H
VE S·C
AV R M
AI SIO PL
LA IA
BL S NT
E
TISP8250D
单向P- GATE晶闸管
过电压和过电流保护
*R
o
TISP8250D过压和过流保护
电信系统30 A 10/1000保护
离子注入击穿区
- 精确和稳定的电压
设备名称
TISP8250D
V
DRM
V
250
V
（BO）
V
340
8 - SOIC封装（顶视图）
G
NC
NC
K
1
2
3
4
8
7
6
5
A
A
A
A
MD8XAAA
NC - 无内部连接
额定国际浪涌波形
波形
2/10
0.5/700
10/700
10/1000
标准
GR-1089-CORE
CNET我31-24
ITU -T K.20 / 21
GR-1089-CORE
I
PPSM
A
75
40
40
30
设备符号
A
功能置换TPP25011
.............................................. UL认证组件
G
SD8XAA
K
描述
该TISP8250D是P栅极反向阻断晶闸管（ SCR）的设计用于电信设备对保护
雷电引起的，交过电压过电流对电话线电源触点和归纳。在固定的电压和电流
触发模式使TISP8250D特别适合于不接地的客户端设备的保护。连接的
整个特区一个电话机极性桥，在固定电压模式中，这些设备可以保护振铃在挂机状态的侧面。
在摘机状态下，无论是固定的电压或电流的触发模式下可以保护下面的电话电子线路。
无需外部栅极激活时， TISP8250D是一个固定电压保护器。不削波的最大工作电压为250 V和
该保护电压保护电压340 V.较低的值可以通过连接小于雪崩击穿二极管被设置
250伏的TISP8250D栅极和阳极之间（参见图2）。
通过与线路导体与连接一个小阻值的电阻串联连接TISP8250D栅极阴极端子并联
电阻，导线过电流可以栅触发TISP8250D导通。
过电压被击穿夹紧最初削，直到电压升高到导通的水平，这会导致设备撬棍
成导通状态的低电压。过流跨越发展的外部栅极 - 阴极电阻足够的电压来触发装置成
状态低电压。在此状态下的低电压使从过应力而产生的电流被通过设备安全地转移。
高铁撬保持电流防止直流闭锁的分流电流补贴。
如何订购
标准
终止完成
顺序
TISP8250DR
TISP8250D
对于无铅
终止完成
顺序
TISP8250DR-S
TISP8250D-S
8250
记号
CODE
标准
QUANTITY
2500
1500
设备
TISP8250D
包
8-SOIC
支架
压纹带绞纱
管
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
2000年7月 - 修订2005年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP8250D过压和过流保护
绝对最大额定值， TA = 25
°C
（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（见注1 ）
非重复性峰值脉冲电流（见注2 ， 3和4 ）
2/10
s
（符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 2/10
s
波形）
0.2 / 310 （ CNET我31-24 ， 0.5 / 700
s
波形）
5/310
s
（ ITU -T K.20 / 21 ， 10/700
s
电压波形）
5/310
s
（ FTZ R12 ， 10/700
s
电压波形）
10/1000
s
（符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 10/1000
s
电压波形）
非重复性峰值通态电流， 50赫兹（见注2 ， 3和4 ）
10 ms半正弦波
1秒整流正弦波
1000秒整流的正弦波
结温
存储温度范围
注：1 。
2.
3.
4.
I
TSM
T
J
T
英镑
5
3.5
0.7
-40到+150
-65到+150
A
75
40
40
40
30
符号
V
DRM
价值
250
单位
V
I
PPSM
A
°
C
°
C
对于在较低温度下的电压值，减免在0.13 ％/
°
C.
最初的设备必须处于热平衡，其中T
J
= 25
°
C.
电涌可能会在设备返回到其初始条件后，重复进行。
EIA / JESD51-2环境和EIA / JESD51-3 PCB ，带5的印刷电路轨道连接标准封装尺寸
宽度。在-0.61 ％减免电流值/
°
C，而环境温度高于25
°
C.
电气特性， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
I
DRM
V
（BO）
I
（BO）
I
H
V
GK
I
GT
I
D
C
O
重复峰值断态电流
击穿电压
导通电流
保持电流
栅极 - 阴极电压
门极触发电流
FF-态电流
关态电容
V
D
= V
DRM
的dv / dt = 250 V / ms的，R
来源
= 300
的dv / dt = 250 V / ms的，R
来源
= 300
I
T
= 5 A， di / dt的= -30毫安/ MS
I
G
= 30毫安
V
AK
= 100 V
V
D
= 60 V
F = 1MHz时， V
d
= 1 V有效值，V
D
= 5 V
15
180
0.6
1.2
40
5
100
测试条件
T
A
= 25
°
C
T
A
= 85
°
C
最小典型最大单位
5
10
340
A
V
mA
V
mA
A
pF
200毫安
热特性， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
R
θ
JA
记
结到环境的热阻
测试条件
EIA / JESD51-3 PCB，我
T
= I
TSM(1000)
（见注5 ）
最小典型最大
单位
170
°
C / W
5. EIA / JESD51-2环境和PCB与5A的额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
2000年7月 - 修订2005年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
伯恩斯销售网络CES展
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美洲：
欧洲：
亚洲 - 太平洋网络C：
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+1-951-781-5500
+41-41-7685555
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“ TISP ”是商Bourns公司，一商Bourns公司的商标，并登记在美国专利和商标局注册。
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