【TK50P04M1东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOSⅥ -H ）TK50P04M16.】,IC型号TK50P04M1,TK50P04M1 PDF资料,TK50P04M1经销商,ic,电子元器件-51电子网

TK50P04M1

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOSⅥ -H ）

TK50P04M1

6.6

±

0.2

5.34

±

0.13

1.08±0.2

高效率DC - DC转换器应用

开关稳压器

高速开关

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 6.7毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

fs

| = 105 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 10

μA

（最大值）（Ⅴ

DS

= 40 V)

增强型： V

th

= 1.3 2.3 V（V

DS

= 10 V，I

D

= 0.5 mA）的

1.01MAX

单位：mm

0.58MAX

2.3

±

0.1

0.76

±

0.12

0.07

±

0.07

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

=

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

DC

（注1 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

T

ch

T

英镑

等级

40

±20

50

150

60

65

50

4.4

150

55

150

单位

V

A

W

mJ

A

mJ

°C

1

1.

2.

2

3

门

漏

（HEAT

汇）

3. SOURSE

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-7K1A

脉冲（注1 ）

漏极功耗（ TC = 25 ° C）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（ TC = 25 ℃ ）（注3 ）

通道温度

存储温度范围

重量：0.58克（典型值）。

注意：对于注1至3中，参考下页。

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性

手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人可靠性数据（即

可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

1

2009-09-08

1.52

+0.25

0.12

1.14MAX

2.29

6.1

±

0.12

+0.4

10.0

0.6

小栅极电荷：Q

SW

= 9.4 NC （典型值）。

TK50P04M1

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至环境

符号

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

最大

2.08

125

单位

C / W

记号

（注4 ）

TK50P04M

产品型号（或缩写代码）

LOT号

注1 ：通道温度不超过150 ℃，在使用过程中。

注2 ： V

DD

=

32 V ，T

ch

=

25 ° C（初始），L

=

20

μH,

R

G

=

25

Ω,

I

AR

=

50 A

注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注4 ：

*

每周码：（四位数）

制造周

（ 01年第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（最后2位数字的日历年）

2

2009-09-08

TK50P04M1

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

栅极电阻

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

门开关充电

t

f

t

关闭

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSX

V

th

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

rg

t

r

t

on

V

GS

10 V

0V

4.7

Ω

I

D

=

25 A

V

OUT

R

L

=

0.8

Ω

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

5兆赫

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

测试条件

V

GS

= ±20

V, V

DS

=

0 V

V

DS

=

40 V, V

GS

=

0 V

I

D

=

10毫安，V

GS

=

0 V

I

D

=

10毫安，V

GS

= 20

V

DS

=

10 V，I

D

=

0.5毫安

V

GS

=

4.5 V，I

D

=

25 A

V

GS

=

10 V，I

D

=

25 A

V

DS

=

10 V，I

D

=

25 A

民

40

25

1.3

52.5

V

DD

≈

32 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

50 A

典型值。

7.8

6.7

105

2600

110

420

2.5

22

29

10

77

38

20

8.0

5.7

9.4

最大

±100

10

2.3

10.2

8.7

ns

nC

Ω

pF

单位

nA

μA

V

mΩ

S

V

DD

≈

20 V

税

≤

1%, t

w

=

10

μs

V

DD

≈

32 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

50 A

V

DD

≈

32 V, V

GS

=

5 V，I

D

=

50 A

Q

g

Q

gs1

Q

gd

Q

SW

源极 - 漏极额定值和特性

（大

=

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲

（注1 ）

符号

I

DRP

V

DSF

测试条件

I

DR

=

50 A，V

GS

=

0 V

民

典型值。

最大

150

1.2

单位

A

V

3

2009-09-08

TK50P04M1

I

D

– V

DS

50

10

8

4.5

6

40

3.5常见的来源

Ta

=

25°C

脉冲测试

100

共源10

Ta

=

25°C

脉冲测试

I

D

– V

DS

4

4.5

(A)

3.3

80

8

6

3.7

I

D

30

3.2

I

D

60

3.5

漏电流

3.1

20

3

10

VGS

=

2.8 V

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

漏电流

40

3.3

3.2

20

3

0

VGS

=

2.8 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2

漏源电压

V

DS

(V)

漏源电压

V

DS

(V)

I

D

– V

GS

100

V

DS

– V

GS

0.8

常见的来源

Ta

=

25℃

脉冲测试

0.6

(A)

80

I

D

漏源电压

60

漏电流

V

DS

(V)

常见的来源

VDS

=

10 V

脉冲测试

0.4

ID

=

50 A

40

100

20

Ta

= 55°C

25

0.2

12.5

0

25

0

1

2

3

4

5

2

4

6

8

10

栅源电压

V

GS

(V)

栅源电压

V

GS

(V)

Y

fs

– I

D

(S)

1000

常见的来源

VDS

=

10 V

脉冲测试

100

常见的来源

Ta

=

25

℃

脉冲测试

R

DS （ ON）

– I

D

|Y

fs

|

100

Ta

= 55°C

25

10

100

正向转移导纳

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(mΩ)

10

4.5

VGS

=

10 V

1

0.1

1

10

100

1

10

100

漏电流

I

D

(A)

漏电流

I

D

(A)

4

2009-09-08

TK50P04M1

R

DS （ ON）

- TA

20

100

I

DR

– V

DS

(A)

10

常见的来源

脉冲测试

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(mΩ)

16

ID

=

50 A

12

12.5

25

3

4.5

反向漏电流

I

DR

10

1

VGS

=

0 V

8

VGS

=

4.5 V

ID

=

12.5, 25, 50 A

4

VGS

=

10 V

常见的来源

Ta

=

25°C

脉冲测试

1

0

80

40

0

40

80

120

160

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

环境温度

Ta

(

°

C)

漏源电压

V

DS

(V)

电容 - V

DS

10000

3

V

th

- TA

V

th

(V)

栅极阈值电压

（PF ）

西塞

1000

2.5

2

电容

C

科斯

100

常见的来源

VGS

=

0 V

f

=

1兆赫

Ta

=

25°C

10

0.1

1

10

CRSS

1.5

1

常见的来源

VDS

=

10 V

ID

=

0.5毫安

脉冲测试

40

0

40

80

120

160

0.5

100

0

80

漏源电压

V

DS

(V)

环境温度

Ta

(

°

C)

P

D

TC =

100

50

动态输入/输出

特征

20

常见的来源

ID

=

50 A

Ta

=

25°C

16

脉冲测试

VDS

30

VDD

=

8 V

32

20

16

8

12

(W)

(V)

80

P

D

40

V

DS

漏极功耗

漏源电压

40

20

10

VGS

4

0

40

80

120

160

0

10

20

30

40

50

0

外壳温度

Tc

(

°

C)

总栅极电荷

Q

g

（ NC ）

5

2009-09-08

栅源电压

60

V

GS

(V)

TK50P04M1

MOSFET的

硅的N沟道MOS （U- MOS -H）

1.应用

开关稳压器

电机驱动器

2.特点

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

高速开关

低栅极电荷：Q

SW

= 9.4 NC （典型值）。

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 6.7毫欧（典型值）（V

GS

= 10 V)

低漏电流：I

DSS

= 10

A

（最大值）（Ⅴ

DS

= 40 V)

增强型： V

th

= 1.3 2.3 V（V

DS

= 10 V，I

D

= 0.5 mA）的

3.包装和内部电路

1 ：门

2 ：漏极（散热器）

3 ：源

DPAK

4.绝对最大额定值（注）（T

a

= 25

除非另有规定编）

25

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

功耗

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

通道温度

储存温度

(T

c

= 25)

（注2 ）

（注1 ）

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

E

AS

I

AR

T

ch

T

英镑

等级

40

±20

50

150

60

65

50

150

-55到150

W

mJ

A

单位

V

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

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5.热特性

特征

通道到外壳热阻

通道到环境的热阻

符号

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

最大

2.08

125

单位

/W

注1 ：确保通道温度不超过150 。

注2 ： V

DD

= 32 V ，T

ch

= 25 （初始）， L = 20

H,

R

G

= 1.2

,

I

AR

= 50 A

注意：

该晶体管是静电放电敏感，应谨慎处理。

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6，电气特性

6.1 。静态特性（T

a

= 25

除非另有规定编）

25

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSX

V

th

R

DS （ ON）

测试条件

V

GS

=

±20

V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 40 V, V

GS

= 0 V

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0 V

I

D

= 10 mA时， V

GS

= -20 V

V

DS

= 10 V，I

D

- 0.5毫安

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 25 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 25 A

民

40

25

1.3

典型值。

7.8

6.7

最大

±0.1

10

2.3

10.2

8.7

m

V

单位

A

6.2 。动态特性（T

a

= 25

除非另有规定编）

25

特征

输入电容

反向传输电容

输出电容

栅极电阻

切换时间（上升时间）

切换时间（导通时间）

切换时间（下降时间）

切换时间（关断时间）

符号

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

r

g

t

r

t

on

t

f

t

关闭

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0 V ， F = 5兆赫

参见图6.2.1 。

测试条件

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

民

典型值。

2600

110

420

2.5

22

29

10

77

最大

3.8

ns

单位

pF

图。 6.2.1开关时间测试电路

6.3 。栅极电荷特性（T

a

= 25

除非另有规定编）

25

特征

总栅极电荷（栅极 - 源极加

栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅极 - 漏极电荷

门开关充电

符号

Q

g

Q

gs1

Q

gd

Q

SW

测试条件

V

DD

≈

32 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 50 A

V

DD

≈

32 V, V

GS

= 5 V，I

D

= 50 A

V

DD

≈

32 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 50 A

民

典型值。

38

20

8.0

5.7

9.4

最大

单位

nC

25

6.4 。源极 - 漏极特性（T

a

= 25

除非另有规定编）

特征

反向漏电流（脉冲电流）

二极管的正向电压

（注3）

符号

I

DRP

V

DSF

I

DR

= 50 A，V

GS

= 0 V

测试条件

民

典型值。

最大

150

-1.2

单位

A

V

注3 ：确保通道温度不超过150 。

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7，打标

图。 7.1标志

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8.特性曲线（注）

图。 8.1我

D

- V

DS

图。 8.2我

D

- V

DS

图。 8.3我

D

- V

GS

图。 8.4 V

DS

- V

GS

图。 8.5 | Y

fs

| - I

D

图。 8.6

DS （ ON）

- I

D

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