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TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
D
低功耗
D
宽共模和差
D
D
D
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 ％典型值
D
D
D
D
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
描述/订购信息
该TL08x JFET输入运算放大器系列，旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好，高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率，低输入偏置和失调电流，低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08x家庭中。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从-40 ° C到85°C操作。在Q-后缀器件的特点是操作温度范围为-40 ° C至125°C 。
后缀为M的器件的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
75管
SOIC （ D）
0 ° C至70℃
15毫伏
SOP （PS）的
SOP （ NS ）
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2000年卷
150管
2000年卷
TSSOP （ PW ）
90管
2000年卷
订购
产品型号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
TL081CD
TL081CDR
TL082CD
TL082CDR
TL084CD
TL084CDR
TL081CPSR
TL082CPSR
TL084CNSR
TL082CPW
TL082CPWR
TL084CPW
TL084CPWR
T084
T082
TL084C
T081
T082
TL084
TL082C
TL081C
TOP- SIDE
记号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2004年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
描述/订购信息（续）
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
6毫伏
75管
SOIC （ D）
2500卷
50管
2500卷
SOP （PS）的
0 ° C至70℃
SOP （ NS ）
PDIP （ P）
PDIP （ N）
2000年卷
2000年卷
50管
50管
25管
75管
3毫伏
SOIC （ D）
2500卷
75管
2500卷
50管
2500卷
50管
PDIP （ P）
PDIP （ N）
50管
25管
75管
2500卷
-40 ° C至85°C
6毫伏
SOIC （ D）
75管
2500卷
50管
2500卷
TSSOP （ PW ）
-40_C到125_C
9毫伏
9毫伏
-55 ° C至125°C
6毫伏
SOIC （ D）
CDIP （J ）
LCCC （ FK ）
CDIP （ JG ）
LCCC （ FK ）
2000年卷
50管
2500卷
25管
55卷
50管
55管
订购
产品型号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
TL081ACD
TL081ACDR
TL082ACD
TL082ACDR
TL084ACD
TL084ACDR
TL082ACPSR
TL084ACNSR
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
TL081BCD
TL081BCDR
TL082BCD
TL082BCDR
TL084BCD
TL084BCDR
TL081IP
TL082IP
TL084IN
TL081ID
TL081IDR
TL082ID
TL082IDR
TL084ID
TL084IDR
TL082IPWR
TL084QD
TL084QDR
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084QD
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084I
Z082
TL082I
TL081I
TL084BC
TL081IP
TL082IP
TL081IN
082BC
081BC
TL084AC
T082A
TL084A
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
082AC
081AC
TOP- SIDE
记号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
2
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TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B
D， P或PS包装
（ TOP VIEW ）
TL082 ， TL082A ， TL082B
D， JG ，P ， PS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
TL084 ， TL084A ， TL084B
D， J，N ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC - 无内部连接
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TL082M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL084M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC
NC
3英寸+
NC - 无内部连接
TL081
TL082 （每个放大器）
TL084 （每个放大器）
+
OUT
IN +
IN =
+
OUT
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
NC - 无内部连接
符号
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
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2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
3
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
示意图（每个放大器）
VCC +
IN +
64
OUT
128
64
C1
IN =
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
显示元件值标称。
4
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TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
TL08_C
TL08_AC
TL08_BC
电源电压VCC + （见注1 ）
电源电压VCC - （见注1 ）
差分输入电压， VID （见注2 ）
输入电压，VI （见注1和3 ）
输出短路持续时间（见注4 ）
连续总功率耗散
工作自由空气的温度范围， TA
，D封装（ 8针）
，D封装（ 14引脚）
封装（ 14引脚）
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5和6）
NS封装（ 14引脚）
P封装（ 8针）
PS封装（ 8针）
PW封装（ 8针）
PW封装（ 14引脚）
工作结温
外壳温度60秒， TC
从案例焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）
60秒
FK包装
J或JG包
0到70
97
86
76
80
85
95
149
113
150
113
150
150
150
260
300
°C
°C
°C
85
95
18
18
±
30
±
15
无限
TL08_I
18
18
±
30
±
15
无限
- 40-85
97
86
76
° C / W
TL084Q
18
18
±
30
±
15
无限
- 40 125
TL08_M
18
18
±
30
±
15
无限
- 55 125
°C
单位
V
V
V
V
见耗散额定值表
存储温度范围， TSTG
- 65 150 - 65 150 - 65 150 - 65 150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.输入电压的大小不得超过电源电压或15 V ，以较低者为准的幅度。
4.可以将输出短路到地或以任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以保证
额定功耗不超标。
5.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） / θJA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
额定功耗表
包
D（ 14针）
FK
J
JG
TA
≤
25°C
额定功率
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
降额
因素
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
减额
以上TA
60°C
88°C
88°C
69°C
TA = 70℃
额定功率
604毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
672毫瓦
TA = 85°C
额定功率
490毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
546毫瓦
TA = 125°C
额定功率
186毫瓦
273毫瓦
273毫瓦
210毫瓦
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5
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
D
低功耗
D
宽共模和差
D
D
D
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 ％典型值
D
D
D
D
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
描述/订购信息
该TL08x JFET输入运算放大器系列，旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好，高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率，低输入偏置和失调电流，低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08x家庭中。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从-40 ° C到85°C操作。在Q-后缀器件的特点是操作温度范围为-40 ° C至125°C 。
后缀为M的器件的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
75管
SOIC （ D）
0 ° C至70℃
15毫伏
SOP （PS）的
SOP （ NS ）
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2000年卷
150管
2000年卷
TSSOP （ PW ）
90管
2000年卷
订购
产品型号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
TL081CD
TL081CDR
TL082CD
TL082CDR
TL084CD
TL084CDR
TL081CPSR
TL082CPSR
TL084CNSR
TL082CPW
TL082CPWR
TL084CPW
TL084CPWR
T084
T082
TL084C
T081
T082
TL084
TL082C
TL081C
TOP- SIDE
记号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2004年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
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SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
描述/订购信息（续）
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
6毫伏
75管
SOIC （ D）
2500卷
50管
2500卷
SOP （PS）的
0 ° C至70℃
SOP （ NS ）
PDIP （ P）
PDIP （ N）
2000年卷
2000年卷
50管
50管
25管
75管
3毫伏
SOIC （ D）
2500卷
75管
2500卷
50管
2500卷
50管
PDIP （ P）
PDIP （ N）
50管
25管
75管
2500卷
-40 ° C至85°C
6毫伏
SOIC （ D）
75管
2500卷
50管
2500卷
TSSOP （ PW ）
-40_C到125_C
9毫伏
9毫伏
-55 ° C至125°C
6毫伏
SOIC （ D）
CDIP （J ）
LCCC （ FK ）
CDIP （ JG ）
LCCC （ FK ）
2000年卷
50管
2500卷
25管
55卷
50管
55管
订购
产品型号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
TL081ACD
TL081ACDR
TL082ACD
TL082ACDR
TL084ACD
TL084ACDR
TL082ACPSR
TL084ACNSR
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
TL081BCD
TL081BCDR
TL082BCD
TL082BCDR
TL084BCD
TL084BCDR
TL081IP
TL082IP
TL084IN
TL081ID
TL081IDR
TL082ID
TL082IDR
TL084ID
TL084IDR
TL082IPWR
TL084QD
TL084QDR
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084QD
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084I
Z082
TL082I
TL081I
TL084BC
TL081IP
TL082IP
TL081IN
082BC
081BC
TL084AC
T082A
TL084A
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
082AC
081AC
TOP- SIDE
记号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B
D， P或PS包装
（ TOP VIEW ）
TL082 ， TL082A ， TL082B
D， JG ，P ， PS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
TL084 ， TL084A ， TL084B
D， J，N ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC - 无内部连接
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TL082M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL084M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC
NC
3英寸+
NC - 无内部连接
TL081
TL082 （每个放大器）
TL084 （每个放大器）
+
OUT
IN +
IN =
+
OUT
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
NC - 无内部连接
符号
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
3
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
示意图（每个放大器）
VCC +
IN +
64
OUT
128
64
C1
IN =
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
显示元件值标称。
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
TL08_C
TL08_AC
TL08_BC
电源电压VCC + （见注1 ）
电源电压VCC - （见注1 ）
差分输入电压， VID （见注2 ）
输入电压，VI （见注1和3 ）
输出短路持续时间（见注4 ）
连续总功率耗散
工作自由空气的温度范围， TA
，D封装（ 8针）
，D封装（ 14引脚）
封装（ 14引脚）
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5和6）
NS封装（ 14引脚）
P封装（ 8针）
PS封装（ 8针）
PW封装（ 8针）
PW封装（ 14引脚）
工作结温
外壳温度60秒， TC
从案例焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）
60秒
FK包装
J或JG包
0到70
97
86
76
80
85
95
149
113
150
113
150
150
150
260
300
°C
°C
°C
85
95
18
18
±
30
±
15
无限
TL08_I
18
18
±
30
±
15
无限
- 40-85
97
86
76
° C / W
TL084Q
18
18
±
30
±
15
无限
- 40 125
TL08_M
18
18
±
30
±
15
无限
- 55 125
°C
单位
V
V
V
V
见耗散额定值表
存储温度范围， TSTG
- 65 150 - 65 150 - 65 150 - 65 150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.输入电压的大小不得超过电源电压或15 V ，以较低者为准的幅度。
4.可以将输出短路到地或以任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以保证
额定功耗不超标。
5.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） / θJA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
额定功耗表
包
D（ 14针）
FK
J
JG
TA
≤
25°C
额定功率
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
降额
因素
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
减额
以上TA
60°C
88°C
88°C
69°C
TA = 70℃
额定功率
604毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
672毫瓦
TA = 85°C
额定功率
490毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
546毫瓦
TA = 125°C
额定功率
186毫瓦
273毫瓦
273毫瓦
210毫瓦
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达拉斯，德克萨斯州75265
5
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
D
低功耗
D
宽共模和差
D
D
D
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 ％典型值
D
D
D
D
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
描述/订购信息
该TL08x JFET输入运算放大器系列，旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好，高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率，低输入偏置和失调电流，低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08x家庭中。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从-40 ° C到85°C操作。在Q-后缀器件的特点是操作温度范围为-40 ° C至125°C 。
后缀为M的器件的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
75管
SOIC （ D）
0 ° C至70℃
15毫伏
SOP （PS）的
SOP （ NS ）
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2000年卷
150管
2000年卷
TSSOP （ PW ）
90管
2000年卷
订购
产品型号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
TL081CD
TL081CDR
TL082CD
TL082CDR
TL084CD
TL084CDR
TL081CPSR
TL082CPSR
TL084CNSR
TL082CPW
TL082CPWR
TL084CPW
TL084CPWR
T084
T082
TL084C
T081
T082
TL084
TL082C
TL081C
TOP- SIDE
记号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2004年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
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1
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
描述/订购信息（续）
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
6毫伏
75管
SOIC （ D）
2500卷
50管
2500卷
SOP （PS）的
0 ° C至70℃
SOP （ NS ）
PDIP （ P）
PDIP （ N）
2000年卷
2000年卷
50管
50管
25管
75管
3毫伏
SOIC （ D）
2500卷
75管
2500卷
50管
2500卷
50管
PDIP （ P）
PDIP （ N）
50管
25管
75管
2500卷
-40 ° C至85°C
6毫伏
SOIC （ D）
75管
2500卷
50管
2500卷
TSSOP （ PW ）
-40_C到125_C
9毫伏
9毫伏
-55 ° C至125°C
6毫伏
SOIC （ D）
CDIP （J ）
LCCC （ FK ）
CDIP （ JG ）
LCCC （ FK ）
2000年卷
50管
2500卷
25管
55卷
50管
55管
订购
产品型号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
TL081ACD
TL081ACDR
TL082ACD
TL082ACDR
TL084ACD
TL084ACDR
TL082ACPSR
TL084ACNSR
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
TL081BCD
TL081BCDR
TL082BCD
TL082BCDR
TL084BCD
TL084BCDR
TL081IP
TL082IP
TL084IN
TL081ID
TL081IDR
TL082ID
TL082IDR
TL084ID
TL084IDR
TL082IPWR
TL084QD
TL084QDR
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084QD
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084I
Z082
TL082I
TL081I
TL084BC
TL081IP
TL082IP
TL081IN
082BC
081BC
TL084AC
T082A
TL084A
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
082AC
081AC
TOP- SIDE
记号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
2
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TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B
D， P或PS包装
（ TOP VIEW ）
TL082 ， TL082A ， TL082B
D， JG ，P ， PS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
TL084 ， TL084A ， TL084B
D， J，N ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC - 无内部连接
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TL082M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL084M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC
NC
3英寸+
NC - 无内部连接
TL081
TL082 （每个放大器）
TL084 （每个放大器）
+
OUT
IN +
IN =
+
OUT
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
NC - 无内部连接
符号
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
3
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
示意图（每个放大器）
VCC +
IN +
64
OUT
128
64
C1
IN =
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
显示元件值标称。
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
TL08_C
TL08_AC
TL08_BC
电源电压VCC + （见注1 ）
电源电压VCC - （见注1 ）
差分输入电压， VID （见注2 ）
输入电压，VI （见注1和3 ）
输出短路持续时间（见注4 ）
连续总功率耗散
工作自由空气的温度范围， TA
，D封装（ 8针）
，D封装（ 14引脚）
封装（ 14引脚）
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5和6）
NS封装（ 14引脚）
P封装（ 8针）
PS封装（ 8针）
PW封装（ 8针）
PW封装（ 14引脚）
工作结温
外壳温度60秒， TC
从案例焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）
60秒
FK包装
J或JG包
0到70
97
86
76
80
85
95
149
113
150
113
150
150
150
260
300
°C
°C
°C
85
95
18
18
±
30
±
15
无限
TL08_I
18
18
±
30
±
15
无限
- 40-85
97
86
76
° C / W
TL084Q
18
18
±
30
±
15
无限
- 40 125
TL08_M
18
18
±
30
±
15
无限
- 55 125
°C
单位
V
V
V
V
见耗散额定值表
存储温度范围， TSTG
- 65 150 - 65 150 - 65 150 - 65 150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.输入电压的大小不得超过电源电压或15 V ，以较低者为准的幅度。
4.可以将输出短路到地或以任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以保证
额定功耗不超标。
5.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） / θJA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
额定功耗表
包
D（ 14针）
FK
J
JG
TA
≤
25°C
额定功率
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
降额
因素
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
减额
以上TA
60°C
88°C
88°C
69°C
TA = 70℃
额定功率
604毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
672毫瓦
TA = 85°C
额定功率
490毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
546毫瓦
TA = 125°C
额定功率
186毫瓦
273毫瓦
273毫瓦
210毫瓦
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
通过TL081C订购此文件/ D
TL081C,AC
JFET输入运算
放大器器
这些低成本JFET输入运算放大器结合了两种状态， OF-
最先进的单片集成电路线性技术。每
内部补偿的运算放大器具有很好的匹配高压
对于低输入JFET输入器件偏移电压。该BIFET技术
提供宽带宽和快速压摆率，低输入偏置电流，
输入偏置电流和电源电流。
这些器件采用单路，双路和四路运算
放大器，引脚兼容工业标准的MC1741 ，
MC1458和MC3403 / LM324双极型产品。
输入失调6.0 mV值和电压选项15毫伏最大
TL082C,AC
TL084C,AC
JFET输入
运算放大器
半导体
技术参数
低输入偏置电流： 30 pA的
低输入失调电流： 5.0 pA的
宽增益带宽： 4.0 MHz的
高压摆率： 13 V / μs的
低电源电流：每个放大器1.4毫安
高输入阻抗： 1012
8
8
1
1
P后缀
塑料包装
CASE 626
后缀
塑料包装
CASE 751
(SO–8)
引脚连接
订购信息
运算放大器
功能
单身
设备
TL081CD
TL081ACP
TL082CD
双
四
TL082ACP
TL084CN ， ACN
操作
温度范围
TA = 0
°
+70
°
C
TA = 0
°
+70
°
C
TA = 0
°
+70
°
C
偏移空1
包
SO–8
塑料DIP
SO–8
塑料DIP
塑料DIP
INV +输入2
Noninvt输入3
VEE 4
+
8 NC
7 Vcc的
6输出
5偏移空
TL081 （顶视图）
OUTPUT A 1
输入A
2
3
–
+
–
+
8
VCC
VEE 4
7 OUTPUT B
6
输入B
5
TL082 （顶视图）
代表性的电路原理图
（每扩增fi er ）
产量
Q4
Q3
Q6
–
输入
+
J1
J2
Q17
Q20
Q15
Q14
Q21
Q12
Q10
Q13
Q11
Q16
Q9
Q8
Q7
Q25
Q22 Q24
10 pF的
Q19
Q23
24
J3
2.0 k
Q5
Q2
Q1
14
1
VCC
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646
引脚连接
输出1 1
输入1
2
3
4 VCC
输入2
5
6
输出2 7
+
–
–
+
–
+
14输出4
13
12
11 VEE
2
3
+
–
输入4
1
4
10
9
输入3
OFFSET
零
(TL081
只）
Q18
1.5 k
1.5 k
偏置电路
共同所有
放大器器
VEE
8输出3
TL084 （顶视图）
摩托罗拉1997年公司
REV 1
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
1
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
最大额定值
等级
电源电压
差分输入电压
输入电压范围（注1 ）
输出短路持续时间（注2 ）
功耗
塑料包装（N ， P）
减免上述TA = + 47℃
工作环境温度范围
存储温度范围
PD
1/θJA
TA
TSTG
680
10
0至+70
-65到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
符号
VCC
VEE
VID
VIDR
TSC
价值
18
–18
±30
±15
连续
单位
V
V
V
注意事项：
1.输入电压的大小必须不超过电源电压的幅度或
15 V ，以较低者为准。
2.可以将输出短路到地或任一电源。温度和/或电源电压
必须被限制，以保证功率耗散率不超过。
3. ESD数据可根据要求提供。
电气特性
（ VCC = 15 V ， VEE = -15 V， TA = TLOW到大腿[注1 ] 。 ）
特征
输入失调电压（ RS
≤
10 K， VCM = 0 ）
TL081C ， TL082C
TL084C
TL08_AC
输入失调电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
输入偏置电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
大信号电压增益（ VO =
±10
V， RL
≥
2.0 k)
TL08_C
TL08_AC
输出电压摆幅（峰 - 峰）
（ RL
≥
10 k)
（ RL
≥
2.0 k)
符号
VIO
–
–
–
IIO
–
–
IIB
–
–
AVOL
15
25
VO
24
20
–
–
–
–
–
–
–
–
V
–
–
10
7.0
V / MV
–
–
5.0
3.0
nA
–
–
–
20
20
7.5
nA
民
典型值
最大
单位
mV
注意事项：
1. TLOW = 0 ℃下TL081AC ，C
大腿= 70℃ TL081AC
0 ℃下
TL082AC,C
+ 70 ℃下进行
TL082AC,C
0 ℃下
TL084AC,C
+ 70 ℃下进行
TL084AC,C
的JFET输入运算2.输入偏置电流放大器约一倍，每升高10°C的结温，如图3。要保持
结温度接近环境温度成为可能，必须在测试过程中使用的脉冲的技术。
图1.单位增益电压跟随器
图2.翻转10放大器增益
10 k
–
+
VIN
RL = 2.0
CL = 100 pF的
VO
VIN
1.0 k
–
+
VO
RL
CL = 100 pF的
2
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
电气特性
（ VCC = 15 V ， VEE = -15 V， TA = 25 ℃，除非另有说明。 ）
特征
输入失调电压（ RS
≤
10 K， VCM = 0 ）
TL081C ， TL082C
TL084C
TL08_AC
输入失调电压的平均温度系数
RS = 50
,
TA = TLOW到大腿（注1 ）
输入失调电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
输入偏置电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
输入阻抗
共模输入电压范围
TL08_C
TL08_AC
大信号电压增益（ VO =
±10
V， RL
≥
2.0 k)
TL08_C
TL08_AC
输出电压摆幅（峰 - 峰）
（ RL = 10 K）
共模抑制比（ RS
≤
10 k)
TL08_C
TL08_AC
电源电压抑制比（ RS
≤
10 k)
TL08_C
TL08_AC
电源电流（每个放大器）
单位增益带宽
压摆率（见图1）
VIN = 10V， RL = 2.0 K， CL = 100 pF的
上升时间（见图1 ）
过冲（ VIN = 20 mV时， RL = 2.0 K， CL = 100 pF的）
等效输入噪声电压
卢比= 100
,
F = 1000赫兹
声道分离
AV = 100
符号
VIO
–
–
–
V
IO / ΔT
IIO
–
–
IIB
–
–
ri
VICR
–
±10
±11
25
50
VO
CMRR
70
80
PSRR
70
80
ID
BW
SR
tr
OS
en
CS
–
–
–
–
–
–
–
100
100
1.4
4.0
13
0.1
10
25
120
–
–
2.8
–
–
–
–
–
–
mA
兆赫
V / μs的
s
%
内华达州/
√
Hz
dB
100
100
–
–
dB
24
30
30
1012
15, –12
15, –12
150
150
28
400
200
–
–
–
V / MV
–
–
–
V
dB
V
5.0
5.0
200
100
pA
–
5.0
5.0
3.0
10
15
15
6.0
–
μV/°C
pA
民
典型值
最大
单位
mV
AVOL
注意事项：
1. TLOW = 0 ℃下TL081AC ，C
大腿= 70℃ TL081AC
0 ℃下
TL082AC,C
+ 70 ℃下进行
TL082AC,C
0 ℃下
TL084AC,C
+ 70 ℃下进行
TL084AC,C
的JFET输入运算2.输入偏置电流放大器约一倍，每升高10°C的结温，如图3。要保持
结温度接近环境温度成为可能，必须在测试过程中使用的脉冲的技术。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
3
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
图3.输入偏置电流
与温度的关系
100
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
IIB ，输入偏置电流（ NA）
VCC / VEE =
±15
V
35
30
25
20
15
10
5.0
0
100
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
10 M
±5.0
V
±10
V
VCC / VEE =
±15
V
RL = 2.0
TA = 25°C
（参见图2）
图4.输出电压摆幅
与频率
10
1.0
0.1
0.01
–100 –75
–50
–25
0
25
50
75
100
125 150
TA ，环境温度（ ° C）
男，频率（Hz ）
图5.输出电压摆幅
与负载电阻
40
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
30
20
10
VCC / VEE =
±15
V
TA = 25°C
（参见图2）
40
图6.输出电压摆幅
与电源电压
RL = 2.0
TA = 25°C
30
20
10
5.0
0
0.1
0.2
0.4
0.7 1.0
2.0
4.0
7.0
10
0
0
5.0
10
15
20
RL ，负载阻值（kΩ ）
VCC ， | VEE | ，电源电压（ ± V）
图7.输出电压摆幅
与温度的关系
40
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
35
30
25
20
15
10
5.0
0
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
RL = 2.0
ID ，供应漏电流（毫安）
VCC / VEE =
±15
V
（参见图2）
RL = 10千
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–75
每个放大器图8.电源电流
与温度的关系
VCC / VEE =
±15
V
–50
–25
0
25
50
75
100
125
TA ，环境温度（ ° C）
TA ，环境温度（ ° C）
4
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
图9.大信号电压增益和
相移随频率
108
一个VOL ，开环增益（V / M / V ）
一个VOL ，开环增益（V / M / V ）
107
106
105
104
103
102
101
1.0
1.0
10
100
相移
收益
0°
45°
90°
135°
100多K的1.0M
180°
10 M 100 M
相移（度）
VCC / VEE =
±15
V
RL = 2.0
TA = 25°C
1000
图10.大信号电压增益
与温度的关系
VCC / VEE =
±15
V
VO =
±10
V
RL = 2.0
100
10
1.0 k
10 k
1.0
–100
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
男，频率（Hz ）
TA ，环境温度（ ° C）
恩，等效输入噪声电压（NV /
√
赫兹）
图11.归一压摆率
与温度的关系
1.20
1.15
归一压摆率
1.10
1.05
1.0
0.95
0.90
0.85
0.80
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
图12.等效输入噪声电压
与频率
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.05 0.1
0.5 1.0
男，频率（Hz ）
5.0 10
50 100
VCC / VEE =
±15
V
AV = 10
卢比= 100
TA = 25°C
TA ，环境温度（ ° C）
图13.总谐波失真
与频率
THD ，总谐波失真（ ％ ）
1.0
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0.1
VCC / VEE =
±15
V
AV = 1.0
VO = 6.0 V（ RMS ）
TA = 25°C
0.5
1.0
5.0
10
50
100
男，频率（Hz ）
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
5
通过TL081C订购此文件/ D
TL081C,AC
JFET输入运算
放大器器
这些低成本JFET输入运算放大器结合了两种状态， OF-
最先进的单片集成电路线性技术。每
内部补偿的运算放大器具有很好的匹配高压
对于低输入JFET输入器件偏移电压。该BIFET技术
提供宽带宽和快速压摆率，低输入偏置电流，
输入偏置电流和电源电流。
这些器件采用单路，双路和四路运算
放大器，引脚兼容工业标准的MC1741 ，
MC1458和MC3403 / LM324双极型产品。
输入失调6.0 mV值和电压选项15毫伏最大
TL082C,AC
TL084C,AC
JFET输入
运算放大器
半导体
技术参数
低输入偏置电流： 30 pA的
低输入失调电流： 5.0 pA的
宽增益带宽： 4.0 MHz的
高压摆率： 13 V / μs的
低电源电流：每个放大器1.4毫安
高输入阻抗： 1012
8
8
1
1
P后缀
塑料包装
CASE 626
后缀
塑料包装
CASE 751
(SO–8)
引脚连接
订购信息
运算放大器
功能
单身
设备
TL081CD
TL081ACP
TL082CD
双
四
TL082ACP
TL084CN ， ACN
操作
温度范围
TA = 0
°
+70
°
C
TA = 0
°
+70
°
C
TA = 0
°
+70
°
C
偏移空1
包
SO–8
塑料DIP
SO–8
塑料DIP
塑料DIP
INV +输入2
Noninvt输入3
VEE 4
+
8 NC
7 Vcc的
6输出
5偏移空
TL081 （顶视图）
OUTPUT A 1
输入A
2
3
–
+
–
+
8
VCC
VEE 4
7 OUTPUT B
6
输入B
5
TL082 （顶视图）
代表性的电路原理图
（每扩增fi er ）
产量
Q4
Q3
Q6
–
输入
+
J1
J2
Q17
Q20
Q15
Q14
Q21
Q12
Q10
Q13
Q11
Q16
Q9
Q8
Q7
Q25
Q22 Q24
10 pF的
Q19
Q23
24
J3
2.0 k
Q5
Q2
Q1
14
1
VCC
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646
引脚连接
输出1 1
输入1
2
3
4 VCC
输入2
5
6
输出2 7
+
–
–
+
–
+
14输出4
13
12
11 VEE
2
3
+
–
输入4
1
4
10
9
输入3
OFFSET
零
(TL081
只）
Q18
1.5 k
1.5 k
偏置电路
共同所有
放大器器
VEE
8输出3
TL084 （顶视图）
摩托罗拉1997年公司
REV 1
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
1
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
最大额定值
等级
电源电压
差分输入电压
输入电压范围（注1 ）
输出短路持续时间（注2 ）
功耗
塑料包装（N ， P）
减免上述TA = + 47℃
工作环境温度范围
存储温度范围
PD
1/θJA
TA
TSTG
680
10
0至+70
-65到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
符号
VCC
VEE
VID
VIDR
TSC
价值
18
–18
±30
±15
连续
单位
V
V
V
注意事项：
1.输入电压的大小必须不超过电源电压的幅度或
15 V ，以较低者为准。
2.可以将输出短路到地或任一电源。温度和/或电源电压
必须被限制，以保证功率耗散率不超过。
3. ESD数据可根据要求提供。
电气特性
（ VCC = 15 V ， VEE = -15 V， TA = TLOW到大腿[注1 ] 。 ）
特征
输入失调电压（ RS
≤
10 K， VCM = 0 ）
TL081C ， TL082C
TL084C
TL08_AC
输入失调电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
输入偏置电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
大信号电压增益（ VO =
±10
V， RL
≥
2.0 k)
TL08_C
TL08_AC
输出电压摆幅（峰 - 峰）
（ RL
≥
10 k)
（ RL
≥
2.0 k)
符号
VIO
–
–
–
IIO
–
–
IIB
–
–
AVOL
15
25
VO
24
20
–
–
–
–
–
–
–
–
V
–
–
10
7.0
V / MV
–
–
5.0
3.0
nA
–
–
–
20
20
7.5
nA
民
典型值
最大
单位
mV
注意事项：
1. TLOW = 0 ℃下TL081AC ，C
大腿= 70℃ TL081AC
0 ℃下
TL082AC,C
+ 70 ℃下进行
TL082AC,C
0 ℃下
TL084AC,C
+ 70 ℃下进行
TL084AC,C
的JFET输入运算2.输入偏置电流放大器约一倍，每升高10°C的结温，如图3。要保持
结温度接近环境温度成为可能，必须在测试过程中使用的脉冲的技术。
图1.单位增益电压跟随器
图2.翻转10放大器增益
10 k
–
+
VIN
RL = 2.0
CL = 100 pF的
VO
VIN
1.0 k
–
+
VO
RL
CL = 100 pF的
2
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
电气特性
（ VCC = 15 V ， VEE = -15 V， TA = 25 ℃，除非另有说明。 ）
特征
输入失调电压（ RS
≤
10 K， VCM = 0 ）
TL081C ， TL082C
TL084C
TL08_AC
输入失调电压的平均温度系数
RS = 50
,
TA = TLOW到大腿（注1 ）
输入失调电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
输入偏置电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
输入阻抗
共模输入电压范围
TL08_C
TL08_AC
大信号电压增益（ VO =
±10
V， RL
≥
2.0 k)
TL08_C
TL08_AC
输出电压摆幅（峰 - 峰）
（ RL = 10 K）
共模抑制比（ RS
≤
10 k)
TL08_C
TL08_AC
电源电压抑制比（ RS
≤
10 k)
TL08_C
TL08_AC
电源电流（每个放大器）
单位增益带宽
压摆率（见图1）
VIN = 10V， RL = 2.0 K， CL = 100 pF的
上升时间（见图1 ）
过冲（ VIN = 20 mV时， RL = 2.0 K， CL = 100 pF的）
等效输入噪声电压
卢比= 100
,
F = 1000赫兹
声道分离
AV = 100
符号
VIO
–
–
–
V
IO / ΔT
IIO
–
–
IIB
–
–
ri
VICR
–
±10
±11
25
50
VO
CMRR
70
80
PSRR
70
80
ID
BW
SR
tr
OS
en
CS
–
–
–
–
–
–
–
100
100
1.4
4.0
13
0.1
10
25
120
–
–
2.8
–
–
–
–
–
–
mA
兆赫
V / μs的
s
%
内华达州/
√
Hz
dB
100
100
–
–
dB
24
30
30
1012
15, –12
15, –12
150
150
28
400
200
–
–
–
V / MV
–
–
–
V
dB
V
5.0
5.0
200
100
pA
–
5.0
5.0
3.0
10
15
15
6.0
–
μV/°C
pA
民
典型值
最大
单位
mV
AVOL
注意事项：
1. TLOW = 0 ℃下TL081AC ，C
大腿= 70℃ TL081AC
0 ℃下
TL082AC,C
+ 70 ℃下进行
TL082AC,C
0 ℃下
TL084AC,C
+ 70 ℃下进行
TL084AC,C
的JFET输入运算2.输入偏置电流放大器约一倍，每升高10°C的结温，如图3。要保持
结温度接近环境温度成为可能，必须在测试过程中使用的脉冲的技术。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
3
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
图3.输入偏置电流
与温度的关系
100
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
IIB ，输入偏置电流（ NA）
VCC / VEE =
±15
V
35
30
25
20
15
10
5.0
0
100
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
10 M
±5.0
V
±10
V
VCC / VEE =
±15
V
RL = 2.0
TA = 25°C
（参见图2）
图4.输出电压摆幅
与频率
10
1.0
0.1
0.01
–100 –75
–50
–25
0
25
50
75
100
125 150
TA ，环境温度（ ° C）
男，频率（Hz ）
图5.输出电压摆幅
与负载电阻
40
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
30
20
10
VCC / VEE =
±15
V
TA = 25°C
（参见图2）
40
图6.输出电压摆幅
与电源电压
RL = 2.0
TA = 25°C
30
20
10
5.0
0
0.1
0.2
0.4
0.7 1.0
2.0
4.0
7.0
10
0
0
5.0
10
15
20
RL ，负载阻值（kΩ ）
VCC ， | VEE | ，电源电压（ ± V）
图7.输出电压摆幅
与温度的关系
40
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
35
30
25
20
15
10
5.0
0
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
RL = 2.0
ID ，供应漏电流（毫安）
VCC / VEE =
±15
V
（参见图2）
RL = 10千
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–75
每个放大器图8.电源电流
与温度的关系
VCC / VEE =
±15
V
–50
–25
0
25
50
75
100
125
TA ，环境温度（ ° C）
TA ，环境温度（ ° C）
4
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
图9.大信号电压增益和
相移随频率
108
一个VOL ，开环增益（V / M / V ）
一个VOL ，开环增益（V / M / V ）
107
106
105
104
103
102
101
1.0
1.0
10
100
相移
收益
0°
45°
90°
135°
100多K的1.0M
180°
10 M 100 M
相移（度）
VCC / VEE =
±15
V
RL = 2.0
TA = 25°C
1000
图10.大信号电压增益
与温度的关系
VCC / VEE =
±15
V
VO =
±10
V
RL = 2.0
100
10
1.0 k
10 k
1.0
–100
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
男，频率（Hz ）
TA ，环境温度（ ° C）
恩，等效输入噪声电压（NV /
√
赫兹）
图11.归一压摆率
与温度的关系
1.20
1.15
归一压摆率
1.10
1.05
1.0
0.95
0.90
0.85
0.80
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
图12.等效输入噪声电压
与频率
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.05 0.1
0.5 1.0
男，频率（Hz ）
5.0 10
50 100
VCC / VEE =
±15
V
AV = 10
卢比= 100
TA = 25°C
TA ，环境温度（ ° C）
图13.总谐波失真
与频率
THD ，总谐波失真（ ％ ）
1.0
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0.1
VCC / VEE =
±15
V
AV = 1.0
VO = 6.0 V（ RMS ）
TA = 25°C
0.5
1.0
5.0
10
50
100
男，频率（Hz ）
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
5
TL082
TL082A - TL082B
通用J- FET
双运算放大器
s
宽共模（高达V
CC+
）和
差分电压范围
s
低输入偏置和失调电流
s
输出短路保护
s
高输入阻抗J- FET输入
舞台
N
DIP8
（塑料包装）
s
内部频率补偿
s
闭锁自由运作
s
高压摆率： 16V / μs（典型值）
D
SO8
（塑料Micropackage ）
P
TSSOP8
（薄小外形封装）
订货编号
描述
该TL082 ， TL082A和TL082B是高速
J- FET输入双运算放大器，其纳入
评价很好的匹配，高压J- FET和连接双极
拉尔晶体管在一个单片集成电路中。
该器件具有高转换率，低输入偏置
和偏置电流，低失调电压temper-
ATURE系数。
引脚连接
（ TOP VIEW ）
1 - 偏移空1
2 - 反相输入1
3 - 非反相输入1
4 - V
CC-
5 - 非反相输入端2
6 - 反相输入2
7 - 输出2
8 - V
CC+
1/11
产品型号
温度
范围
包
N
D
P
TL082M/AM/BM
-55°C, +125°C
TL082I/AI/BI
-40°C, +105°C
TL082C/AC/BC
0°C, +70°C
例如：
TL082CD ， TL082IN
N =
双列直插式封装（ DIP ）
D =
小外形封装（ SO ） - 也可在带&卷（ DT ）
P =
超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） - 仅在磁带可用
&卷（ PT ）
1
2
3
4
-
+
-
+
8
7
6
5
2002年3月
TL082 - TL082A - TL082B
原理图
V
CC
不适用-Inv ê rtin克
INP UT
INV ertin克
INP UT
1 0 0
2 0 0
产量
1 0 0
30k
1/2牛逼L082
8.2k
1.3k
V
CC
35k
1 .3 k
35k
1 0 0
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
i
V
id
P
合计
T
OPER
T
英镑
1.
2.
3.
4.
参数
电源电压 - 注意
1)
输入电压 - 注意
2)
差分输入电压 - 记
3)
功耗
输出短路持续时间 - 注意
4)
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
TL082M ， AM ， BM
TL082I ， AI， BI
TL082C ， AC，BC
单位
V
V
V
mW
±18
±15
±30
680
无限
-55到+125
-40到+105
-65到+150
0至+70
°C
°C
所有电压值，除了差分电压，是相对于电源电压的零参考电平（地），其中所述零参考
电平为V之间的中点
CC +
和V
CC -
.
输入电压的幅度不得超过电源电压或15伏，以较低者为准的幅度。
差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
该输出可以被短路至地或以任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以保证散热评级
是不超过
2/11
TL082 - TL082A - TL082B
电气特性
V
CC
=
±15V,
T
AMB
= + 25 ℃（除非另有规定）
符号
参数
输入失调电压（R
s
=
50)
T
AMB
= +25°C
V
io
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
TL082I,M,AC,AI,AM,
BC， BI ， BM
分钟。
TL082
TL082A
TL082B
TL082
TL082A
TL082B
典型值。
3
3
1
马克斯。
10
6
3
13
7
5
分钟。
TL082C
单位
典型值。
3
马克斯。
mV
10
13
DV
io
I
io
输入失调电压漂移
输入失调电流 - 记
1)
T
AMB
= +25°C
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
输入偏置电流 - 注意1
T
AMB
= +25°C
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
大信号电压增益
(R
L
=为2kΩ ，V
o
=
±10V)
T
AMB
= +25°C
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
电源电压抑制比（R
S
=
50)
T
AMB
= +25°C
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
电源电流，空载
T
AMB
= +25°C
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
输入共模电压范围
共模抑制比（R
S
=
50)
T
AMB
= +25°C
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
输出短路电流
T
AMB
= +25°C
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
输出电压摆幅
T
AMB
= +25°C
T
民
≤
T
AMB
≤
T
最大
RL = 2kΩ的
RL = 10kΩ的
RL = 2kΩ的
RL = 10kΩ的
±11
50
25
80
80
10
5
100
4
200
20
25
15
70
70
2.5
2.5
±11
10
5
100
10
400
20
μV/°C
pA
nA
pA
nA
V / MV
I
ib
20
20
A
vd
200
200
dB
SVR
86
86
mA
I
CC
V
ICM
CMR
1.4
+15
-12
86
1.4
+15
-12
86
2.5
2.5
V
dB
80
80
10
10
10
12
10
12
8
70
70
60
60
10
10
10
12
10
12
8
mA
40
40
60
60
V
12
13.5
12
13.5
I
os
±V
OPP
SR
t
r
K
ov
英镑
R
i
转换速率（T
AMB
= +25°C)
V
in
= 10V ，R
L
=为2kΩ ，C
L
= 100pF的，单位增益
上升时间（T
AMB
= +25°C)
V
in
= 20mV的，R
L
=为2kΩ ，C
L
= 100pF的，单位增益
过冲（T
AMB
= +25°C)
V
in
= 20mV的，R
L
=为2kΩ ，C
L
= 100pF的，单位增益
增益带宽积（T
AMB
= +25°C)
V
in
= 10mV的，R
L
=为2kΩ ，C
L
= 100pF的， F = 100kHz的
输入阻抗
V / μs的
16
0.1
10
2.5
4
10
12
2.5
16
s
0.1
%
10
兆赫
4
10
12
3/11
TL082 - TL082A - TL082B
符号
参数
总谐波失真（T
AMB
= +25°C),
F = 1kHz时，R
L
=为2kΩ ，C
L
= 100pF的，A
v
= 20分贝，
V
o
= 2V
pp
等效输入噪声电压
R
S
=
100Ω ， F = 1KHz的
TL082I,M,AC,AI,AM,
BC， BI ， BM
分钟。
典型值。
马克斯。
分钟。
TL082C
单位
典型值。
马克斯。
%
THD
0.01
0.01
nV
--- -
--------
Hz
度
e
n
m
15
45
120
15
45
120
相位裕度
声道分离
V
o1
/V
o2
A
v
= 100
1.
dB
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每增加10℃的结温。
4/11
TL082 - TL082A - TL082B
最大峰峰值输出
电压 - 频率
最大峰峰值输出
电压 - 频率
最大峰峰值输出
电压 - 频率
最大峰峰值输出
电压与自由空气温度。
最大峰峰值输出
电压和负载电阻
最大峰峰值输出
电压与电源电压
最大峰 - PEAKOUTPUT
电压（V）的
30
25
R
L
= 10 k
T
AMB
= +25°C
20
15
10
5
0
2
12
电源电压（ V）
4
6
8
10
14
16
5/11
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL082Y ， TL084 ， TL084A ， TL084B ， TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081E - 1977年2月 - 修订1999年2月
D
D
D
D
D
低功耗
宽共模和差
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 ％典型值
D
D
D
D
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
描述
该TL08x JFET输入运算放大器系列，旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好，高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率，低输入偏置和失调电流，低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08x家庭中。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40 ° C至85°C 。在Q-后缀器件的特点是从操作 - 40 ° C至125°C 。
后缀为M的器件的特点是操作上的整个军用温度范围 - 55 ° C至125°C 。
符号
TL081
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
+
OUT
–
IN +
IN =
+
OUT
–
TL082 （每个放大器）
TL084 （每个放大器）
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1999年，德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL082Y ， TL084 ， TL084A ， TL084B ， TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081E - 1977年2月 - 修订1999年2月
TL081M
ü套餐
（ TOP VIEW ）
TL082M
ü套餐
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
IN-
IN +
V
CC–
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC–
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
CC+
2OUT
2IN–
2IN+
TL081 ， TL081A ， TL081B
D， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
TL082 ， TL082A ， TL082B
D， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
TL081M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL082M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
TL084M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL084 ， TL084A ， TL084B
D， J，N ， PW ，或W包装
（ TOP VIEW ）
NC
VCC =
NC
偏移N2
NC
7
8
NC - 无内部连接
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC
–
NC
3英寸+
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
15毫伏
6毫伏
3毫伏
0°C
to
70°C
15毫伏
6毫伏
3毫伏
15毫伏
6毫伏
3毫伏
– 40°C
to
85°C
– 40°C
to
125°C
– 55°C
to
125°C
6毫伏
6毫伏
6毫伏
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
小
概要
(D008)
TL081CD
TL081ACD
TL081BCD
TL082CD
TL082ACD
TL082BCD
—
TL081ID
TL082ID
TL084ID
—
小
概要
(D014)
—
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷的
DIP
(J)
—
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
塑料
DIP
(N)
—
塑料
DIP
(P)
TL081CP
TL081ACP
TL081BCP
TL082CP
TL082ACP
TL082BCP
—
TL081IP
TL082IP
TSSOP
（ PW ）
TL081CPW
平
PACK
(U)
—
平
PACK
(W)
—
芯片
形式
(Y)
—
TL082Y
TL082CPW
—
TL084CPW
—
—
—
—
TL084CD
TL084ACD
TL084BCD
—
—
—
—
TL084CN
TL084ACN
TL084BCN
TL084Y
—
—
—
—
TL084ID
—
TL084QD
TL081MFK
TL082MFK
TL084MFK
—
—
TL084IN
—
—
—
—
—
—
TL081MJG
TL082MJG
—
—
—
—
TL081MU
TL082MU
—
—
9毫伏
6毫伏
6毫伏
9毫伏
—
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL082Y ， TL084 ， TL084A ， TL084B ， TL084Y
JFET输入运算放大器
—
—
—
—
—
TL084MW
TL084MJ
D封装中提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如， TL081CDR ） 。
SLOS081E - 1977年2月 - 修订1999年2月
3
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL082Y ， TL084 ， TL084A ， TL084B ， TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081E - 1977年2月 - 修订1999年2月
示意图（每个放大器）
VCC +
IN +
64
OUT
128
64
C1
IN =
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
显示元件值标称。
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL082Y ， TL084 ， TL084A ， TL084B ， TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081E - 1977年2月 - 修订1999年2月
TL082Y芯片信息
这些芯片，如果正确组装，显示类似TL082特性。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
(5)
1IN +
1IN -
2OUT
(7)
(3)
(2)
+
VCC +
(8)
(1)
1OUT
–
+
–
(5)
(6)
2IN +
2IN -
61
(8)
(4)
(4)
VCC =
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(1)
61
(2)
(3)
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
TL080 ， TL081 ， TL082 ， TL084 ， TL081A ， TL082A ， TL084A
TL081B ， TL082B ， TL084B ， TL082Y ， TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081A - D2297 ， 1977年2月修订的1992年11月
24 DEVICES范围涵盖商业，工业和军用温度范围内
低功耗
宽共模和差
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 ％典型值
TL080
D，P ，或PW包
（ TOP VIEW ）
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
内部频率补偿（除
TL080 ， TL080A ）
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
TL082 ， TL082A ， TL082B
D， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
TL081 ， TL081A ， TL081B
D， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
8
7
6
5
N1/COMP
IN =
IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
COMP
OFFSET N1
V
CC +
IN =
IN +
OUT
V
CC –
偏移N2
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1 OUT
1年 -
1 IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2 OUT
2年 -
2 IN +
TL081M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL082M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1年 -
NC
1 IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1 OUT
NC
VCC +
NC
NC
2 OUT
NC
2年 -
NC
TL084M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
VCC-
NC
偏移N2
NC
TL084 ， TL084A ， TL084B
D， J，N ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
7
8
NC - 无内部连接
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1992年，德州仪器
关于产品符合MIL -STD - 883 ， B类，所有的参数都
测试，除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303达拉斯，德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州
77251–1443
2 IN-
2 OUT
NC
3 OUT
3 IN-
1 OUT
1年 -
1 IN +
V
CC +
2 IN +
2年 -
2 OUT
1
2
3
4
5
6
14
13
12
11
10
9
4 OUT
4 IN -
4 IN +
V
CC –
3 IN +
3年 -
3 OUT
1 IN +
NC
V
CC +
NC
2 IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1 IN-
1 OUT
NC
4 OUT
4 IN-
4 IN +
NC
VCC =
NC
3 IN +
NC
VCC-
NC
2 IN +
NC
1
TL080 ， TL081 ， TL082 ， TL084 ， TL081A ， TL082A ， TL084A
TL081B ， TL082B ， TL084B ， TL082Y ， TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081A - D2297 ， 1977年2月修订的1992年11月
符号
TL080
N1/COMP
OFFSET N1
COMP
IN +
IN +
IN =
偏移N2
+
OUT
–
偏移N2
IN =
+
OUT
–
IN =
–
IN +
+
OUT
TL081
TL082 （每个放大器）
TL084 （每个放大器）
描述
该TL08_ JFET输入运算放大器系列，旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好，高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率，低输入偏置和失调电流，低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08_家庭中。
与C后缀的设备类型的特点是操作从0° C至70 ° C，那些与我有后缀
特点是工作在 - 40 ° C至85°C ，而那些用M后缀过的特点进行操作
在整个军用温度范围 - 55 ° C至125°C 。
可选项
VIO
最大
at
25°C
15毫伏
15毫伏
6毫伏
3毫伏
0°C
to
70°C
15毫伏
6毫伏
3毫伏
15毫伏
6毫伏
3毫伏
– 40°C
to
85°C
– 55°C
to
125°C
6毫伏
6毫伏
6毫伏
6毫伏
6毫伏
9毫伏
包
小
概要
(D008)
TL080CD
TL081CD
TL081ACD
TL081BCD
TL082CD
TL082ACD
TL082BCD
—
TL081ID
TL082ID
TL084ID
—
小
概要
(D014)
芯片
支架
（ FK ）
陶瓷的
DIP
(J)
陶瓷的
DIP
（ JG ）
塑料
DIP
(N)
塑料
DIP
(P)
TL080CP
TL081CP
TL081ACP
TL081BCP
TL082CP
TL082ACP
TL082BCP
—
TL081IP
TL082IP
TL084IN
TL081MFK
TL082MFK
TL084MFK
TL081MJG
TL082MJG
TL084MJ
—
—
—
—
TSSOP
（ PW ）
TL080CPW
TL081CPW
芯片
形式
(Y)
TA
—
—
—
—
—
—
TL082CPW
TL082Y
—
TL084CD
TL084ACD
TL084BCD
—
—
—
—
TL084CN
TL084ACN
TL084BCN
TL084CPW
TL084Y
—
—
—
—
TL084ID
—
—
—
—
—
D封装中提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如， TL080CDR ） 。
2
邮政信箱655303达拉斯，德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州
77251–1443
TL080 ， TL081 ， TL082 ， TL084 ， TL081A ， TL082A ， TL084A
TL081B ， TL082B ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081A - D2297 ， 1977年2月修订的1992年11月
示意图（每个放大器）
VCC +
IN +
64
OUT
128
N1/COMP
TL080
只
偏移N2
C1
64
IN =
COMP
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
C1 = 18 pF的对TL081 ， TL082 ， TL084和只（包括其后缀的版本） 。
显示元件值标称。
邮政信箱655303达拉斯，德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州
77251–1443
3
TL082Y
JFET输入双通道运算放大器
SLOS081A - D2297 ， 1977年2月修订的1992年11月
芯片信息
这些芯片，如果正确组装，显示类似TL082特性。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
1 IN +
1年 -
1 OUT
(3)
(2)
(7)
VCC +
(8)
+
–
+
–
(4)
VCC =
(5)
(6)
2 IN +
2年 -
(1)
2 OUT
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%
所有尺寸均为MILS
PIN码（ 4 ）内部连
背侧芯片
4
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邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州
77251–1443
TL084Y
JFET输入四通道运算放大器
SLOS081A - D2297 ， 1977年2月修订的1992年11月
芯片信息
这些芯片，如果正确组装，显示类似TL084特性。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
VCC +
(4)
+
–
+
–
+
–
+
–
(11)
VCC =
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%
所有尺寸均为MILS
PIN码（ 11 ）在内部连
背侧芯片
(12)
(13)
4 IN +
4 IN -
(5)
(6)
(8)
3 OUT
2 IN +
2年 -
(1)
1 OUT
1 IN +
1年 -
2 OUT
3 IN +
3年 -
4 OUT
(3)
(2)
(7)
(10)
(9)
(14)
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邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州
77251–1443
5
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
D
低功耗
D
宽共模和差
D
D
D
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 ％典型值
D
D
D
D
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
描述/订购信息
该TL08x JFET输入运算放大器系列，旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好，高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率，低输入偏置和失调电流，低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08x家庭中。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从-40 ° C到85°C操作。在Q-后缀器件的特点是操作温度范围为-40 ° C至125°C 。
后缀为M的器件的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
75管
SOIC （ D）
0 ° C至70℃
15毫伏
SOP （PS）的
SOP （ NS ）
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2000年卷
150管
2000年卷
TSSOP （ PW ）
90管
2000年卷
订购
产品型号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
TL081CD
TL081CDR
TL082CD
TL082CDR
TL084CD
TL084CDR
TL081CPSR
TL082CPSR
TL084CNSR
TL082CPW
TL082CPWR
TL084CPW
TL084CPWR
T084
T082
TL084C
T081
T082
TL084
TL082C
TL081C
TOP- SIDE
记号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2004年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
描述/订购信息（续）
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
6毫伏
75管
SOIC （ D）
2500卷
50管
2500卷
SOP （PS）的
0 ° C至70℃
SOP （ NS ）
PDIP （ P）
PDIP （ N）
2000年卷
2000年卷
50管
50管
25管
75管
3毫伏
SOIC （ D）
2500卷
75管
2500卷
50管
2500卷
50管
PDIP （ P）
PDIP （ N）
50管
25管
75管
2500卷
-40 ° C至85°C
6毫伏
SOIC （ D）
75管
2500卷
50管
2500卷
TSSOP （ PW ）
-40_C到125_C
9毫伏
9毫伏
-55 ° C至125°C
6毫伏
SOIC （ D）
CDIP （J ）
LCCC （ FK ）
CDIP （ JG ）
LCCC （ FK ）
2000年卷
50管
2500卷
25管
55卷
50管
55管
订购
产品型号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
TL081ACD
TL081ACDR
TL082ACD
TL082ACDR
TL084ACD
TL084ACDR
TL082ACPSR
TL084ACNSR
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
TL081BCD
TL081BCDR
TL082BCD
TL082BCDR
TL084BCD
TL084BCDR
TL081IP
TL082IP
TL084IN
TL081ID
TL081IDR
TL082ID
TL082IDR
TL084ID
TL084IDR
TL082IPWR
TL084QD
TL084QDR
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084QD
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084I
Z082
TL082I
TL081I
TL084BC
TL081IP
TL082IP
TL081IN
082BC
081BC
TL084AC
T082A
TL084A
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
082AC
081AC
TOP- SIDE
记号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B
D， P或PS包装
（ TOP VIEW ）
TL082 ， TL082A ， TL082B
D， JG ，P ， PS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
TL084 ， TL084A ， TL084B
D， J，N ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC - 无内部连接
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TL082M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL084M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC
NC
3英寸+
NC - 无内部连接
TL081
TL082 （每个放大器）
TL084 （每个放大器）
+
OUT
IN +
IN =
+
OUT
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
NC - 无内部连接
符号
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
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2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
3
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
示意图（每个放大器）
VCC +
IN +
64
OUT
128
64
C1
IN =
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
显示元件值标称。
4
邮政信箱655303
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TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
TL08_C
TL08_AC
TL08_BC
电源电压VCC + （见注1 ）
电源电压VCC - （见注1 ）
差分输入电压， VID （见注2 ）
输入电压，VI （见注1和3 ）
输出短路持续时间（见注4 ）
连续总功率耗散
工作自由空气的温度范围， TA
，D封装（ 8针）
，D封装（ 14引脚）
封装（ 14引脚）
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5和6）
NS封装（ 14引脚）
P封装（ 8针）
PS封装（ 8针）
PW封装（ 8针）
PW封装（ 14引脚）
工作结温
外壳温度60秒， TC
从案例焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）
60秒
FK包装
J或JG包
0到70
97
86
76
80
85
95
149
113
150
113
150
150
150
260
300
°C
°C
°C
85
95
18
18
±
30
±
15
无限
TL08_I
18
18
±
30
±
15
无限
- 40-85
97
86
76
° C / W
TL084Q
18
18
±
30
±
15
无限
- 40 125
TL08_M
18
18
±
30
±
15
无限
- 55 125
°C
单位
V
V
V
V
见耗散额定值表
存储温度范围， TSTG
- 65 150 - 65 150 - 65 150 - 65 150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.输入电压的大小不得超过电源电压或15 V ，以较低者为准的幅度。
4.可以将输出短路到地或以任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以保证
额定功耗不超标。
5.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） / θJA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
额定功耗表
包
D（ 14针）
FK
J
JG
TA
≤
25°C
额定功率
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
降额
因素
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
减额
以上TA
60°C
88°C
88°C
69°C
TA = 70℃
额定功率
604毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
672毫瓦
TA = 85°C
额定功率
490毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
546毫瓦
TA = 125°C
额定功率
186毫瓦
273毫瓦
273毫瓦
210毫瓦
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达拉斯，德克萨斯州75265
5
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
D
低功耗
D
宽共模和差
D
D
D
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 ％典型值
D
D
D
D
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
描述/订购信息
该TL08x JFET输入运算放大器系列，旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好，高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率，低输入偏置和失调电流，低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08x家庭中。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从-40 ° C到85°C操作。在Q-后缀器件的特点是操作温度范围为-40 ° C至125°C 。
后缀为M的器件的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
75管
SOIC （ D）
0 ° C至70℃
15毫伏
SOP （PS）的
SOP （ NS ）
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2000年卷
150管
2000年卷
TSSOP （ PW ）
90管
2000年卷
订购
产品型号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
TL081CD
TL081CDR
TL082CD
TL082CDR
TL084CD
TL084CDR
TL081CPSR
TL082CPSR
TL084CNSR
TL082CPW
TL082CPWR
TL084CPW
TL084CPWR
T084
T082
TL084C
T081
T082
TL084
TL082C
TL081C
TOP- SIDE
记号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
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请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2004年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
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SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
描述/订购信息（续）
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
6毫伏
75管
SOIC （ D）
2500卷
50管
2500卷
SOP （PS）的
0 ° C至70℃
SOP （ NS ）
PDIP （ P）
PDIP （ N）
2000年卷
2000年卷
50管
50管
25管
75管
3毫伏
SOIC （ D）
2500卷
75管
2500卷
50管
2500卷
50管
PDIP （ P）
PDIP （ N）
50管
25管
75管
2500卷
-40 ° C至85°C
6毫伏
SOIC （ D）
75管
2500卷
50管
2500卷
TSSOP （ PW ）
-40_C到125_C
9毫伏
9毫伏
-55 ° C至125°C
6毫伏
SOIC （ D）
CDIP （J ）
LCCC （ FK ）
CDIP （ JG ）
LCCC （ FK ）
2000年卷
50管
2500卷
25管
55卷
50管
55管
订购
产品型号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
TL081ACD
TL081ACDR
TL082ACD
TL082ACDR
TL084ACD
TL084ACDR
TL082ACPSR
TL084ACNSR
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
TL081BCD
TL081BCDR
TL082BCD
TL082BCDR
TL084BCD
TL084BCDR
TL081IP
TL082IP
TL084IN
TL081ID
TL081IDR
TL082ID
TL082IDR
TL084ID
TL084IDR
TL082IPWR
TL084QD
TL084QDR
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084QD
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084I
Z082
TL082I
TL081I
TL084BC
TL081IP
TL082IP
TL081IN
082BC
081BC
TL084AC
T082A
TL084A
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
082AC
081AC
TOP- SIDE
记号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
2
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JFET输入运算放大器
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TL081 ， TL081A ， TL081B
D， P或PS包装
（ TOP VIEW ）
TL082 ， TL082A ， TL082B
D， JG ，P ， PS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
TL084 ， TL084A ， TL084B
D， J，N ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC - 无内部连接
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TL082M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL084M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC
NC
3英寸+
NC - 无内部连接
TL081
TL082 （每个放大器）
TL084 （每个放大器）
+
OUT
IN +
IN =
+
OUT
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
NC - 无内部连接
符号
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
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2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
3
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JFET输入运算放大器
示意图（每个放大器）
VCC +
IN +
64
OUT
128
64
C1
IN =
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
显示元件值标称。
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JFET输入运算放大器
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在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
TL08_C
TL08_AC
TL08_BC
电源电压VCC + （见注1 ）
电源电压VCC - （见注1 ）
差分输入电压， VID （见注2 ）
输入电压，VI （见注1和3 ）
输出短路持续时间（见注4 ）
连续总功率耗散
工作自由空气的温度范围， TA
，D封装（ 8针）
，D封装（ 14引脚）
封装（ 14引脚）
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5和6）
NS封装（ 14引脚）
P封装（ 8针）
PS封装（ 8针）
PW封装（ 8针）
PW封装（ 14引脚）
工作结温
外壳温度60秒， TC
从案例焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）
60秒
FK包装
J或JG包
0到70
97
86
76
80
85
95
149
113
150
113
150
150
150
260
300
°C
°C
°C
85
95
18
18
±
30
±
15
无限
TL08_I
18
18
±
30
±
15
无限
- 40-85
97
86
76
° C / W
TL084Q
18
18
±
30
±
15
无限
- 40 125
TL08_M
18
18
±
30
±
15
无限
- 55 125
°C
单位
V
V
V
V
见耗散额定值表
存储温度范围， TSTG
- 65 150 - 65 150 - 65 150 - 65 150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.输入电压的大小不得超过电源电压或15 V ，以较低者为准的幅度。
4.可以将输出短路到地或以任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以保证
额定功耗不超标。
5.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） / θJA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
额定功耗表
包
D（ 14针）
FK
J
JG
TA
≤
25°C
额定功率
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
降额
因素
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
减额
以上TA
60°C
88°C
88°C
69°C
TA = 70℃
额定功率
604毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
672毫瓦
TA = 85°C
额定功率
490毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
546毫瓦
TA = 125°C
额定功率
186毫瓦
273毫瓦
273毫瓦
210毫瓦
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TAJC334K016R
TLZ18C
TR2906SZ35
TL58WF160Q
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型号
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10000
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联系人：销售部1部
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23000
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