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TJ15P04M3
MOSFET的硅P沟道MOS （U- MOS -H）
1.应用
DC- DC转换器
台式电脑
2.特点
(1)
(2)
(3)
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 28毫欧（典型值）（V
GS
= -10 V)
低漏电流：I
DSS
= -10
A
（最大值） （Ⅴ
DS
= -40 V)
增强型： V
th
= -0.8 -2.0 V（V
DS
= -10 V，I
D
= -0.1毫安）
3.包装和内部电路
1 ：门
2 ：漏极（散热器）
3 ：源
DPAK
4.绝对最大额定值（注） （T
a
= 25
除非另有规定编）
25
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
通道温度
储存温度
(T
c
= 25)
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
T
ch
T
英镑
等级
-40
±20
-15
-45
29
29
-15
150
-55到150
W
mJ
A
A
单位
V
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
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5.热特性
特征
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
4.3
125
单位
/W
注1 ：确保通道温度不超过150 。
注2 ： V
DD
= -32 V，T
ch
= 25 （初始） ， L = 100
H,
R
G
= 25
,
I
AR
= -15 A
注意：
该晶体管是静电放电敏感，应谨慎处理。
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6，电气特性
6.1 。静态特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
25
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
（注3）
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -40 V, V
GS
= 0 V
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0 V
I
D
= -10毫安，V
GS
= 10 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -0.1毫安
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -7.5 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -7.5 A
民
-40
-30
-0.8
典型值。
37
28
最大
±0.1
-10
-2.0
48
36
m
V
单位
A
注释3 ：如果反偏压栅极和源极之间施加电压，该器件进入V
（ BR ） DSX
模式。注意，漏极
源击穿电压被降低在这种模式下。
6.2 。动态特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
25
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
切换时间（上升时间）
切换时间（导通时间）
切换时间（下降时间）
切换时间（关断时间）
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
参见图6.2.1 。
测试条件
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
民
典型值。
1100
130
170
11
19
42
170
最大
ns
单位
pF
图。 6.2.1开关时间测试电路
6.3 。栅极电荷特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
25
特征
总栅极电荷（栅极 - 源极加
栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
符号
Q
g
Q
gs1
Q
gd
测试条件
V
DD
≈
-32 V, V
GS
= -10 V，I
D
= -15 A
民
典型值。
26
6.7
2.5
最大
单位
nC
25
6.4 。源极 - 漏极特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
特征
反向漏电流（脉冲电流）
二极管的正向电压
（注4 ）
符号
I
DRP
V
DSF
I
DR
= -15 A，V
GS
= 0 V
测试条件
民
典型值。
最大
-45
1.2
单位
A
V
注4 ：确保通道温度不超过150 。
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7，打标
图。 7.1标志
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8.特性曲线（注）
图。 8.1我
D
- V
DS
图。 8.2我
D
- V
DS
图。 8.3我
D
- V
GS
图。 8.4 V
DS
- V
GS
图。 8.5
DS （ ON）
- I
D
图。 8.6
DS （ ON）
- T
a
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