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TK40J60U
MOSFET的
硅N沟道MOS ( DTMOS )
TK40J60U
1.应用
开关稳压器
2.特点
(1)
(2)
(3)
(4)
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 0.065
(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 30 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 100
A
(最大值) (Ⅴ
DS
= 600 V)
增强型: V
th
= 3.0 5.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
3.包装和内部电路
1 :栅极(G)
2 :漏极(D ) (散热器)
3 :源极(S )
TO-3P(N)
25
4.绝对最大额定值(注) (T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
通道温度
储存温度
(注3)
(T
c
= 25)
(注2 )
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
600
±30
40
80
320
540
20
32
150
-55到150
W
mJ
A
mJ
A
单位
V
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2011-04-30
Rev.3.0
TK40J60U
5.热特性
特征
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
0.39
50
单位
/W
注1 :确保通道温度不超过150 。
注2 : V
DD
= 90 V,T
ch
= 25 (初始) , L = 2.36 mH的,R
G
= 25
,
I
AR
= 20 A
注3 :重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注意:
该晶体管是静电放电敏感,应谨慎处理。
2
2011-04-30
Rev.3.0
TK40J60U
6,电气特性
6.1 。静态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
测试条件
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V,I
D
= 20 A
V
DS
= 10 V,I
D
= 20 A
600
3.0
7.5
典型值。
0.065
30
最大
±1
100
5.0
0.08
S
V
单位
A
6.2 。动态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
切换时间(上升时间)
切换时间(导通时间)
切换时间(下降时间)
切换时间(关断时间)
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
参见图6.2.1 。
测试条件
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V , F = 0.1 MHz的
典型值。
3400
180
7800
60
120
13
160
最大
ns
单位
pF
图。 6.2.1开关时间测试电路
25
6.3 。栅极电荷特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
总栅极电荷(栅极 - 源极加
栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
符号
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
400 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 40 A
典型值。
55
37
18
最大
单位
nC
25
6.4 。源极 - 漏极特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
反向漏电流(DC)的
反向漏电流(脉冲电流)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 )
(注1 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
I
DR
= 40 A,V
GS
= 0 V
I
DR
= 40 A,V
GS
= 0 V
- 二
DR
/ DT = 100 A / μs的
测试条件
典型值。
520
13
最大
40
80
-1.7
V
ns
C
单位
A
3
2011-04-30
Rev.3.0
TK40J60U
7,打标(注)
图。 7.1标志
注意:
下一个批号的行标识产品标签的指示。
没有下划线: [铅] /包括> MCV
下划线: [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如RoHS指令
产品的兼容性。
RoHS指令是对指令2002/95 / EC欧洲议会和2003年1月27日理事会
在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。
4
2011-04-30
Rev.3.0
TK40J60U
8.特性曲线(注)
图。 8.1我
D
- V
DS
图。 8.2我
D
- V
DS
图。 8.3我
D
- V
GS
图。 8.4 V
DS
- V
GS
图。 8.5 | Y
fs
| - I
D
图。 8.6
DS ( ON)
- I
D
5
2011-04-30
Rev.3.0
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