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TK25A10K3
东芝场效应晶体管
硅N沟道MOS型( U- MOSIV )
TK25A10K3
Swiching稳压器应用
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 31毫欧(典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 50 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 10
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 100 V)
增强模型: V
th
= 2.0 4.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
100
100
±20
25
50
25
39
25
1.72
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
1 :门
2 :排水
3 :源
JEDEC
JEITA
东芝
SC-67
2-10U1B
注意:
重量:2.7克(典型值)。
重负载下连续使用(例如应用
高温度/电流/电压和温度等的显著变化)可能会导致此产品
减少在可靠性显著即使操作条件(即操作
温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :请在使用条件下的设备,该通道的温度低于150 ℃。
注2 : V
DD
=
25 V ,T
ch
=
25℃ ,L-
=
100
μH,
R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
25 A
注3 :重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至
环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
5.0
62.5
单位
C / W
C / W
1
2
3
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2009-03-23
TK25A10K3
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
测试条件
V
GS
= ±20
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
100 V, V
GS
=
0 V
100
65
2.0
25
V
DS
=
10V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
典型值。
31
50
1580
135
200
13
最大
±100
10
4.0
40
pF
单位
nA
μA
V
V
S
V
( BR ) DSS
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
( BR ) DSX
I
D
=
10毫安,V
GS
= 20
V
V
th
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
I
D
=
12.5 A
V
OUT
R
L
=
4
Ω
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
12 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
12 A
10 V
ns
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
V
GS
0V
25
4.7
Ω
t
f
V
DD
50 V
1%, t
w
=
10
μs
8
nC
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
37
34
7
13
V
DD
80 V, V
GS
=
10 V,I
D
=
25 A
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流(注1 )
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
25 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
25 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
50 A / μs的
典型值。
57
61
最大
25
50
1.4
单位
A
A
V
ns
nC
记号
注4 :根据批号的行标识产品标签的指示
没有下划线: [铅] /包括> MCV
下划线: [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表了解详细信息,以
环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令是指令2002 /欧洲议会95 / EC和
对2003年1月27日,安理会就使用某些的限制
在电子电气设备中有害物质
产品型号
(或缩写代码)
K25A10K
3
LOT号
注4
2
2009-03-23
TK25A10K3
I
D
– V
DS
25
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
6
5.5
8
40
50
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
D
– V
DS
10
6
8
5.5
30
5.25
20
5
10
VGS
=
4.5 V
4.75
0
VGS
=
4.5 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
20
(A)
ID
15
5
10
4.75
5
漏电流
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
漏源电压
VDS
(V)
漏电流
ID
(A)
5.25
漏源电压
VDS
(V)
I
D
– V
GS
20
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
1
V
DS
– V
GS
16
(V)
0.8
ID
=
25 A
ID ( A)
8
25
4
100
Tc
= 55°C
漏源电压
12
VDS
0.6
0.4
漏电流
12
0.2
6
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
0
栅源电压
VGS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
|Y
fs
| – I
D
1000
R
DS ( ON)
– I
D
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
正向转移导纳
Y
fs
(S)
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
100
Tc
= 55°C
25
100
10
漏源导通电阻
RDS
(上)
(mΩ)
VGS
=
10 V
1
0.1
1
10
100
10
1
10
100
漏极电流ID ( A)
漏极电流ID ( A)
3
2009-03-23
TK25A10K3
R
DS ( ON)
Tc
100
常见的来源
脉冲测试
100
I
DR
V
DS
漏源导通电阻
RDS
(上)
(mΩ)
80
ID
=
25 A
60
12
6
40
VGS
=
10 V
20
反向漏电流IDR ( A)
10
10
5
3
1
VGS
=
0 V
1
0
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
1.6
2
0
80
40
0
40
80
120
160
0.4
0.8
1.2
壳温度( ° C)
漏源电压
VDS
(V)
电容 - V
DS
10000
4
V
th
Tc
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1mA
脉冲测试
VTH (V)的
西塞
3.2
(PF )
1000
栅极阈值电压
电容C
2.4
100
科斯
CRSS
10
1.6
常见的来源
VGS
=
0 V
F = 1MHz的
Tc
=
25°C
1
10
100
0.8
1
0.1
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压
VDS
(V)
壳温度( ° C)
P
D
Tc
50
100
VDS
动态输入/输出
特征
20
漏极功耗PD (W )
40
80
16
40
VDS
漏源电压
80
8
常见的来源
ID
=
25 A
Tc
=
25°C
4
脉冲测试
20
40
10
20
VGS
0
0
40
80
120
160
0
0
10
20
30
40
50
0
壳温度( ° C)
总栅极电荷Qg ( NC)
4
2009-03-23
栅源电压
30
60
VDD
=
20 V
12
VGS ( V)
(V)
TK25A10K3
r
th
– t
w
10
归瞬态热阻抗
RTH (T )
/
RTH ( CH-C )
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
PDM
t
0.01
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
5.0°C/W
100μ
1m
10m
100m
1
10
0.01
0.001
10μ
脉冲宽度
TW (S )
安全工作区
100
ID MAX(脉冲)
*
100
E
AS
– T
ch
L
=
100
μH
VDD
=
25 V
IAR
=
25 A
雪崩能量EAS (兆焦耳)
80
100
μs
*
1毫秒
*
60
漏电流I
D
(A)
10
40
20
1
0
25
*
单脉冲TC = 25 ℃
曲线必须降低
线性地增加
温度。
1
10
50
75
100
125
150
通道温度(初始)总胆固醇( ° C)
VDSS最大
100
1000
0.1
0.1
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
0V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
测试电路
RG
=
25
Ω
V
DD
=
25 V,L
=
100
μH
波形
E上
=
Ε
1
B VDSS
L
I2
B
VDD
2
VDSS
5
2009-03-23
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数量
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单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TK25A10K3
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
TK25A10K3
TOSHIBA
2016+
6523
TO-220F
只做进口原装现货!或订货假一赔十!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TK25A10K3
TOS
21+
15000.00
TO-220F
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3065848471 复制 点击这里给我发消息 QQ:1391615788 复制 点击这里给我发消息 QQ:2319599090 复制
电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
TK25A10K3
TOSHIBA
22+
46100
TO-220F
原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
TK25A10K3
TOSHIBA/东芝
18+
16000
TO-220F
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:864187665 复制 点击这里给我发消息 QQ:1807086236 复制
电话:0755-82710336 82533156年度优秀供应商
联系人:何
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区501栋1109-1110室
TK25A10K3
TOSHIBA/东芝
2025+
33000
TO-220F
原装库存现货QQ报价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TK25A10K3
TOSHIBA
2443+
23000
TO-220F
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TK25A10K3
TOSHIBA/东芝
24+
9634
TO-220F
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
TK25A10K3
VB
25+23+
35500
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联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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21+22+
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