oH
VE S CO
AV R M
AI SIO PL
LA IA
BL S NT
E
TISP8200M ，带缓冲P- GATE SCR DUAL
TISP8201M ，带缓冲的N- GATE SCR DUAL
互补BUFFERED -GATE SCRS
用于双极性SLIC过压保护
*R
TISP8200M & TISP8201M
为SLIC组件的高性能保护与+已经& -ve电池
耗材
TISP8200M ，负过电压保护器
- 宽0至-90 V编程范围
- 低5毫安最大。门极触发电流
- 高-150 mA最小。保持电流
TISP8201M ，正过电压保护器
- 宽0至+90 V编程范围
- 低-5 mA最大。门极触发电流
- 20毫安分钟。保持电流
额定国际浪涌波形
TISP8200M ，D封装（顶视图）
G1
K1
K2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
A
A
NC
MDRXAKC
NC - 无内部连接
TISP8200M设备符号
K1
波形
2/10
s
10/700
s
10/1000
s
标准
符合Telcordia GR -1089 -CORE
ITU -T K.20 ， K.21 & K.45
符合Telcordia GR -1089 -CORE
I
TSP
A
210
70
45
G1
A
A
G2
表面贴装小型封装
K2
SDRXAJB
............................................ UL认可零部件
TISP8201M ，D封装（顶视图）
描述
该TISP8200M / TISP8201M组合已被设计来保护
双极电源轨单片的SLIC （用户线路接口
电路）对电话线路上的过电压造成的雷击，
交流电源触点和归纳。防止负
过电压是由TISP8200M给出。防止正
过电压是由TISP8201M给出。两款器件均采用8引脚小型
外形表面贴装封装。
该TISP8200M具有两个缓冲的P-门的SCR与阵列
共阳极连接。每个可控硅的阴极和栅极有一个单独的
终端连接。与NPN缓冲晶体管减少栅极供给
电流。
在使用中， TISP8200M SCR的阴极被连接到两个
POTS线路的导线（参见应用信息） 。门是
连接到SLIC的相应负电压的电池馈
驱动线导体对。这确保了TISP8200M
保护电压跟踪SLIC的负电源电压。的阳极
该TISP8200M连接到SLIC的常见。
G1
A1
A2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
K
K
NC
MDRXALC
NC - 无内部连接
TISP8201M设备符号
A1
G1
K
K
G2
A2
SDRXAKB
如何订购
标准
终止完成
顺序
TISP8200MDR
TISP8201MDR
对于无铅
终止完成
顺序
TISP8200MDR-S
TISP8201MDR-S
设备
TISP8200M
TISP8201M
包
D（ 8引脚小外形封装）
D（ 8引脚小外形封装）
支架
压纹带绞纱
压纹带绞纱
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
1998年5月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP8200M & TISP8201M
描述（续）
负过电压由NPN缓冲晶体管的射极跟随器的动作开始裁剪接近在SLIC负电源。如果有足够的
削波电流流过，这个SCR将重新生成，并切换成导通状态的低电压状态。作为过电压消退，高保持
SCR的电流防止直流闭锁。
该TISP8201M具有两个缓冲N-二栅可控硅具有共同的阴极连接的阵列。每个可控硅阳极和栅极有一个单独的
终端连接。 PNP的缓冲晶体管减少栅极电源电流。
在使用中， TISP8201M SCR的阳极分别连接到POTS线路的两根导线（见应用的信息）。门
连接到SLIC的适当的正电压电池馈找到该线对。这确保了TISP8201M保护
电压跟踪SLIC的正电源电压。该TISP8201M的阴极连接到SLIC的常见。
正的过电压是由PNP型缓冲晶体管的射极跟随器的动作开始裁剪接近SLIC的正电源。如果有足够的
削波电流流过，这个SCR将重新生成，并切换成导通状态的低电压状态。作为过电压减弱时， SLIC的拉
导体电压下降到其正常的负值，该整流导通可控硅成反向偏压条件。
对于TISP8200M ， T A = 25绝对最大额定值
°C
（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压， TISP8200M V
GK
= 0
重复峰值反向电压，V
GA
= -70 V
非重复性峰值通态脉冲电流， （见注1和2 ）
10/1000
s
（ Telcordia公司/符合Bellcore GR -1089 -CORE ，第2期， 1999年2月，第4节）
5/310
s
（ ITU -T K.20 ， K.45 K.21& ， K.44开路电压波形10/700
s)
2/10
s
（ Telcordia公司/符合Bellcore GR -1089 -CORE ，第2期， 1999年2月，第4节）
非重复性峰值通态电流， 50/60赫兹（见注1 ， 2和3 ）
100毫秒
1s
5s
300 s
900 s
非重复性峰值栅极电流， 2/10
s
脉冲，阴极commoned （见注1 ）
结温
存储温度范围
-11
-6.5
-3.4
-1.4
-1.3
10
-55到+150
-65到+150
I
TSP
-45
-70
-210
A
符号
V
DRM
V
RRM
价值
-120
120
单位
V
V
I
TSM
A
I
GSM
T
J
T
英镑
A
°C
°C
注释：1.最初，保护器必须与-40热平衡
°C
≤
T
J
≤
85
°C.
电涌可能会在设备返回后反复
到它的初始条件。
2.这些非重复性额定电流峰值。额定电流值可以被应用到任何阴极 - 阳极端子对。
上述85
°C,
线性降额至零，在150
°C
铅温度。
3.这些非重复性额定电流端子都为TISP8200M和TISP8201M在一起。装置（ A）终端正电流
值由TISP8201M和（K）的终端负电流值由TISP8200M进行。
1998年5月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP8200M & TISP8201M
对于TISP8201M绝对最大额定值， TA = 25
°C
（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压，V
GA
= 0
重复峰值反向电压，V
GK
= 70 V
非重复性峰值通态脉冲电流， （见注1和2 ）
10/1000
s
（符合Telcordia （ Bellcore实验室） GR -1089 -CORE ，第2期， 1999年2月，第4节）
5/310
s
（ ITU -T K.20 ， K.45 K.21& ， K.44开路电压波形10/700
s)
2/10
s
（符合Telcordia （ Bellcore实验室） GR -1089 -CORE ，第2期， 1999年2月，第4节）
非重复性峰值通态电流， 50/60赫兹（见注1 ， 2和3 ）
100毫秒
1s
5s
300 s
900 s
非重复性峰值栅极电流， 2/10
s
脉冲，阴极commoned （见注1 ）
结温
存储温度范围
11
6.5
3.4
1.4
1.3
-10
-55到+150
-65到+150
I
TSP
45
70
210
A
符号
V
DRM
V
RRM
价值
120
-120
单位
V
V
I
TSM
A
I
GSM
T
J
T
英镑
A
°C
°C
注释：1.最初，保护器必须与-40热平衡
°C
≤
T
J
≤
85
°C.
电涌可能会在设备返回后反复
到它的初始条件。
2.这些非重复性额定电流峰值。额定电流值可以被应用到任何阴极 - 阳极端子对。
上述85
°C,
线性降额至零，在150
°C
铅温度。
3.这些非重复性额定电流端子都为TISP8200M和TISP8201M在一起。装置（ A）终端正电流
值由TISP8201M和（K）的终端负电流值由TISP8200M进行。
推荐工作条件
见图10
C1 ， C2门去耦电容
R1, R2
串联电阻的Telcordia GR -1089 -CORE第一级和第二级浪涌生存
串联电阻为ITU-T K.20 ， K.21和K.45用400 V主保护协调
民
100
15
10
典型值
220
20
20
最大
单位
nF
1998年5月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP8200M & TISP8201M
电气特性TISP8200M ， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
I
D
I
R
V
（BO）
V
（BO）
I
H
I
GT
C
关闭
FF-态电流
V
D
= V
DRM
, V
GK
= 0
V
R
= V
RRM
, V
GA
= -70 V
测试条件
T
J
= 0
°C
T
J
= 85
°C
T
J
= 0
°C
T
J
= 85
°C
民
典型值
最大
-5
-50
5
50
-82
-95
-150
5
V
D
= 0
关态电容
F = 1MHz时， V
d
= 1 V, V
GA
= -80 V， （见注4 ）
V
D
= -5 V
V
D
= -50 V
记
35
20
10
pF
单位
A
A
A
A
V
V
mA
mA
反向电流
击穿电压
击穿电压
保持电流
门极触发电流
的dv / dt = -250 V / ms的，源电阻= 300
, V
GA
= -80 V
2/10波形， （我
K
) I
T
= -100 A， di / dt的
马克斯。
= -58 A / μs的，V
GA
= -80 V
(I
K
) I
T
= -1时，的di / dt = 1 / MS ，V
GA
= -80 V
(I
K
) I
T
= -5 A，T
P（ G）
≥
20
s,
V
GA
= -80 V
4 ：这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
电气特性TISP8201M ， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
I
D
I
R
V
（BO）
V
（BO）
I
H
I
GT
C
关闭
FF-态电流
V
D
= V
DRM
, V
GA
= 0
V
R
= V
RRM
, V
GK
= 70 V
的dv / dt = 250 V / ms的，源电阻= 300
, V
GK
= 80 V
2/10波形， （我
A
) I
T
= 100 A， di / dt的
马克斯。
= 58 A / μs的，V
GK
= 80 V
(I
A
) I
T
= 1 A， di / dt的= -1 / MS ，V
GK
= 80 V
(I
A
) I
T
= 5 A，T
P（ G）
≥
20
s,
V
GK
= 80 V
V
D
= 0
关态电容
F = 1MHz时， V
d
= 1 V, V
GK
= 80 V， （见注4 ）
V
D
= 5 V
V
D
= 50 V
记
+20
-5
35
20
10
pF
测试条件
T
J
= 0
°C
T
J
= 85
°C
T
J
= 0
°C
T
J
= 85
°C
民
典型值
最大
5
50
-5
-50
82
95
单位
A
A
A
A
V
V
mA
mA
反向电流
击穿电压
击穿电压
保持电流
门极触发电流
4 ：这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
测试条件
P
合计
= 0.52 W，T
A
= 70℃， 5厘米
2
， FR4 PCB
民
典型值
最大
160
单位
° C / W
1998年5月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
QQ：2880707522 复制
