TK5A45DA
MOSFET的
硅N沟道MOS ( π - MOS )
TK5A45DA
1.应用
开关稳压器
2.特点
(1)
(2)
(3)
(4)
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 1.52
(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 1.5 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 10
A
(最大值) (Ⅴ
DS
= 450 V)
增强型: V
th
= 2.4 4.4 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
3.包装和内部电路
1 :栅极(G)
2 :漏极(D )
3 :源极(S )
TO-220SIS
25
4.绝对最大额定值(注) (T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
通道温度
储存温度
(注3)
(T
c
= 25)
(注2 )
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
450
±30
4.5
18
30
122
4.5
3.0
150
-55到150
W
mJ
A
mJ
A
单位
V
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
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2011-02-14
Rev.2.0
TK5A45DA
7,打标(注)
图。 7.1标志
注意:
下一个批号的行标识产品标签的指示。
没有下划线: [铅] /包括> MCV
下划线: [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如RoHS指令
产品的兼容性。
RoHS指令是对指令2002/95 / EC欧洲议会和2003年1月27日理事会
在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。
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