TK12J60U
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( DTMOSⅡ )
TK12J60U
开关稳压器的应用
15.9 MAX 。
单位:mm
Ф3.2
±
0.2
1.0
4.5
9.0
2.0
3.3最大。
2.0
±
0.3
特征
漏源电压
栅源电压
DC
漏电流
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
600
±30
12
24
144
69
12
14
150
55
150
单位
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1.0
+0.3
0.25
5.45
±
0.2
1.8 MAX 。
+0.3
0.6
0.1
5.45
±
0.2
4.8最大。
2.8
1
2
3
脉冲(T
=
1毫秒)
(注1 )
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复性雪崩能量
通道温度
存储温度范围
(注3)
1.门
2.漏(散热片)
3.源
JEDEC
JEITA
东芝
SC-65
2-16C1B
重4.6克(典型值)
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。请在审查东芝半导体设计适当的可靠性
可靠性手册( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性
(即可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
0.868
50
单位
2
° C / W
° C / W
注1:请使用上的条件的设备,该通道的温度低于150℃。
注2 : V
DD
= 90 V,T
ch
= 25 ° C(初始) , L = 0.84 mH的,R
G
= 25Ω, I
AR
= 12 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
20.5
±
0.5
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
2.0
20.0
±
0.3
低漏源导通电阻,R
DS ( ON)
= 0.36Ω ( TYP。)
高正向转移导纳:
Y
fs
= 7.0 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 600 V)
增强型: V
th
= 3.0~5.0 V (V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
3
1
2008-06-11