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TK4P50D
硅N沟道MOS型（ π - MOSⅦ ）
开关稳压器的应用
6.6
±
0.2
5.34
±
0.13
1.08±0.2
单位：mm
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.7
（典型值）。
高正向转移导纳：
Y
fs
= 1.5秒（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 500 V)
1.01MAX
0.58MAX
增强型： V
th
= 2.4 4.4 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
500
±30
4
16
80
114
4
8
150
55
150
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
V
V
2.3
±
0.1
0.76
±
0.12
0.07
±
0.07
1
1.
2.
2
3
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
门
漏
（HEAT
汇）
3.源
JEDEC
JEITA
东芝
2-7K1A
重量：0.58克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人可靠性数据（即
可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
1.56
125
单位
2
° C / W
° C / W
注1：请使用上的条件的设备，该通道的温度低于150℃。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 12.1 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AR
= 4 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
3
1/5
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1.52
+0.25
0.12
1.14MAX
2.29
6.1
±
0.12
+0.4
10.0
0.6
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≈
400 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
4 A
税
≤
1%, t
w
=
10 s
V
DD
≈
200 V
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
I
D
=
6 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±30
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
500 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
2 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
2 A
民
500
2.4
0.4
典型值。
1.7
1.5
380
3
45
15
35
7
55
9
5
4
最大
±1
10
4.4
2
pF
单位
A
A
V
V
Ω
S
ns
50
Ω
R
L
=
100
Ω
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
4 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
4 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
800
4.4
最大
4
16
1.7
单位
A
A
V
ns
C
记号
（注4 ）
TK4P50D
产品型号（或缩写代码）
批号（每周代码）
注4 ：
每周码： （四位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（日历年的最后2digits ）
2/5
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I
D
– V
DS
4
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
9
10
8
7.5
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
D
– V
DS
10
9
(A)
(A)
漏电流I
D
3.2
7
6.4
漏电流I
D
7.5
4.8
7
3.2
6.5
1.6
6
VGS
=
5.5 V
2.4
6.5
1.6
6
0.8
VGS
=
5.5 V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
8
16
24
32
40
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
V
DS
(V)
10
15
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25℃
脉冲测试
(A)
8
12
漏电流I
D
漏源电压
6
9
ID
=
4 A
4
25
2
100
Tc
= 55
°C
6
2
3
1
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
10
R
DS （ ON）
– I
D
100
正向转移导纳
Y
fs
(S)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
Tc
= 55
°C
1
100
25
VGS
=
10, 15 V
1
0.1
0.1
1
10
0.1
0.1
1
10
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3/5
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R
DS （ ON）
TC =
6
100
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
DR
– V
DS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(
Ω)
4.8
4
3.6
2
ID
=
1 A
反向漏电流
I
DR
(A)
10
10
5
1
2.4
1.2
3
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.3
1
0.6
VGS
=
0 V
0.9
1.2
1.5
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
- V
DS
10000
5
V
th
TC =
栅极阈值电压
V
th
(V)
（PF ）
1000
西塞
4
C
3
电容
100
科斯
10
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
10
CRSS
2
常见的来源
1 VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
0
80
1
0.1
100
漏源电压
V
DS
(V)
40
0
40
80
120
160
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
TC =
V
DS
(V)
100
500
动态输入/输出
特征
(V)
栅源电压
V
GS
20
漏极功耗
P
D
(W)
80
400
VDS
200
VDD
=
100 V
400
16
漏源电压
60
300
12
40
200
常见的来源
VGS
100
ID
=
4 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
20
4
0
0
40
80
120
160
0
0
4
8
12
0
16
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
4/5
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r
th
– t
w
归一化瞬态热
阻抗
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
10
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
单脉冲
PDM
t
T
0.02
0.01
10μ
0.01
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
1.56 ° C / W
1m
10m
100m
1
10
100μ
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
150
E
AS
– T
ch
10
(A)
ID MAX（连续）
100
μs
*
雪崩能量
E
AS
（兆焦耳）
ID MAX（脉冲）
*
120
90
I
D
1
漏电流
直流操作
Tc
=
25°C
1毫秒
*
60
0.1
30
0.01
* ：单不重复
曲线必须降低
线性地增加
温度。
VDSS最大
脉冲TC = 25℃
0
25
50
75
100
125
150
CHANNEL温辐射（初始）
T
ch
(°C)
15 V
0V
V
DD
B
VDSS
I
AR
V
DS
0.001
1
10
100
1000
漏源电压
V
DS
(V)
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
90 V，L
=
12.1毫亨
波形
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
VDD
2
VDSS
5/5
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T0P243G
TC50300
TZL100-4824
TPS622314
TMP82C265BF
TM133FUB
TVX1A471MAA
TK71328MTL
TSC80C51-16ABR/883
TMS370C036AYYZ
TV15C280J-G
TC1303B-EL2EUNTR
TMS320C6414TZLZ7
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    TK4P50D
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