添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第992页 > TISP6NTP2C_07
oH
S
CO
M
PL
IA
TISP6NTP2C
QUAD正向传导P- GATE闸流体
可编程过电压保护
*R
NT
TISP6NTP2C高压振铃SLIC保护
独立跟踪过压保护两SLIC组件：
- 双电压可编程保护器
- 支持电池电压低至-155 V
- 低5毫安最大。门极触发电流
- 高150毫安分钟。 （ 70
°
C）保持电流
- 2/10指定的限制电压
- 小外形表面贴装封装
- 全0
°
C至70
°
C温度范围
额定常见的脉冲波形
电压脉冲
波形
10/1000
10/700
2/10
冲击电流
波形
10/1000
5/310
2/10
I
PPSM
A
25
40
90
G1,G2
包（顶视图）
K1
G1,G2
G3,G4
K3
1
2
3
4
8
7
6
5
K2
A
A
K4
MDRXAN
设备符号
K1
典型TISP6NTP2C路由器的应用
终端适配器
SLIC 1
处理器
SLIC 2
TISP6-
NTP2C
POTS 2
POTS 1
K2
A
A
K3
G3,G4
LINE
收发器
收发器
局域网
AI6NTP2C
K4
SDRXAIA
............................................ UL认可零部件
描述
该TISP6NTP2C已被设计为短回路系统，如：
- WILL （无线本地环路）
- SOHO （小型办公室和家庭办公室）
- FITL （光纤环路中）
- ISDN- TA （综合业务数字网 - 终端适配器）
- DAML （数字增加了主线，对增益）
如何订购
设备
TISP6NTP2C
包
D（ 8引脚小外形封装）
支架
R（卷带卷取）
- （管）
顺序
TISP6NTP2CDR-S
TISP6NTP2CD-S
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
2002年3月 - 修订2007年1月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP6NTP2C高压振铃SLIC保护
描述（续）
所描述的系统常常需要到源2的POTS （普通老式电话业务）线路，一个用于电话和其他要
传真机。在一个表面贴装封装， TISP6NTP2C保护两个POTS线路的SLIC （用户线路接口电路）
免受雷击，过电压交流电源触点和归纳。
该TISP6NTP2C有四个缓冲P-门正向导通晶闸管采用双commoned门和共阳极阵列
连接。每个晶闸管的阴极有一个单独的终端连接。一个反并联的阳极 - 阴极二极管两端分别连接
晶闸管。该缓冲晶体管，减少栅极电源电流。
在使用中，一个TISP6NTP2C晶闸管的阴极连接到所述四个导体的2 POTS线路（参见应用信息）。
每一个栅极被连接到SLIC的相应负电压的电池进给驱动该线对。由于具有单独的门，每个SLIC
可以在与该个体的SLIC的负电源电压的电压电平进行保护。该TISP6NTP2C的阳极连接
到SLIC常见。该TISP6NTP2C电压和电流额定值也使其适用于ISDN的直流的保护馈送下来的
-115 V（ ETSI技术报告ETR 080 ：1993 ，取值范围为1 5 ） 。
正的过电压是由TISP6NTP2C反并联二极管的正向导通剪切到常见。负过电压最初
由TISP6NTP2C缓冲晶体管的射极跟随器的动作修剪接近SLIC的负电源。如果有足够的剪裁电流流过，
该TISP6NTP2C晶闸管将重新生成，并切换到导通状态的低电压状态。作为过电压消退，高保持
在TISP6NTP2C电流防止直流闭锁。
绝对最大额定值， 0
°
C
≤
TJ
≤
70
°
℃（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压，V
GK
= 0
重复峰值门极 - 阴极电压，V
KA
= 0
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
10/1000 （符合Telcordia （ Bellcore实验室） GR -1089 -CORE ，第2期， 1999年2月，第4节）
三百二十〇分之五（ ITU -T K.20 ， K.45 K.21& ， K.44开路电压波形10/700 ）
2/10 （符合Telcordia （ Bellcore实验室） GR -1089 -CORE ，第2期， 1999年2月，第4节）
非重复性峰值通态电流， 50赫兹/ 60赫兹（见注1和2 ）
0.1 s
1s
5s
300 s
900 s
非重复性峰值栅极电流， 1/2
s
脉冲，阴极commoned （见注1 ）
工作自由空气的温度范围内
结温
存储温度范围
I
GSM
T
A
T
J
T
英镑
I
TSM
7
2.7
1.5
0.45
0.43
+25
-40至+85
-40到+150
-40到+150
A
°C
°C
°C
A
I
PPSM
25
40
90
A
符号
V
DRM
V
GKRM
价值
-170
-167
单位
V
V
注： 1，首先，保护必须是热平衡。电涌可能会在设备返回到其初始条件后，重复进行。
栅极电压范围为-20 V至-155 V.
2.这些不重复的额定电流为任一极性的峰值。额定电流值可以被应用到任何cathode-
阳极端子对。另外，所有的阴极 - 阳极端子对可具有其额定电流值的同时施加（在
这种情况下，阳极端子的电流将是四倍于单个端子对的额定电流值）。
推荐工作条件
部件
C
G
R
S
门去耦电容
串联电阻为GR -1089 -CORE内部建设潮生存，部分4.5.9 ，测试1和2
串联电阻为K.20 ， K.21和K.45用400 V主保护协调
民
100
5
10
典型值
220
50
50
最大
单位
nF
2002年3月 - 修订2007年1月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP6NTP2C高压振铃SLIC保护
电气特性， 0
°
C
≤
TJ
≤
70
°
℃（除非另有说明）
参数
I
D
V
（BO）
V
（BO）
V
GK （ BO ）
V
F
V
FRM
V
FRM
I
H
I
GKS
I
GT
V
GT
C
KA
FF-态电流
斜导通
电压
脉冲导通
电压
栅极 - 阴极脉冲
击穿电压
正向电压
斜坡峰值正向
恢复电压
脉冲峰值正向
恢复电压
保持电流
门反向电流
V
D
= V
DRM
, V
GK
= 0
UL 497B ， dv / dt的
≤±100
V / μs的，的di / dt =
±10
A / μs的，
V
GG
= -100 V，最大倾斜值=
±10
A
（见注3 ）
2/10
s,
I
TM
= -27 A， di / dt的= -27 A / μs的，R
S
= 50
,
V
GG
= -100 V,
（见注3 ）
I
F
= 5 A，T
w
= 200
s
UL 497B ， dv / dt的
≤±100
V / μs的，的di / dt =
±10
A / μs的，
最大斜坡值=
±10
A
2/10
s,
I
TM
= -27 A， di / dt的= -27 A / μs的，R
S
= 50
,
（见注3 ）
I
T
= -1时，的di / dt = 1A / MS ，V
GG
= -100 V
V
GG
= V
GK
= V
GKRM
, V
KA
= 0
I
T
= -3 A，T
P（ G）
≥
20
s,
V
GG
= -100 V
I
T
= -3 A，T
P（ G）
≥
20
s,
V
GG
= -100 V
F = 1MHz时， V
d
= 1 V，I
G
= 0 ， （见注4 ）
V
D
= -3 V
V
D
= -48 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 25
°C
-150
-5
-50
5
6
2.5
100
50
T
J
= 25
°C
测试条件
T
J
= 25
°C
民
典型值
最大
-5
-50
T
J
= 25
°C
-112
-115
15
3
5
12
单位
A
A
V
V
V
V
V
V
mA
A
A
mA
mA
V
pF
pF
2/10
s,
I
TM
= -27 A， di / dt的= -27 A / μs的，R
S
= 50
,
V
GG
= -100 V,
门极触发电流
栅极 - 阴极触发
电压
阴极 - 阳极场外
态电容
NOTES ： 3. GR -1089 -CORE帧内-建设2/10 ， 1.5 kV的的条件与20 MHz的带宽的。该二极管的正向的恢复，并的晶闸管门极
脉冲导通（过冲）不强烈依赖SLIC的电源电压值（Ⅴ
GG
).
4.这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θJA
结到自由空气的热阻
测试条件
T
A
= 70
°C,
EIA / JESD51-3 PCB ，
EIA / JESD51-2环境下，P
合计
= 0.52 W
民
典型值
最大
160
单位
° C / W
2002年3月 - 修订2007年1月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP6NTP2C高压振铃SLIC保护
参数测量信息
PRINCIPAL端V - I特性
+i
I
PPSM
我象限
前锋
传导
特征
GATE转移
特征
+i
K
I
FSM
(= |I
TSM
|)
I
F
V
F
V
GK （ BO ）
V
GG
V
D
I
D
I
GT
+v
-i
G
+i
G
I
F
-v
I
H
V
（BO）
I
T
I
TSM
第三象限
开关
特征
I
PPSM
-i
PM6XAIC
I
T
I
G
I
K
-i
K
图1.主要终端和栅极传输特性
2002年3月 - 修订2007年1月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP6NTP2C高压振铃SLIC保护
应用信息
SLIC保护
在用户端POTS线路的产生通常使用振铃SLIC 。虽然线短，一个中心局的振铃
电压电平，经常需要对传真机的操作。高压SLIC组件，现已能生产出足够的振铃电压（见
表）。该TISP6NTP2C的设计与这些SLIC组件而使用的电池电压，V工作
浴
下降到-150V。图2示出了
典型的例子有一个TISP6NTP2C保护2 SLIC组件。
下表显示了高压SLIC组件的使用多个负供电轨的一些细节。
生产厂家
SLIC系列
SLIC ＃
数据表问题
短路电流
V
浴
马克斯。
V
BATL
马克斯。
AC振铃：
波峰因数
V
浴
V
BATR
R或牛逼过冲< 250纳秒
线路馈电电阻
20 + 30
INFINEON
SLIC -P
PEB 4266
14/02/2001
110
-155
-150
85
1.4
-70
-150
-15
50
ISLIC
79R241
-/08/2000
150
-104
-104
45
1.4
-90
-36
15
-20
50
79R101
-/07/2000
150
-104
V
浴
50
1.4
-99
-24
12
-20
50
79R100
-/07/2000
150
-104
V
浴
55
1.25
-99
-24
12
V
V
V
mA
V
V
V有效值
轻巧
单位
假设-20 V电池电压振铃过程中。
轻巧的轻巧标志和ISLIC是轻巧，Inc.的商标
本出版物中使用的其它产品名称仅作识别之用，可能是其各自公司的商标
公司。
ISDN保护
对电压供给的保护，一个TISP6NTP2C晶闸管的阴极连接到四个导线要被保护的（参见图3）。
每一个栅极被连接到相应的负电压源。该TISP6NTP2C的阳极连接到公共系统。
正的过电压是由TISP6NTP2C反并联二极管的正向导通剪切到常见。负过电压最初
由TISP6NTP2C缓冲晶体管的射极跟随器的动作修剪接近负电源。如果有足够的削波电流流过，则
TISP6NTP2C晶闸管将重新生成，并切换到导通状态的低电压状态。作为负过电压消退，高保持
在TISP6NTP2C电流防止直流闭锁。
电压应力水平
图4示出了保护装置的电极。包终端指定的闸门，G ，就是晶体管的基极， B，电极连接，所以是
标记为B （G）中。下面结受到电压应力：晶体管的EB和CB ，可控硅的AK （关闭状态）和反并联二极管
（反向阻断） 。这一条款涵盖了必要的测试，以确保路口都不错。
测试晶体管CB和EB ：最大电压应力水平为TISP6NTP2C为V
浴
与另外的短期反平行的
二极管的电压过冲，V
FRM
。流出的电流对G端子的测量V
浴
加V
FRM
。可控硅端子被短路到
通用（0V）用于该试验中（参见图4） 。所测量的电流，I
GKS
，为结电流I的总和
CB
我
EB
.
测试晶体管CB ， AK可控硅关断状态和二极管反向阻断：在的超调时期出现的最高电压AK
保护者。为了确保可控硅和二极管阻塞路口，在此期间，直流不分解测试关态电流，我
D
,
可以在过冲电压值施加。以避免晶体管的CB电流放大由晶体管增益时，晶体管基极 - 发射极是
在此测试期间短路（参见图5） 。
摘要：两个测试需要验证保护的路口。对我最大电流值
GKS
我
D
必须在指定的应用
电压的条件。
2002年3月 - 修订2007年1月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
查看更多TISP6NTP2C_07PDF信息
推荐型号
TLVH431BIDCKR
TLP330
TAJD336M025R
TSM1014IDT
TSC80C51-12IBD/883
TL34074N
TSC80C51-30MXD/883
TN0110ND
TL432BCDBVRG4
TSC51C1XXX-12CAD
TLC320AD535I
TPS62151
TLE2062MD
TRAC-S2
TPS658610
TMS426400
TMS320C6414TZLZ8
TT240N30KOF
TPS60242
TSLR257
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TISP6NTP2C_07
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
查询更多TISP6NTP2C_07供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！