【TK40P03M1MOSFET的硅的N沟道MOS （U- MOS -H）TK40P03M11.应用D】,IC型号TK40P03M1,TK40P03M1 PDF资料,TK40P03M1经销商,ic,电子元器件-51电子网

TK40P03M1

MOSFET的

硅的N沟道MOS （U- MOS -H）

TK40P03M1

1.应用

DC- DC转换器

台式电脑

2.特点

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

高速开关

低栅极电荷：Q

= 5.7 NC （典型值）。

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 8.3毫欧（典型值）（V

= 10 V)

低漏电流：I

DSS

= 10

（最大值）（Ⅴ

= 30 V)

增强型： V

= 1.3 2.3 V（V

= 10 V，I

= 0.1 mA）的

3.包装和内部电路

1 ：门

2 ：漏极（散热器）

3 ：源

DPAK

4.绝对最大额定值（注）（T

= 25

除非另有规定编）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

功耗

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

通道温度

储存温度

= 25)

（注2 ）

（注1 ）

符号

DSS

GSS

英镑

等级

±20

120

150

-55到150

单位

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

2011-09-28

Rev.1.0

TK40P03M1

5.热特性

特征

通道到外壳热阻

通道到环境的热阻

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

3.78

125

单位

注1 ：确保通道温度不超过150 。

注2 ： V

= 24 V ，T

= 25 （初始）， L = 20

= 25

= 40 A

注意：

该晶体管是静电放电敏感，应谨慎处理。

2011-09-28

Rev.1.0

TK40P03M1

6，电气特性

6.1 。静态特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

测试条件

±20

V, V

= 0 V

= 30 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 mA时， V

= -20 V

= 10 V，I

- 0.1毫安

= 4.5 V，I

= 20 A

= 10 V，I

= 20 A

民

1.3

典型值。

11.1

8.3

最大

±0.1

2.3

14.4

10.8

单位

6.2 。动态特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

输入电容

反向传输电容

输出电容

栅极电阻

切换时间（上升时间）

切换时间（导通时间）

切换时间（下降时间）

切换时间（关断时间）

符号

国际空间站

RSS

OSS

关闭

= 10 V, V

= 0 V ， F = 5兆赫

参见图6.2.1 。

测试条件

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

民

典型值。

1150

260

2.9

最大

4.4

单位

图。 6.2.1开关时间测试电路

6.3 。栅极电荷特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

总栅极电荷（栅极 - 源极加

栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅极 - 漏极电荷

门开关充电

符号

gs1

测试条件

≈

24 V, V

= 10 V，I

= 40 A

≈

24 V, V

= 5 V，I

= 40 A

≈

24 V, V

= 10 V，I

= 40 A

民

典型值。

17.5

9.4

4.1

3.5

5.7

最大

单位

6.4 。源极 - 漏极特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

反向漏电流（脉冲电流）

二极管的正向电压

（注3）

符号

DRP

DSF

= 40 A，V

= 0 V

测试条件

民

典型值。

最大

120

-1.2

单位

注3 ：确保通道温度不超过150 。

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TK40P03M1

7，打标

图。 7.1标志

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8.特性曲线（注）

图。 8.1我

- V

图。 8.2我

- V

图。 8.3我

- V

图。 8.4 V

- V

图。 8.5 | Y

| - I

图。 8.6

DS （ ON）

- I

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MOSFET的

硅的N沟道MOS （U- MOS -H）

1.应用

DC- DC转换器

台式电脑

2.特点

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

高速开关

低栅极电荷：Q

= 5.7 NC （典型值）。

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 8.3毫欧（典型值）（V

= 10 V)

低漏电流：I

DSS

= 10

（最大值）（Ⅴ

= 30 V)

增强型： V

= 1.3 2.3 V（V

= 10 V，I

= 0.1 mA）的

3.包装和内部电路

1 ：门

2 ：漏极（散热器）

3 ：源

DPAK

4.绝对最大额定值（注）（T

= 25

除非另有规定编）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

功耗

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

通道温度

储存温度

= 25)

（注2 ）

（注1 ）

符号

DSS

GSS

英镑

等级

±20

120

150

-55到150

单位

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

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5.热特性

特征

通道到外壳热阻

通道到环境的热阻

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

3.78

125

单位

注1 ：确保通道温度不超过150 。

注2 ： V

= 24 V ，T

= 25 （初始）， L = 20

= 25

= 40 A

注意：

该晶体管是静电放电敏感，应谨慎处理。

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6，电气特性

6.1 。静态特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

测试条件

±20

V, V

= 0 V

= 30 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 mA时， V

= -20 V

= 10 V，I

- 0.1毫安

= 4.5 V，I

= 20 A

= 10 V，I

= 20 A

民

1.3

典型值。

11.1

8.3

最大

±0.1

2.3

14.4

10.8

单位

6.2 。动态特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

输入电容

反向传输电容

输出电容

栅极电阻

切换时间（上升时间）

切换时间（导通时间）

切换时间（下降时间）

切换时间（关断时间）

符号

国际空间站

RSS

OSS

关闭

= 10 V, V

= 0 V ， F = 5兆赫

参见图6.2.1 。

测试条件

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

民

典型值。

1150

260

2.9

最大

4.4

单位

图。 6.2.1开关时间测试电路

6.3 。栅极电荷特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

总栅极电荷（栅极 - 源极加

栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅极 - 漏极电荷

门开关充电

符号

gs1

测试条件

≈

24 V, V

= 10 V，I

= 40 A

≈

24 V, V

= 5 V，I

= 40 A

≈

24 V, V

= 10 V，I

= 40 A

民

典型值。

17.5

9.4

4.1

3.5

5.7

最大

单位

6.4 。源极 - 漏极特性（T

= 25

除非另有规定编）

特征

反向漏电流（脉冲电流）

二极管的正向电压

（注3）

符号

DRP

DSF

= 40 A，V

= 0 V

测试条件

民

典型值。

最大

120

-1.2

单位

注3 ：确保通道温度不超过150 。

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7，打标

图。 7.1标志

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8.特性曲线（注）

图。 8.1我

- V

图。 8.2我

- V

图。 8.3我

- V

图。 8.4 V

- V

图。 8.5 | Y

| - I

图。 8.6

DS （ ON）

- I

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