TISP83121D
双栅单向过电压保护器
1999年2月
绝对最大额定值
等级
重复峰值断态电压， 0 ° C至70℃
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
10/1000微秒（ GR-1089 -CORE ，开路电压波形10/1000 μs）内
三百一分之五微秒（CCITT K20 / 21，开路电压波形7 kV10 / 700微秒）
8/20微秒（ANSI C62.41 ，开路电压波形1.2 / 50微秒）
非重复性峰值通态电流， 50赫兹，半波整流正弦波， （见注1和2 ）
100毫秒
1s
900 s
结温
存储温度范围
T
J
T
英镑
I
TSM
22
8
3
-40到+150
-65到+150
°C
°C
A
I
TSP
150
150
500
A
符号
V
DRM
价值
100
单位
V
注： 1，最初的保护必须是热平衡与0 ℃的<牛逼
J
< 70 ℃。电涌可能会重复后，设备返回到
它的初始条件。对于工作在额定电流值时，引脚1 ，图4，图5和8必须被连接在一起。
2， 70°C以上，减免线性到零上150 ℃的焊接温度。
电特性，T
J
= 25 ° C（除非另有说明）
参数
I
D
I
DRM
FF-态电流
重复峰值断态
当前
保持电流
反向电流
V
d
= 70 V，I
G
= 0
V
d
= V
DRM
= 100 V，I
G
= 0， 0℃至70 ℃的
T
J
= 0至70℃
I
H
I
R
I
G1T
I
G2T
V
G1T
V
G2T
C
AK
记
I
T
= 1 A， di / dt的= -1A / MS
V
R
= 0.3 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 70 °C
门G1触发电流I
T
= 1 A，T
P（ G）
= 20 s
门G2触发电流I
T
= 1 A，T
P（ G）
= 20 s
G1 -K触发电压
G2 -A触发电压
阳极到阴极摘
态电容
I
T
= 1 A，T
P（ G）
= 20 s
I
T
= 1 A，T
P（ G）
= 20 s
F = 1MHz时， V
d
= 1 V
RMS
, V
D
= 5 V，I
G
= 0 （见注3 ）
90
60
1
+200
-180
+1.8
-1.8
100
mA
mA
mA
V
V
pF
测试条件
民
典型值
最大
1
10
300
mA
单位
A
A
3：这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端分离桥的保护终端。
热特性
参数
R
θJA
结到自由空气的热阻
测试条件
T
A
= 25 ° C， EIA / JESD51-3 PCB ，
EIA / JESD51-2环境下，我
T
= I
TSM(900)
民
典型值
最大
105
单位
° C / W
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参数测量信息
+i
1象限
阳极正
开关特性
V
GT
I
H
V
R
-v
I
D
V
DRM
I
R
参考
电压
+v
第三象限
阳极负
反向特性
-i
PM6XAGB
图1.电压 - 电流特性
多线路过电压保护
图2示出了两个TISP83121D设备保护多条线路。导线正过压
保护由转向二极管阵列连接到上TISP83121D和阳极中给出的
TISP83121D本身。该TISP83121D栅极基准电压是正的电池电源+ V
BAT
。最初的
限制电压将电池时，正向偏置导体二极管，栅极的电压的总和
触发器的TISP83121D和正向偏置参考电压阻断二极管。通常情况下，导体
电压最初将限制在2.5 V以上+ V
BAT
值。
线导体负过电压保护是由二极管转向阵列连接到所述阴极定
的下TISP83121D和TISP83121D本身。该TISP83121D栅极参考电压是负
电池供电， -V
BAT
。初始限制电压将所述电池的电压的总和，正向
偏置导体二极管，所述TISP83121D和正向偏置的基准电压的栅极触发
阻流二极管。通常情况下，导线电压最初将限制在2.5伏以下-V
BAT
值。
当TISP83121D撬棍和地面适当极性的所有导体，该器件的电流会
将所有的SLIC的输出电流的总和。这通常会超过TISP83121D保持电流。对
关掉TISP83121D并恢复正常操作，在SLIC输出的接地条件必须是
检测，并且该SLIC的输出截止。
该TISP83121D的150 A额定允许大量的线路加以保护，防止电流引起的
雷击。例如，如果一个建议K.20 10/700发生器连接到所有的行在一起，
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R1
R
1号线
IN
R
T1
G2
SLIC 1
A
+ VE
参考
电压
+V
BAT
G1
R
K
TISP83121D
A
R
G2
0
RN
R
n行
IN
R
TN
SLIC
TISP83121D
K
G1
-V
BAT
-VE
参考
电压
AI8XAA
图2. N线正负过压保护
A
A
+ VE
参考
电压
G2
+V
BAT
G1
G1
TISP83121D
TISP83121D
K
A
G2
TISP83121D
G2
G1
K
(A)
-VE
参考
电压
-V
BAT
G1
K
(B)
-V
BAT
-VE
参考
电压
AI8XAB
A
TISP83121D
K
+ VE
参考
电压
+V
BAT
G2
0
0
图3.参考电压控制BY （ A）击穿二极管
或（b ）由晶体管缓冲区
同为350V初级的25保护和一系列导体电阻（R）的
,
最大导体电流
前操作将是主要的保护二十五分之三百五十零= 14 A或每行28埃。对于一个总回报电流
约150的行数将二十八分之一百五十= 5。在此电流水平， 5x28 = 140 A中，发电机
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电压为140 （ （ 25 + 25 ） / 10 + 15 ） = 2800 V.另一个限制是长期的权力交叉。从长远来看
在TISP83121D的电源交叉能力为3峰或2.1有效值。如果在线路导体的过电流
保护由PTC电阻，转换为0.2 A，导线的最大数量定
变成2.1 / 0.2 = 10或5号线。
电池电源阻抗
在许多设计中，通过切换模式电源中产生的电池电源电压。这类
电源不能充电一样的电池。供给的充电电流的开关模式电源
通常会导致停止开关电源，电压上升。该TISP83121D的栅极电流为
的充电电流的供应。为了避免供电电压上升而损坏连接的SLIC组件，
雪崩二极管电压钳位可以在整个供应（图3 （A）中）来连接。
另一种方法是减少用于供给栅极的充电电流由晶体管缓冲器（图3 （B）） 。如果
该晶体管的增益为50， 200毫安栅极电流将减少到一个电源充电的电流
200/50 = 4毫安在这两种情况下，在所述控制设备的功耗可能是巨大的和功率能力
需要被考虑的设备的选择。
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