
O
= 10毫安
启用
≥
2 V
1000
60
75
5
200
50
11.76
15
20
55
30
120
0.5
0.6
TL750M12C
TL751M12C
典型值
12
最大
12.12
12.24
43
78
V
mV
dB
mV
V
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图1 。
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TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
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SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
特点
非常低的压差电压，小于0.6 V
在750毫安
低静态电流
TTL和CMOS兼容启用
TL751M系列
TL750M ... KC包装
（ TOP VIEW ）
(1)
60 -V负载突降保护
过压保护
内部热过载保护
内置过电流限制电路
TL750M ... KTP包装
（ TOP VIEW ）
(1)
常见
产量
常见
输入
产量
常见
输入
TL750M ... KTE包装
(1)
（ TOP VIEW ）
TL750M ... KTT包装
(1)
（ TOP VIEW ）
常见
产量
常见
输入
产量
常见
输入
TL751M ... KTG包装
（ TOP VIEW ）
(1)
NC
产量
常见
输入
启用
NC - 无NAL之间的连接
（1）公共端与所述安装基座的电接触。
描述/订购信息
该TL750M和TL751M系列低压差正电压调节器特别设计
电池供电的系统。该TL750M和TL751M系列合并板载过压和限流
保护电路，保护装置和调节的系统。这两个系列都充分保护，免受60 -V
抛负载和电池反接情况。极低静态电流，即使在满负荷条件下，
使得TL750M和TL751M系列适用于备用电源系统。
该TL750M和TL751M系列提供5 V， 8 V， 10 V和12 V的选项。该TL751M系列有加
使能（ ENABLE ）输入。使能输入使设计人员可以完全控制权力，因而可以
顺序上电或紧急停机。当ENABLE为高电平时，稳压器的输出被放置在
高阻抗状态。使能输入是TTL和CMOS兼容。
该TL750MxxC和TL751MxxC的特点是工作在虚拟的结温范围内
0 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
POWERFLEX是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 1988-2006 ，德州仪器
TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
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订购信息
T
J
V
O
典型值
包
(1)
的PowerFlex - KTE
POWERFLEX - KTG
5V
0 ° C至125°C
10 V
12 V
(1)
(2)
POWERFLEX - KTP
的TO-220 - KC
TO- 263 - KTT
的TO-220 - KC
的TO-220 - KC
2000年卷
2000年卷
3000卷
50管
500卷
50管
50管
订购型号
(2)
TL750M05CKTER
TL751M05CKTGR
TL750M05CKTPR
TL750M05CKC
TL750M05CKTTR
TL750M10CKC
TL750M12CKC
顶部端标记
TL750M05C
TL751M05C
750M05C
TL750M05C
TL750M05C
TL750M10C
TL750M12C
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
有关最新的订购信息，请参阅封装选项附录在此数据表的末尾。
TL751Mxx功能框图
输入
启用
启用
当前
限制
28 V
带隙
_
+
过压/
热
关闭
常见
产量
设备组件COUNT
晶体管
二极管
电阻器
电容器
JFET的
隧道（发射R）
46
14
44
4
1
2
2
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TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
绝对最大额定值
(1)
在虚拟的结温范围内（除非另有说明）
民
连续输入电压
瞬态输入电压（见
图3）
连续反向输入电压
反向瞬态输入电压
T = 100毫秒
KC包装
KTE包装
θ
JA
封装的热阻抗
(2) (3)
KTG包
KTP包装
KTT套餐
T
J
T
英镑
(1)
(2)
虚拟结温范围
焊接温度
存储温度范围
从案例10秒1.6毫米（ 1/16 ）
–65
0
最大
26
60
–15
–50
22
23
23
28
25.3
150
260
150
°C
°C
°C
° C / W
单位
V
V
V
V
(3)
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。由于变化
单个设备的电特性和耐热性，内置的热过载保护可在电源被激活
水平略高于或低于额定耗散。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
推荐工作条件
民
TL75xM05
V
I
输入电压
TL75xM08
TL75xM10
TL75xM12
V
IH
V
IL
I
O
T
J
高层次的ENABLE输入电压
低级别的ENABLE输入电压
输出电流
工作结温
TL751Mxx
TL751Mxx
TL75xMxxC
TL75xMxxC
0
6
9
11
13
2
0
最大
26
26
26
26
15
0.8
750
125
V
V
mA
°C
V
单位
TL751MxxC开关特性
V
I
= 14 V，I
O
= 300毫安，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
t
r
响应时间，使能输出
TL751MxxC
典型值
50
单位
s
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3
TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
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TL75xM05C电气特性
(1)
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时， ENABLE = 0 V的TL751M05 ，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
测试条件
民
输出电压
输入电压调节
纹波抑制
输出电压调节
输入输出电压差
输出噪声电压
偏置电流
偏置电流（ TL751Mxx只）
(1)
4.95
T
J
= 0 ° C至125°C
V
I
= 9 V至16 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 6 V至26 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 8 V至18 V ， F = 120赫兹
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安
I
O
= 750毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
I
O
= 750毫安
I
O
= 10毫安
启用
≥
2 V
500
60
75
5
200
50
4.9
10
12
55
20
50
0.5
0.6
TL750M05C
TL751M05C
典型值
5
最大
5.05
5.1
25
50
V
mV
dB
mV
V
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图1 。
TL75xM08C电气特性
(1)
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时， ENABLE = 0 V的TL751M08 ，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
测试条件
民
输出电压
输入电压调节
纹波抑制
输出电压调节
输入输出电压差
输出噪声电压
偏置电流
偏置电流（ TL751Mxx只）
(1)
7.92
T
J
= 0 ° C至125°C
V
I
= 10 V至17 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 9 V至26 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 11 V至21 V，F = 120赫兹
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安
I
O
= 750毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
I
O
= 750毫安
I
O
= 10毫安
启用
≥
2 V
500
60
75
5
200
50
7.84
12
15
55
24
80
0.5
0.6
TL750M08C
TL751M08C
典型值
8
最大
8.08
8.16
40
68
V
mV
dB
mV
V
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图1 。
4
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TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
TL75xM10C电气特性
(1)
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时， ENABLE = 0 V的TL751M10 ，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
测试条件
民
输出电压
输入电压调节
纹波抑制
输出电压调节
输入输出电压差
输出噪声电压
偏置电流
偏置电流（ TL751Mxx只）
(1)
9.9
T
J
= 0 ° C至125°C
V
I
= 12 V至18 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 11 V至26 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 13 V至23 V，F = 120赫兹
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安
I
O
= 750毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
I
O
= 750毫安
I
O
= 10毫安
启用
≥
2 V
1000
60
75
5
200
50
9.8
15
20
55
30
100
0.5
0.6
TL750M10C
TL751M10C
典型值
10
最大
10.1
10.2
43
75
V
mV
dB
mV
V
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图1 。
TL75xM12C电气特性
(1)
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时， ENABLE = 0 V的TL751M12 ，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
测试条件
民
输出电压
输入电压调节
纹波抑制
输出电压调节
输入输出电压差
输出噪声电压
偏置电流
偏置电流（ TL751Mxx只）
(1)
11.88
T
J
= 0 ° C至125°C
V
I
= 14 V至19 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 13 V至26 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 13 V至23 V，F = 120赫兹
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安
I
O
= 750毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
I
O
= 750毫安
I
O
= 10毫安
启用
≥
2 V
1000
60
75
5
200
50
11.76
15
20
55
30
120
0.5
0.6
TL750M12C
TL751M12C
典型值
12
最大
12.12
12.24
43
78
V
mV
dB
mV
V
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图1 。
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TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
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SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
特点
非常低的压差电压，小于0.6 V
在750毫安
低静态电流
TTL和CMOS兼容启用
TL751M系列
TL750M ... KC包装
（ TOP VIEW ）
(1)
60 -V负载突降保护
过压保护
内部热过载保护
内置过电流限制电路
TL750M ... KTP包装
（ TOP VIEW ）
(1)
常见
产量
常见
输入
产量
常见
输入
TL750M ... KTE包装
(1)
（ TOP VIEW ）
TL750M ... KTT包装
(1)
（ TOP VIEW ）
常见
产量
常见
输入
产量
常见
输入
TL751M ... KTG包装
（ TOP VIEW ）
(1)
NC
产量
常见
输入
启用
NC - 无NAL之间的连接
（1）公共端与所述安装基座的电接触。
描述/订购信息
该TL750M和TL751M系列低压差正电压调节器特别设计
电池供电的系统。该TL750M和TL751M系列合并板载过压和限流
保护电路，保护装置和调节的系统。这两个系列都充分保护，免受60 -V
抛负载和电池反接情况。极低静态电流，即使在满负荷条件下，
使得TL750M和TL751M系列适用于备用电源系统。
该TL750M和TL751M系列提供5 V， 8 V， 10 V和12 V的选项。该TL751M系列有加
使能（ ENABLE ）输入。使能输入使设计人员可以完全控制权力，因而可以
顺序上电或紧急停机。当ENABLE为高电平时，稳压器的输出被放置在
高阻抗状态。使能输入是TTL和CMOS兼容。
该TL750MxxC和TL751MxxC的特点是工作在虚拟的结温范围内
0 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
POWERFLEX是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 1988-2006 ，德州仪器
TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
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订购信息
T
J
V
O
典型值
包
(1)
的PowerFlex - KTE
POWERFLEX - KTG
5V
0 ° C至125°C
10 V
12 V
(1)
(2)
POWERFLEX - KTP
的TO-220 - KC
TO- 263 - KTT
的TO-220 - KC
的TO-220 - KC
2000年卷
2000年卷
3000卷
50管
500卷
50管
50管
订购型号
(2)
TL750M05CKTER
TL751M05CKTGR
TL750M05CKTPR
TL750M05CKC
TL750M05CKTTR
TL750M10CKC
TL750M12CKC
顶部端标记
TL750M05C
TL751M05C
750M05C
TL750M05C
TL750M05C
TL750M10C
TL750M12C
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
有关最新的订购信息，请参阅封装选项附录在此数据表的末尾。
TL751Mxx功能框图
输入
启用
启用
当前
限制
28 V
带隙
_
+
过压/
热
关闭
常见
产量
设备组件COUNT
晶体管
二极管
电阻器
电容器
JFET的
隧道（发射R）
46
14
44
4
1
2
2
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低压差稳压器
SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
绝对最大额定值
(1)
在虚拟的结温范围内（除非另有说明）
民
连续输入电压
瞬态输入电压（见
图3）
连续反向输入电压
反向瞬态输入电压
T = 100毫秒
KC包装
KTE包装
θ
JA
封装的热阻抗
(2) (3)
KTG包
KTP包装
KTT套餐
T
J
T
英镑
(1)
(2)
虚拟结温范围
焊接温度
存储温度范围
从案例10秒1.6毫米（ 1/16 ）
–65
0
最大
26
60
–15
–50
22
23
23
28
25.3
150
260
150
°C
°C
°C
° C / W
单位
V
V
V
V
(3)
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。由于变化
单个设备的电特性和耐热性，内置的热过载保护可在电源被激活
水平略高于或低于额定耗散。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
推荐工作条件
民
TL75xM05
V
I
输入电压
TL75xM08
TL75xM10
TL75xM12
V
IH
V
IL
I
O
T
J
高层次的ENABLE输入电压
低级别的ENABLE输入电压
输出电流
工作结温
TL751Mxx
TL751Mxx
TL75xMxxC
TL75xMxxC
0
6
9
11
13
2
0
最大
26
26
26
26
15
0.8
750
125
V
V
mA
°C
V
单位
TL751MxxC开关特性
V
I
= 14 V，I
O
= 300毫安，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
t
r
响应时间，使能输出
TL751MxxC
典型值
50
单位
s
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TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
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TL75xM05C电气特性
(1)
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时， ENABLE = 0 V的TL751M05 ，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
测试条件
民
输出电压
输入电压调节
纹波抑制
输出电压调节
输入输出电压差
输出噪声电压
偏置电流
偏置电流（ TL751Mxx只）
(1)
4.95
T
J
= 0 ° C至125°C
V
I
= 9 V至16 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 6 V至26 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 8 V至18 V ， F = 120赫兹
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安
I
O
= 750毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
I
O
= 750毫安
I
O
= 10毫安
启用
≥
2 V
500
60
75
5
200
50
4.9
10
12
55
20
50
0.5
0.6
TL750M05C
TL751M05C
典型值
5
最大
5.05
5.1
25
50
V
mV
dB
mV
V
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图1 。
TL75xM08C电气特性
(1)
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时， ENABLE = 0 V的TL751M08 ，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
测试条件
民
输出电压
输入电压调节
纹波抑制
输出电压调节
输入输出电压差
输出噪声电压
偏置电流
偏置电流（ TL751Mxx只）
(1)
7.92
T
J
= 0 ° C至125°C
V
I
= 10 V至17 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 9 V至26 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 11 V至21 V，F = 120赫兹
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安
I
O
= 750毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
I
O
= 750毫安
I
O
= 10毫安
启用
≥
2 V
500
60
75
5
200
50
7.84
12
15
55
24
80
0.5
0.6
TL750M08C
TL751M08C
典型值
8
最大
8.08
8.16
40
68
V
mV
dB
mV
V
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图1 。
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TL750M系列， TL751M系列
低压差稳压器
SLVS021K - 1988年1月 - 修订2006年10月
TL75xM10C电气特性
(1)
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时， ENABLE = 0 V的TL751M10 ，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
测试条件
民
输出电压
输入电压调节
纹波抑制
输出电压调节
输入输出电压差
输出噪声电压
偏置电流
偏置电流（ TL751Mxx只）
(1)
9.9
T
J
= 0 ° C至125°C
V
I
= 12 V至18 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 11 V至26 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 13 V至23 V，F = 120赫兹
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安
I
O
= 750毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
I
O
= 750毫安
I
O
= 10毫安
启用
≥
2 V
1000
60
75
5
200
50
9.8
15
20
55
30
100
0.5
0.6
TL750M10C
TL751M10C
典型值
10
最大
10.1
10.2
43
75
V
mV
dB
mV
V
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图1 。
TL75xM12C电气特性
(1)
V
I
= 14 V，I
O
= 300 mA时， ENABLE = 0 V的TL751M12 ，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
测试条件
民
输出电压
输入电压调节
纹波抑制
输出电压调节
输入输出电压差
输出噪声电压
偏置电流
偏置电流（ TL751Mxx只）
(1)
11.88
T
J
= 0 ° C至125°C
V
I
= 14 V至19 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 13 V至26 V，I
O
= 250毫安
V
I
= 13 V至23 V，F = 120赫兹
I
O
= 5 mA至750毫安
I
O
= 500毫安
I
O
= 750毫安
F = 10赫兹至100千赫兹
I
O
= 750毫安
I
O
= 10毫安
启用
≥
2 V
1000
60
75
5
200
50
11.76
15
20
55
30
120
0.5
0.6
TL750M12C
TL751M12C
典型值
12
最大
12.12
12.24
43
78
V
mV
dB
mV
V
V
mA
A
单位
脉冲测试技术保持结点温度接近环境温度成为可能。热效应必须是
分别考虑。所有的特性测量与整个输入一个0.1 μF电容和一个10 μF钽电容
上的输出，在示出的准则范围内的等效串联电阻
图1 。
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TSC80C51T-16CC
TRF7900A
TDA9302
TPS72009YZUR
T9AS1D12-24
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    电话：0755-82780082
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    TL750M12CKTPRG3
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TL750M12CKTPRG3
Texas Instruments
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电话：075584505750
联系人：刘生
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