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TK40F08K3
东芝场效应晶体管
硅N沟道MOS型( U- MOSIV )
TK40F08K3
Swiching稳压器, DC- DC转换器应用
电机驱动应用
1.0 ± 0.3
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 6.5毫欧(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 10
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 75 V)
增强模型: V
th
= 3.0 4.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
10.0 ± 0.3
9.5 ± 0.2
单位:mm
0.4 ± 0.1
10.0 ± 0.3
1.6
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
75
75
±20
40
120
107
164
40
1.1
175
55
175
单位
V
V
V
A
0.76 ± 0.1
1.4 ± 0.1
2.54 ± 0.25
1
0.1 ± 0.1
2 3
2.35 ± 0.1
2.34 ± 0.25
3.5 ± 0.2
0.4 ± 0.1
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
(注4 )
(注4 )
mJ
A
mJ
°C
°C
6.8
漏极功耗(TC
=
25°C)
2.76
W
1.
2.
8.0
(HEAT
汇)
3. SOURSE
JEDEC
JEITA
东芝
2-10W1A
重量:1.07克(典型值)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
符号
R
TH( CH-C )
最大
1.4
单位
1
° C / W
2
注1 :请在使用条件下的设备,该通道的温度低于175 ℃。
注2 : V
DD
=
25 V ,T
ch
=
25℃ ,L-
=
152
μH,
R
G
=
1
Ω,
I
AR
=
40 A
注3 :重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。
注4 : 175 ° C指的AEC- Q101 。
注5 :在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
3
1
2010-02-23
3.0 ± 0.2
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
1.1
TK40F08K3
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
测试条件
V
GS
= ±20
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
75 V, V
GS
=
0 V
75
40
3.0
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
典型值。
6.5
3600
350
500
85
最大
±1
10
4.0
8.5
pF
单位
μA
μA
V
V
V
( BR ) DSS
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
( BR ) DSX
I
D
=
10毫安,V
GS
= 20
V
V
th
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
I
D
=
20 A
V
OUT
R
L
=
1.75
Ω
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
20 A
10 V
ns
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
V
GS
0V
125
4.7
Ω
t
f
V
DD
35 V
1%, t
w
=
10
μs
70
nC
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
240
80
50
30
V
DD
60 V, V
GS
=
10 V,I
D
=
40 A
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流(注1 )
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
40 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
40 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
典型值。
1.0
38
50
最大
40
120
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
记号
注6 :根据批号的行标识产品标签的指示
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
K40F08K
3
产品型号
(或缩写代码)
LOT号
注6
请联系您的东芝销售代表了解详细信息,以
环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令是指令2002 /欧洲议会95 / EC和
对2003年1月27日,安理会就使用某些的限制
有害物质在电气和电子设备。
2
2010-02-23
TK40F08K3
防潮包装
该TK40F08K3包装在防潮层压铝袋。
注意事项运输和储存
( 1 )运输过程中应避免剧烈振动。
( 2 )不要折腾或跌落包装设备,以避免撕裂袋。
(3)在打开防潮袋后,所述装置应在两周内以5 ℃的环境下组装
于或低于30℃和RH70 %。最多两次进行回流焊。
(4)防潮袋可以在5℃下存放未开封长达12个月或30℃以下和RH90 %。
( 5 )如果在打开袋子,湿度指示卡显示湿度30 %以上( 30 %网点的颜色有
从蓝色到粉红色)或有效期已过期改变时,设备应烘如下:
烘烤条件: 125 ℃下48小时。
因为带的材料是不耐热,设备应放在任一耐热塔板或铝
烘烤时的杂志。
湿度指示器示出了近似的环境湿度下,在25℃ 。
如果环境湿度低于30%时,所有的指示点的颜色是蓝色。
如果,在打开包时, 30%的点的颜色从蓝色变为粉红色,
这些设备应在装配前进行烘烤。
30%
3
2010-02-23
TK40F08K3
I
D
– V
DS
80
常见的来源
Tc
=
25℃
脉冲测试
160
常见的来源
Tc
=
25℃
脉冲测试
I
D
– V
DS
(A)
60
(A)
9 8 6.5
10
6
9 8 7
10
6.5
6
120
I
D
漏电流
40
漏电流
I
D
5.5
80
20
40
5.5
VGS
=
5 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
0.4
0.8
1.2
VGS
=
5 V
1.6
2
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
160
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
1
V
DS
– V
GS
(V)
常见的来源
Tc
=
25℃
脉冲测试
(A)
0.8
I
D
V
DS
漏源电压
0.6
0.4
ID
=
25 A
0.2
6
0
13
100
25
Tc
= 55°C
0
120
漏电流
80
40
0
0
2
4
6
8
10
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS ( ON)
– I
D
100
常见的来源
Tc
=
25℃
脉冲测试
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
10
VGS
=
10 V
1
1
10
100
1000
漏电流
I
D
(A)
4
2010-02-23
TK40F08K3
R
DS ( ON)
TC =
20
1000
I
DR
– V
DS
(A)
常见的来源
Tc
=
25℃
脉冲测试
常见的来源
脉冲测试
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
16
ID
=
40 A
12
20
I
DR
反向漏电流
10
100
10
5
10
3
1
8
4
VGS
=
0,
1
V
0
80
40
0
40
80
120
160
200
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
5
V
th
TC =
V
th
(V)
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
(PF )
4
栅极阈值电压
西塞
C
3
电容
1000
2
科斯
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
10
1
CRSS
100
100
0.1
0
80
40
0
40
80
120
160
200
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
T
C
(°C)
P
D
Tc
150
80
动态输入/输出特性
16
P
D
(W)
(V)
V
DS
漏极功耗
100
30
50
40
30
VGS
20
10
0
0
VDD
=
60 V
8
漏源电压
50
常见的来源
ID
=
40 A
Tc
=
25℃
脉冲测试
4
0
0
50
100
150
200
20
40
60
80
100
0
120
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
( NC )
5
2010-02-23
栅源电压
V
GS
60
VDS
15
12
(V)
70
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    -
    -
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    终端采购配单精选

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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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联系人:销售部
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