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TK610xx
先进
信息
特点
s
极低的静态电流( 1
A)
s
无需外部元件
s
在延时( 5 %典型值)。
s
±
2 %的电压检测精度
s
微型封装( SOT23-5 )
电压检测器
应用
s
电池供电系统
s
无线电话
s
寻呼机
s
个人通讯设备
s
个人数字助理
描述
该TK610xx家族电压检测器被设计为
提供准确的监测电池电压。这些
低功率CMOS器件无需外部
组件,并以0.1 V步从2.0 V至
5.0 V.
当输入电压达到检测电压,则
输出变低。该检测电压具有
±2
%
精度,并在出厂时设定。当输入电压
为高电平时,输出将保持低电平,直到电压达到
检测电压与迟滞( 3至7 % ) 。
该TK610xx可在一个小型SOT23-5表面
贴装封装。
01S
TK610xx
OUT
VDD
GND
NC
NC
框图
VDD
订购信息
TK610
电压编码
S
OUT
TAPE / REEL CODE
VREF
电压编码*
23 = 2.3 V
25 = 2.5 V
27 = 2.7 V
30 = 3.0 V
33 = 3.3 V
36 = 3.6 V
40 = 4.0 V
41 = 4.1 V
42 = 4.2 V
45 = 4.5 V
TAPE / REEL CODE
TL :带左
GND
*用于其他电压可用性咨询工厂
1999年10月TOKO公司
第1页
TK610xx
绝对最大额定值
所有引脚GND除.............................................. ... 11 V
功率耗散(注4 ) ................................ 400毫瓦
存储温度范围................... -40至+125
°C
工作温度范围...................- 30 80
°C
结温........................................... 150
°C
TK610xx电气特性
T
A
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
符号
V
ERR
HYS
V
DDH
V
DDL
V
DET
V
DET
*
T
t
DR
I
SSL
I
SSM
I
SSH
I
ON1
I
ON2
I
OP1
I
OP1
注1 :
注2 :
注3 :
注4 :
参数
电压精度
迟滞
最大工作电压
最低工作电压
检测电压
温度COEF网络cient
涨传播延迟时间
电源电流( L)
电源电流( M)
电源电流(H )
输出电流( N 1) (注5)
输出电流(N 2) (注5)
输出电流( P 1 )(注6)
输出电流( P 1 )(注6)
测试条件
注1
注2
-2
3
9
典型值
最大
+2
单位
%
%
V
5
7
0.8
-30 ° C
顶部
80 ° C
注3
V
DD
= 1.0 V
V
DD
= 5.0 V,
2.0 V
设定电压
5.0 V
V
DD
= 7.0 V,
4.2 V
设定电压
5.0 V
V
DS
= 0.05 V, V
DD
= 0.8 V
V
DS
= 0.5 V, V
DD
= 1.5 V
V
DS
= 2.1 V, V
DD
= 4.5 V,
2.0 V
设定电压
4.1 V
V
DS
= 2.1 V, V
DD
= 7.0 V,
4.2 V
设定电压
5.0 V
0.01
2.0
2.0
6.0
1.0
1.5
0.05
4.0
4.0
8.0
±100
100
1.0
2.0
3.0
V
PPM /°C的
微秒
A
A
A
mA
mA
mA
mA
V
ERR
= 100 * (V
DET
- 设定电压) /设定电压以%表示,
HYS = 100 * (V
HYS
- V
DET
) / V
DET
以%表示
所施加的电压为V的一个脉冲
= 0.8 V, V
= V
DET
+ 2 V
功耗为400毫瓦,当安装建议。减额在3.2毫瓦/°C的操作25以上
°C.
功耗为200毫瓦的自由空气。减额在1.6毫瓦/°C的操作25以上
°C.
注5 :输出吸收电流。
注6 :输出电流。
第2页
1999年10月TOKO公司
TK610xx
测试电路
OUT
VDD
GND
OUT
VDD
GND
VDD
VDD
图1 :测试电路V
DET
, V
HYS
, V
DDH
,
V
DDL
, t
DR
图3 :测试电路我
SS
OUT
O
V
V
DD
GND
G
OUT
O
V
V
DD
GND
G
VDS
VDS
VDD
VDD
图2 :测试电路我
OP
图4 :测试电路我
ON
1999年10月TOKO公司
第3页
TK610xx
典型性能特性
电源电流
工作电压
8.0
V
= 4.2 V
DET
输出电压
最大
工作电压
7.0
6.0
Vout的(V)的
VDET = 4.2 V
2.0
1.5
国际直拨电话( μA )
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.0
0.0
1.0
2.0 3.0 4.0
Vdd的(V)的
5.0 6.0
7.0
0.0
0.0
1.0
2.0 3.0 4.0
Vdd的(V)的
5.0 6.0
7.0
输出灌CURRRENT
输出电压
20.0
V
DD
= 2.5 V
输出源CURRRENT
工作电压
12.0
10.0
V
V
DS
DS
DS
= 2.5 V
= 2.0 V
= 1.5 V
15.0
IOUT N(毫安)
V
DD
= 2.0 V
IOUT P (MA )
8.0
6.0
4.0
V
10.0
V
= 1.5 V
V
DS
= 1.0 V
5.0
DD
V
2.0
DS
= 0.5 V
0.0
0.0
V
= 1.0V
DD
1.0
VDS ( V)
2.0
3.0
0.0
4.0
6.0
Vdd的(V)的
8.0
10.0
4.4
4.35
VDET VHYS ( V)
4.3
4.25
4.2
检测电压与
迟滞
温度
1
传播延迟时间
输出电容
V
HYS
时间Td( ms)的
TDF
0.1
TDR
V
DET
4.15
-50
0
Vdd的(V)的
50
100
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
COUT ( μF )
第4页
1999年10月TOKO公司
TK610xx
定义和解释技术术语的
检测电压(V
DET
)
当V
DD
低于检测电压时,输出
变低。
滞后电压(V
HYS
)
当V
DD
去上述检测电压的总和
和迟滞电压时,输出变为高电平。
电源电流(I
SSL
)
电源电流(V
DD
= 1 V)
电源电流(I
SSM
)
电源电流(V
DD
= 5 V) 2.0 V
设定电压
4.1 V
电源电流(I
SSH
)
电源电流(V
DD
= 7 V) 4.2
设定电压
5.0 V
输出电流(I
ON1
)
输出N沟道FET输出灌电流
V
DD
= 0.8 V, V
DS
= 0.5 V
输出电流(I
ON2
)
输出N沟道FET输出灌电流
V
DD
= 1.5 V, V
DS
= 0.5 V
输出电流(I
OP1
)
输出P沟道FET输出源电流
V
DD
= 4.5 V, V
DS
= 2.1 V, 2.0 V
设定电压
4.1 V
电压精度(V
ERR
)
组电压的误差率
V
ERR
= 100 * (V
DET
- 设定电压) /设定电压
以%表示
滞后( HYS )
滞后电压的比值来检测电压
HYS = 100 * (V
HYS
- V
DET
) / V
DET
以%表示
最大工作电压(V
DDH
)
最大工作电压。
最低工作电压(V
DDL
)
电压时, V
DD
减小并且输出从0V上升
100毫伏。
检测电压的温度系数
( V
DET
/ V
DET
*
T)
检测电压的温度系数。
V
DET
V
DET
*
T
=
1000000 * (V
DET
(T ) - V
DET
(25
°C))
V
DET
(25
°C)
* (T - 25
°C)
RISE传播延迟时间(T
DR
)
为输出到达延迟时间(Ⅴ
DET
+ 2.0 V) / 2
当V
DD
云从V
- 0.8 V到V
= V
DET
+ 2.0 V
1999年10月TOKO公司
第5页
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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