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TK12D60U

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ DTMOSⅡ ）

TK12D60U

开关稳压器的应用

10.0±0.3

单位：mm

9.5±0.2

A

0.6±0.1

Ф3.65±0.2

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

1.1±0.15

9.0

15.0±0.3

0.75±0.25

12.8±0.5

4.5±0.2

+0.25

0.57 -0.10

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 0.36

（典型值）。

高正向转移导纳：

Y

fs

= 7.0 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 100

μA

(V

DS

= 600 V)

增强型： V

th

= 3.0 5.0 V（V

DS

= 10 V，I

D

= 1 mA）的

特征

漏源电压

栅源电压

DC

漏电流

（注1 ）

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

T

ch

T

英镑

等级

600

±30

12

24

144

69

12

14

150

55

150

单位

V

A

W

mJ

A

mJ

°C

0.62±0.15

Ф0.2

M A

2.54

2.8Max.

3.2 2.8

2.53±0.2

脉冲（T

=

1毫秒）

（注1 ）

漏极功耗（TC

=

25°C)

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复性雪崩能量

通道温度

存储温度范围

（注3）

1.门

2.漏极（散热器）

3.源

1

2

3

JEDEC

JEITA

东芝

2-10V1A

重量：1.35克（典型值）。

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著

即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对

最大额定值。请在审查东芝半导体设计适当的可靠性

可靠性手册（ “注意事项” / ''降级理念与方法“” ）和个人可靠性

数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至环境

符号

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

最大

0.868

83.3

单位

2

° C / W

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ： V

DD

= 90 V，T

ch

= 25 ° C（初始）， L = 0.84 mH的，R

G

= 25

Ω,

I

AR

= 12 A

注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

1

3

1

2009-09-29

TK12D60U

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

DD

≈

400 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

12 A

税

≤

1%, t

w

=

10

μs

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

th

R

DS （ ON）

Y

fs

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

10 V

V

GS

0V

50

Ω

I

D

=

6A

V

OUT

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

测试条件

V

GS

= ±30

V, V

DS

=

0 V

V

DS

=

600 V, V

GS

=

0 V

I

D

=

10毫安，V

GS

=

0 V

V

DS

=

10 V，I

D

=

1毫安

V

GS

=

10 V，I

D

=

6 A

V

DS

=

10 V，I

D

=

6 A

民

600

3.0

2.0

典型值。

0.36

7.0

720

55

1700

30

60

8

75

14

8.5

5.5

最大

±1

100

5.0

0.4

pF

单位

μA

V

Ω

S

ns

R

L

=

50

Ω

V

DD

≈

300 V

nC

源极 - 漏极额定值和特性

（大

=

25°C)

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

（注1 ）

符号

I

DR

I

DRP

V

DSF

t

rr

Q

rr

测试条件

I

DR

=

12 A，V

GS

=

0 V

I

DR

=

12 A，V

GS

=

0 V,

dI

DR

/ DT

=

100 A / μs的

民

典型值。

380

5.3

最大

12

24

1.7

单位

A

V

ns

μC

记号

注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明

标签。

[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

K12D60U

产品型号（或缩写代码）

LOT号

注4

请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以

环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。

RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC

与2003年1月27日，安理会对使用的限制

某些有害物质的电器和电子设备。

2

2009-09-29

TK12D60U

I

D

– V

DS

10

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

20

8

10

7.5

7

16

10

I

D

– V

DS

8

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

7.5

12

7

8

6.5

4

VGS

=

6 V

0

8

(A)

I

D

6

漏电流

4

6

2

VGS

=

5.5 V

0

1

2

3

4

漏电流

I

D

6.5

(A)

5

10

20

30

40

漏源电压

V

DS

(V)

漏源电压

V

DS

(V)

I

D

– V

GS

20

V

DS

– V

GS

10

16

V

DS

(V)

常见的来源

VDS

=

20 V

脉冲测试

8

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

I

D

(A)

12

漏源电压

6

ID

=

12A

4

漏电流

8

100

4

25

Ta

= 55°C

6

2

3

0

2

4

6

8

10

0

4

8

12

16

20

栅源电压

V

GS

(V)

栅源电压

V

GS

(V)

Y

fs

I

D

100

常见的来源

VDS

=

10 V

脉冲测试

10

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

R

DS （ ON）

I

D

10

Tc

= 55°C

25

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

正向转移导纳

Y

fs

(S)

100

1

VGS

=

10 V

15

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

漏电流

I

D

(A)

漏电流

I

D

(A)

3

2009-09-29

TK12D60U

R

DS （ ON）

TC =

1.2

I

DR

V

DS

100

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

1

I

DR

(A)

常见的来源

VGS

=

10 V

脉冲测试

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

0.8

0.6

6

ID

=

3 A

反向漏电流

12

10

1

5

3

1

VGS

=

0 V

0.4

0.2

0

80

40

0

40

80

120

160

0.1

0

0.3

0.6

0.9

1.2

外壳温度

Tc

(°C)

漏源电压

V

DS

(V)

- V

DS

10000

5

V

th

Tc

V

th

(V)

栅极阈值电压

（PF ）

4

1000

西塞

科斯

3

电容

C

100

2

10

1

0.1

常见的来源

VGS

=

0 V

f

=

1兆赫

Tc

=

25°C

1

10

CRSS

100

常见的来源

1 V

DS

=

10 V

ID

=

1毫安

脉冲测试

0

80

40

0

40

80

120

160

漏源电压

V

DS

(V)

外壳温度

Tc

(°C)

P

D

Tc

200

500

动态输入/输出

特征

V

DS

(V)

20

常见的来源

ID

=

12 A

Tc

=

25°C

脉冲测试

16

200

300

VDD

=

100V

200

VGS

100

4

400

8

12

(W)

P

D

160

400

VDS

漏极功耗

漏源电压

80

40

0

40

80

120

160

0

4

8

12

16

0

20

外壳温度

Tc

(°C)

总栅极电荷

Q

g

（ NC ）

4

2009-09-29

栅源电压

120

V

GS

(V)

TK12D60U

r

th

– t

w

归瞬态热阻抗

r

日（T ）

/R

TH（ CH-C ）

10

1

占空比= 0.5

0.2

0.1

PDM

单脉冲

0.02

0.01

t

T

税

=

t/T

RTH （ CH-C ）

=

0.868°C/W

100

μ

1m

10 m

100 m

1

10

0.1 0.05

0.01

10

μ

脉冲宽度

t

w

(s)

安全工作区

100

ID MAX（脉冲）

*

10

ID MAX（连续）

100

μs

*

1毫秒

*

E

AS

– T

ch

E

AS

（兆焦耳）

雪崩能量

80

(A)

1

直流操作

Tc

=

25°C

漏电流

I

D

60

40

0.1

*

单非重复性

脉冲锝

=

25°C

曲线必须降低

线性地增加

温度。

0.001

0.1

1

10

20

0.01

VDSS最大

100

1000

0

25

50

75

100

125

150

通道温度（初始）

T

ch

(°C)

漏源电压

V

DS

(V)

15 V

15

V

B

VDSS

I

AR

V

DD

测试电路

V

DS

波形

R

G

=

25

Ω

V

DD

=

90 V，L

=

0.84 mH的

Ε

AS

=

1

B VDSS

L

I2

B

2

VDD

VDSS

5

2009-09-29