TISPL758LF3D
集成对称和非对称双向过压
保护器朗讯科技L7581 / 2/3线卡接入交换机
版权所有 1998年，创新动力有限公司， UK
1998年1月 - 修订1998年10月
过电压保护朗讯科技LCAS
q
对称和非对称
特性的最佳保护
朗讯L7581 / 2/3 LCAS
终奌站
V
DRM
V
（BO）
V
V
对
T- G（对称）
±105
±130
R- G（不对称）
+105, -180
+130, -220
客户定制版本
包
（ TOP VIEW ）
T
NC
NC
R
1
2
3
4
8
7
6
5
G
G
G
G
MDXXAE
NC - 无内部连接
q
额定国际浪涌波形
波形
2/10 s
8/20 s
10/160 s
10/700 s
10/560 s
10/1000 s
标准
GR-1089-CORE
ANSI C62.41
FCC第68部分
ITU -T K20 / 21
FCC第68部分
GR-1089-CORE
I
TSP
A
175
120
60
50
45
35
设备符号
T
R
q
离子注入击穿区
精确稳定的电压
在低压浪涌电压过冲
平面钝化结
低断态电流< ± 10 μA
小外形表面贴装封装
- 可用订购选项
支架
管
录音和缠绕
订单号
TISPL758LF3D
TISPL758LF3DR
SD3XAA
G
端T中，R且G相对应的
A，B和C的替代路线代号
q
q
条件是低电平电源交叉时
LCAS的开关闭合。在这种条件下，
该TISPL758LF3D限制了电压和
相应的LCAS消散，直到LCAS
热脱扣动作并打开开关。
在开路振荡的条件下，该行
环（R）的导体将有高的峰值电压。
对于电池供电的铃声，环导体
将有较大的负峰值电压比
正面即峰值电压是不对称的。
的过电压保护器与一个类似的电压
不对称将给予最有效的保护。
在连接线，端头（T ）导体会
有更小的电压电平比开
电路导线环值。在这里，对称
电压保护器提供了足够的保护。
过电压通常是由交流引起动力
系统或闪电干扰它们是
引起的或到电话线进行。
这些过电压是由最初剪辑
保护器击穿夹紧直到电压
上升到导通的水平，这将导致
描述
该TISPL758LF3是一个综合的组合
对称双向过压
保护和不对称的双向
过电压保护。它被设计为限制本
在朗讯的线路终端的峰值电压
技术L7581 / 2/3 LCAS （线卡
接入交换机） 。一个LCAS也可以是
被称为固态继电器，固态继电器，即
替换现有的电 - 的
机械继电器。
该TISPL758LF3D电压被选择给
所有开关足够LCAS保护
条件。最有压力
从朗讯科技公司的微电子集团的支持表示感谢的定义
该TISPL758LF3D电压电平以及用于执行TISPL758LF3D评价。
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TISPL758LF3D
集成对称和非对称双向过压
保护器朗讯科技L7581 / 2/3线卡接入交换机
1998年1月 - 修订1998年10月
装置撬棍插入状态的低电压。在此状态下的低电压使从所得电流
过电压可通过该装置安全地转移。对于负浪涌，高铁撬保持电流
防止直流闭锁与SLIC电流，浪涌电流消退。该TISPL758LF3保证
以电压限制和抵御国际上市雷电浪涌的两极。
这些保护器件被提供在一个小外形的表面贴装（D）的塑料封装。区别
该TISPL758LF3D和TISPL758LF3DR版本之间所示的订购信息。
绝对最大额定值，
T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1 ， 2和3 ）
2/10微秒（ GR -1089 -CORE ， 2/10 μs的电压波形）
8/20微秒（ ANSI C62.41 ， 1.2 / 50 μs的电压波形）
一百六分之一十微秒（ FCC第68部分，一百六分之一十μs的电压波形）
200分之5微秒（ VDE 0433 ， 2.0千伏10/700 μs的电压波形）
0.2 / 310微秒（ I3124 ， 2.0千伏， 0.5 / 700 μs的电压波形）
三百一分之五微秒（ITU-T K20 / 21， 2.0千伏， 10/700 μs的电压波形）
三百一分之五微秒（ FTZ R12 ， 2.0千伏10/700 μs的电压波形）
五百六十○分之一十微秒（ FCC第68部分，五百六十〇分之一十μs的电压波形）
10/1000微秒（ GR -1089 -CORE ， 10/1000微秒的电压波形）
非重复性峰值通态电流（见注1 ， 2和3 ）
全正弦波
重复峰值通态电流， 50/60赫兹， （见注2和3 ）
通态电流上升的初始速度，
结温
存储温度范围
指数目前的斜坡，斜坡的最大价值<一70
50赫兹
60赫兹
I
TSM
I
TSM
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
16
20
2x1
150
-40到+150
-40到+150
A
A
A / μs的
°C
°C
I
TSP
175
120
60
50
50
50
50
45
35
A
R-G终端
T-摹端
符号
V
DRM
价值
-180, +105
-105, +105
单位
V
注： 1，以上规定的最高温度，线性降额到零上150 ℃的焊接温度。
2.最初TISPL758LF3必须是热平衡与0 ℃的<牛逼
J
<70°C.
3.浪涌可以重复后TISPL758LF3返回到其初始条件。
推荐工作条件
民
R1
系列电阻GR -1089 -CORE
系列电阻FCC第68部分
R1
第一级激增，运营通（ 4.5.7 ）
一百六分之一十非经营性通
一百六分之一十业务通
五百六十○分之一十非经营性通
五百六十○分之一十业务通
R1
串联电阻ITU -T K20 / 21
10/700 ， < 2千伏，通运营
10/700 ， 4千伏，运行通
20
0
18
0
10
0
40
典型值
最大
单位
产品
信息
2
TISPL758LF3D
集成对称和非对称双向过压
保护器朗讯科技L7581 / 2/3线卡接入交换机
1998年1月 - 修订1998年10月
电气特性的TG和RG端子对，T
J
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
I
DRM
V
（BO）
V
（BO）
I
H
I
D
C
TG
C
RG
场外重复峰值
目前状态
击穿电压
测试条件
V
D
= ±V
DRM
（见注4 ）
的dv / dt = ± 250 V / ms的，R
来源
= 300
R-G终端
T-摹端
R-G终端
T-摹端
-220
-130
-240
-140
+100
-150
±10
V
TG
= -5V ， （见注5 ）
V
TG
= -50 V， （见注5 ）
18
10
36
20
价值
民
典型值
最大
±10
+130
+130
+140
+140
单位
A
V
V
mA
A
pF
pF
脉冲导通电压与额定操作通系列脉冲条件
AGE
保持电流
FF-态电流
关态电容
关态电容
电阻器
的di / dt = -30毫安/ MS
的di / dt = 30毫安/ MS
0℃， V
D
< ± 50 V ，T
J
= 85°C
F = 100千赫
F = 100千赫
V
d
= 1 V均方根
V
d
= 1 V均方根
注：v 4.正值和负值
DRM
是不相等的。请参见参数表
5.这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
160
单位
° C / W
产品
信息
3
TISPL758LF3D
集成对称和非对称双向过压
保护器朗讯科技L7581 / 2/3线卡接入交换机
1998年1月 - 修订1998年10月
参数测量信息
+i
I
TSP
我象限
开关
特征
I
TSM
V
（BO）
I
H
I
DRM
-v
V
DRM
I
DRM
I
H
V
D
I
D
I
D
V
D
V
DRM
+v
I
（BO）
I
（BO）
V
（BO）
I
TSM
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
PMXXAE
图1.非对称电压 - 电流特性FOR RG端子对
+i
I
TSP
我象限
开关
特征
I
TSM
V
（BO）
I
H
I
DRM
-v
V
DRM
I
DRM
I
H
V
D
I
D
I
D
V
D
V
DRM
+v
I
（BO）
I
（BO）
V
（BO）
I
TSM
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
PMXXAH
图2.对称电压 - 电流特性FOR TG端子对
产品
信息
4
TISPL758LF3D
集成对称和非对称双向过压
保护器朗讯科技L7581 / 2/3线卡接入交换机
1998年1月 - 修订1998年10月
典型特征
FF-态电流
vs
结温
100
V
D
= ±50 V
10
I
D
- 断态电流 - μA
正规化的击穿电压
TC3MAG
1.2
正规化的击穿电压
vs
结温
TC3MAJA
1.1
1
V
（BO）
1.0
V
DRM
0·1
0·01
0·001
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
0.9
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
网络连接gure 3 。
图4中。
正规化的击穿电压
vs
加息原理CURRENT OF的
1.3
TC3MAC
2.0
归一化控股电流
vs
结温
TC3MAHA
归一化控股电流
1.5
1.2
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
1.1
1.0
0·001
0·01
0·1
1
10
100
-25
0
25
50
75
100
125
150
的di / dt - 率原则电流上升 - A / μs的
T
J
- 结温 - °C
图5中。
图6 。
产品
信息
5
QQ：2881677436 复制
