oH
VE S CO
AV R M
AI SIO PL
LA IA
BL S NT
E
TISPPBL3
双正向导电的P- GATE闸流体
爱立信微电子
用户线接口电路（ SLIC ）
*R
TISPPBL3可编程保护
过压保护上市SLIC组件
包（顶视图）
高电压能力，支持电池的电压
下降到-150伏
指定的2/10冲击限制电压
- 电压 - 时间包络保证
- -40
°C
85
°C
温度范围
馈通连接包
- 最小化感应电压接线
............................................ UL认可零部件
K2
K2
A
G1,G2
A
SLIC §
PBL 3762A / 2
PBL 3762A / 4
PBL 3764A / 4
PBL 3764A / 6
PBL 3766
PBL六分之三千七百六十六
PBL 3767
PBL六分之三千七百六十七
PBL 3860A / 1
PBL 3860A / 6
PBL 386 10/2
PBL 386 11/2
PBL 386 14/2
PBL 386 15/2
PBL 386 20/2
PBL 386 21/2
PBL 386 30/2
PBL 386 40/2
PBL 386 50/2
PBL 386 61/2
PBL 386 65/2
PBL 387 10/1
TISPPBL3
（ TIP ）
K1
NC
1
2
3
4
8
9
6
5
K1 （ TIP）
A
A
（接地）
（接地）
MD6XANA
（门）G
（环） K2
K2 （环）
NC - 无内部连接
在显示终端的典型应用程序的名称
插入语
设备符号
K1
K1
端子K1，K2和甲对应的替代
T， R和G或A，B和C线代号
负的保护电压由控制
电压，V
GG,
适用于G终端。
SD6XAEA
§请参阅应用较早SLIC类型的信息。
额定国际浪涌波形
波形
2/10
s
10/700
s
10/1000
s
标准
GR-1089-CORE
ITU -T K.20 ， K.21 ， K.45
GR-1089-CORE
I
TSP
A
100
40
30
如何订购
标准
终止完成
顺序
TISPPBL3DR
TISPPBL3D
对于无铅
终止完成
顺序
TISPPBL3DR-S
TISPPBL3D-S
设备
TISPPBL3
包
D（ 8引脚小外形封装）
支架
压纹带绞纱
管
建议客户在下订单前获得的相关爱立信微电子SLIC信息验证，最新的版本，
该信息被依靠的电流。
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
爱立信是爱立信公司的注册商标。
2000年10月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISPPBL3可编程保护
描述
该TISPPBL3是双前锋，进行缓冲的P-门过电压保护。它旨在保护爱立信微电子
的SLIC （用户线路接口电路）对电话线路上的过电压造成的雷击，交流电源触点和归纳。
该TISPPBL3限制电压超出引用的SLIC供电轨电平。
在SLIC线驱动部分通常由一个负电压， VBAT ，在-10 V中的区域为-90 V的保护器的栅极连接到
这种负电源。此引用该保护（削波）的电压到负电源电压。作为保护电压将跟踪
负电源电压，在SLIC的过压应力最小化。该TISPPBL3缓冲门设计，减少了对SLIC加载
期间所造成的权力交叉和感应过电压供应。
正的过电压是由二极管正向导通剪切到地面。负过电压最初裁剪接近SLIC负
电源轨的价值。如果有足够的电流可以从该过电压，则保护器将撬棍成引用的低电压接地
导通状态的条件。为平息过压，短路器的高保持电流防止直流闭锁。
这些单片保护器件被制造在离子注入平面垂直的权力结构对于高可靠性和在正常系统
操作他们几乎是透明的。该TISPPBL3有一个8引脚塑料小外形表面贴装封装，D后缀，并且是一个普遍的
替代TISPPBL1D和TISPPBL2D设备。
绝对最大额定值， -40
°C
≤
TA
≤
85
°C
（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压，V
GK
= 0 , -40
°C
≤
T
J
≤
85
°C
重复峰值门极 - 阴极电压，V
KA
= 0 , - 40
°C
≤
T
J
≤
85
°C
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
10/1000
s
（符合Telcordia GR -1089 -CORE第2期，与第1次修订， 1999年2月）
5/310
s
（ IT UT K.20 ， K.21 & K.45 ， K.44开路电压波形10/700
s)
2/10
s
（符合Telcordia GR -1089 -CORE第2期，与第1次修订， 1999年2月）
非重复性峰值通态电流， 50/60赫兹，T
A
= 25
°C
（见注2和3）
100毫秒
1s
5s
300 s
900 s
非重复性峰值栅极电流， 1/2
s
脉冲，阴极commoned （见注1 ）
工作自由空气的温度范围内
结温
存储温度范围
I
TSM
10
4.4
2.1
0.64
0.60
40
-40至+85
-40到+150
-65到+150
A
符号
V
DRM
V
GKRM
价值
-170
-160
30
40
100
单位
V
V
I
TSP
A
I
GSM
T
A
T
J
T
英镑
A
°C
°C
°C
注释：1.最初，保护器必须与-40热平衡
°C
≤
T
≤
85
°C.
电涌可能会在设备返回后反复
J
到它的初始条件。上述85
°C,
线性降额至零，在150
°C
铅温度。
2.这些不重复的额定电流为任一极性的峰值。额定电流值可被涂在环
接地或尖端接地端子对。此外，无论是终端对可能的额定电流值应用
同时（在这种情况下，接地端子的电流将是一个单个端子对的额定电流值的两倍） 。
3.值V
GG
= -120 V.对于其它电压值参见图4。 25以上
°C,
线性降额至零，在150
°C
领导
温度。
推荐工作条件
见图10
C1
RSA
RSB
门去耦电容
串联电阻为GR -1089 -CORE第一级和第二级浪涌生存
串联电阻为GR -1089 -CORE一级浪涌生存
串联电阻为ITU-T建议K.20 ， K.21和K.45用于与协调
400 V主保护
民
100
40
25
10
典型值
220
最大
单位
nF
2000年10月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISPPBL3可编程保护
电气特性， -40
°C
≤
T A
≤
85
°C
（除非另有说明）
参数
I
D
V
（BO）
t
（ BR ）
V
F
V
FRM
t
FR
I
H
I
GKS
I
GAT
FF-态电流
击穿电压
故障时间
正向电压
峰值正向恢复
电压
正向恢复时间
保持电流
门反向电流
门反向电流，
在国家
门反向电流，
正向导通
状态
门极触发电流
门极触发电压
门冲breako-
电压版本
阳极 - 阴极摘
态电容
V
D
= V
DRM
, V
GK
= 0
I
T
= -100 A， 2/10发电机，V
GG
= -100 V,
图3中的测试电路（参见图2）
I
T
= -100 A， 2/10发电机，V
（ BR ）
＆ LT ; V
GG
,
图3中的测试电路（参见图2和注4）
I
F
= 5 A，T
w
= 500
s
I
F
= 100 A， 2/10发电机，
图3中的测试电路（参见图2和注4）
I
F
= 100 A， 2/10发电机，
图3中的测试电路（参见图2和注4）
I
T
= -1时，的di / dt = 1A / MS ，V
GG
= -50 V,
V
GG
= V
GK
= V
GKRM
, V
KA
= 0
I
T
= -0.5 A，T
w
= 500
s,
V
GG
= -50 V，T
A
= 25
°C
T
J
= -40
°C
T
J
= 85
°C
V
F
> 5 V
V
F
> 1 V
-150
-5
-50
-1
测试条件
T
J
= -40
°C
T
J
= 85
°C
民
典型值
最大
-5
-50
-120
1
3
8
1
10000
单位
A
A
V
s
V
V
s
mA
A
A
mA
I
GAF
I
GT
V
GT
V
GK （ BO ）
C
AK
I
F
= 1 A，T
w
= 500
s,
V
GG
= -50 V，T
A
= 25
°C
I
T
= -5 A，T
P（ G）
≥
20
s,
V
GG
= -50 V，T
A
= 25
°C
I
T
= -5 A，T
P（ G）
≥
20
s,
V
GG
= -50 V，T
A
= 25
°C
I
T
= -100 A， 2/10发电机，
图3中的测试电路（参见图2和注4）
F = 1MHz时， V
d
= 1 V，I
G
= 0, T
A
= 25
°C
（见注5 ）
V
D
= -3 V
V
D
= -50 V
-10
5
2.5
20
110
60
mA
mA
V
V
pF
pF
注： 4.二极管的正向恢复和晶闸管的门极脉冲导通（冲）不强烈依赖的SLIC供应
电压值（V
GG
).
5.这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
测试条件
P
合计
= 0.52 W，T
A
= 85
°C,
5厘米
2
， FR4 PCB
分钟。
典型值。
马克斯。
160
单位
° C / W
2000年10月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISPPBL3可编程保护
参数测量信息
PRINCIPAL端V - I特性
+i
I
FSP
(= |I
TSP
|)
我象限
前锋
传导
特征
GATE转移
特征
+i
K
I
FSM
(= |I
TSM
|)
I
F
V
F
V
GK （ BO ）
V
GG
（电路V
B
)
V
D
I
D
I
GT
+v
-i
G
I
GAF
+i
G
I
F
-v
I
（BO）
I
S
I
H
V
T
I
T
I
TSM
I
G
I
GAT
I
T
V
（BO）
V
S
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
PM6XAIB
I
K
-i
K
图1.主要终端和栅极传输特性
保护器最大限制电压
vs
时间
10
MAX V
FRM
= 8 V
5
0
沃尔特GE - V
V
GG
= V
B
1
s
10毫秒
时间
1
s
V
GG
V
GG
-10
V
GG
-20
MAX V
（BO）
= V
GG
-20 V
V
GG
-3
PM6XALC
图2.瞬态限制TISPPBL3 2/10冲击限制电压
2000年10月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISPPBL3可编程保护
参数测量信息
参数测量信息
冲动
RS CURRENT
40
I
T
, I
F
限制
电压
V
K
, V
F
Th4
DUT
（ TISPPBLx ）
Hi
ECAT与E505
2/10输出网络
Lo
Th5
一个BOURNS卢比=一个部分
4B04B - 523-400 OR A
4B04B - 524-400 LINE FEED
电阻网络
I
G
V
B
(V
GG
)
AI6XBACE
C1
220 nF的
图3测试电路测量限制电压的
热信息
PEAK非经常性交流
vs
当前时间
20
I
TSM
- 峰值非经常50 Hz电流 - 一个
15
10
8
7
6
5
4
3
2
1.5
1
0.8
0.7
0.6
0.5
0.01
TI61AF
RING和TIP端子：
等于我
TSM
应用价值
同时
接地端子：
目前我两次
TSM
价值
EIA / JESD51
环境
印刷电路板，T
A
= 25
°
V
GG
= -80 V
V
GG
= - 60 V
V
GG
= -100 V
V
GG
= -120 V
0.1
1
10
100
吨 - 当前时间 - S
1000
图4
2000年10月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
QQ：2881677436 复制
