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TK5A55D
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSⅥ ）
TK5A55D
开关稳压器的应用
Ф3.2
±
0.2
10
±
0.3
单位：mm
2.7
±
0.2
A
3.9 3.0
1.14
±
0.15
2.8 MAX 。
2.54
1
2 3
2.6
±
0.1
13
±
0.5
0.69
±
0.15
Ф0.2
M A
2.54
0.64
±
0.15
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.4
Ω （典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 2.4 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 550 V)
增强型： V
th
= 2.4 4.4 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
550
±30
5
20
35
165
5
3.5
150
55
150
单位
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
15.0
±
0.3
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
JEDEC
JEITA
东芝
SC-67
2-10U1B
重量：2.7克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人可靠性数据（即
可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
2
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.57
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
11.4毫亨，R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
5 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
3
1
2010-08-27
4.5
±
0.2
TK5A55D
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
V
DD
≈
200 V
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≈
400 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
5 A
税
≤
1%, t
w
=
10
μs
55
11
6
5
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
GS
0V
10 V
I
D
=
2.5 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±30
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
550 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
2.5 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
2.5 A
民
550
2.4
0.6
典型值。
1.4
2.4
540
3
60
18
40
8
最大
±1
10
4.4
1.7
pF
单位
μA
μA
V
V
Ω
S
ns
50
Ω
R
L
=
80
Ω
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
5 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
5 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
1000
6
最大
5
20
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 ：根据批号的行标识产品标签的指示
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令是指令2002 /欧洲议会95 / EC和
对2003年1月27日，安理会就使用某些的限制
有害物质在电气和电子设备。
K5A55D
产品型号
（或缩写代码）
LOT号
注4
2
2010-08-27
TK5A55D
I
D
– V
DS
5
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
10
8
7
8
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
8
7.5
I
D
– V
DS
4
(A)
ID
3
ID
(A)
6.5
6
7
漏电流
2
6
1
漏电流
4
6.5
6
VGS
=
5.5V
5.5
VGS
=
5 V
2
0
0
2
4
6
8
10
0
0
10
20
30
40
50
漏源电压
VDS
(V)
漏源电压
VDS
(V)
I
D
– V
GS
10
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
20
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
(V)
VDS
漏源电压
8
16
ID （ A）
6
12
ID
=
5 A
漏电流
4
25
2
100
Tc
= 55
°C
8
4
2.5
1.3
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
VGS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
|Y
fs
| – I
D
(S)
10
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
10
常见的来源
VGS
=
10 V
Tc
=
25°C
脉冲测试
R
DS （ ON）
– I
D
|Y
fs
|
正向转移导纳
Tc
= 55
°C
25
1
100
漏源导通电阻
的RDS（ON ）（ Ω ）
10
100
1
0.1
0.1
1
0.1
0.1
1
10
100
漏极电流ID （ A）
漏极电流ID （ A）
3
2010-08-27
TK5A55D
R
DS （ ON）
Tc
5
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
DR
V
DS
漏源导通电阻
的RDS（ON ）（ Ω ）
4
反向漏电流IDR （ A）
10
3
5
2.5
2
ID
=
1.3 A
1
1
10
5
0
3
0.3
1
0.6
VGS
=
0 V
0.9
1.2
1.5
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
壳温度（ ° C）
漏源电压
VDS
(V)
电容 - V
DS
10000
5
V
th
Tc
VTH （V）的
（PF ）
1000
4
西塞
栅极阈值电压
电容C
3
100
科斯
2
10
常见的来源
VGS
=
0 V
F = 1MHz的
Tc
=
25°C
1
10
1
CRSS
1
0.1
100
0
80
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1mA
脉冲测试
40
0
40
80
120
160
漏源电压
VDS
(V)
壳温度（ ° C）
P
D
Tc
50
500
动态输入/输出
特征
20
漏极功耗PD （W ）
(V)
40
400
200
VDD
=
100 V
16
漏源电压
20
200
VGS
100
8
常见的来源
ID
=
5 A
Tc
=
25°C
4
脉冲测试
10
0
0
40
80
120
160
0
0
4
8
12
16
20
0
壳温度（ ° C）
总栅极电荷Qg （ NC）
4
2010-08-27
栅源电压
30
300
400
12
VGS （ V）
VDS
VDS
TK5A55D
r
th
– t
w
归瞬态热阻抗
r
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
10
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
PDM
t
0.01
0.01
T
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
3.57 ° C / W
0.001
10μ
100μ
1m
10m
100m
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
200
E
AS
– T
ch
ID MAX（脉冲）
*
10
100
μs
*
ID MAX（连续）
1毫秒
*
E
AS
（兆焦耳）
雪崩能量
160
120
漏电流I
D
(A)
1
直流操作
Tc
=
25°C
80
0.1
40
0
25
0.01
*
单脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性地增加
温度。
1
10
50
75
100
125
150
通道温度（初始）
VDSS最大
100
1000
T
ch
(°C)
0.001
0.1
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
测试电路
RG
=
25
Ω
V
DD
=
90 V，L
=
11.4毫亨
电波表
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
5
2010-08-27
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TSR5100
TSB43DB42GHC
T15N1024A
TISP4200H4BJR-S
TL5580IPW
TMS320C6211FZ120
TPS77833
TBU-KE040-500-WH
TMP82C54M
TS3V3702ID
TLP3123
TNY278PN
TLE2074IDW
TR250-120T-RA
TPS61107RGE
TUSB8040PFP
TC1303B-EF3EMF
TB0316A
TL431AIDG
TK11280BUIB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    联系人：杨小姐
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    TK5A55D
    -
    -
    -
    -
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
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TK5A55D
TOSHIBA/东芝
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TK5A55D
TOSHIBA/东芝
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联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
TK5A55D
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联系人：陈佳隆
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TOSHIBA/东芝
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21000
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电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
TK5A55D
TOSHIBA/东芝
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20000
NA
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TOSHIBA/东芝
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联系人：李
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TOSHIBA/东芝
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TOS
2024
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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TOSHIBA/东芝
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联系人：朱成平
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