TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
D
低功耗
D
宽共模和差
D
D
D
电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
低总谐波
失真。 。 。 0.003 ％典型值
D
D
D
D
高输入阻抗。 。 。 JFET输入级
闭锁自由运作
高转换率。 。 。 13 V /μs的典型值
共模输入电压范围
包括V
CC+
描述/订购信息
该TL08x JFET输入运算放大器系列，旨在提供更广泛的选择比以往任何
发达的运算放大器系列。每个JFET输入运算放大器的集成
匹配良好，高电压的JFET和双极晶体管在一个单片集成电路中。这些器件具有
高压摆率，低输入偏置和失调电流，低失调电压温度系数。抵消
调整和外部补偿选项的TL08x家庭中。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从-40 ° C到85°C操作。在Q-后缀器件的特点是操作温度范围为-40 ° C至125°C 。
后缀为M的器件的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
75管
SOIC （ D）
0 ° C至70℃
15毫伏
SOP （PS）的
SOP （ NS ）
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2000年卷
150管
2000年卷
TSSOP （ PW ）
90管
2000年卷
订购
产品型号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
TL081CD
TL081CDR
TL082CD
TL082CDR
TL084CD
TL084CDR
TL081CPSR
TL082CPSR
TL084CNSR
TL082CPW
TL082CPWR
TL084CPW
TL084CPWR
T084
T082
TL084C
T081
T082
TL084
TL082C
TL081C
TOP- SIDE
记号
TL081CP
TL082CP
TL084CN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2004年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
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达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
描述/订购信息（续）
订购信息
TJ
VIOMAX
在255℃
PDIP （ P）
PDIP （ N）
包装
50管
50管
25管
75管
2500卷
6毫伏
75管
SOIC （ D）
2500卷
50管
2500卷
SOP （PS）的
0 ° C至70℃
SOP （ NS ）
PDIP （ P）
PDIP （ N）
2000年卷
2000年卷
50管
50管
25管
75管
3毫伏
SOIC （ D）
2500卷
75管
2500卷
50管
2500卷
50管
PDIP （ P）
PDIP （ N）
50管
25管
75管
2500卷
-40 ° C至85°C
6毫伏
SOIC （ D）
75管
2500卷
50管
2500卷
TSSOP （ PW ）
-40_C到125_C
9毫伏
9毫伏
-55 ° C至125°C
6毫伏
SOIC （ D）
CDIP （J ）
LCCC （ FK ）
CDIP （ JG ）
LCCC （ FK ）
2000年卷
50管
2500卷
25管
55卷
50管
55管
订购
产品型号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
TL081ACD
TL081ACDR
TL082ACD
TL082ACDR
TL084ACD
TL084ACDR
TL082ACPSR
TL084ACNSR
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
TL081BCD
TL081BCDR
TL082BCD
TL082BCDR
TL084BCD
TL084BCDR
TL081IP
TL082IP
TL084IN
TL081ID
TL081IDR
TL082ID
TL082IDR
TL084ID
TL084IDR
TL082IPWR
TL084QD
TL084QDR
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084QD
TL084MJ
TL084FK
TL082MJG
TL082MFK
TL084I
Z082
TL082I
TL081I
TL084BC
TL081IP
TL082IP
TL081IN
082BC
081BC
TL084AC
T082A
TL084A
TL081BCP
TL082BCP
TL084BCN
082AC
081AC
TOP- SIDE
记号
TL081ACP
TL082ACP
TL084ACN
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
2
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TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B
D， P或PS包装
（ TOP VIEW ）
TL082 ， TL082A ， TL082B
D， JG ，P ， PS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
TL084 ， TL084A ， TL084B
D， J，N ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC - 无内部连接
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TL082M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
TL084M 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC
NC
3英寸+
NC - 无内部连接
TL081
TL082 （每个放大器）
TL084 （每个放大器）
+
OUT
IN +
IN =
+
OUT
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
NC - 无内部连接
符号
OFFSET N1
IN +
IN =
偏移N2
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2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
3
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
示意图（每个放大器）
VCC +
IN +
64
OUT
128
64
C1
IN =
1080
VCC =
OFFSET N1
1080
偏移N2
TL081仅
显示元件值标称。
4
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TL081 ， TL081A ， TL081B ， TL082 ， TL082A ， TL082B
TL084 ， TL084A ， TL084B
JFET输入运算放大器
SLOS081G - 1977年2月 - 修订2004年9月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
TL08_C
TL08_AC
TL08_BC
电源电压VCC + （见注1 ）
电源电压VCC - （见注1 ）
差分输入电压， VID （见注2 ）
输入电压，VI （见注1和3 ）
输出短路持续时间（见注4 ）
连续总功率耗散
工作自由空气的温度范围， TA
，D封装（ 8针）
，D封装（ 14引脚）
封装（ 14引脚）
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注5和6）
NS封装（ 14引脚）
P封装（ 8针）
PS封装（ 8针）
PW封装（ 8针）
PW封装（ 14引脚）
工作结温
外壳温度60秒， TC
从案例焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）
60秒
FK包装
J或JG包
0到70
97
86
76
80
85
95
149
113
150
113
150
150
150
260
300
°C
°C
°C
85
95
18
18
±
30
±
15
无限
TL08_I
18
18
±
30
±
15
无限
- 40-85
97
86
76
° C / W
TL084Q
18
18
±
30
±
15
无限
- 40 125
TL08_M
18
18
±
30
±
15
无限
- 55 125
°C
单位
V
V
V
V
见耗散额定值表
存储温度范围， TSTG
- 65 150 - 65 150 - 65 150 - 65 150
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.输入电压的大小不得超过电源电压或15 V ，以较低者为准的幅度。
4.可以将输出短路到地或以任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以保证
额定功耗不超标。
5.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） / θJA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
6.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
额定功耗表
包
D（ 14针）
FK
J
JG
TA
≤
25°C
额定功率
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
降额
因素
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
减额
以上TA
60°C
88°C
88°C
69°C
TA = 70℃
额定功率
604毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
672毫瓦
TA = 85°C
额定功率
490毫瓦
680毫瓦
680毫瓦
546毫瓦
TA = 125°C
额定功率
186毫瓦
273毫瓦
273毫瓦
210毫瓦
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5
放大器和比较器
简讯。 。 。
在过去的二十年中，摩托罗拉不断完善
和更新的集成电路技术，模拟电路
响应于该需求，设计技术和工艺
市场的。较新的增强的性能
运算放大器和比较器已经通过
这些技术，设计创新的应用和
流程。一些早期的设计仍然可以使用，但
新的，性能更高的业务让位
放大器和比较器电路。摩托罗拉已经在率先
JFET输入，低温度系数的输入级，米勒
环路补偿，所有的NPN输出级，双双峰
频率补偿和“内式封装”模拟
微调电阻器，以产生优良的高性能
运算放大器和比较器，在许多操作
从具有低输入失调，低噪声单电源供电的情况下，
低功耗，高输出摆幅，高压摆率和高
增益带宽积以合理的成本提供给客户。
现今的运算放大器和比较发现
在各个细分市场的应用，包括电机控制，
仪器仪表，航空航天，汽车，通讯，
医疗和消费产品。
页面
运算放大器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-2
单。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-2
双。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-3
四。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-4
一伏特
SMARTMOS
轨到轨双
运算放大器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-6
高频放大器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-7
AGC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-7
杂类放大器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-8
双极性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-8
CMOS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-8
比较器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-9
单。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-9
双。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-9
四。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-9
包装概览。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.1-10
摩托罗拉硕士选型指南
4.1–1
模拟和接口集成电路
运算放大器
摩托罗拉提供双极性操作的宽线
放大器以满足广泛的应用。从低成本
行业标准的类型，以高精确度的电路，所述跨度
涵盖一个大范围的表现能力。
这些模拟集成电路可作为单路，双路
在各种温度和四单片器件
范围和封装形式。大多数装置可以在获得
未封装的'芯片'的形式为好。对于价格和交货
芯片上的信息，请联系您的摩托罗拉销售
代表或分销商。
表1.单路运算放大器
IIB
(A)
最大
VIO
（毫伏）
最大
TCVIO
（ μV / ° C）
（ μV /℃）
典型值
IIO
（ nA的）
最大
AVOL
（ V /毫伏）
民
BW
（平均= 1）
（兆赫）
典型值
SR
（平均= 1）
（ V / μs）内
典型值
供应
电压
(V)
民
最大
描述
设备
后缀/
包
无补偿
商业级温度范围（ 0 ° C至+ 70 ° C）
LM301A
LM308A
0.25
7.0
7.5
0.5
10
5.0
50
1.0
25
80
1.0
1.0
0.5
0.3
±3.0
±3.0
±3.0
±18
±18
±22
通用
精确
N / 626 ， D / 751
N / 626 ， D / 751
工业级温度范围（ - 25 ° C至+ 85°C ）
LM201A
0.075
2.0
10
10
50
1.0
0.5
通用
N / 626 ， D / 751
内部补偿
商业级温度范围（ 0 ° C至+ 70 ° C）
LF351
LF411C
MC1436 ，C
MC1741C
MC1776C
MC3476
MC34001
MC34001B
MC34071
MC34071A
MC34080B
MC34081B
MC34181
TL071AC
TL071C
TL081AC
TL081C
200 pA的
200 pA的
0.04
0.5
0.003
0.05
200 pA的
200 pA的
0.5
500 nA的
200 pA的
200 pA的
0.1 nA的
200 pA的
200 pA的
200 pA的
400 pA的
10
2.0
10
6.0
6.0
6.0
10
5.0
5.0
3.0
1.0
1.0
2.0
6.0
10
6.0
15
10
10
12
15
15
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
100 pA的
100 pA的
10
200
3.0
25
100 pA的
100 pA的
75
50
100 pA的
100 pA的
0.05
50 PA
50 PA
100 pA的
200 pA的
25
25
70
20
100
50
25
50
25
50
25
25
25
50
25
50
25
4.0
8.0
1.0
1.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.5
4.5
16
8.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
13
25
2.0
0.5
0.2
0.2
13
13
10
10
55
30
10
13
13
13
13
±5.0
+5.0
±15
±3.0
±1.2
±1.5
±5.0
±5.0
+3.0
+3.0
±5.0
±5.0
±2.5
±5.0
±5.0
±5.0
±5.0
±18
±22
±34
±18
±18
±18
±18
±18
+44
+44
±22
±22
±18
±18
±18
±18
±18
JFET输入
JFET输入，低失调，
低漂移
高压
通用
μPower ，
可编程
低成本，
μPower ，
可编程
JFET输入
JFET输入
高性能
单电源
失
高速， JFET输入
低功耗， JFET输入
低噪声， JFET输入
低噪声， JFET输入
JFET输入
JFET输入
N / 626 ， D / 751
N / 626 ， D / 751
P1 / 626 ， D / 751
P1 / 626 ， D / 751
P1 / 626 ， D / 751
P1/626
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P/626
P/626
D/751
P/626
D/751
汽车级温度范围（ - 40 ° C至+ 85°C ）
MC33071
MC33071A
MC33171
MC33181
0.5
500 nA的
0.1
0.1 nA的
5.0
3.0
4.5
2.0
10
10
10
10
75
50
20
0.05
25
50
50
25
4.5
4.5
1.8
4.0
10
10
2.1
10
+3.0
+3.0
+3.0
±2.5
±0.9
±0.9
+44
+44
+44
±18
±6.0
±6.0
高性能
单电源
低功耗，单电源
低功耗， JFET输入
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
扩展温度范围（ - 40 ° C至+ 105 ° C）
MC33201
250 nA的
9.0
2.0
100
50
2.2
1.0
低V轨至轨
P / 626 ， D / 751
军用温度范围（ - 55 ° C至+ 125°C ）
MC33201
400 nA的
9.0
2.0
200
50
2.2
1.0
低V轨至轨
P / 626 ， D / 751
模拟和接口集成电路
4.1–2
摩托罗拉硕士选型指南
表2双运算放大器
IIB
(A)
最大
VIO
（毫伏）
最大
TCVIO
（ μV /℃）
（ μV / ° C）
典型值
IIO
（ nA的）
最大
BW
SR
AVOL
（平均= 1）（平均= 1）
（ V /毫伏） （ MHz）的
（ V / μs）内
民
典型值
典型值
供应
电压
(V)
民
最大
描述
设备
后缀/
包
内部补偿
商业级温度范围（ 0 ° C至+ 70 ° C）
LF353
LF412C
LF442C
LM358
LM833
MC1458
MC1458C
MC3458
200 pA的
200 pA的
100 pA的
0.25
1.0
0.5
0.7
0.5
10
3.0
5.0
6.0
5.0
6.0
10
10
10
10
10
7.0
2.0
10
10
7.0
100 pA的
100 pA的
50 PA
50
200
200
300
50
25
25
25
25
31.6
20
20
20
4.0
4.0
2.0
1.0
15
1.1
1.1
1.0
13
13
6.0
0.6
7.0
0.8
0.8
0.6
±5.0
+5.0
±5.0
±1.5
+3.0
+2.5
±3.0
±3.0
±1.5
+3.0
±3.0
±3.0
±5.0
±5.0
+3.0
+3.0
±5.0
±5.0
±2.5
±2.5
±2.5
±5.0
±5.0
±5.0
±5.0
±1.5
+3.0
±1.5
+3.0
+3.0
+3.0
±2.0
±18
±18
±18
±18
+36
±18
±18
±18
±18
+36
±22
±18
±18
±18
+44
+44
±22
±22
±18
±18
±18
±18
±18
±18
±18
±18
+36
±18
+36
+44
+44
±18
JFET输入
JFET输入，低失调，
低漂移
低功耗， JFET输入
单电源，
低功耗
低噪声，音频
双MC1741
通用
分离电源，
单电源，
低交越失真
高频
高频
JFET输入
JFET输入
高性能
单电源
高速， JFET输入
失
低功耗， JFET输入
低功耗， JFET输入
低功耗， JFET输入
低噪声， JFET输入
低噪声， JFET输入
JFET输入
JFET输入
N / 626 ， D / 751
N / 626 ， D / 751
N/626
N / 626 ， D / 751
N / 626 ， D / 751
P1/626,
D/751
P1/626,
D/751
P1/626,
D/751
P1/626
P1/626,
D/751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P/626
P/626
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P/626
D/751
P/626
D/751
MC4558AC
MC4558C
MC34002
MC34002B
MC34072
MC34072A
MC34082
MC34083B
MC34182
TL062AC
TL062C
TL072AC
TL072C
TL082AC
TL082C
0.5
0.5
100 pA的
100 pA的
0.5
500 nA的
200 pA的
200 pA的
0.1 nA的
200 pA的
200 pA的
200 pA的
200 pA的
200 pA的
400 pA的
5.0
6.0
10
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
6.0
15
6.0
10
6.0
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
200
200
100 pA的
70 pA的
75
50
100 pA的
100 pA的
0.05
100 pA的
200 pA的
50 PA
50 PA
100 pA的
200 pA的
50
20
25
25
25
50
25
25
25
4.0
4.0
50
25
50
25
2.8
2.8
4.0
4.0
4.5
4.5
8.0
16
4.0
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
1.6
1.6
13
13
10
10
30
55
10
6.0
6.0
13
13
13
13
工业级温度范围（ - 25 ° C至+ 85°C ）
LM258
0.15
5.0
10
30
50
1.0
0.6
拆分或单电源
运算放大器
N / 626 ， D / 751
汽车级温度范围（ - 40 ° C至+ 85°C ）
MC3358
MC33072
MC33072A
MC33076
5.0
0.50
500 nA的
0.5
8.0
5.0
3.0
4.0
10
10
10
2.0
75
75
50
70
20
25
50
25
1.0
4.5
4.5
7.4
0.6
10
10
2.6
拆分或单电源
高性能
单电源
高输出电流
P1/626
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P1/626,
P2/648C,
D/751
P / 626 ， D / 751
N / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
MC33077
MC33078
MC33102
（清醒）
（ SLEEP ）
MC33172
MC33178
MC33182
MC33272A
MC33282
TL062V
1.0
750 nA的
600 nA的
60 nA的
0.10
1.0
2.0
3.0
3.0
4.5
2.0
2.0
1.0
1.0
10
2.0
10
0.56
5.0
10
180
150
60
6.0
20
50
0.05
25 nA的
50 PA
100 pA的
150
31.6
25
15
50
50
25
31.6
50
4.0
37
16
4.6
0.3
1.8
5.0
4.0
5.5
30
2.0
11
7.0
1.7
0.1
2.1
2.0
10
11.5
12
6.0
±2.5
±5.0
±2.5
±2.5
+3.0
±2.0
±2.5
±1.5
±2.5
±2.5
±18
±18
±18
±18
+44
±18
±18
±18
±18
±18
低噪音
低噪音
睡眠模式
微功耗
低功耗，单
供应
高输出电流
低功耗， JFET输入
高性能
低投入，失调JFET
低功耗， JFET输入
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
P / 626 ， D / 751
0.5
3.0
0.1 nA的
3.0
650 nA的
1.0
100 pA的200
V
200 pA的
6.0
摩托罗拉硕士选型指南
4.1–3
模拟和接口集成电路
表2双运算放大器（续）
IIB
(A)
最大
VIO
（毫伏）
最大
TCVIO
（ μV / ° C）
典型值
IIO
（ nA的）
最大
BW
SR
AVOL
（平均= 1）（平均= 1）
（ V /毫伏） （ MHz）的
（ V / μs）内
民
典型值
典型值
供应
电压
(V)
民
±0.9
最大
±6.0
描述
设备
后缀/
包
扩展温度范围（ - 40 ° C至+ 105 ° C）
MC33202
MC33206
MC33502
LM2904
250 nA的
11
2.0
100
50
2.2
1.0
低V轨至轨
RAIL- TO- RAIL
与启用
1.0 V轨至轨
拆分或单电源
P / 626 ， D / 751
P/646,
D/751A
P / 262 ， D751
N / 262 ， D / 751
40 fA的
典型值
0.25
0.5
典型值
10
2.0 （典型值）
7.0
–
50
100
典型值
100
典型值
4.0 （典型值）
1.0
4.0 （典型值）
0.6
+0.9
±1.5
+3.0
+7.0
±13
+26
扩展汽车温度范围（ - 40 ° C至+ 125°C ）
TCA0372
LM2904V
500 nA的
0.25
15
13
20
7.0
50
50
30
100
典型值
1.1
1.0
1.4
0.6
+5.0
±1.5
+3.0
±0.9
+36
±13
+26
±6.0
功率运算放大器，
单电源
拆分或单电源
DP2/648,
DW/751G
N / 626 ， D / 751
军用温度范围（ - 55 ° C至+ 125°C ）
MC33202
400 pA的
11
2.0
200 pA的
50
2.2
1.0
低V轨至轨
P / 626 ， D / 751
表3.四路运算放大器
IIB
(A)
最大
VIO
（毫伏）
最大
TCVIO
（ μV / ° C）
（ μV /℃）
典型值
IIO
（ nA的）
最大
AVOL
（ V /毫伏）
民
BW
（平均= 1）
（兆赫）
典型值
SR
（平均= 1）
（ V / μs）内
典型值
供应
电压
(V)
民
最大
描述
设备
后缀/
包
内部补偿
商业级温度范围（ 0 ° C至+ 70 ° C）
LF347
LF347B
LF444C
LM324 ，A
MC3403
MC4741C
MC34004
MC34004B
MC34074
MC34074A
MC34084
MC34085B
MC34184
TL064AC
TL064C
TL074AC
TL074C
TL084AC
TL084C
200 pA的
200 pA的
100 pA的
0.25
0.5
0.5
200 pA的
200 pA的
0.5
500 nA的
200 pA的
200 pA的
0.1 nA的
200 pA的
200 pA的
200 pA的
200 pA的
200 pA的
400 pA的
10
5.0
10
6.0
10
6.0
10
5.0
5.0
3.0
12
12
10
6.0
15
6.0
10
6.0
15
10
10
10
7.0
7.0
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
100 pA的
100 pA的
50 PA
50
50
200
100 pA的
100 pA的
75
50
100 pA的
100 pA的
0.05
100 pA的
200 pA的
50 PA
50 PA
100 pA的
200 pA的
25
50
25
25
20
20
25
50
25
50
25
25
25
4.0
4.0
50
25
50
25
4.0
4.0
2.0
1.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.5
4.5
8.0
16
4.0
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
13
13
6.0
0.6
0.6
0.5
13
13
10
10
30
55
10
6.0
6.0
13
13
13
13
±5.0
±5.0
±5.0
±1.5
+3.0
±1.5
+3.0
±3.0
±5.0
±5.0
+3.0
+3.0
±5.0
±5.0
±2.5
±2.5
±2.5
±5.0
±5.0
±5.0
±5.0
±1.5
+3.0
±18
±18
±18
±16
+32
±18
+36
±18
±18
±18
+44
+44
±22
±22
±18
±18
±18
±18
±18
±18
±18
±16
+32
JFET输入
JFET输入
低功耗， JFET输入
低功耗
消费
无交叉
失真
四MC1741
JFET输入
JFET输入
高性能
单电源
高速， JFET输入
失
低功耗， JFET输入
低功耗， JFET输入
低功耗， JFET输入
低噪声， JFET输入
低噪声， JFET输入
JFET输入
JFET输入
N/646
N/646
N / 646 ， D / 751A
N / 646 ， D / 751A
P / 646 ， D / 751A
P / 646 ， D / 751A
P/646
P/646
P / 646 ， D / 751A
P / 646 ， D / 751A
P/646,
DW/751G
P/646,
DW/751G
P / 646 ， D / 751A
N / 646 ， D / 751A
N / 646 ， D / 751A
N/646
N/646
N/646
N/646
工业级温度范围（ - 25 ° C至+ 85°C ）
LM224 ，A
0.15
5.0
7.0
30
50
1.0
0.6
分离电源或
单电源
N / 646 ， D / 751A
模拟和接口集成电路
4.1–4
摩托罗拉硕士选型指南
表3.四路运算放大器（续）
IIB
(A)
最大
VIO
（毫伏）
最大
TCVIO
（ μV / ° C）
典型值
IIO
（ nA的）
最大
BW
AVOL
（平均= 1）
（ V /毫伏） （ MHz）的
民
典型值
SR
（平均= 1）
（ V / μs）内
典型值
供应
电压
(V)
民
±1.5
+3.0
+3.0
+3.0
±5.0
+3.0
±2.0
±2.5
±1.5
±2.5
±2.5
±0.9
±0.9
+1.8
±1.5
+3.0
最大
±18
+36
+44
+44
±18
+44
±18
±18
±18
±18
±18
±6.0
±6.0
+12
±13
+26
描述
设备
后缀/
包
汽车级温度范围（ - 40 ° C至+ 85°C ）
MC3303
MC33074
MC33074A
MC33079
MC33174
MC33179
MC33184
MC33274A
MC33284
TL064V
0.5
0.5
500 nA的
750 nA的
0.1
0.5
0.1 nA的
650 nA的
100 pA的
200 pA的
8.0
4.5
3.0
2.5
4.5
3.0
10
1.0
2.0
9.0
10
10
10
2.0
10
2.0
10
0.56
5.0
10
75
75
50
150
20
50
0.05
25 nA的
50 PA
100 pA的
20
25
50
31.6
50
50
25
31.6
50
4.0
1.0
4.5
4.5
9.0
1.8
5.0
4.0
5.5
30
2.0
0.6
10
10
7.0
2.1
2.0
10
11.5
12
6.0
迪FF erential
通用
高性能，
单电源
高性能
低噪音
低功耗，单
供应
高输出电流
低功耗， JFET输入
高性能
低投入，失调JFET
低功耗， JFET输入
P / 646 ， D / 751A
P / 646 ， D / 751A
P / 646 ， D / 751A
N / 646 ， D / 751A
P / 646 ， D / 751A
P / 646 ， D / 751A
P / 646 ， D / 751A
P / 646 ， D / 751A
P / 646 ， D / 751A
N / 646 ， D / 751A
扩展温度范围（ - 40 ° C至+ 105 ° C）
MC33204
MC33207
MC33304
LM2902
250 nA的
13
2.0
100
50
50
25
15
2.2
2.2
3.0
1.0
1.0
低V轨至轨
轨至轨启用
Sleepmode ，轨到轨
差分低功耗
P / 646 ， D / 751A
P / 648 ， D / 751B
P / 646 ， D / 751A
N / 646 ， D / 751A
0.5
10
–
50
0.6
扩展汽车温度范围（ - 40 ° C至+ 125°C ）
LM2902V
0.5
13
–
50
15
1.0
0.6
±1.5
+3.0
±0.9
±13
+26
±6.0
差分低功耗
N / 646 ， D / 751A
军用温度范围（ - 55 ° C至+ 125°C ）
MC33204
400 pA的
13
2.0
200 pA的
50
2.2
1.0
低V轨至轨
P / 646 ， D / 751A
摩托罗拉硕士选型指南
4.1–5
模拟和接口集成电路
TL081
TL081A - TL081B
通用J- FET
单路运算放大器
.
.
.
.
.
.
.
宽共模（高达V
CC+
）和
差分电压范围
低输入偏置和失调电流
输出短路保护
高输入阻抗J- FET输入
舞台
内部频率补偿
闭锁自由运作
高压摆率： 16V / μs（典型值）
N
DIP8
（塑料包装）
D
SO8
（塑料Micropackage ）
描述
该TL081 ， TL081A和TL081B是高速
结合J-FET inputsingle operationalamplifiers
很好的匹配，高压J-FET和双极晶体管
器在一个单片集成电路中。
该devicesfeaturehigh摆率，低输入偏置和
偏置电流，低失调电压温度
系数。
引脚连接
（ TOP VIEW ）
订购代码
产品型号
TL081M/AM/BM
TL081I/AI/BI
TL081C/AC/BC
温度
范围
–55 C, +125 C
–40 C, +105 C
0
o
C, +70
o
C
o
o
o
o
包
N
D
例如： TL081CD ， TL081IN
1
2
3
4
8
7
6
5
1
2
3
4
5
6
7
8
-
-
-
-
-
-
-
-
偏移空1
反相输入
非反相输入端
-
V
CC
偏移空2
产量
+
V
CC
北卡罗来纳州
1998年12月
1/9
TL081 - TL081A - TL081B
原理图
V
CC
非反相
输入
INVER婷
输入
100
200
产量
100
30k
8.2k
1.3k
35k
1.3k
3 5k
100
V
CC
偏移NULL1
偏移NULL2
输入失调电压电路NULL
TL081
N1
N2
100k
V
CC
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
i
V
id
P
合计
T
OPER
电源电压 - （注1 ）
输入电压 - （注3）
差分输入电压 - （注2 ）
功耗
输出短路持续时间 - （注4 ）
工作自由空气的温度范围
TL081C,AC,BC
TL081I,AI,BI
TL081M,AM,BM
参数
价值
±18
±15
±30
680
无限
0到70
-40至105
-55至125
-65到150
o
单位
V
V
V
mW
C
T
英镑
注意事项：
存储温度范围
o
C
1.所有电压值，除了差分电压，是
+
相对于电源电压的零参考电平（地），其中所述
零的参考电平为V之间的中点
CC
和V
CC–
.
2.差分电压是在相对于反相输入端的非反相输入端。
3.输入电压的大小不得超过电源电压或15伏，以较低者为准的幅度。
4.可以将输出短路到地或以任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以保证
额定功耗不超标。
2/9
TL081 - TL081A - TL081B
电气特性
V
CC
=
±15V,
T
AMB
= 25
o
C（除非另有说明）
符号
V
io
参数
输入失调电压（R
S
= 50)
o
TL081
T
AMB
= 25 C
TL081A
TL081B
TL081
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
TL081A
TL081B
输入失调电压漂移
输入失调电流*
o
T
AMB
= 25 C
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入偏置电流*
o
T
AMB
= 25 C
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
大信号电压增益（R
L
=为2kΩ ，V
O
=
±10V)
T
AMB
= 25
o
C
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
电源电压抑制比（R
S
= 50)
o
T
AMB
= 25 C
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
电源电流，空载
T
AMB
= 25
o
C
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入共模电压范围
共模抑制比（R
S
= 50)
o
T
AMB
= 25 C
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输出短路电流
o
T
AMB
= 25 C
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输出电压摆幅
o
T
AMB
= 25 C
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
SR
t
r
K
OV
英镑
R
i
THD
e
n
m
R
L
R
L
R
L
R
L
=
=
=
=
2k
10k
2k
10k
±11
50
25
80
80
TL081I,M,AC,AI,
上午， BC， BI ， BM
分钟。
典型值。
3
3
1
马克斯。
10
6
3
13
7
5
分钟。
TL081C
典型值。
3
马克斯。
mV
10
13
V/
C
100
4
400
20
pA
nA
pA
nA
V / MV
200
25
15
70
70
2.5
2.5
±11
200
dB
86
86
mA
1.4
+15
-12
86
1.4
+15
-12
86
mA
10
10
10
12
10
12
8
40
60
60
10
10
10
12
10
12
8
40
60
60
V
12
13.5
12
13.5
2.5
2.5
V
dB
80
80
70
70
o
单位
DV
io
I
io
10
5
100
4
200
20
10
5
I
ib
20
20
A
vd
SVR
I
CC
V
ICM
CMR
IOS
±V
OPP
压摆率（V
in
= 10V ，R
L
=为2kΩ ，C
L
= 100pF的，
o
T
AMB
= 25℃ ，单位增益）
上升时间（V
in
= 20mV的，R
L
=为2kΩ ，C
L
= 100pF的，
T
AMB
= 25
o
C，单位增益）
过冲（V
in
= 20mV的，R
L
=为2kΩ ，C
L
= 100pF的，
o
T
AMB
= 25℃ ，单位增益）
增益带宽积（ F = 100kHz时，
T
AMB
= 25
o
C，V
in
= 10mV的，R
L
=为2kΩ ，C
L
= 100pF的）
输入阻抗
总谐波失真（ F = 1kHz时，A
V
= 20分贝，
R
L
=为2kΩ ，C
L
= 100pF电容，T
AMB
= 25
o
C，V
O
= 2V
PP
)
等效输入噪声电压
（ F = 1kHz时，R
s
= 100)
相位裕度
V / μs的
16
0.1
10
2.5
4
10
12
16
0.1
10
兆赫
s
%
2.5
4
10
12
%
0.01
15
45
o
0.01
15
45
nV
Hz
√
度
*输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每10℃增加的结温。
3/9
通过TL081C订购此文件/ D
TL081C,AC
JFET输入运算
放大器器
这些低成本JFET输入运算放大器结合了两种状态， OF-
最先进的单片集成电路线性技术。每
内部补偿的运算放大器具有很好的匹配高压
对于低输入JFET输入器件偏移电压。该BIFET技术
提供宽带宽和快速压摆率，低输入偏置电流，
输入偏置电流和电源电流。
这些器件采用单路，双路和四路运算
放大器，引脚兼容工业标准的MC1741 ，
MC1458和MC3403 / LM324双极型产品。
输入失调6.0 mV值和电压选项15毫伏最大
TL082C,AC
TL084C,AC
JFET输入
运算放大器
半导体
技术参数
低输入偏置电流： 30 pA的
低输入失调电流： 5.0 pA的
宽增益带宽： 4.0 MHz的
高压摆率： 13 V / μs的
低电源电流：每个放大器1.4毫安
高输入阻抗： 1012
8
8
1
1
P后缀
塑料包装
CASE 626
后缀
塑料包装
CASE 751
(SO–8)
引脚连接
订购信息
运算放大器
功能
单身
设备
TL081CD
TL081ACP
TL082CD
双
四
TL082ACP
TL084CN ， ACN
操作
温度范围
TA = 0
°
+70
°
C
TA = 0
°
+70
°
C
TA = 0
°
+70
°
C
偏移空1
包
SO–8
塑料DIP
SO–8
塑料DIP
塑料DIP
INV +输入2
Noninvt输入3
VEE 4
+
8 NC
7 Vcc的
6输出
5偏移空
TL081 （顶视图）
OUTPUT A 1
输入A
2
3
–
+
–
+
8
VCC
VEE 4
7 OUTPUT B
6
输入B
5
TL082 （顶视图）
代表性的电路原理图
（每扩增fi er ）
产量
Q4
Q3
Q6
–
输入
+
J1
J2
Q17
Q20
Q15
Q14
Q21
Q12
Q10
Q13
Q11
Q16
Q9
Q8
Q7
Q25
Q22 Q24
10 pF的
Q19
Q23
24
J3
2.0 k
Q5
Q2
Q1
14
1
VCC
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646
引脚连接
输出1 1
输入1
2
3
4 VCC
输入2
5
6
输出2 7
+
–
–
+
–
+
14输出4
13
12
11 VEE
2
3
+
–
输入4
1
4
10
9
输入3
OFFSET
零
(TL081
只）
Q18
1.5 k
1.5 k
偏置电路
共同所有
放大器器
VEE
8输出3
TL084 （顶视图）
摩托罗拉1997年公司
REV 1
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
1
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
最大额定值
等级
电源电压
差分输入电压
输入电压范围（注1 ）
输出短路持续时间（注2 ）
功耗
塑料包装（N ， P）
减免上述TA = + 47℃
工作环境温度范围
存储温度范围
PD
1/θJA
TA
TSTG
680
10
0至+70
-65到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
符号
VCC
VEE
VID
VIDR
TSC
价值
18
–18
±30
±15
连续
单位
V
V
V
注意事项：
1.输入电压的大小必须不超过电源电压的幅度或
15 V ，以较低者为准。
2.可以将输出短路到地或任一电源。温度和/或电源电压
必须被限制，以保证功率耗散率不超过。
3. ESD数据可根据要求提供。
电气特性
（ VCC = 15 V ， VEE = -15 V， TA = TLOW到大腿[注1 ] 。 ）
特征
输入失调电压（ RS
≤
10 K， VCM = 0 ）
TL081C ， TL082C
TL084C
TL08_AC
输入失调电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
输入偏置电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
大信号电压增益（ VO =
±10
V， RL
≥
2.0 k)
TL08_C
TL08_AC
输出电压摆幅（峰 - 峰）
（ RL
≥
10 k)
（ RL
≥
2.0 k)
符号
VIO
–
–
–
IIO
–
–
IIB
–
–
AVOL
15
25
VO
24
20
–
–
–
–
–
–
–
–
V
–
–
10
7.0
V / MV
–
–
5.0
3.0
nA
–
–
–
20
20
7.5
nA
民
典型值
最大
单位
mV
注意事项：
1. TLOW = 0 ℃下TL081AC ，C
大腿= 70℃ TL081AC
0 ℃下
TL082AC,C
+ 70 ℃下进行
TL082AC,C
0 ℃下
TL084AC,C
+ 70 ℃下进行
TL084AC,C
的JFET输入运算2.输入偏置电流放大器约一倍，每升高10°C的结温，如图3。要保持
结温度接近环境温度成为可能，必须在测试过程中使用的脉冲的技术。
图1.单位增益电压跟随器
图2.翻转10放大器增益
10 k
–
+
VIN
RL = 2.0
CL = 100 pF的
VO
VIN
1.0 k
–
+
VO
RL
CL = 100 pF的
2
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
电气特性
（ VCC = 15 V ， VEE = -15 V， TA = 25 ℃，除非另有说明。 ）
特征
输入失调电压（ RS
≤
10 K， VCM = 0 ）
TL081C ， TL082C
TL084C
TL08_AC
输入失调电压的平均温度系数
RS = 50
,
TA = TLOW到大腿（注1 ）
输入失调电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
输入偏置电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
输入阻抗
共模输入电压范围
TL08_C
TL08_AC
大信号电压增益（ VO =
±10
V， RL
≥
2.0 k)
TL08_C
TL08_AC
输出电压摆幅（峰 - 峰）
（ RL = 10 K）
共模抑制比（ RS
≤
10 k)
TL08_C
TL08_AC
电源电压抑制比（ RS
≤
10 k)
TL08_C
TL08_AC
电源电流（每个放大器）
单位增益带宽
压摆率（见图1）
VIN = 10V， RL = 2.0 K， CL = 100 pF的
上升时间（见图1 ）
过冲（ VIN = 20 mV时， RL = 2.0 K， CL = 100 pF的）
等效输入噪声电压
卢比= 100
,
F = 1000赫兹
声道分离
AV = 100
符号
VIO
–
–
–
V
IO / ΔT
IIO
–
–
IIB
–
–
ri
VICR
–
±10
±11
25
50
VO
CMRR
70
80
PSRR
70
80
ID
BW
SR
tr
OS
en
CS
–
–
–
–
–
–
–
100
100
1.4
4.0
13
0.1
10
25
120
–
–
2.8
–
–
–
–
–
–
mA
兆赫
V / μs的
s
%
内华达州/
√
Hz
dB
100
100
–
–
dB
24
30
30
1012
15, –12
15, –12
150
150
28
400
200
–
–
–
V / MV
–
–
–
V
dB
V
5.0
5.0
200
100
pA
–
5.0
5.0
3.0
10
15
15
6.0
–
μV/°C
pA
民
典型值
最大
单位
mV
AVOL
注意事项：
1. TLOW = 0 ℃下TL081AC ，C
大腿= 70℃ TL081AC
0 ℃下
TL082AC,C
+ 70 ℃下进行
TL082AC,C
0 ℃下
TL084AC,C
+ 70 ℃下进行
TL084AC,C
的JFET输入运算2.输入偏置电流放大器约一倍，每升高10°C的结温，如图3。要保持
结温度接近环境温度成为可能，必须在测试过程中使用的脉冲的技术。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
3
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
图3.输入偏置电流
与温度的关系
100
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
IIB ，输入偏置电流（ NA）
VCC / VEE =
±15
V
35
30
25
20
15
10
5.0
0
100
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
10 M
±5.0
V
±10
V
VCC / VEE =
±15
V
RL = 2.0
TA = 25°C
（参见图2）
图4.输出电压摆幅
与频率
10
1.0
0.1
0.01
–100 –75
–50
–25
0
25
50
75
100
125 150
TA ，环境温度（ ° C）
男，频率（Hz ）
图5.输出电压摆幅
与负载电阻
40
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
30
20
10
VCC / VEE =
±15
V
TA = 25°C
（参见图2）
40
图6.输出电压摆幅
与电源电压
RL = 2.0
TA = 25°C
30
20
10
5.0
0
0.1
0.2
0.4
0.7 1.0
2.0
4.0
7.0
10
0
0
5.0
10
15
20
RL ，负载阻值（kΩ ）
VCC ， | VEE | ，电源电压（ ± V）
图7.输出电压摆幅
与温度的关系
40
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
35
30
25
20
15
10
5.0
0
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
RL = 2.0
ID ，供应漏电流（毫安）
VCC / VEE =
±15
V
（参见图2）
RL = 10千
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–75
每个放大器图8.电源电流
与温度的关系
VCC / VEE =
±15
V
–50
–25
0
25
50
75
100
125
TA ，环境温度（ ° C）
TA ，环境温度（ ° C）
4
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
图9.大信号电压增益和
相移随频率
108
一个VOL ，开环增益（V / M / V ）
一个VOL ，开环增益（V / M / V ）
107
106
105
104
103
102
101
1.0
1.0
10
100
相移
收益
0°
45°
90°
135°
100多K的1.0M
180°
10 M 100 M
相移（度）
VCC / VEE =
±15
V
RL = 2.0
TA = 25°C
1000
图10.大信号电压增益
与温度的关系
VCC / VEE =
±15
V
VO =
±10
V
RL = 2.0
100
10
1.0 k
10 k
1.0
–100
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
男，频率（Hz ）
TA ，环境温度（ ° C）
恩，等效输入噪声电压（NV /
√
赫兹）
图11.归一压摆率
与温度的关系
1.20
1.15
归一压摆率
1.10
1.05
1.0
0.95
0.90
0.85
0.80
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
图12.等效输入噪声电压
与频率
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.05 0.1
0.5 1.0
男，频率（Hz ）
5.0 10
50 100
VCC / VEE =
±15
V
AV = 10
卢比= 100
TA = 25°C
TA ，环境温度（ ° C）
图13.总谐波失真
与频率
THD ，总谐波失真（ ％ ）
1.0
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0.1
VCC / VEE =
±15
V
AV = 1.0
VO = 6.0 V（ RMS ）
TA = 25°C
0.5
1.0
5.0
10
50
100
男，频率（Hz ）
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
5
通过TL081C订购此文件/ D
TL081C,AC
JFET输入运算
放大器器
这些低成本JFET输入运算放大器结合了两种状态， OF-
最先进的单片集成电路线性技术。每
内部补偿的运算放大器具有很好的匹配高压
对于低输入JFET输入器件偏移电压。该BIFET技术
提供宽带宽和快速压摆率，低输入偏置电流，
输入偏置电流和电源电流。
这些器件采用单路，双路和四路运算
放大器，引脚兼容工业标准的MC1741 ，
MC1458和MC3403 / LM324双极型产品。
输入失调6.0 mV值和电压选项15毫伏最大
TL082C,AC
TL084C,AC
JFET输入
运算放大器
半导体
技术参数
低输入偏置电流： 30 pA的
低输入失调电流： 5.0 pA的
宽增益带宽： 4.0 MHz的
高压摆率： 13 V / μs的
低电源电流：每个放大器1.4毫安
高输入阻抗： 1012
8
8
1
1
P后缀
塑料包装
CASE 626
后缀
塑料包装
CASE 751
(SO–8)
引脚连接
订购信息
运算放大器
功能
单身
设备
TL081CD
TL081ACP
TL082CD
双
四
TL082ACP
TL084CN ， ACN
操作
温度范围
TA = 0
°
+70
°
C
TA = 0
°
+70
°
C
TA = 0
°
+70
°
C
偏移空1
包
SO–8
塑料DIP
SO–8
塑料DIP
塑料DIP
INV +输入2
Noninvt输入3
VEE 4
+
8 NC
7 Vcc的
6输出
5偏移空
TL081 （顶视图）
OUTPUT A 1
输入A
2
3
–
+
–
+
8
VCC
VEE 4
7 OUTPUT B
6
输入B
5
TL082 （顶视图）
代表性的电路原理图
（每扩增fi er ）
产量
Q4
Q3
Q6
–
输入
+
J1
J2
Q17
Q20
Q15
Q14
Q21
Q12
Q10
Q13
Q11
Q16
Q9
Q8
Q7
Q25
Q22 Q24
10 pF的
Q19
Q23
24
J3
2.0 k
Q5
Q2
Q1
14
1
VCC
SUF科幻X
塑料包装
CASE 646
引脚连接
输出1 1
输入1
2
3
4 VCC
输入2
5
6
输出2 7
+
–
–
+
–
+
14输出4
13
12
11 VEE
2
3
+
–
输入4
1
4
10
9
输入3
OFFSET
零
(TL081
只）
Q18
1.5 k
1.5 k
偏置电路
共同所有
放大器器
VEE
8输出3
TL084 （顶视图）
摩托罗拉1997年公司
REV 1
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
1
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
最大额定值
等级
电源电压
差分输入电压
输入电压范围（注1 ）
输出短路持续时间（注2 ）
功耗
塑料包装（N ， P）
减免上述TA = + 47℃
工作环境温度范围
存储温度范围
PD
1/θJA
TA
TSTG
680
10
0至+70
-65到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
符号
VCC
VEE
VID
VIDR
TSC
价值
18
–18
±30
±15
连续
单位
V
V
V
注意事项：
1.输入电压的大小必须不超过电源电压的幅度或
15 V ，以较低者为准。
2.可以将输出短路到地或任一电源。温度和/或电源电压
必须被限制，以保证功率耗散率不超过。
3. ESD数据可根据要求提供。
电气特性
（ VCC = 15 V ， VEE = -15 V， TA = TLOW到大腿[注1 ] 。 ）
特征
输入失调电压（ RS
≤
10 K， VCM = 0 ）
TL081C ， TL082C
TL084C
TL08_AC
输入失调电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
输入偏置电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
大信号电压增益（ VO =
±10
V， RL
≥
2.0 k)
TL08_C
TL08_AC
输出电压摆幅（峰 - 峰）
（ RL
≥
10 k)
（ RL
≥
2.0 k)
符号
VIO
–
–
–
IIO
–
–
IIB
–
–
AVOL
15
25
VO
24
20
–
–
–
–
–
–
–
–
V
–
–
10
7.0
V / MV
–
–
5.0
3.0
nA
–
–
–
20
20
7.5
nA
民
典型值
最大
单位
mV
注意事项：
1. TLOW = 0 ℃下TL081AC ，C
大腿= 70℃ TL081AC
0 ℃下
TL082AC,C
+ 70 ℃下进行
TL082AC,C
0 ℃下
TL084AC,C
+ 70 ℃下进行
TL084AC,C
的JFET输入运算2.输入偏置电流放大器约一倍，每升高10°C的结温，如图3。要保持
结温度接近环境温度成为可能，必须在测试过程中使用的脉冲的技术。
图1.单位增益电压跟随器
图2.翻转10放大器增益
10 k
–
+
VIN
RL = 2.0
CL = 100 pF的
VO
VIN
1.0 k
–
+
VO
RL
CL = 100 pF的
2
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
电气特性
（ VCC = 15 V ， VEE = -15 V， TA = 25 ℃，除非另有说明。 ）
特征
输入失调电压（ RS
≤
10 K， VCM = 0 ）
TL081C ， TL082C
TL084C
TL08_AC
输入失调电压的平均温度系数
RS = 50
,
TA = TLOW到大腿（注1 ）
输入失调电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
输入偏置电流（ VCM = 0 ） （注2 ）
TL08_C
TL08_AC
输入阻抗
共模输入电压范围
TL08_C
TL08_AC
大信号电压增益（ VO =
±10
V， RL
≥
2.0 k)
TL08_C
TL08_AC
输出电压摆幅（峰 - 峰）
（ RL = 10 K）
共模抑制比（ RS
≤
10 k)
TL08_C
TL08_AC
电源电压抑制比（ RS
≤
10 k)
TL08_C
TL08_AC
电源电流（每个放大器）
单位增益带宽
压摆率（见图1）
VIN = 10V， RL = 2.0 K， CL = 100 pF的
上升时间（见图1 ）
过冲（ VIN = 20 mV时， RL = 2.0 K， CL = 100 pF的）
等效输入噪声电压
卢比= 100
,
F = 1000赫兹
声道分离
AV = 100
符号
VIO
–
–
–
V
IO / ΔT
IIO
–
–
IIB
–
–
ri
VICR
–
±10
±11
25
50
VO
CMRR
70
80
PSRR
70
80
ID
BW
SR
tr
OS
en
CS
–
–
–
–
–
–
–
100
100
1.4
4.0
13
0.1
10
25
120
–
–
2.8
–
–
–
–
–
–
mA
兆赫
V / μs的
s
%
内华达州/
√
Hz
dB
100
100
–
–
dB
24
30
30
1012
15, –12
15, –12
150
150
28
400
200
–
–
–
V / MV
–
–
–
V
dB
V
5.0
5.0
200
100
pA
–
5.0
5.0
3.0
10
15
15
6.0
–
μV/°C
pA
民
典型值
最大
单位
mV
AVOL
注意事项：
1. TLOW = 0 ℃下TL081AC ，C
大腿= 70℃ TL081AC
0 ℃下
TL082AC,C
+ 70 ℃下进行
TL082AC,C
0 ℃下
TL084AC,C
+ 70 ℃下进行
TL084AC,C
的JFET输入运算2.输入偏置电流放大器约一倍，每升高10°C的结温，如图3。要保持
结温度接近环境温度成为可能，必须在测试过程中使用的脉冲的技术。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
3
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
图3.输入偏置电流
与温度的关系
100
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
IIB ，输入偏置电流（ NA）
VCC / VEE =
±15
V
35
30
25
20
15
10
5.0
0
100
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
10 M
±5.0
V
±10
V
VCC / VEE =
±15
V
RL = 2.0
TA = 25°C
（参见图2）
图4.输出电压摆幅
与频率
10
1.0
0.1
0.01
–100 –75
–50
–25
0
25
50
75
100
125 150
TA ，环境温度（ ° C）
男，频率（Hz ）
图5.输出电压摆幅
与负载电阻
40
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
30
20
10
VCC / VEE =
±15
V
TA = 25°C
（参见图2）
40
图6.输出电压摆幅
与电源电压
RL = 2.0
TA = 25°C
30
20
10
5.0
0
0.1
0.2
0.4
0.7 1.0
2.0
4.0
7.0
10
0
0
5.0
10
15
20
RL ，负载阻值（kΩ ）
VCC ， | VEE | ，电源电压（ ± V）
图7.输出电压摆幅
与温度的关系
40
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
35
30
25
20
15
10
5.0
0
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
RL = 2.0
ID ，供应漏电流（毫安）
VCC / VEE =
±15
V
（参见图2）
RL = 10千
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–75
每个放大器图8.电源电流
与温度的关系
VCC / VEE =
±15
V
–50
–25
0
25
50
75
100
125
TA ，环境温度（ ° C）
TA ，环境温度（ ° C）
4
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
TL081C ， AC TL082C ，AC TL084C ，AC
图9.大信号电压增益和
相移随频率
108
一个VOL ，开环增益（V / M / V ）
一个VOL ，开环增益（V / M / V ）
107
106
105
104
103
102
101
1.0
1.0
10
100
相移
收益
0°
45°
90°
135°
100多K的1.0M
180°
10 M 100 M
相移（度）
VCC / VEE =
±15
V
RL = 2.0
TA = 25°C
1000
图10.大信号电压增益
与温度的关系
VCC / VEE =
±15
V
VO =
±10
V
RL = 2.0
100
10
1.0 k
10 k
1.0
–100
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
男，频率（Hz ）
TA ，环境温度（ ° C）
恩，等效输入噪声电压（NV /
√
赫兹）
图11.归一压摆率
与温度的关系
1.20
1.15
归一压摆率
1.10
1.05
1.0
0.95
0.90
0.85
0.80
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
图12.等效输入噪声电压
与频率
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.05 0.1
0.5 1.0
男，频率（Hz ）
5.0 10
50 100
VCC / VEE =
±15
V
AV = 10
卢比= 100
TA = 25°C
TA ，环境温度（ ° C）
图13.总谐波失真
与频率
THD ，总谐波失真（ ％ ）
1.0
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0.1
VCC / VEE =
±15
V
AV = 1.0
VO = 6.0 V（ RMS ）
TA = 25°C
0.5
1.0
5.0
10
50
100
男，频率（Hz ）
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
5
QQ：2880707522 复制
