TL05x ， TL05xA ， TL05xY
增强型JFET低偏移
运算放大器
SLOS178 - 1997年2月
D
D
直接升级到TL07x和TL08x的BiFET
运算放大器
更快的压摆率（ 20 V /μs的典型值）无
功耗增加
D
D
片偏移电压的微调
提高DC的性能和精度
牌号有（ 1.5毫伏， TL051A ）
提供TSSOP小外形
设计
描述
该TL05x系列JFET输入运算放大器可欣赏到TL07x改进直流和交流特性
和的BiFET运算放大器TL08x家庭。片上的偏移电压的齐纳修整得到精度
等级低至1.5毫伏（ TL051A ）的直流耦合应用更高的精度。德州仪器改善
的BiFET工艺和优化的设计也得到提高带宽和压摆率，而不增加功耗
消费。该TL05x器件的引脚兼容TL07x和TL08x ，可以用来升级
现有的电路或用于新设计的最佳性能。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗，无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号。他们还配备了比天生好交流响应
双极或CMOS器件具有可比性的功耗。
该TL05x系列旨在提供更高的精度和更好的交流响应比TL08x与低
在TL07x的本底噪声。需要显著加快交流响应设计师或保证更低的噪声应
考虑的BiFET运算放大器的神剑TLE208x和TLE207x系列。
可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
800
V
0 ° C至70℃
1.5毫伏
4毫伏
800
V
- 40 ° C至85°C
1.5毫伏
4毫伏
800
V
- 55 ° C至125°C
1.5毫伏
小
外形
(D)
TL051ACD
TL052ACD
TL051CD
TL052CD
TL054ACD
TL054CD
TL051AID
TL052AID
TL051ID
TL052ID
TL054AID
TL054ID
TL051AMD
TL052AMD
TL051MD
TL052MD
TL054AMD
芯片
支架
（ FK ）
—
—
—
—
—
—
TL051AMFK
TL052AMFK
TL051MFK
TL052MFK
TL054AMFK
—
陶瓷的
DIP
(J)
—
—
—
—
—
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
—
—
—
—
TL051AMJG
TL052AMJG
TL051MJG
TL052MJG
塑料
DIP
(N)
—
TL054ACN
TL054CN
—
TL054AIN
TL054IN
—
塑料
DIP
(P)
TL051ACP
TL052ACP
TL051CP
TL052CP
—
TL051AIP
TL052AIP
TL051IP
TL052IP
—
TL051AMP
TL052AMP
TL051MP
TL052MP
—
—
—
TL051Y
TL052Y
TL054Y
芯片
形成的？
(Y)
TL054AMJ
TL054AMN
TL054MN
4毫伏
TL054MD
TL054MFK
TL054MJ
—
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TL054CDR ） 。
芯片的形式，在25 ℃条件下测定。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1997年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TL05x ， TL05xA ， TL05xY
增强型JFET低偏移
运算放大器
SLOS178 - 1997年2月
描述（续）
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用，必须小心，以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的，负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
该TL05x是在完全指定
±15
V和
±
5五，适用于低电压和/或单电源系统的操作，
推荐运算放大器（ TLC前缀）德州仪器路LinCMOS家庭。当移动
从到的BiFET CMOS放大器，特别要注意的压摆率和带宽
的要求，并且还输出负载。
TL051
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TL052
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TL054
D， J或N包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TL051
FK包装
（ TOP VIEW ）
TL052
FK包装
（ TOP VIEW ）
TL054
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
V
CC –
NC - 无内部连接
NC
偏移N2
NC
NC
2
邮政信箱655303
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
达拉斯，德克萨斯州75265
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
NC
IN =
NC
IN +
NC
3 2 1 20 19
18
4
5
6
7
8
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
3 2 1 20 19
18
4
5
6
7
8
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN +
NC
V
CC +
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC –
NC
3英寸+
TL05x ， TL05xA ， TL05xY
增强型JFET低偏移
运算放大器
SLOS178 - 1997年2月
符号（每个放大器）
–
OUT
IN +
+
VCC +
Q10
Q2
Q3
Q6
Q11
IN +
D1
IN =
JF1
Q4
Q1
另请注意一个
OFFSET N1
偏移N2
R1
R2
R3
Q5
R4
R6
Q8
Q9
R10
D2
JF2
C1
R5
R8
Q14
Q17
Q12
Q13
R7
R9
OUT
Q7
Q16
Q15
JF3
VCC =
注一： OFFSET N1和N2 OFFSET仅适用于TL051x 。
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TL051
20
10
2
1
TL052
34
19
3
2
TL054
62
37
5
4
IN =
等效电路图（每个放大器）
这些数字包括所有四个放大器和所有ESD ，偏置和修剪电路。
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达拉斯，德克萨斯州75265
3
TL05x ， TL05xA ， TL05xY
增强型JFET低偏移
运算放大器
SLOS178 - 1997年2月
TL051Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TL051特性。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
IN +
IN =
OFFSET N1
偏移N2
(3)
(2)
(1)
(5)
+
VCC +
(7)
(6)
OUT
–
(4)
VCC =
63
(5)
(4)
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
(1)
(3)
43
所有尺寸都以密耳。
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
(2)
4
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TL05x ， TL05xA ， TL05xY
增强型JFET低偏移
运算放大器
SLOS178 - 1997年2月
TL052Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TL052特性。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
VCC +
(8)
+
–
+
–
(4)
VCC =
(5)
(6)
2IN +
2IN -
(1)
1OUT
(7)
(6)
(5)
1IN +
1IN -
2OUT
(3)
(2)
(7)
72
(8)
(4)
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
(1)
66
(2)
(3)
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
QQ：2881677436 复制
