【TK8A65D东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSⅥ ）TK8A65D开关稳压器的应用】,IC型号TK8A65D,TK8A65D PDF资料,TK8A65D经销商,ic,电子元器件-51电子网

TK8A65D

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSⅥ ）

TK8A65D

开关稳压器的应用

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 0.7

（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 4.5 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 10

μA

（最大值）（Ⅴ

= 650 V)

增强型： V

= 2.0 4.0 V（V

= 10 V，I

= 1 mA）的

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

GSS

英镑

等级

650

±30

416

4.5

150

°C

1 ：门

2 ：排水

3 ：源

单位

脉冲（T

1毫秒）

（注1 ）

漏极功耗（TC

25°C)

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复雪崩能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

东芝

―

SC-67

2-10U1B

重量：2.7克（典型值）。

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性

手册（ “注意事项” / ''降级理念与方法“” ）和个人可靠性数据（即

可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至环境

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

2.78

62.5

单位

° C / W

注1 ：确保通道温度不超过150 。

注2 ： V

90 V，T

25 ° C（初始），L

11.5毫亨，R

Ω,

8 A

注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

2009-04-09

TK8A65D

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

关闭

≈

400 V, V

10 V，I

8 A

税

≤

1%, t

μs

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

10 V

4 A

OUT

25 V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±30

V, V

0 V

650 V, V

0 V

10毫安，V

0 V

10 V，I

1毫安

10 V，I

4 A

10 V，I

4 A

民

650

2.0

1.3

典型值。

0.7

4.5

1350

135

100

最大

±1

4.0

0.84

单位

μA

≈

200 V

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

8 A，V

0 V

8 A，V

0 V,

/ DT

100 A / μs的

民

典型值。

1300

最大

1.7

单位

μC

记号

注4 ：根据批号的行标识产品标签的指示

[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以

环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。

RoHS指令是指令2002 /欧洲议会95 / EC和

对2003年1月27日，安理会就使用某些的限制

在电子电气设备中有害物质

注4

K8A65D

产品型号

（或缩写代码）

LOT号

2009-04-09

TK8A65D

– V

常见的来源

25°C

脉冲测试

– V

常见的来源

25°C

8脉冲测试

(A)

漏电流I

6.75

漏电流I

7.5

6.5

VGS

5 V

6.5

6.25

5.5

VGS

5 V

漏源电压

(V)

漏源电压

(V)

– V

常见的来源

VDS

20 V

脉冲测试

– V

(V)

常见的来源

25℃

脉冲测试

(A)

漏电流I

漏源电压

100

= 55

°C

ID = 2将

栅源电压

(V)

栅源电压

(V)

– I

正向转移导纳

(S)

100

DS （ ON）

– I

漏源导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

常见的来源

25°C

脉冲测试

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

= 55

°C

100

VGS

10, 15 V

0.1

100

0.1

100

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

2009-04-09

TK8A65D

DS （ ON）

TC =

100

常见的来源

25°C

脉冲测试

– V

漏源导通电阻

DS （ ON）

(

Ω)

反向漏电流

(A)

常见的来源

VGS

10 V

2.5脉冲测试

1.5

2 A

0.5

0.1

0.6

VGS

0.8

1.0

1.2

1.4

120

160

0.2

0.4

外壳温度

(°C)

漏源电压

(V)

电容 - V

10000

TC =

（PF ）

西塞

1000

栅极阈值电压

(V)

电容

100

科斯

0.1

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

CRSS

常见的来源

1 VDS

10 V

1毫安

脉冲测试

120

160

100

漏源电压

(V)

外壳温度

(°C)

TC =

(V)

500

动态输入/输出

特征

(V)

栅源电压

漏极功耗

(W)

400

VDS

200

漏源电压

300

VDD

100 V

400

200

VGS

常见的来源

8 A

25°C

脉冲测试

100

120

160

200

外壳温度

(°C)

总栅极电荷

（ NC ）

2009-04-09

TK8A65D

– t

归一化瞬态热

阻抗

日（T ）

TH（ CH-C ）

0.2

0.1

Duty=0.5

0.05

0.02

PDM

单脉冲

0.01

税

t/T

RTH （ CH-C ）

2.78 ° C / W

0.01

0.001

10μ

100μ

10m

100m

脉冲宽度

(s)

安全工作区

100

ID MAX（脉冲）

500

– T

10 ID MAX（连续）

1毫秒

雪崩能量

（兆焦耳）

100

μs

400

(A)

300

漏电流

直流操作

25°C

200

0.1

100

* ：单不重复

0.01

脉冲TC = 25℃

曲线必须是

降低额定功率减线性

增加

温度。

100

1000

100

125

150

CHANNEL温辐射（初始）

(°C)

VDSS

0.001

15 V

漏源电压

(V)

测试电路

90 V，L

11.5毫亨

波形

B VDSS

VDSS

VDD

2009-04-09

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