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TK3A65D
MOSFET的
硅N沟道MOS （ π - MOS ）
TK3A65D
1.应用
开关稳压器
2.特点
(1)
(2)
(3)
(4)
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.93
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 2.2 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
A
（最大值） （Ⅴ
DS
= 650 V)
增强型： V
th
= 2.4 4.4 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
3.包装和内部电路
1 ：栅极（G）
2 ：漏极（D ）
3 ：源极（S ）
TO-220SIS
25
4.绝对最大额定值（注） （T
a
= 25
除非另有规定编）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
通道温度
储存温度
（注3）
(T
c
= 25)
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
650
±30
3
12
35
234
3
3.5
150
-55到150
W
mJ
A
mJ
A
单位
V
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2011-02-15
Rev.2.0
TK3A65D
5.热特性
特征
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.57
62.5
单位
/W
注1 ：确保通道温度不超过150 。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 （初始） ， L = 46 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 3 A
注3 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注意：
该晶体管是静电放电敏感，应谨慎处理。
2
2011-02-15
Rev.2.0
TK3A65D
6，电气特性
6.1 。静态特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
25
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
测试条件
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 650 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
民
650
2.4
0.6
典型值。
1.93
2.2
最大
±1
10
4.4
2.25
S
V
单位
A
6.2 。动态特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
25
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
切换时间（上升时间）
切换时间（导通时间）
切换时间（下降时间）
切换时间（关断时间）
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
参见图6.2.1 。
测试条件
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
民
典型值。
540
3
60
18
40
8
55
最大
ns
单位
pF
图。 6.2.1开关时间测试电路
25
6.3 。栅极电荷特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
特征
总栅极电荷（栅极 - 源极加
栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
符号
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
≈
400 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A
民
典型值。
11
6
5
最大
单位
nC
6.4 。源极 - 漏极特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
25
特征
反向漏电流（DC）的
反向漏电流（脉冲电流）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
I
DR
= 3 A，V
GS
= 0 V
I
DR
= 3 A，V
GS
= 0 V
- 二
DR
/ DT = 100 A / μs的
测试条件
民
典型值。
1000
5.5
最大
3
12
-1.7
V
ns
C
单位
A
3
2011-02-15
Rev.2.0
TK3A65D
7，打标（注）
图。 7.1标志
注意：
下一个批号的行标识产品标签的指示。
没有下划线： [铅] /包括> MCV
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令
产品的兼容性。
RoHS指令是对指令2002/95 / EC欧洲议会和2003年1月27日理事会
在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。
4
2011-02-15
Rev.2.0
TK3A65D
8.特性曲线（注）
图。 8.1我
D
- V
DS
图。 8.2我
D
- V
DS
图。 8.3我
D
- V
GS
图。 8.4 V
DS
- V
GS
图。 8.5 | Y
fs
| - I
D
图。 8.6
DS （ ON）
- I
D
5
2011-02-15
Rev.2.0
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