【TK16H60C东芝场效应晶体管硅N-沟道MOS型（ π型MOS VI）的TK16H60C开关稳压器】,IC型号TK16H60C,TK16H60C PDF资料,TK16H60C经销商,ic,电子元器件-51电子网

TK16H60C

东芝场效应晶体管

硅N-沟道MOS型（ π型MOS VI）的

TK16H60C

开关稳压器的应用

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

低漏电流

增强型

: R

DS （ ON）

= 0. 32Ω （典型值）。

: |Y

| = 11S （典型值）。

单位：mm

: I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 600 V)

: V

= 2.0~4.0 V (V

= 10 V，I

= 1 mA）的

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

600

±30

150

979

150

55~150

单位

°C

脉冲（注1 ）

1 ：门

2 ：漏极（散热片）

3 ：源

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-16K1A

漏极功耗（ TC = 25 ° C）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复雪崩能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

重量：3.8克（典型值）。

注意：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至

环境

符号

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

最大

0.833

单位

C / W

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ： V

= 90 V，T

= 25 ° C（初始）， L = 6.69 mH的，R

= 25

= 16 A

注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

2006-11-08

TK16H60C

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

栅源击穿电压

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

GSS

（ BR ） GSS

DSS

（ BR ） DSS

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

关闭

≈

400 V, V

= 10 V，I

= 16 A

10 V

出力

—

110

—

200 V

税

＆ LT ;

1%, t

μs

—

= 25 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±25 V, V

= 0 V

= ±10

μA,

= 0 V

= 600 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 8 A

= 10 V，I

= 8 A

民

—

±30

—

600

2.0

—

3.0

—

典型值。

—

0.32

3100

270

最大

±10

—

100

—

4.0

0.4

—

单位

μA

开启时间

开关时间

下降时间

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

—

215

—

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

测试条件

—

= 16 A，V

= 0 V

= 16 A，V

= 0 V

/ DT = 100 A /

μs

民

—

典型值。

—

1050

最大

1.7

—

单位

μC

记号

东芝

TK16H60C

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线表示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2006-11-08

TK16H60C

– V

常见的来源

25°C

脉冲测试

5.5

– V

5.5

常见的来源

25°C

脉冲测试

(A)

4.75

4.5

VGS

4 V

(A)

漏电流

4.75

4.5

VGS

4 V

漏源电压

(V)

漏源电压

(V)

– V

(V)

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

常见的来源

25°C

脉冲测试

(A)

漏源电压

漏电流

100

= 55°C

16 A

栅源电压

(V)

栅源电压

(V)

(S)

100

DS （ ON）

常见的来源

25°C

脉冲测试

正向转移导纳

漏源导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

VGS

10 V

= 55°C

100

0.1

100

漏电流

(A)

漏电流

(A)

2006-11-08

TK16H60C

DS （ ON）

1.0

常见的来源

VGS

10 V

脉冲测试

100

常见的来源

25°C

脉冲测试

(A)

漏源导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

0.8

0.6

16 A

0.4

反向漏电流

0.2

5 3

0.2

0.4

0.6

VGS

0 V

0.8

1.0

1.2

120

160

外壳温度

(°C)

漏源电压

(V)

10000

(V)

栅极阈值电压

西塞

（PF ）

1000

科斯

100

电容

CRSS

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

100

0.1

常见的来源

VDS

10 V

1毫安

脉冲测试

120

160

漏源电压

(V)

外壳温度

(°C)

TC =

200

500

动态输入/输出

特征

(V)

常见的来源

16 A

25°C

脉冲测试

(W)

150

漏极功耗

漏源电压

300

400V

100

VDD

100 V

200

VGS

100

120

160

200

100

外壳温度

(°C)

总栅极电荷

（ NC ）

2006-11-08

栅源电压

200V

400

VDS

(V)

TK16H60C

– t

归瞬态热阻抗

日（T ）

TH（ CH-C ）

Duty=0.5

0.2

0.1

单脉冲

0.05

0.02

0.01

税

t/T

RTH （ CH-C ）

0.833°C/W

PDM

0.01

0.001

10μ

100μ

1½

10½

100½

脉冲宽度

(s)

安全工作区

100

ID MAX（脉冲）

100

μs

ID MAX（连续）

1毫秒

1000

– T

（兆焦耳）

雪崩能量

800

600

(A)

漏电流

直流操作

25°C

400

200

0.1

单一不重复的脉冲

25°C

曲线

线性

0.01

必须

同

降额

VDSS最大

100

1000

增加

100

125

150

通道温度（初始）

(°C)

温度。

15 V

VDSS

测试电路

电波表

漏源电压

(V)

90 V，L

6.69 mH的

B VDSS

VDSS

VDD

2006-11-08

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