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TL080 , TL081 , TL082 , TL084 , TL081A , TL082A , TL084A
TL081B , TL082B , TL084B , TL082Y , TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081A - D2297 , 1977年2月修订的1992年11月
24 DEVICES范围涵盖商业,工业和军用温度范围内
低功耗
宽共模和差
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 %典型值
TL080
D,P ,或PW包
( TOP VIEW )
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
内部频率补偿(除
TL080 , TL080A )
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
TL082 , TL082A , TL082B
D, JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
TL081 , TL081A , TL081B
D, JG ,P或PW包装
( TOP VIEW )
1
2
3
4
8
7
6
5
N1/COMP
IN =
IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
COMP
OFFSET N1
V
CC +
IN =
IN +
OUT
V
CC –
偏移N2
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1 OUT
1年 -
1 IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2 OUT
2年 -
2 IN +
TL081M 。 。 。 FK包装
( TOP VIEW )
TL082M 。 。 。 FK包装
( TOP VIEW )
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1年 -
NC
1 IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1 OUT
NC
VCC +
NC
NC
2 OUT
NC
2年 -
NC
TL084M 。 。 。 FK包装
( TOP VIEW )
NC
VCC-
NC
偏移N2
NC
TL084 , TL084A , TL084B
D, J,N ,或PW包装
( TOP VIEW )
7
8
NC - 无内部连接
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1992年,德州仪器
关于产品符合MIL -STD - 883 , B类,所有的参数都
测试,除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303达拉斯,德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦,得克萨斯州
77251–1443
2 IN-
2 OUT
NC
3 OUT
3 IN-
1 OUT
1年 -
1 IN +
V
CC +
2 IN +
2年 -
2 OUT
1
2
3
4
5
6
14
13
12
11
10
9
4 OUT
4 IN -
4 IN +
V
CC –
3 IN +
3年 -
3 OUT
1 IN +
NC
V
CC +
NC
2 IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1 IN-
1 OUT
NC
4 OUT
4 IN-
4 IN +
NC
VCC =
NC
3 IN +
NC
VCC-
NC
2 IN +
NC
1
TL080 , TL081 , TL082 , TL084 , TL081A , TL082A , TL084A
TL081B , TL082B , TL084B , TL082Y , TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081A - D2297 , 1977年2月修订的1992年11月
符号
TL080
N1/COMP
OFFSET N1
COMP
IN +
IN +
IN =
偏移N2
+
OUT
偏移N2
IN =
+
OUT
IN =
IN +
+
OUT
TL081
TL082 (每个放大器)
TL084 (每个放大器)
描述
该TL08_ JFET输入运算放大器系列,旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好,高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率,低输入偏置和失调电流,低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08_家庭中。
与C后缀的设备类型的特点是操作从0° C至70 ° C,那些与我有后缀
特点是工作在 - 40 ° C至85°C ,而那些用M后缀过的特点进行操作
在整个军用温度范围 - 55 ° C至125°C 。
可选项
VIO
最大
at
25°C
15毫伏
15毫伏
6毫伏
3毫伏
0°C
to
70°C
15毫伏
6毫伏
3毫伏
15毫伏
6毫伏
3毫伏
– 40°C
to
85°C
– 55°C
to
125°C
6毫伏
6毫伏
6毫伏
6毫伏
6毫伏
9毫伏
概要
(D008)
TL080CD
TL081CD
TL081ACD
TL081BCD
TL082CD
TL082ACD
TL082BCD
TL081ID
TL082ID
TL084ID
概要
(D014)
芯片
支架
( FK )
陶瓷的
DIP
(J)
陶瓷的
DIP
( JG )
塑料
DIP
(N)
塑料
DIP
(P)
TL080CP
TL081CP
TL081ACP
TL081BCP
TL082CP
TL082ACP
TL082BCP
TL081IP
TL082IP
TL084IN
TL081MFK
TL082MFK
TL084MFK
TL081MJG
TL082MJG
TL084MJ
TSSOP
( PW )
TL080CPW
TL081CPW
芯片
形式
(Y)
TA
TL082CPW
TL082Y
TL084CD
TL084ACD
TL084BCD
TL084CN
TL084ACN
TL084BCN
TL084CPW
TL084Y
TL084ID
D封装中提供卷带封装。加上R后缀的设备类型(例如, TL080CDR ) 。
2
邮政信箱655303达拉斯,德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦,得克萨斯州
77251–1443
TL080 , TL081 , TL082 , TL084 , TL081A , TL082A , TL084A
TL081B , TL082B , TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081A - D2297 , 1977年2月修订的1992年11月
示意图(每个放大器)
VCC +
IN +
64
OUT
128
N1/COMP
TL080
偏移N2
C1
64
IN =
COMP
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
C1 = 18 pF的对TL081 , TL082 , TL084和只(包括其后缀的版本) 。
显示元件值标称。
邮政信箱655303达拉斯,德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦,得克萨斯州
77251–1443
3
TL082Y
JFET输入双通道运算放大器
SLOS081A - D2297 , 1977年2月修订的1992年11月
芯片信息
这些芯片,如果正确组装,显示类似TL082特性。热压缩或
超声键合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
1 IN +
1年 -
1 OUT
(3)
(2)
(7)
VCC +
(8)
+
+
(4)
VCC =
(5)
(6)
2 IN +
2年 -
(1)
2 OUT
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%
所有尺寸均为MILS
PIN码( 4 )内部连
背侧芯片
4
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邮政信箱1443休斯敦,得克萨斯州
77251–1443
TL084Y
JFET输入四通道运算放大器
SLOS081A - D2297 , 1977年2月修订的1992年11月
芯片信息
这些芯片,如果正确组装,显示类似TL084特性。热压缩或
超声键合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
VCC +
(4)
+
+
+
+
(11)
VCC =
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%
所有尺寸均为MILS
PIN码( 11 )在内部连
背侧芯片
(12)
(13)
4 IN +
4 IN -
(5)
(6)
(8)
3 OUT
2 IN +
2年 -
(1)
1 OUT
1 IN +
1年 -
2 OUT
3 IN +
3年 -
4 OUT
(3)
(2)
(7)
(10)
(9)
(14)
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邮政信箱1443休斯敦,得克萨斯州
77251–1443
5
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