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TL03x , TL03xA , TL03xY
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180B - 1997年2月 - 修订1999年2月
D
D
D
直接升级为TL06x低功耗
BiFETs
低功耗。 。 。
6.5毫瓦/通道典型值
片偏移电压的微调
改进的DC性能
( 1.5毫伏, TL031A )
D
D
较高的压摆率和带宽没有
功耗增加
提供TSSOP小外形
设计
描述
该TL03x系列JFET输入运算放大器可提供超过TL06x改进的DC和AC特点
系列低功耗的BiFET运算放大器。片上的偏移电压的齐纳修整得到精度
等级低至1.5毫伏( TL031A )的直流耦合应用更高的精度。德州仪器改善
的BiFET工艺和优化的设计也得到改善带宽和压摆率,而不增加功耗
消费。该TL03x器件的引脚兼容TL06x ,可用于升级现有的
电路或用于新设计的最佳性能。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管没有固有的高输入阻抗
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这种较高的输入阻抗,使TL3x
放大器更适合于具有高阻抗传感器或非常低级别的交流信号的接口。这些设备
还配备了比有可比性功率双极或CMOS器件固有更好的交流响应
消费。
该TL03x系列进行了优化微操作,同时提高了对的性能
TL06x系列。需要显著更快响应的交流应该考虑神剑TLE206x设计师
系列低功耗的BiFET运算放大器。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用,必须小心,以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的,负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426集成,从单一经营的BiFET放大器时,虚拟接地发生器是有用的
耗材。
该TL03x设备在完全指定
±15
V和
±5
五,适用于低电压和/或单电源供电
系统,运算放大器( TLC -前缀)德州仪器路LinCMOS家庭推荐。当
从移动的BiFET和CMOS放大器,应特别注意支付给压摆率,带宽
要求,并输出负载。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从-40 ° C到85°C操作。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围为-55 ° C至125°C 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1999年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TL03x , TL03xA , TL03xY
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180B - 1997年2月 - 修订1999年2月
TL031x , TL031Ax
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TL032x , TL032Ax
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TL034x , TL034Ax
D, J,N ,或PW包装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN-
IN +
V
CC–
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN–
2IN+
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN–
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN–
4IN+
V
CC–
3IN+
3IN–
3OUT
TL031M , TL031AM
FK包装
( TOP VIEW )
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
TL032M , TL032AM
FK包装
( TOP VIEW )
TL034M , TL034AM
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
IN-
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC+
NC
OUT
NC
NC
1IN–
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN–
NC
1IN+
NC
V
CC+
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN–
1OUT
NC
4OUT
4IN–
4IN+
NC
V
CC–
NC
3IN+
2IN–
2OUT
NC
3OUT
3IN–
NC - 无内部连接
V
CC–
NC
偏移N2
NC
2
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NC
VCC-
NC
2IN+
NC
NC
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TL03x , TL03xA , TL03xY
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180B - 1997年2月 - 修订1999年2月
可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
外形
(D)
TL031ACD
TL032ACD
TL031CD
TL032CD
TL034ACD
TL034CD
TL031AID
TL032AID
TL031ID
TL032ID
TL034AID
TL034ID
TL031AMD
TL032AMD
TL031MD
TL032MD
TL034AMD
TL034MD
芯片
支架
( FK )
陶瓷的
DIP
(J)
陶瓷的
DIP
( JG )
塑料
DIP
(N)
塑料
DIP
(P)
TL031ACP
TL032ACP
TL031CP
TL032CP
TSSOP
( PW )
TL031Y
TL032Y
TL034Y
芯片
形成的?
(Y)
0.8毫伏
0 ° C至70℃
1.5毫伏
4毫伏
0.8毫伏
TL034ACN
TL034CN
TL034CPW
TL031AIP
TL032AIP
TL031IP
TL032IP
TL031AMP
TL032AMP
TL031MP
TL032MP
-40 ° C至85°C
1.5毫伏
4毫伏
0.8毫伏
TL031AMFK
TL032AMFK
TL031MFK
TL032MFK
TL034AMFK
TL034MFK
TL031AMJG
TL032AMJG
TL031MJG
TL032MJG
TL034AIN
TL034IN
-55 ° C至125°C
1.5毫伏
4毫伏
TL034AMJ
TL034MJ
TL034AMN
TL034MN
的D和PW包提供卷带封装,并通过增加的R后缀的设备类型(例如, TL034CDR或TL034CPWR )表示。
芯片的形式,在25 ℃条件下测定。
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3
TL03x , TL03xA , TL03xY
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180B - 1997年2月 - 修订1999年2月
符号(每个放大器)
IN-
IN +
+
OUT
等效电路图(每个放大器)
VCC +
Q5
Q2
Q14
D1
Q3
R4
IN +
IN-
JF1 JF2
R3
R6
C1
Q1
(见注一)
OFFSET N1
偏移N2
R1
R2
Q4
Q9
Q12
JF3
JF4
Q15
Q6
Q8 Q10
Q11
OUT
R7
Q17
R8
Q7
R5
Q13
VCC-
Q16
注一: OFFSET N1和N2 OFFSET可仅在TL031 。
4
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TL03x , TL03xA , TL03xY
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180B - 1997年2月 - 修订1999年2月
TL031Y芯片信息
这种芯片中,当正确地组装时,具有与所述TL031C特性。热压缩或
超声波接合可用于掺杂的铝接合焊盘。这些芯片可安装
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
合焊盘分配
VCC +
(7)
+
(4)
VCC-
(6)
OUT
(5)
(6)
(4)
IN +
(3)
IN-
OFFSET N1
(3)
(2)
(1)
(5)
(7)
42
偏移N2
(8)
(1)
(2)
切屑厚度: 15 MILS典型
焊盘: 4
×
4 MILS最低
TJ ( MAX)= 150℃
公差
±10%.
所有尺寸都以密耳。
PIN码( 4 )内部连接
背侧的芯片。
54
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TL031Y
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    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
TL031Y
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