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TK60A08J1
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（超高速U- MOSⅢ ）
TK60A08J1
开关稳压器的应用
高速开关
小栅极电荷：Q
g
= 86 NC （典型值）。
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 6.2毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 120秒（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 75 V)
增强型： V
th
= 1.1 2.3 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
75
75
±20
60
240
45
498
60
2.9
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
-
SC-67
2-10U1B
重量：2.7克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
ratings.Please在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性
测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
2.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
内部连接
2
1
3
注1 ：确保通道&铅温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
=
25 V ，T
ch
=
25℃ ，L-
=
200
μH,
I
AR
=
60 A，R
G
=
1
Ω
注3 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。
此晶体管是静电敏感器件。小心轻放。
1
2009-09-29
TK60A08J1
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
I
D
=
30 A
V
OUT
R
L
=
1
Ω
V
DS
=
10V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
75 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
-20 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
4.5 V，I
D
=
30A
V
GS
=
10 V，I
D
=
30A
V
DS
=
10 V，I
D
=
30 A
民
75
60
1.1
60
典型值。
7.1
6.2
120
5450
320
1260
5
最大
±10
10
2.3
9.3
7.8
pF
单位
μA
μA
V
V
mΩ
S
10 V
ns
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
V
GS
0V
20
4.7
Ω
t
f
V
DD
30 V
税
≤
1%, t
w
=
10
μs
V
DD
60 V, V
GS
=
5 V，I
D
=
60A
V
DD
60 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
60A
V
DD
60 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
60A
15
nC
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
门开关充电
t
关闭
96
48
86
16
20
27
Qg
Q
gs1
Q
gd
Q
SW
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
60 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
60 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
50 A / μs的
民
典型值。
0.9
63
63
最大
60
240
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
记号
注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
没有下划线： [铅] /包括> MCV
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
K60A08J
1
产品型号（或缩写代码）
LOT号
注4
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日，安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
2
2009-09-29
TK60A08J1
I
D
– V
DS
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
8
160
3.75
60
5
200
4.5
4
8
10
4.5
5
I
D
– V
DS
4.25
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
4
80
(A)
ID
ID
(A)
120
3.75
漏电流
40
3.5
漏电流
80
3.5
20
3.25
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
40
3.25
3
0
2
4
6
8
10
0
0
漏源电压
VDS
(V)
漏源电压
VDS
(V)
I
D
– V
GS
200
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
1
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
160
(V)
VDS
漏源电压
0.8
ID （ A）
120
0.6
漏电流
80
100
25
Tc
= 55°C
0.4
ID
=
60 A
40
0.2
30
15
0
0
1
2
3
4
5
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
VGS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
|Y
fs
| – I
D
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
R
DS （ ON）
– I
D
100
100
Tc
= 55°C
25
100
漏源导通电阻RDS
（上）
(mΩ)
1000
正向转移导纳
Y
fs
(S)
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
VGS
=
4.5 V
10
10
1
0.1
1
1
10
100
1000
1
10
100
漏极电流ID （ A）
漏极电流ID （ A）
3
2009-09-29
TK60A08J1
R
DS （ ON）
Tc
20
.
1000
I
DR
V
DS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
漏源导通电阻RDS
（上）
(mΩ)
常见的来源
脉冲测试
ID
=
60 A
30
15
16
反向漏电流IDR （ A）
300
100
10
3
30
5
12
60
30
15
VGS = 10V
8
VGS = 4.5V
10
4
3
1
0
0
80
40
0
40
80
120
160
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
壳温度（ ° C）
漏源电压
VDS
(V)
电容 - V
DS
10000
西塞
5
V
th
Tc
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1mA
脉冲测试
栅极阈值电压Vth （V）的
4
（PF ）
电容C
3
1000
科斯
2
100
0.1
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
10
1
CRSS
100
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压
VDS
(V)
壳温度（ ° C）
P
D
Tc
80
100
动态输入/输出
特征
常见的来源
ID
=
60 A
Ta
=
25°C
脉冲测试
20
漏极功耗PD （W ）
(V)
80
16
60
VDS
60
VDS
12
40
漏源电压
30V
40
VDD
=
15V
20
VGS
4
60V
8
20
0
0
40
80
120
160
200
0
0
20
40
60
80
0
100
壳温度（ ° C）
总栅极电荷Qg （ NC）
4
2009-09-29
栅源电压
VGS （ V）
TK60A08J1
r
th
– t
w
归瞬态热阻抗
r
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
10
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
PDM
t
0.01 0.01
T
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
2.78°C/W
0.001
10μ
100μ
1½
10½
100½
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
1000
ID MAX（脉冲）
*
100
ID MAX（连续）
1毫秒
*
100
μs
*
500
E
AS
– T
ch
E
AS
（兆焦耳）
雪崩能量
400
漏电流I
D
(A)
300
10
DC OPEATION
Tc
=
25°C
1
200
100
0.1
※
单脉冲TA = 25 ℃
曲线必须降低
线性地增加
温度。
0
25
VDSS最大
10
100
50
75
100
125
150
通道温度（初始）
T
ch
(°C)
0.01
0.1
1
漏源电压
V
DS
(V)
20 V
5
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
测试电路
RG
=
1
Ω
V
DD
=
25 V，L
=
200
μH
波形
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDSS
VDD
5
2009-09-29
查看更多TK60A08J1PDF信息
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THS4021ID
TLC1542QFN
T494C106M016AS
TC1303B-CO2EUNTR
TX517
TAJA104J016S
TL2575-33INE4
TD62388APG
TEA1752LT
TSC80C51TXXX-16AB
TA0795A
TK11350BMIB
TPS312XKXXDBV
TSC80C31XXX-30MA
TS39103CP550
TSC80C51-36ABR/883
TSC2101
TLR1002
TSC80C51-20MGB/883
THS7
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    TK60A08J1
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