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TK12J60U
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( DTMOSⅡ )
TK12J60U
开关稳压器的应用
15.9 MAX 。
单位:mm
Ф3.2
±
0.2
1.0
4.5
9.0
2.0
3.3最大。
2.0
±
0.3
特征
漏源电压
栅源电压
DC
漏电流
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
600
±30
12
24
144
69
12
14
150
55
150
单位
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1.0
+0.3
0.25
5.45
±
0.2
1.8 MAX 。
+0.3
0.6
0.1
5.45
±
0.2
4.8最大。
2.8
1
2
3
脉冲(T
=
1毫秒)
(注1 )
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复性雪崩能量
通道温度
存储温度范围
(注3)
1.门
2.漏(散热片)
3.源
JEDEC
JEITA
东芝
SC-65
2-16C1B
重4.6克(典型值)
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。请在审查东芝半导体设计适当的可靠性
可靠性手册( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性
(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
0.868
50
单位
2
° C / W
° C / W
注1:请使用上的条件的设备,该通道的温度低于150℃。
注2 : V
DD
= 90 V,T
ch
= 25 ° C(初始) , L = 0.84 mH的,R
G
= 25Ω, I
AR
= 12 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
20.5
±
0.5
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
2.0
20.0
±
0.3
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 0.36Ω ( TYP。)
高正向转移导纳:
Y
fs
= 7.0 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 600 V)
增强型: V
th
= 3.0~5.0 V (V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
3
1
2008-06-11
TK12J60U
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
400 V, V
GS
=
10 V,I
D
=
12 A
1%, t
w
=
10
s
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
I
D
=
6A
V
OUT
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±30
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
600 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
6 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
6 A
600
3.0
2.0
典型值。
0.36
7.0
720
55
1700
30
60
8
75
14
8.5
5.5
最大
±1
100
5.0
0.4
pF
单位
A
A
V
V
S
ns
R
L
=
50
V
DD
300 V
nC
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
(注1 )
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
12 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
12 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
典型值。
380
5.3
最大
12
24
1.7
单位
A
A
V
ns
C
记号
东芝
K12J60U
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费
2
2008-06-11
TK12J60U
I
D
– V
DS
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
20
8
10
7.5
7
16
10
I
D
– V
DS
8
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
7.5
12
7
8
6.5
4
VGS
=
6 V
0
0
8
(A)
I
D
6
漏电流
4
6
2
VGS
=
5.5 V
0
0
1
2
3
4
漏电流
I
D
6.5
(A)
5
10
20
30
40
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
20
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
10
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
16
(V)
8
(A)
I
D
漏源电压
12
V
DS
6
ID
=
12A
4
8
100
漏电流
4
25
Ta
= 55°C
6
2
3
0
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
I
D
100
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
R
DS ( ON)
I
D
10
Tc
= 55°C
25
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
()
正向转移导纳
Y
fs
(S)
100
1
1
VGS
=
10 V
15
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
3
2008-06-11
TK12J60U
R
DS ( ON)
TC =
1.2
I
DR
V
DS
100
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
()
1
I
DR
(A)
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
0.8
0.6
6
ID
=
3 A
反向漏电流
12
10
10
1
5
3
1
VGS
=
0 V
0.4
0.2
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
- V
DS
10000
5
V
th
Tc
V
th
(V)
栅极阈值电压
(PF )
4
1000
西塞
科斯
3
电容
C
100
2
10
1
0.1
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
10
CRSS
100
常见的来源
1 V
DS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
Tc
200
500
动态输入/输出
特征
20
常见的来源
ID
=
12 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
16
200
300
VDD
=
100V
200
VGS
100
4
400
8
12
(W)
(V)
P
D
V
DS
160
400
VDS
漏极功耗
漏源电压
80
40
0
0
40
80
120
160
0
0
4
8
12
16
0
20
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
( NC )
4
2008-06-11
栅源电压
120
V
GS
(V)
TK12J60U
r
th
– t
w
归瞬态热阻抗
r
日(T )
/R
TH( CH-C )
10
1
Duty=0.5
0.2
0.1
PDM
单脉冲
0.02
0.01
t
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
0.868°C/W
100μ
10½
100½
1
10
0.1 0.05
0.01
10μ
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
100
ID MAX(脉冲)
*
10
ID MAX(连续)
100
s
*
1毫秒
*
E
AS
– T
ch
E
AS
(兆焦耳)
雪崩能量
80
(A)
1
直流操作
Tc
=
25°C
漏电流
I
D
60
40
0.1
*
单非重复性
脉冲锝
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.001
0.1
1
10
20
0.01
VDSS最大
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
通道温度(初始)
T
ch
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
波形
测试电路
R
G
=
25
V
DD
=
90 V,L
=
0.84mH
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
5
2008-06-11
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TK12J60U
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TK12J60U
TOSHIBA/东芝
21+
18600
TO3P
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
TK12J60U
TOSHIBA/东芝
24+
12850
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
TK12J60U
Toshiba
1922+
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TK12J60U
TOSHIBA/东芝
2443+
23000
TO-3P(N)
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TK12J60U
TOSHIBA/东芝
24+
9634
TO-3P
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
TK12J60U
VB
25+23+
35500
TO-3P
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
TK12J60U
TOS
1922+
6852
TO-3P
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
TK12J60U
TOSHIBA
11+
8000
TO3P
全新原装,绝对正品现货供应
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
TK12J60U
TOSHIBA
21+22+
62710
TO-3P
原装正品
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联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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