TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
D
低功耗
D
宽共模和差
D
D
D
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 ％典型值
D
D
D
D
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
描述/订购信息
该TL08x JFET输入运算放大器系列，旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好，高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率，低输入偏置和失调电流，低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08x家庭中。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从-40 ° C到85°C操作。在Q-后缀器件的特点是操作温度范围为-40 ° C至125°C 。
后缀为M的器件的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
75管
SOIC （ D）
0 ° C至70℃
15毫伏
SOP （PS）的
SOP （ NS ）
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2000年卷
150管
2000年卷
TSSOP （ PW ）
90管
2000年卷
订购
产品型号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
TL081CD
TL081CDR
TL082CD
TL082CDR
TL084CD
TL084CDR
TL081CPSR
TL082CPSR
TL084CNSR
TL082CPW
TL082CPWR
TL084CPW
TL084CPWR
T084
T082
TL084C
T081
T082
TL084
TL082C
TL081C
TOP- SIDE
记号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2004年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
描述/订购信息（续）
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
6毫伏
75管
SOIC （ D）
2500卷
50管
2500卷
SOP （PS）的
0 ° C至70℃
SOP （ NS ）
PDIP （ P）
PDIP （ N）
2000年卷
2000年卷
50管
50管
25管
75管
3毫伏
SOIC （ D）
2500卷
75管
2500卷
50管
2500卷
50管
PDIP （ P）
PDIP （ N）
50管
25管
75管
2500卷
-40 ° C至85°C
6毫伏
SOIC （ D）
75管
2500卷
50管
2500卷
TSSOP （ PW ）
-40_C到125_C
9毫伏
9毫伏
-55 ° C至125°C
6毫伏
SOIC （ D）
CDIP （J ）
LCCC （ FK ）
CDIP （ JG ）
LCCC （ FK ）
2000年卷
50管
2500卷
25管
55卷
50管
55管
订购
产品型号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
TL081ACD
TL081ACDR
TL082ACD
TL082ACDR
TL084ACD
TL084ACDR
TL082ACPSR
TL084ACNSR
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
TL081BCD
TL081BCDR
TL082BCD
TL082BCDR
TL084BCD
TL084BCDR
TL081IP
TL082IP
TL084IN
TL081ID
TL081IDR
TL082ID
TL082IDR
TL084ID
TL084IDR
TL082IPWR
TL084QD
TL084QDR
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084QD
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084I
Z082
TL082I
TL081I
TL084BC
TL081IP
TL082IP
TL081IN
082BC
081BC
TL084AC
T082A
TL084A
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
082AC
081AC
TOP- SIDE
记号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
2
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TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B
D， P或PS包装
（ TOP VIEW ）
TL082 ， TL082A ， TL082B
D， JG ，P ， PS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
TL084 ， TL084A ， TL084B
D， J，N ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC - 无内部连接
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TL082M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL084M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC
NC
3英寸+
NC - 无内部连接
TL081
TL082 （每个放大器）
TL084 （每个放大器）
+
OUT
IN +
IN =
+
OUT
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
NC - 无内部连接
符号
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
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2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
3
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
示意图（每个放大器）
VCC +
IN +
64
OUT
128
64
C1
IN =
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
显示元件值标称。
4
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TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
TL08_C
TL08_AC
TL08_BC
电源电压VCC + （见注1 ）
电源电压VCC - （见注1 ）
差分输入电压， VID （见注2 ）
输入电压，VI （见注1和3 ）
输出短路持续时间（见注4 ）
连续总功率耗散
工作自由空气的温度范围， TA
，D封装（ 8针）
，D封装（ 14引脚）
封装（ 14引脚）
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5和6）
NS封装（ 14引脚）
P封装（ 8针）
PS封装（ 8针）
PW封装（ 8针）
PW封装（ 14引脚）
工作结温
外壳温度60秒， TC
从案例焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）
60秒
FK包装
J或JG包
0到70
97
86
76
80
85
95
149
113
150
113
150
150
150
260
300
°C
°C
°C
85
95
18
18
±
30
±
15
无限
TL08_I
18
18
±
30
±
15
无限
- 40-85
97
86
76
° C / W
TL084Q
18
18
±
30
±
15
无限
- 40 125
TL08_M
18
18
±
30
±
15
无限
- 55 125
°C
单位
V
V
V
V
见耗散额定值表
存储温度范围， TSTG
- 65 150 - 65 150 - 65 150 - 65 150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.输入电压的大小不得超过电源电压或15 V ，以较低者为准的幅度。
4.可以将输出短路到地或以任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以保证
额定功耗不超标。
5.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） / θJA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
额定功耗表
包
D（ 14针）
FK
J
JG
TA
≤
25°C
额定功率
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
降额
因素
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
减额
以上TA
60°C
88°C
88°C
69°C
TA = 70℃
额定功率
604毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
672毫瓦
TA = 85°C
额定功率
490毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
546毫瓦
TA = 125°C
额定功率
186毫瓦
273毫瓦
273毫瓦
210毫瓦
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5
TL081宽带宽JFET输入运算放大器
1995年12月
TL081宽带JFET
输入运算放大器器
概述
在TL081是一款低成本高速JFET输入运算
放大器具有内部调整的输入偏移电压
（ BI- FET II
TM
技术）设备要求低电源
当前，但保持了较大的增益带宽积
和快速压摆率除了良好的匹配高压
JFET输入设备提供极低的输入偏置和失调
电流的TL081引脚兼容标准
LM741和使用相同的偏移电压调整circuit-
RY这一特性使设计人员能够立即升级
现有的LM741设计的整体性能
的TL081可能的应用，如高速下使用
集成快DA转换器的采样和保持电路
和许多其他电路需要低输入失调电压
低输入偏置电流的高输入阻抗高转换率
和宽频带器件具有低噪声和失调
电压漂移但用于这些要求
被批评LF356建议如果最大供电
电流是很重要的，不过TL081C是更好的
选择
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
内部调整失调电压
低输入偏置电流
低输入噪声电压
低输入噪声电流
宽的增益带宽
高转换率
低电源电流
高输入阻抗
低总谐波失真
V
e
10
R
L
e
10K V
O
e
20 Vp-p的
BW
e
20赫兹
b
20千赫
最低1 f噪声转角
快速建立时间为0 01 ％
15毫伏
50 PA
25纳伏
0
Hz
0 01 pA的
0
Hz
4兆赫
13 V
ms
1 8毫安
10
12
X
k
0 02%
50赫兹
2
ms
典型连接
简化的原理图
TL 8358 - 1
接线图
双列直插式封装
TL 8358 - 2
TL 8358 - 4
订单号TL081CP
见NS包装数N08E
BI- FET II
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL 8358
RRD - B30M125印制在U S A
绝对最大额定值
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压
功率耗散（注1和6 ）
工作温度范围
T
J（下最大）
差分输入电压
g
18V
输入电压范围（注2 ）
输出短路持续时间
存储温度范围
铅温度（焊接10秒）
i
jA
ESD额定值待确定
g
15V
连续
b
65℃，以
a
150 C
670毫瓦
0 ℃
a
70 C
115 C
g
30V
260 C
120 C宽
DC电气特性
（注3）
符号
V
OS
DV
OS
DT
I
OS
I
B
R
IN
A
VOL
参数
输入失调电压
输入的平均TC偏移
电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入阻抗
大信号电压增益
条件
民
R
S
e
10的kX牛逼
A
e
25 C
过温
R
S
e
10的kX
T
j
e
25 C（注34）
T
j
s
70 C
T
j
e
25 C（注34）
T
j
s
70 C
T
j
e
25 C
V
S
e
g
15V牛逼
A
e
25 C
V
O
e
g
10V
L
e
2的kX
过温
V
S
e
g
15V
L
e
10的kX
V
S
e
g
15V
R
S
s
10的kX
（注5 ）
25
15
g
12
g
11
g
13 5
TL081C
典型值
5
最大
15
20
单位
mV
mV
mV
C
100
4
200
8
pA
nA
pA
nA
X
V毫伏
V毫伏
V
V
V
dB
dB
28
mA
10
25
50
10
12
100
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
I
S
输出电压摆幅
输入共模电压
范围
共模抑制比
电源电压抑制比
电源电流
a
15
b
12
70
70
100
100
18
AC电气特性
（注3）
符号
SR
GBW
e
n
i
n
参数
压摆率
增益带宽积
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
条件
民
V
S
e
g
15V牛逼
A
e
25 C
V
S
e
g
15V牛逼
A
e
25 C
T
A
e
25 C R
S
e
100X
f
e
1000赫兹
T
j
e
25 C 2 F
e
1000赫兹
TL081C
典型值
13
4
25
0 01
最大
V
ms
兆赫
nV
0
Hz
pA
0
Hz
单位
注1
对于在升高的温度下操作的设备必须基于120的CW结的热敏电阻降额至环境对于N包
注2
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压
注3
这些规范适用于V
S
e
g
15V和0℃
s
T
A
s
a
70℃ V
OS
I
B
我
OS
在V测量
CM
e
0
注4
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10℃增加的结温度T
j
由于有限的
生产测试时测得的是相关的结点温度在正常操作中的输入偏置电流的结温上升到周围以上
温度的内部功耗P的结果
D
T
j
e
T
A
a
i
jA
P
D
哪里
i
jA
是从结点到环境的热阻使用一个散热器被
建议如果输入偏置电流被保持在最低限度
注5
电源电压抑制比被测量为两个供电幅度增加或者按照通常的做法从同时减小
V
S
e
g
5V至
g
15V
注6
最大功率耗散是由封装特性工作接近最大功率耗散部分定义可能会导致部分操作
外担保限额
2
脉冲响应
小信号反相
小信号同相
TL 8358 - 7
TL 8358 - 13
大信号反相
大信号同相
TL 8358 - 14
TL 8358 - 15
电流限制（R
L
e
100X)
TL 8358 - 16
应用提示
的TL081是一个运算放大器，具有一个内部调整输入
失调电压和JFET输入设备（ BI- FET II ） ，这些
JFET的有较大的反向击穿电压从门
源极和漏极省去了穿过夹子
因此，投入大的差分输入电压可以很容易地
没有大的增加，输入电流被容纳
最大差分输入电压是独立的
电源电压然而无论是输入电压的
应允许超过负电源，因为这
将导致大电流流过这会导致一去
震碎单元
超过上任一输入的负共模极限
将迫使输出到高状态可能引起一个
颠倒的相位的输出
超过两个输入端的负共模限制
将迫使放大器的输出为高电平状态。在两种情况下
并锁存发生自内提高输入回
5
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL082Y ， TL084 ， TL084A ， TL084B ， TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081E - 1977年2月 - 修订1999年2月
D
D
D
D
D
低功耗
宽共模和差
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 ％典型值
D
D
D
D
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
描述
该TL08x JFET输入运算放大器系列，旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好，高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率，低输入偏置和失调电流，低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08x家庭中。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40 ° C至85°C 。在Q-后缀器件的特点是从操作 - 40 ° C至125°C 。
后缀为M的器件的特点是操作上的整个军用温度范围 - 55 ° C至125°C 。
符号
TL081
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
+
OUT
–
IN +
IN =
+
OUT
–
TL082 （每个放大器）
TL084 （每个放大器）
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1999年，德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL082Y ， TL084 ， TL084A ， TL084B ， TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081E - 1977年2月 - 修订1999年2月
TL081M
ü套餐
（ TOP VIEW ）
TL082M
ü套餐
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
IN-
IN +
V
CC–
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC–
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
CC+
2OUT
2IN–
2IN+
TL081 ， TL081A ， TL081B
D， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
TL082 ， TL082A ， TL082B
D， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
TL081M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL082M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
TL084M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL084 ， TL084A ， TL084B
D， J，N ， PW ，或W包装
（ TOP VIEW ）
NC
VCC =
NC
偏移N2
NC
7
8
NC - 无内部连接
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC
–
NC
3英寸+
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
15毫伏
6毫伏
3毫伏
0°C
to
70°C
15毫伏
6毫伏
3毫伏
15毫伏
6毫伏
3毫伏
– 40°C
to
85°C
– 40°C
to
125°C
– 55°C
to
125°C
6毫伏
6毫伏
6毫伏
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
小
概要
(D008)
TL081CD
TL081ACD
TL081BCD
TL082CD
TL082ACD
TL082BCD
—
TL081ID
TL082ID
TL084ID
—
小
概要
(D014)
—
芯片
支架
（ FK ）
—
陶瓷的
DIP
(J)
—
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
塑料
DIP
(N)
—
塑料
DIP
(P)
TL081CP
TL081ACP
TL081BCP
TL082CP
TL082ACP
TL082BCP
—
TL081IP
TL082IP
TSSOP
（ PW ）
TL081CPW
平
PACK
(U)
—
平
PACK
(W)
—
芯片
形式
(Y)
—
TL082Y
TL082CPW
—
TL084CPW
—
—
—
—
TL084CD
TL084ACD
TL084BCD
—
—
—
—
TL084CN
TL084ACN
TL084BCN
TL084Y
—
—
—
—
TL084ID
—
TL084QD
TL081MFK
TL082MFK
TL084MFK
—
—
TL084IN
—
—
—
—
—
—
TL081MJG
TL082MJG
—
—
—
—
TL081MU
TL082MU
—
—
9毫伏
6毫伏
6毫伏
9毫伏
—
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL082Y ， TL084 ， TL084A ， TL084B ， TL084Y
JFET输入运算放大器
—
—
—
—
—
TL084MW
TL084MJ
D封装中提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如， TL081CDR ） 。
SLOS081E - 1977年2月 - 修订1999年2月
3
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL082Y ， TL084 ， TL084A ， TL084B ， TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081E - 1977年2月 - 修订1999年2月
示意图（每个放大器）
VCC +
IN +
64
OUT
128
64
C1
IN =
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
显示元件值标称。
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL082Y ， TL084 ， TL084A ， TL084B ， TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081E - 1977年2月 - 修订1999年2月
TL082Y芯片信息
这些芯片，如果正确组装，显示类似TL082特性。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
(5)
1IN +
1IN -
2OUT
(7)
(3)
(2)
+
VCC +
(8)
(1)
1OUT
–
+
–
(5)
(6)
2IN +
2IN -
61
(8)
(4)
(4)
VCC =
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(1)
61
(2)
(3)
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
TL080 ， TL081 ， TL082 ， TL084 ， TL081A ， TL082A ， TL084A
TL081B ， TL082B ， TL084B ， TL082Y ， TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081A - D2297 ， 1977年2月修订的1992年11月
24 DEVICES范围涵盖商业，工业和军用温度范围内
低功耗
宽共模和差
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 ％典型值
TL080
D，P ，或PW包
（ TOP VIEW ）
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
内部频率补偿（除
TL080 ， TL080A ）
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
TL082 ， TL082A ， TL082B
D， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
TL081 ， TL081A ， TL081B
D， JG ，P或PW包装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
8
7
6
5
N1/COMP
IN =
IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
COMP
OFFSET N1
V
CC +
IN =
IN +
OUT
V
CC –
偏移N2
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1 OUT
1年 -
1 IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2 OUT
2年 -
2 IN +
TL081M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL082M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1年 -
NC
1 IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1 OUT
NC
VCC +
NC
NC
2 OUT
NC
2年 -
NC
TL084M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
VCC-
NC
偏移N2
NC
TL084 ， TL084A ， TL084B
D， J，N ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
7
8
NC - 无内部连接
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1992年，德州仪器
关于产品符合MIL -STD - 883 ， B类，所有的参数都
测试，除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303达拉斯，德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州
77251–1443
2 IN-
2 OUT
NC
3 OUT
3 IN-
1 OUT
1年 -
1 IN +
V
CC +
2 IN +
2年 -
2 OUT
1
2
3
4
5
6
14
13
12
11
10
9
4 OUT
4 IN -
4 IN +
V
CC –
3 IN +
3年 -
3 OUT
1 IN +
NC
V
CC +
NC
2 IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1 IN-
1 OUT
NC
4 OUT
4 IN-
4 IN +
NC
VCC =
NC
3 IN +
NC
VCC-
NC
2 IN +
NC
1
TL080 ， TL081 ， TL082 ， TL084 ， TL081A ， TL082A ， TL084A
TL081B ， TL082B ， TL084B ， TL082Y ， TL084Y
JFET输入运算放大器
SLOS081A - D2297 ， 1977年2月修订的1992年11月
符号
TL080
N1/COMP
OFFSET N1
COMP
IN +
IN +
IN =
偏移N2
+
OUT
–
偏移N2
IN =
+
OUT
–
IN =
–
IN +
+
OUT
TL081
TL082 （每个放大器）
TL084 （每个放大器）
描述
该TL08_ JFET输入运算放大器系列，旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好，高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率，低输入偏置和失调电流，低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08_家庭中。
与C后缀的设备类型的特点是操作从0° C至70 ° C，那些与我有后缀
特点是工作在 - 40 ° C至85°C ，而那些用M后缀过的特点进行操作
在整个军用温度范围 - 55 ° C至125°C 。
可选项
VIO
最大
at
25°C
15毫伏
15毫伏
6毫伏
3毫伏
0°C
to
70°C
15毫伏
6毫伏
3毫伏
15毫伏
6毫伏
3毫伏
– 40°C
to
85°C
– 55°C
to
125°C
6毫伏
6毫伏
6毫伏
6毫伏
6毫伏
9毫伏
包
小
概要
(D008)
TL080CD
TL081CD
TL081ACD
TL081BCD
TL082CD
TL082ACD
TL082BCD
—
TL081ID
TL082ID
TL084ID
—
小
概要
(D014)
芯片
支架
（ FK ）
陶瓷的
DIP
(J)
陶瓷的
DIP
（ JG ）
塑料
DIP
(N)
塑料
DIP
(P)
TL080CP
TL081CP
TL081ACP
TL081BCP
TL082CP
TL082ACP
TL082BCP
—
TL081IP
TL082IP
TL084IN
TL081MFK
TL082MFK
TL084MFK
TL081MJG
TL082MJG
TL084MJ
—
—
—
—
TSSOP
（ PW ）
TL080CPW
TL081CPW
芯片
形式
(Y)
TA
—
—
—
—
—
—
TL082CPW
TL082Y
—
TL084CD
TL084ACD
TL084BCD
—
—
—
—
TL084CN
TL084ACN
TL084BCN
TL084CPW
TL084Y
—
—
—
—
TL084ID
—
—
—
—
—
D封装中提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如， TL080CDR ） 。
2
邮政信箱655303达拉斯，德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州
77251–1443
TL080 ， TL081 ， TL082 ， TL084 ， TL081A ， TL082A ， TL084A
TL081B ， TL082B ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081A - D2297 ， 1977年2月修订的1992年11月
示意图（每个放大器）
VCC +
IN +
64
OUT
128
N1/COMP
TL080
只
偏移N2
C1
64
IN =
COMP
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
C1 = 18 pF的对TL081 ， TL082 ， TL084和只（包括其后缀的版本） 。
显示元件值标称。
邮政信箱655303达拉斯，德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州
77251–1443
3
TL082Y
JFET输入双通道运算放大器
SLOS081A - D2297 ， 1977年2月修订的1992年11月
芯片信息
这些芯片，如果正确组装，显示类似TL082特性。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
1 IN +
1年 -
1 OUT
(3)
(2)
(7)
VCC +
(8)
+
–
+
–
(4)
VCC =
(5)
(6)
2 IN +
2年 -
(1)
2 OUT
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%
所有尺寸均为MILS
PIN码（ 4 ）内部连
背侧芯片
4
邮政信箱655303达拉斯，德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州
77251–1443
TL084Y
JFET输入四通道运算放大器
SLOS081A - D2297 ， 1977年2月修订的1992年11月
芯片信息
这些芯片，如果正确组装，显示类似TL084特性。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
VCC +
(4)
+
–
+
–
+
–
+
–
(11)
VCC =
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%
所有尺寸均为MILS
PIN码（ 11 ）在内部连
背侧芯片
(12)
(13)
4 IN +
4 IN -
(5)
(6)
(8)
3 OUT
2 IN +
2年 -
(1)
1 OUT
1 IN +
1年 -
2 OUT
3 IN +
3年 -
4 OUT
(3)
(2)
(7)
(10)
(9)
(14)
邮政信箱655303达拉斯，德克萨斯州75265
邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州
77251–1443
5
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
D
低功耗
D
宽共模和差
D
D
D
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 ％典型值
D
D
D
D
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
描述/订购信息
该TL08x JFET输入运算放大器系列，旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好，高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率，低输入偏置和失调电流，低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08x家庭中。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从-40 ° C到85°C操作。在Q-后缀器件的特点是操作温度范围为-40 ° C至125°C 。
后缀为M的器件的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
75管
SOIC （ D）
0 ° C至70℃
15毫伏
SOP （PS）的
SOP （ NS ）
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2000年卷
150管
2000年卷
TSSOP （ PW ）
90管
2000年卷
订购
产品型号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
TL081CD
TL081CDR
TL082CD
TL082CDR
TL084CD
TL084CDR
TL081CPSR
TL082CPSR
TL084CNSR
TL082CPW
TL082CPWR
TL084CPW
TL084CPWR
T084
T082
TL084C
T081
T082
TL084
TL082C
TL081C
TOP- SIDE
记号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2004年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
描述/订购信息（续）
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
6毫伏
75管
SOIC （ D）
2500卷
50管
2500卷
SOP （PS）的
0 ° C至70℃
SOP （ NS ）
PDIP （ P）
PDIP （ N）
2000年卷
2000年卷
50管
50管
25管
75管
3毫伏
SOIC （ D）
2500卷
75管
2500卷
50管
2500卷
50管
PDIP （ P）
PDIP （ N）
50管
25管
75管
2500卷
-40 ° C至85°C
6毫伏
SOIC （ D）
75管
2500卷
50管
2500卷
TSSOP （ PW ）
-40_C到125_C
9毫伏
9毫伏
-55 ° C至125°C
6毫伏
SOIC （ D）
CDIP （J ）
LCCC （ FK ）
CDIP （ JG ）
LCCC （ FK ）
2000年卷
50管
2500卷
25管
55卷
50管
55管
订购
产品型号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
TL081ACD
TL081ACDR
TL082ACD
TL082ACDR
TL084ACD
TL084ACDR
TL082ACPSR
TL084ACNSR
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
TL081BCD
TL081BCDR
TL082BCD
TL082BCDR
TL084BCD
TL084BCDR
TL081IP
TL082IP
TL084IN
TL081ID
TL081IDR
TL082ID
TL082IDR
TL084ID
TL084IDR
TL082IPWR
TL084QD
TL084QDR
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084QD
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084I
Z082
TL082I
TL081I
TL084BC
TL081IP
TL082IP
TL081IN
082BC
081BC
TL084AC
T082A
TL084A
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
082AC
081AC
TOP- SIDE
记号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B
D， P或PS包装
（ TOP VIEW ）
TL082 ， TL082A ， TL082B
D， JG ，P ， PS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
TL084 ， TL084A ， TL084B
D， J，N ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC - 无内部连接
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TL082M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL084M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC
NC
3英寸+
NC - 无内部连接
TL081
TL082 （每个放大器）
TL084 （每个放大器）
+
OUT
IN +
IN =
+
OUT
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
NC - 无内部连接
符号
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
3
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
示意图（每个放大器）
VCC +
IN +
64
OUT
128
64
C1
IN =
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
显示元件值标称。
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
TL08_C
TL08_AC
TL08_BC
电源电压VCC + （见注1 ）
电源电压VCC - （见注1 ）
差分输入电压， VID （见注2 ）
输入电压，VI （见注1和3 ）
输出短路持续时间（见注4 ）
连续总功率耗散
工作自由空气的温度范围， TA
，D封装（ 8针）
，D封装（ 14引脚）
封装（ 14引脚）
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5和6）
NS封装（ 14引脚）
P封装（ 8针）
PS封装（ 8针）
PW封装（ 8针）
PW封装（ 14引脚）
工作结温
外壳温度60秒， TC
从案例焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）
60秒
FK包装
J或JG包
0到70
97
86
76
80
85
95
149
113
150
113
150
150
150
260
300
°C
°C
°C
85
95
18
18
±
30
±
15
无限
TL08_I
18
18
±
30
±
15
无限
- 40-85
97
86
76
° C / W
TL084Q
18
18
±
30
±
15
无限
- 40 125
TL08_M
18
18
±
30
±
15
无限
- 55 125
°C
单位
V
V
V
V
见耗散额定值表
存储温度范围， TSTG
- 65 150 - 65 150 - 65 150 - 65 150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.输入电压的大小不得超过电源电压或15 V ，以较低者为准的幅度。
4.可以将输出短路到地或以任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以保证
额定功耗不超标。
5.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） / θJA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
额定功耗表
包
D（ 14针）
FK
J
JG
TA
≤
25°C
额定功率
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
降额
因素
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
减额
以上TA
60°C
88°C
88°C
69°C
TA = 70℃
额定功率
604毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
672毫瓦
TA = 85°C
额定功率
490毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
546毫瓦
TA = 125°C
额定功率
186毫瓦
273毫瓦
273毫瓦
210毫瓦
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达拉斯，德克萨斯州75265
5
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
D
低功耗
D
宽共模和差
D
D
D
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 ％典型值
D
D
D
D
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
描述/订购信息
该TL08x JFET输入运算放大器系列，旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好，高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率，低输入偏置和失调电流，低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08x家庭中。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从-40 ° C到85°C操作。在Q-后缀器件的特点是操作温度范围为-40 ° C至125°C 。
后缀为M的器件的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
75管
SOIC （ D）
0 ° C至70℃
15毫伏
SOP （PS）的
SOP （ NS ）
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2000年卷
150管
2000年卷
TSSOP （ PW ）
90管
2000年卷
订购
产品型号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
TL081CD
TL081CDR
TL082CD
TL082CDR
TL084CD
TL084CDR
TL081CPSR
TL082CPSR
TL084CNSR
TL082CPW
TL082CPWR
TL084CPW
TL084CPWR
T084
T082
TL084C
T081
T082
TL084
TL082C
TL081C
TOP- SIDE
记号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2004年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
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1
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
描述/订购信息（续）
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
6毫伏
75管
SOIC （ D）
2500卷
50管
2500卷
SOP （PS）的
0 ° C至70℃
SOP （ NS ）
PDIP （ P）
PDIP （ N）
2000年卷
2000年卷
50管
50管
25管
75管
3毫伏
SOIC （ D）
2500卷
75管
2500卷
50管
2500卷
50管
PDIP （ P）
PDIP （ N）
50管
25管
75管
2500卷
-40 ° C至85°C
6毫伏
SOIC （ D）
75管
2500卷
50管
2500卷
TSSOP （ PW ）
-40_C到125_C
9毫伏
9毫伏
-55 ° C至125°C
6毫伏
SOIC （ D）
CDIP （J ）
LCCC （ FK ）
CDIP （ JG ）
LCCC （ FK ）
2000年卷
50管
2500卷
25管
55卷
50管
55管
订购
产品型号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
TL081ACD
TL081ACDR
TL082ACD
TL082ACDR
TL084ACD
TL084ACDR
TL082ACPSR
TL084ACNSR
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
TL081BCD
TL081BCDR
TL082BCD
TL082BCDR
TL084BCD
TL084BCDR
TL081IP
TL082IP
TL084IN
TL081ID
TL081IDR
TL082ID
TL082IDR
TL084ID
TL084IDR
TL082IPWR
TL084QD
TL084QDR
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084QD
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084I
Z082
TL082I
TL081I
TL084BC
TL081IP
TL082IP
TL081IN
082BC
081BC
TL084AC
T082A
TL084A
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
082AC
081AC
TOP- SIDE
记号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
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www.ti.com/sc/package 。
2
邮政信箱655303
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TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B
D， P或PS包装
（ TOP VIEW ）
TL082 ， TL082A ， TL082B
D， JG ，P ， PS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
TL084 ， TL084A ， TL084B
D， J，N ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC - 无内部连接
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TL082M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL084M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC
NC
3英寸+
NC - 无内部连接
TL081
TL082 （每个放大器）
TL084 （每个放大器）
+
OUT
IN +
IN =
+
OUT
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
NC - 无内部连接
符号
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
3
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
示意图（每个放大器）
VCC +
IN +
64
OUT
128
64
C1
IN =
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
显示元件值标称。
4
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TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
TL08_C
TL08_AC
TL08_BC
电源电压VCC + （见注1 ）
电源电压VCC - （见注1 ）
差分输入电压， VID （见注2 ）
输入电压，VI （见注1和3 ）
输出短路持续时间（见注4 ）
连续总功率耗散
工作自由空气的温度范围， TA
，D封装（ 8针）
，D封装（ 14引脚）
封装（ 14引脚）
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5和6）
NS封装（ 14引脚）
P封装（ 8针）
PS封装（ 8针）
PW封装（ 8针）
PW封装（ 14引脚）
工作结温
外壳温度60秒， TC
从案例焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）
60秒
FK包装
J或JG包
0到70
97
86
76
80
85
95
149
113
150
113
150
150
150
260
300
°C
°C
°C
85
95
18
18
±
30
±
15
无限
TL08_I
18
18
±
30
±
15
无限
- 40-85
97
86
76
° C / W
TL084Q
18
18
±
30
±
15
无限
- 40 125
TL08_M
18
18
±
30
±
15
无限
- 55 125
°C
单位
V
V
V
V
见耗散额定值表
存储温度范围， TSTG
- 65 150 - 65 150 - 65 150 - 65 150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.输入电压的大小不得超过电源电压或15 V ，以较低者为准的幅度。
4.可以将输出短路到地或以任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以保证
额定功耗不超标。
5.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） / θJA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
额定功耗表
包
D（ 14针）
FK
J
JG
TA
≤
25°C
额定功率
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
降额
因素
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
减额
以上TA
60°C
88°C
88°C
69°C
TA = 70℃
额定功率
604毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
672毫瓦
TA = 85°C
额定功率
490毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
546毫瓦
TA = 125°C
额定功率
186毫瓦
273毫瓦
273毫瓦
210毫瓦
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5
TL081宽带宽JFET输入运算放大器
1995年12月
TL081宽带JFET
输入运算放大器器
概述
在TL081是一款低成本高速JFET输入运算
放大器具有内部调整的输入偏移电压
（ BI- FET II
TM
技术）设备要求低电源
当前，但保持了较大的增益带宽积
和快速压摆率除了良好的匹配高压
JFET输入设备提供极低的输入偏置和失调
电流的TL081引脚兼容标准
LM741和使用相同的偏移电压调整circuit-
RY这一特性使设计人员能够立即升级
现有的LM741设计的整体性能
的TL081可能的应用，如高速下使用
集成快DA转换器的采样和保持电路
和许多其他电路需要低输入失调电压
低输入偏置电流的高输入阻抗高转换率
和宽频带器件具有低噪声和失调
电压漂移但用于这些要求
被批评LF356建议如果最大供电
电流是很重要的，不过TL081C是更好的
选择
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
内部调整失调电压
低输入偏置电流
低输入噪声电压
低输入噪声电流
宽的增益带宽
高转换率
低电源电流
高输入阻抗
低总谐波失真
V
e
10
R
L
e
10K V
O
e
20 Vp-p的
BW
e
20赫兹
b
20千赫
最低1 f噪声转角
快速建立时间为0 01 ％
15毫伏
50 PA
25纳伏
0
Hz
0 01 pA的
0
Hz
4兆赫
13 V
ms
1 8毫安
10
12
X
k
0 02%
50赫兹
2
ms
典型连接
简化的原理图
TL 8358 - 1
接线图
双列直插式封装
TL 8358 - 2
TL 8358 - 4
订单号TL081CP
见NS包装数N08E
BI- FET II
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL 8358
RRD - B30M125印制在U S A
绝对最大额定值
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压
功率耗散（注1和6 ）
工作温度范围
T
J（下最大）
差分输入电压
g
18V
输入电压范围（注2 ）
输出短路持续时间
存储温度范围
铅温度（焊接10秒）
i
jA
ESD额定值待确定
g
15V
连续
b
65℃，以
a
150 C
670毫瓦
0 ℃
a
70 C
115 C
g
30V
260 C
120 C宽
DC电气特性
（注3）
符号
V
OS
DV
OS
DT
I
OS
I
B
R
IN
A
VOL
参数
输入失调电压
输入的平均TC偏移
电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入阻抗
大信号电压增益
条件
民
R
S
e
10的kX牛逼
A
e
25 C
过温
R
S
e
10的kX
T
j
e
25 C（注34）
T
j
s
70 C
T
j
e
25 C（注34）
T
j
s
70 C
T
j
e
25 C
V
S
e
g
15V牛逼
A
e
25 C
V
O
e
g
10V
L
e
2的kX
过温
V
S
e
g
15V
L
e
10的kX
V
S
e
g
15V
R
S
s
10的kX
（注5 ）
25
15
g
12
g
11
g
13 5
TL081C
典型值
5
最大
15
20
单位
mV
mV
mV
C
100
4
200
8
pA
nA
pA
nA
X
V毫伏
V毫伏
V
V
V
dB
dB
28
mA
10
25
50
10
12
100
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
I
S
输出电压摆幅
输入共模电压
范围
共模抑制比
电源电压抑制比
电源电流
a
15
b
12
70
70
100
100
18
AC电气特性
（注3）
符号
SR
GBW
e
n
i
n
参数
压摆率
增益带宽积
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
条件
民
V
S
e
g
15V牛逼
A
e
25 C
V
S
e
g
15V牛逼
A
e
25 C
T
A
e
25 C R
S
e
100X
f
e
1000赫兹
T
j
e
25 C 2 F
e
1000赫兹
TL081C
典型值
13
4
25
0 01
最大
V
ms
兆赫
nV
0
Hz
pA
0
Hz
单位
注1
对于在升高的温度下操作的设备必须基于120的CW结的热敏电阻降额至环境对于N包
注2
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压
注3
这些规范适用于V
S
e
g
15V和0℃
s
T
A
s
a
70℃ V
OS
I
B
我
OS
在V测量
CM
e
0
注4
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10℃增加的结温度T
j
由于有限的
生产测试时测得的是相关的结点温度在正常操作中的输入偏置电流的结温上升到周围以上
温度的内部功耗P的结果
D
T
j
e
T
A
a
i
jA
P
D
哪里
i
jA
是从结点到环境的热阻使用一个散热器被
建议如果输入偏置电流被保持在最低限度
注5
电源电压抑制比被测量为两个供电幅度增加或者按照通常的做法从同时减小
V
S
e
g
5V至
g
15V
注6
最大功率耗散是由封装特性工作接近最大功率耗散部分定义可能会导致部分操作
外担保限额
2
脉冲响应
小信号反相
小信号同相
TL 8358 - 7
TL 8358 - 13
大信号反相
大信号同相
TL 8358 - 14
TL 8358 - 15
电流限制（R
L
e
100X)
TL 8358 - 16
应用提示
的TL081是一个运算放大器，具有一个内部调整输入
失调电压和JFET输入设备（ BI- FET II ） ，这些
JFET的有较大的反向击穿电压从门
源极和漏极省去了穿过夹子
因此，投入大的差分输入电压可以很容易地
没有大的增加，输入电流被容纳
最大差分输入电压是独立的
电源电压然而无论是输入电压的
应允许超过负电源，因为这
将导致大电流流过这会导致一去
震碎单元
超过上任一输入的负共模极限
将迫使输出到高状态可能引起一个
颠倒的相位的输出
超过两个输入端的负共模限制
将迫使放大器的输出为高电平状态。在两种情况下
并锁存发生自内提高输入回
5
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