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TK80D08K3
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( U- MOSⅡ )
TK80D08K3
开关稳压器的应用
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 3.6毫欧(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 200 S
低漏电流:I
DSS
= 10
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 75 V)
增强型: V
th
= 2.0 4.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
10.0±0.3
9.5±0.2
A
0.6±0.1
Ф3.65±0.2
单位:mm
3.2 2.8
1.1±0.15
2.8Max.
9.0
15.0±0.3
0.75±0.25
12.8±0.5
4.5±0.2
+0.25
0.57 -0.10
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
75
75
±20
80
320
100
443
80
10
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
0.62±0.15
Ф0.2
M A
2.54
2.54
2.53±0.2
1
2
3
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
1 :门
2 :漏极(散热片)
3 :源
JEDEC
JEITA
东芝
2-10V1A
重量:1.35克(典型值)。
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册( “注意事项” / ''降级理念与方法“” )和个人可靠性数据(即
可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
1.25
83.3
单位
° C / W
° C / W
内部连接
2
注1 :确保通道和铅的温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
=
25 V ,T
ch
=
25℃ ,L-
=
100
μH,
I
AR
=
80 A,R
G
=
1
Ω
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
3
1
2009-09-29
TK80D08K3
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻(注4 )
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSX
V
th
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
I
D
=
40 A
V
OUT
R
L
=
0.75
Ω
V
DS
=
10V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±20
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
75 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
-20 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
40A
V
DS
=
10 V,I
D
=
40 A
75
50
2.0
100
典型值。
3.6
200
8200
770
1140
30
最大
±1
10
4.0
4.5
pF
单位
μA
μA
V
V
S
10 V
ns
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
V
GS
0V
55
4.7
Ω
t
f
V
DD
30 V
1%, t
w
=
10
μs
33
nC
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极( “米勒” )费
门开关充电
t
关闭
Qg
Q
gs1
Q
gd
Q
sw
150
175
40
65
80
V
DD
60 V, V
GS
=
10 V,I
D
=
80A
注4 :
测定铅对峙。
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流(注1 )
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
80 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
80 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
50 A / μs的
典型值。
0.9
60
60
最大
80
320
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
记号
注5 :根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
K80D08K3
产品型号(或缩写代码)
LOT号
注5
请联系您的东芝销售代表了解详细信息,以
环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日,安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
2
2009-09-29
TK80D08K3
I
D
– V
DS
50
10
40
8
6
30
5
5.2
5.5
4.8
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
300
10
6
8
I
D
– V
DS
5.5
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
5.2
5
250
(A)
(A)
ID
漏电流
4.6
200
ID
漏电流
150
4.8
100
4.6
50
VGS
=
4 V
4.2
4.4
20
4.4
10
4.2
VGS
=
4 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
2
4
6
8
10
漏源电压
VDS
(V)
漏源电压
VDS
(V)
I
D
– V
GS
200
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
1
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
160
(V)
VDS
漏源电压
0.8
ID ( A)
120
0.6
漏电流
80
100
40
Tc
= 55°C
0
25
0.4
ID
=
80 A
0.2
40
20
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
VGS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
|Y
fs
| – I
D
1000
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
Tc
= 55°C
100
100
100
25
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
R
DS ( ON)
– I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
漏源导通电阻
RDS
(上)
(mΩ)
10
10
VGS
=
10 V
1
0.1
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
漏极电流ID ( A)
漏极电流ID ( A)
3
2009-09-29
TK80D08K3
R
DS ( ON)
Tc
10
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
40
ID
=
80 A
1000
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
DR
V
DS
反向漏电流IDR ( A)
漏源导通电阻
RDS
(上)
(mΩ)
8
300
10
5
3
100
6
20
30
4
10
1
VGS
=
0
3
2
0
80
40
0
40
80
120
160
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
壳温度( ° C)
漏源电压
VDS
(V)
电容 - V
DS
10000
5
V
th
Tc
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1mA
脉冲测试
栅极阈值电压Vth (V)的
4
(PF )
10000
西塞
电容C
3
2
1000
常见的来源
VGS
=
0 V
F = 1MHz的
Tc
=
25°C
1
10
科斯
1
CRSS
100
0.1
100
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压
VDS
(V)
壳温度( ° C)
P
D
Tc
120
100
动态输入/输出
特征
常见的来源
ID
=
80 A
Ta
=
25°C
脉冲测试
20
漏极功耗PD (W )
80
16
15
30
VDD
=
60V
12
80
VDS
60
漏源电压
40
VGS
20
8
40
20
4
0
25
40
50
120
160
0
0
60
120
180
0
240
壳温度( ° C)
总栅极电荷Qg ( NC)
4
2009-09-29
栅源电压
60
VDS
VGS ( V)
(V)
100
TK80D08K3
r
th
– t
w
归瞬态热阻抗
r
日(T )
/R
TH( CH-C )
10
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
10μ
100μ
1m
10m
100m
单脉冲
PDM
t
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
1.25°C/W
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
1000
ID MAX(脉冲)
*
100 ID MAX(连续)
1毫秒
*
500
100
μs
*
E
AS
– T
ch
E
AS
(兆焦耳)
雪崩能量
VDSS最大
400
漏电流I
D
(A)
300
10
DC OPEATION
Tc
=
25°C
200
1
单脉冲TA = 25 ℃
0.1
曲线必须降低
线性地增加
温度。
1
10
100
0
25
1000
50
75
100
125
150
0.01
0.1
100
通道温度(初始)
T
ch
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
20 V
0V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
测试电路
RG
=
1
Ω
V
DD
=
25 V,L
=
100
μH
波形
E上
=
Ε
1
B VDSS
L
I2
B
VDD
2
VDSS
5
2009-09-29
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TK80D08K3
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TK80D08K3
TOSHIBA/东芝
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TO-220(W)
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TK80D08K3
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TO-220
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
TK80D08K3
VB
25+23+
35500
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TK80D08K3
TOSHIBA
11+
8000
TO-220
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
TK80D08K3
TOSHIBA/东芝
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联系人:李
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TK80D08K3
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