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TK12A55D
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型( π -MOS
七)
TK12A55D
开关稳压器的应用
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 0.48
Ω (典型值)。
高正向转移导纳: | Y
fs
| = 6.0 S(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 10
μA
(最大值) (Ⅴ
DS
= 550 V)
增强型: V
th
= 2.0 4.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 1 mA)的
Ф3.2
±
0.2
10
±
0.3
A
3.9 3.0
单位:mm
2.7
±
0.2
1.14
±
0.15
2.8 MAX 。
2.54
1 2
3
2.6
±
0.1
13
±
0.5
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
550
±30
12
48
45
317
12
4.5
150
55
150
单位
0.69
±
0.15
Ф0.2
M A
2.54
0.64
±
0.15
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗(TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
雪崩电流
重复雪崩能量(注3 )
通道温度
存储温度范围
1 :门
2 :排水
3 :源
JEDEC
JEITA
东芝
SC-67
2-10U1B
重量:2.7克(典型值)。
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人可靠性数据(即
可靠性测试报告和估计的故障率,等)。
热特性
2
特征
耐热性,信道到外壳
耐热性,信道至环境
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
最大
2.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
注1 :确保通道温度不超过150 ℃。
注2 : V
DD
=
90 V,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
3.8 mH的,R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
12 A
注3 :重复评价:脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
3
1
2011-04-26
4.5
±
0.2
V
15.0
±
0.3
TK12A55D
电气特性
(大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
V
DD
200 V
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
400 V, V
GS
=
10 V,I
D
=
12 A
1%, t
w
=
10
μs
110
28
18
10
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
th
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
Ω
I
D
=
6 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±30
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
550 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安,V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V,I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V,I
D
=
6 A
V
DS
=
10 V,I
D
=
6 A
550
2.0
1.5
典型值。
0.48
6.0
1550
7
165
25
60
15
最大
±1
10
4.0
0.57
pF
单位
μA
μA
V
V
Ω
S
ns
R
L
=
33
Ω
nC
源极 - 漏极额定值和特性
(大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
(注1 )
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
(注1 )
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
12 A,V
GS
=
0 V
I
DR
=
12 A,V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
典型值。
1300
13
最大
12
48
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 :根据批号的行标识产品标签的指示
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
产品型号
(或缩写代码)
LOT号
注4
K12A55D
请联系您的东芝销售代表了解详细信息,以
环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令是指令2002 /欧洲议会95 / EC和
对2003年1月27日,安理会就使用某些的限制
有害物质在电气和电子设备。
2
2011-04-26
TK12A55D
I
D
– V
DS
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10,8
6.5
20
10,8
I
D
– V
DS
7.25
7
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
16
(A)
(A)
6.25
6
6
6.75
12
6.5
ID
漏电流
4
5.75
5.5
漏电流
ID
8
6
4
5.5
VGS
=
5 V
2
VGS
=
5V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
10
20
30
40
50
漏源电压
VDS
(V)
漏源电压
VDS
(V)
I
D
– V
GS
20
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
10
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
(V)
16
8
ID ( A)
8
漏源电压
12
VDS
6
ID
=
12 A
漏电流
4
6
2
3
4
100
Tc
= 55°C
25
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
VGS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
R
DS ( ON)
– I
D
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
正向转移导纳
Y
fs
(S)
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
Tc
= 55°C
25
100
10
漏源导通电阻
RDS
(上)
(Ω)
1
VGS
=
10 V, 15 V
1
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
漏极电流ID ( A)
漏极电流ID ( A)
3
2011-04-26
TK12A55D
R
DS ( ON)
Tc
2.0
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
DR
V
DS
漏源导通电阻
RDS
(上)
(Ω)
1.6
反向漏电流IDR ( A)
10
1.2
ID
=
12 A
6
0.8
3
1
10
5
3
1
0.2
0.4
0.6
VGS
=
0,
1
V
0.8
1.0
1.2
1.4
0.4
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
壳温度( ° C)
漏源电压
VDS
(V)
电容 - V
DS
10000
5
V
th
Tc
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1mA
脉冲测试
VTH (V)的
西塞
4
(PF )
1000
栅极阈值电压
电容C
科斯
100
3
2
10
常见的来源
VGS
=
0 V
F = 1 MHz的
Tc
=
25°C
1
10
CRSS
1
1
0.1
100
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压
VDS
(V)
壳温度( ° C)
P
D
Tc
80
500
VDS
400
动态输入/输出
特征
20
漏极功耗PD (W )
(V)
16
VDS
60
漏源电压
40
VDD
=
100 V
200
200
100
VGS
400
8
常见的来源
ID
=
12 A
Tc
=
25°C
4
脉冲测试
20
0
0
40
80
120
160
0
0
10
20
30
40
0
50
壳温度( ° C)
总栅极电荷Qg ( NC)
4
2011-04-26
栅源电压
300
12
VGS ( V)
TK12A55D
r
th
– t
w
归瞬态热阻抗
r
日(T )
/R
TH( CH-C )
10
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
PDM
t
0.01
0.01
单脉冲
T
=
t/T
RTH ( CH-C )
=
2.78°C/W
0.001
10μ
100μ
1m
10m
100m
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
ID MAX(脉冲)
*
100
μs
*
1毫秒
*
500
E
AS
– T
ch
ID MAX(连续)
10
E
AS
(兆焦耳)
雪崩能量
400
300
漏电流I
D
(A)
1
直流操作
Tc
=
25°C
200
0.1
100
0
25
0.01
*单脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性地增加
温度。
10
VDSS最大
100
1000
50
75
100
125
150
通道温度(初始)
T
ch
(°C)
0.001
1
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
测试电路
RG
=
25
Ω
V
DD
=
90 V,L
=
3.8 mH的
电波表
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDD
VDSS
5
2011-04-26
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TK12A55D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TK12A55D
TOSHIBA/东芝
2443+
23000
TO-220SIS
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TK12A55D
TOSHIBA/东芝
24+
12300
TO-220F
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
TK12A55D
VB
25+23+
35500
TO-220F
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
TK12A55D
TOSHIBA
11+
8000
TO-220F
全新原装,绝对正品现货供应
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
TK12A55D
TOSHIBA/东芝
24+
5000
TO-220F
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
TK12A55D
TOSHIBA/东芝
24+
21000
TO-220F
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
TK12A55D
TOSHIBA/东芝
2024
20918
TO-220SIS
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
TK12A55D
TOSHIBA/东芝
22+
34768
TO220F-3
有挂就有货 支持订货.备货
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
TK12A55D
TOSHIBA/东芝
24+
32000
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
TK12A55D
TOSHIBA/东芝
2407+
3720
NA
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