oH
S
CO
M
PL
IA
TISP6NTP2A
QUAD正向传导BUFFERED P- GATE闸流体
*R
NT
TISP6NTP2A可编程保护
独立过电压保护SLIC组件的两个短
环应用：
- 宽0至-90 V编程范围
- 低5毫安最大。门极触发电流
- 高150毫安分钟。 （ 85
°
C）保持电流
- 指定的1.2 / 50 & 0.5 / 700极限电压
- -40
°
C至85
°
C温度范围
额定常见的脉冲波形
包（顶视图）
K1
G1,G2
G3,G4
K3
1
2
3
4
8
7
6
5
K2
A
A
K4
MDRXAM
电压脉冲
形式
10/1000
s
10/700
s
1.2/50
s
2/10
s
冲击电流
形状
10/1000
s
5/310
s
8/20
s
2/10
s
I
TSP
A
20
25
75
85
设备符号
K1
.............................................. UL认证组件
G1,G2
描述
该TISP6NTP2A已被设计为短环路系统
例如：
- WILL （无线本地环路）
- FITL （光纤环路中）
- DAML （数字增加了主线，对增益）
- SOHO （小型办公室和家庭办公室）
- ISDN -TA （综合业务数字网络 -
终端适配器）
K2
A
A
K3
典型TISP6NTP2A路由器的应用
终端适配器
SLIC 1
处理器
SLIC 2
TISP6
NTP2A
POTS 2
POTS 1
K4
SDRXAI
G3,G4
LINE
收发器
收发器
局域网
如何订购
设备
TISP6NTP2A
包
支架
顺序
TISP6NTP2ADR-S
D，小外形磁带和卷轴
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
1998年6月 - 修订2008年7月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP6NTP2A可编程保护
描述（续）
这些系统常常需要对源2的POTS （普通老式电话业务）线路，一个用于电话和其他用于传真
机。在一个表面贴装封装， TISP6NTP2A保护两个POTS线路的SLIC （用户线路接口电路）反对
过电压造成的雷击，交流电源触点和归纳。
该TISP6NTP2A有四个缓冲P-门正向导通晶闸管采用双commoned门和共阳极阵列
连接。每个晶闸管的阴极有一个单独的终端连接。一个反并联的阳极 - 阴极二极管两端分别连接
晶闸管。该缓冲晶体管，减少栅极电源电流。
在使用中，一个TISP6NTP2A晶闸管的阴极连接到所述四个导体的2 POTS线路（参见应用信息）。每
栅极被连接到SLIC的相应负电压的电池进给驱动该线对。由于具有单独的门，每个SLIC可以
在与该个体的SLIC的负电源电压的电压电平进行保护。该TISP6NTP2A的阳极连接到
SLIC常见。
正的过电压是由TISP6NTP2A反并联二极管的正向导通剪切到常见。负过电压最初
由TISP6NTP2A缓冲晶体管的射极跟随器的动作修剪接近SLIC的负电源。如果有足够的削波电流流过，则
TISP6NTP2A晶闸管将重新生成，并切换到导通状态的低电压状态。作为过电压消退，高维持电流
在TISP6NTP2A防止直流闭锁。
绝对最大额定值， TA = 25
°
℃（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压，I
G
= 0,- 40
°C
≤
T
J
≤
85
°C
重复峰值门极 - 阴极电压，V
KA
= 0, - 40
°C
≤
T
J
≤
85
°C
非重复性峰值通态电流脉冲， -40
°C
≤
T
J
≤
85
°C,
（见注1和2 ）
10/1000
s
（符合Bellcore GR -1089 -CORE ，第1期， 1994年11月，第4节）
0.2/310
s
（ I3124 ，开路电压波形0.5 / 700
s)
5/310
s
（ITU-T K.20 & K.21 ，开路电压波形10/700
s)
8/20
s
（ IEC 61000-4-5 ： 1995年，开路电压波形1.2 / 50
s)
2/10
s
（符合Bellcore GR -1089 -CORE ，第1期， 1994年11月，第4节）
非重复性峰值通态电流， 50/60赫兹， -40
°C
≤
T
J
≤
85
°C,
（见注1和2 ）
100毫秒
1s
5s
300 s
900 s
非重复性峰值栅极电流， 1/2
s
脉冲，阴极commoned （见注1 ）
工作自由空气的温度范围内
结温
存储温度范围
I
TSM
7
2.7
1.5
0.45
0.43
25
-40至+85
-40到+150
-65到+150
A
I
TSP
20
25
25
75
85
A
符号
V
DRM
V
GKRM
价值
-100
-90
单位
V
V
I
GSM
T
A
T
J
T
英镑
A
°C
°C
°C
注释：1.最初，保护器必须与-40热平衡
°C
≤
T
J
≤
85
°C.
电涌可能会在设备返回后反复
到它的初始条件。
2.这些不重复的额定电流为任一极性的峰值。额定电流值可以被应用到任何cathode-
阳极端子对。另外，所有的阴极 - 阳极端子对可具有其额定电流值的同时施加（在
这种情况下，阳极端子的电流将是四倍于单个端子对的额定电流值）。上述85
°C,
减额
线性到零，在150
°C
铅温度。
1998年6月 - 修订2008年7月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP6NTP2A可编程保护
推荐工作条件
分钟。
C
G
门去耦电容
串联电阻为GR -1089 -CORE一级浪涌生存
串联电阻为ITU -T K.20建议
串联电阻为ITU -T K.21建议
串联电阻为IEC 61000-4-5 ： 1995年， 5级， 1.2 / 50或10/700
100
40
12
20
4
典型值。
220
马克斯。
单位
nF
R1, R2
电气特性的任何部分， TA = 25
°
℃（除非另有说明）
参数
I
D
FF-态电流
V
D
= V
DRM
, I
G
= 0
测试条件
T
J
= 25
°C
T
J
= 85
°C
分钟。
典型值。
马克斯。
-5
-50
-70
V
-70
2
3
5
15
V
15
2
4
-150
T
J
= 25
°C
T
J
= 85
°C
-5
-50
-1
s
mA
A
A
mA
s
V
单位
A
A
V
（BO）
t
（ BR ）
V
F
击穿电压
故障时间
正向电压
峰值正向恢复
电压
正向恢复时间
保持电流
门反向电流
门反向电流，
在国家
门反向电流，
正向导通
状态
门极触发电流
门极触发电压
阳极 - 阴极摘
态电容
I
T
= -20 A， IEC 61000-4-5 ：1995组合脉冲发生器，
V
GG
= -50 V
I
T
= -18 A， I3124脉冲发生器，V
GG
= -50 V
I
T
= -18 A， I3124脉冲发生器，V
（ BR ）
< -50 V
I
F
= 0.6 A，T
w
= 500
s,
V
GG
= -50 V
I
F
= 18 A，T
w
= 500
s,
V
GG
= -50 V
I
F
= 20 A， IEC 61000-4-5 ：1995组合脉冲发生器，
V
GG
= -50 V
I
F
= 18 A， I3124脉冲发生器，V
GG
= -50 V
I
F
= 18 A， I3124脉冲发生器，
V
GG
= -50 V
I
T
= -1时，的di / dt = 1A / MS ，V
GG
= -50 V，T
J
= 85
°C
V
GG
= V
GKRM
, V
AK
= 0
I
T
= -0.6 A，T
w
= 500
s,
V
GG
= -50 V
V
F
> 10 V
V
F
> 5 V
V
FRM
t
FR
I
H
I
GKS
I
GAT
I
GAF
I
GT
V
GT
C
AK
I
F
= 0.6 A，T
w
= 500
s,
V
GG
= -50 V
I
T
= -5 A，T
P（ G）
≥
20
s,
V
GG
= -50 V
I
T
= -5 A，T
P（ G）
≥
20
s,
V
GG
= -50 V
F = 1MHz时， V
d
= 1 V，I
G
= 0 ， （见注3 ）
V
D
= -3 V
V
D
= -50 V
-40
5
2.5
100
60
mA
mA
V
pF
pF
记
3：这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
测试条件
P
合计
= 0.52 W，T
A
= 85
°C,
5厘米
2
， FR4 PCB
分钟。
典型值。
马克斯。
160
单位
° C / W
1998年6月 - 修订2008年7月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP6NTP2A可编程保护
参数测量信息
PR IN C IPA L TER MIN AL VI CH AR AC TER ISTIC
+i
I
FSP
(= |I
TSP
|)
Q uadran T I
FORW ARD
onduc化
haracteristic
摹于网上TR AN SFER
建华AR A C TER ISTIC
+i
K
I
FSM
(= |I
TSM
|)
I
F
V
F
V
G·K （B O）
V
GG
V
D
I
D
I
克叔
+v
-i
G
I
摹A F
+i
G
I
F
-v
I
（B O）
I
S
I
H
V
T
I
T
I
TSM
I
G
I
G A牛逼
I
T
V
（BO）
V
S
Q uadran吨III
SW itchin克
haracteristic
I
TSP
-i
P M6X AIA
I
K
-i
K
图1.主要终端和栅极传输特性
1998年6月 - 修订2008年7月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP6NTP2A可编程保护
应用信息
门控保护器的操作
图2和图3显示了如何将TISP6NTP2A限制过电压。该TISP6NTP2A晶闸管部分限制过电压的负和
二极管的部分限制正过电压。
SLIC
保护者
R1A
R1A
SLIC
保护者
SLIC 1
SLIC 1
R1B
V
BAT1
R1B
V
BAT1
C1
100 nF的
TISP6NTP2A
R2A
0V
C1
100 nF的
TISP6NTP2A
R2A
0V
SLIC 2
SLIC 2
I
K
R2B
V
BAT2
I
G
R2B
I
F
V
BAT2
I
G
AI6XBN
C2
100 nF的
0V
AI6XBO
C2
100 nF的
0V
图2.负过压条件
图3.正向过压条件
负的过电压（图2）是由晶体管的导通开始裁剪接近在SLIC负电源轨值（VBAT ）
基极 - 发射极和所述晶闸管的门极 - 阴极结。如果有足够的电流可以从该过电压，则晶闸管将撬棍成
低压接地参考的通态条件。为平息过压撬棍晶闸管防止的，高保持电流
直流闭锁。每个晶闸管对中的公共栅极连接在适当的SLIC电池馈电电压（ VBAT1或VBAT2 ） 。
所述负的保护电压V （BO） ，将所述栅极电压（ VBAT ）和峰值栅极（端子） -cathode电压（VGT ）的总和。下
交流过压条件下的VGT将小于2.5V。在TISP6NTP2A集成的晶体管缓冲大大降低保护器的源
和水槽上的VBAT电源电流负载。没有晶体管，晶闸管的门极电流会收取VBAT电源。电子
电源通常不被设计为类似的电池进行充电。其结果是，在电子供给会关掉，并且晶闸管门
电流将提供在SLIC供电电流。通常在SLIC电流将小于栅极的电流，这将导致供应
电压增加，通过一个电源过压破坏的SLIC 。集成的晶体管缓冲消除这个问题。
快速上涨的冲动将导致短期超调栅极 - 阴极电压。冲动的条件下负电压保护会
如果有栅极去耦电容和栅极端子之间的长连接还可以增加。在一个快速的初始上升
脉冲，栅极电流（IG ）是相同的阴极电流（IK） 。 60 A / μs的速率可以2.5厘米造成的0.6 V电压感应
印刷电路轨道。为了尽量减少这种感应电压的增加保护电压时，所述电容器的栅终端跟踪的长度
应该被最小化。
1998年6月 - 修订2008年7月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP6NTP2A
QUAD正向传导BUFFERED P- GATE闸流体
TISP6NTP2A可编程保护
独立过电压保护SLIC组件的两个短
环应用：
- 宽0至-90 V编程范围
- 低5毫安最大。门极触发电流
- 高150毫安分钟。 （ 85
°C)
保持电流
- 指定的1.2 / 50 & 0.5 / 700极限电压
- -40
°C
85
°C
温度范围
额定常见的脉冲波形
包（顶视图）
K1
G1,G2
G3,G4
K3
1
2
3
4
8
7
6
5
K2
A
A
K4
MDRXAM
电压脉冲
形式
10/1000
s
10/700
s
1.2/50
s
2/10
s
冲击电流
形状
10/1000
s
5/310
s
8/20
s
2/10
s
I
TSP
A
20
25
75
85
设备符号
K1
G1,G2
描述
该TISP6NTP2A已被设计为短环路系统
例如：
- WILL （无线本地环路）
- FITL （光纤环路中）
- DAML （数字增加了主线，对增益）
- SOHO （小型办公室和家庭办公室）
- ISDN -TA （综合业务数字网络 -
终端适配器）
K2
A
A
K3
典型TISP6NTP2A路由器的应用
终端适配器
SLIC 1
处理器
SLIC 2
TISP6
NTP2A
POTS 2
POTS 1
K4
SDRXAI
G3,G4
LINE
收发器
收发器
局域网
如何订购
支架
订单号
磁带和卷轴TISP6NTP2ADR
TISP6NTP2A D，小外形
管
TISP6NTP2AD
设备
包
1998年6月 - 修订2000年10月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
220
TISP6NTP2A可编程保护
描述（续）
这些系统常常需要对源2的POTS （普通老式电话业务）线路，一个用于电话和其他用于传真
机。在一个表面贴装封装， TISP6NTP2A保护两个POTS线路的SLIC （用户线路接口电路）反对
过电压造成的雷击，交流电源触点和归纳。
该TISP6NTP2A有四个缓冲P-门正向导通晶闸管采用双commoned门和共阳极阵列
连接。每个晶闸管的阴极有一个单独的终端连接。一个反并联的阳极 - 阴极二极管两端分别连接
晶闸管。该缓冲晶体管，减少栅极电源电流。
在使用中，一个TISP6NTP2A晶闸管的阴极连接到所述四个导体的2 POTS线路（参见应用信息）。每
栅极被连接到SLIC的相应负电压的电池进给驱动该线对。由于具有单独的门，每个SLIC可以
在与该个体的SLIC的负电源电压的电压电平进行保护。该TISP6NTP2A的阳极连接到
SLIC常见。
正的过电压是由TISP6NTP2A反并联二极管的正向导通剪切到常见。负过电压最初
由TISP6NTP2A缓冲晶体管的射极跟随器的动作修剪接近SLIC的负电源。如果有足够的削波电流流过，则
TISP6NTP2A晶闸管将重新生成，并切换到导通状态的低电压状态。作为过电压消退，高维持电流
在TISP6NTP2A防止直流闭锁。
绝对最大额定值， TA = 25
°C
（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压，I
G
= 0, -40
°C
≤
T
J
≤
85
°C
重复峰值门极 - 阴极电压，V
KA
= 0, -40
°C
≤
T
J
≤
85
°C
非重复性峰值通态电流脉冲， -40
°C
≤
T
J
≤
85
°C,
（见注1和2 ）
10/1000
s
（符合Bellcore GR -1089 -CORE ，第1期， 1994年11月，第4节）
0.2/310
s
（ I3124 ，开路电压波形0.5 / 700
s)
5/310
s
（ITU-T K.20 & K.21 ，开路电压波形10/700
s)
8/20
s
（ IEC 61000-4-5 ： 1995年，开路电压波形1.2 / 50
s)
2/10
s
（符合Bellcore GR -1089 -CORE ，第1期， 1994年11月，第4节）
非重复性峰值通态电流， 50/60赫兹， -40
°C
≤
T
J
≤
85
°C,
（见注1和2 ）
100毫秒
1s
5s
300 s
900 s
非重复性峰值栅极电流， 1/2
s
脉冲，阴极commoned （见注1 ）
工作自由空气的温度范围内
结温
存储温度范围
I
TSM
7
2.7
1.5
0.45
0.43
25
-40至+85
-40到+150
-65到+150
A
I
TSP
20
25
25
75
85
A
符号
V
DRM
V
GKRM
价值
-100
-90
单位
V
V
I
GSM
T
A
T
J
T
英镑
A
°C
°C
°C
注释：1.最初，保护器必须与-40热平衡
°C
≤
T
J
≤
85
°C.
电涌可能会在设备返回后反复
到它的初始条件。
2.这些不重复的额定电流为任一极性的峰值。额定电流值可以被应用到任何cathode-
阳极端子对。另外，所有的阴极 - 阳极端子对可具有其额定电流值的同时施加（在
这种情况下，阳极端子的电流将是四倍于单个端子对的额定电流值）。上述85
°C,
减额
线性到零，在150
°C
铅温度。
1998年6月 - 修订2000年10月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
221
TISP6NTP2A可编程保护
推荐工作条件
分钟。
C
G
门去耦电容
串联电阻为GR -1089 -CORE一级浪涌生存
串联电阻为ITU -T K.20建议
串联电阻为ITU -T K.21建议
串联电阻为IEC 61000-4-5 ： 1995年， 5级， 1.2 / 50或10/700
100
40
12
20
4
典型值。
220
马克斯。
单位
nF
R1, R2
电气特性的任何部分， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
I
D
FF-态电流
V
D
= V
DRM
, I
G
= 0
测试条件
T
J
= 25
°C
T
J
= 85
°C
分钟。
典型值。
马克斯。
-5
-50
-70
V
-70
2
3
5
15
V
15
2
4
-150
T
J
= 25
°C
T
J
= 85
°C
-5
-50
-1
s
mA
A
A
mA
s
V
单位
A
A
V
（BO）
t
（ BR ）
V
F
击穿电压
故障时间
正向电压
峰值正向恢复
电压
正向恢复时间
保持电流
门反向电流
门反向电流，
在国家
门反向电流，
正向导通
状态
门极触发电流
门极触发电压
阳极 - 阴极摘
态电容
I
T
= -20 A， IEC 61000-4-5 ：1995组合脉冲发生器，
V
GG
= -50 V
I
T
= -18 A， I3124脉冲发生器，V
GG
= -50 V
I
T
= -18 A， I3124脉冲发生器，V
（ BR ）
< -50 V
I
F
= 0.6 A，T
w
= 500
s,
V
GG
= -50 V
I
F
= 18 A，T
w
= 500
s,
V
GG
= -50 V
I
F
= 20 A， IEC 61000-4-5 ：1995组合脉冲发生器，
V
GG
= -50 V
I
F
= 18 A， I3124脉冲发生器，V
GG
= -50 V
I
F
= 18 A， I3124脉冲发生器，
V
GG
= -50 V
I
T
= -1时，的di / dt = 1A / MS ，V
GG
= -50 V，T
J
= 85
°C
V
GG
= V
GKRM
, V
AK
= 0
I
T
= -0.6 A，T
w
= 500
s,
V
GG
= -50 V
I
F
= 0.6 A，T
w
= 500
s,
V
GG
= -50 V
I
T
= -5 A，T
P（ G）
≥
20
s,
V
GG
= -50 V
I
T
= -5 A，T
P（ G）
≥
20
s,
V
GG
= -50 V
F = 1MHz时， V
d
= 1 V，I
G
= 0 ， （见注3 ）
V
D
= -3 V
V
D
= -50 V
V
F
> 10 V
V
F
> 5 V
V
FRM
t
FR
I
H
I
GKS
I
GAT
I
GAF
I
GT
V
GT
C
AK
-40
5
2.5
100
60
mA
mA
V
pF
pF
记
3：这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
测试条件
P
合计
= 0.52 W，T
A
= 85
°C,
5厘米
2
， FR4 PCB
分钟。
典型值。
马克斯。
160
单位
° C / W
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TISP6NTP2A可编程保护
参数测量信息
PR IN C IPA L TER MIN AL VI CH AR AC TER ISTIC
+i
I
FSP
(= |I
TSP
|)
Q uadran T I
FORW ARD
onduction
haracteristic
摹于网上TR AN SFER
建华AR A C TER ISTIC
+i
K
I
FSM
(= |I
TSM
|)
I
F
V
F
V
G·K （B O）
V
GG
V
D
I
D
I
克叔
+v
-i
G
I
摹A F
+i
G
I
F
-v
I
（B O）
I
S
I
H
V
T
I
T
I
TSM
I
G
I
G A牛逼
I
T
V
（BO）
V
S
Q uadran吨III
SW itchin克
haracteristic
I
TSP
-i
P M6X AIA
I
K
-i
K
图1.主要终端和栅极传输特性
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223
TISP6NTP2A可编程保护
应用信息
门控保护器的操作
图2和图3显示了如何将TISP6NTP2A限制过电压。该TISP6NTP2A晶闸管部分限制过电压的负和
二极管的部分限制正过电压。
SLIC
保护者
R1A
R1A
SLIC
保护者
SLIC 1
SLIC 1
R1B
V
BAT1
R1B
V
BAT1
C1
100 nF的
TISP6NTP2A
R2A
0V
C1
100 nF的
TISP6NTP2A
R2A
0V
SLIC 2
SLIC 2
I
K
R2B
V
BAT2
I
G
R2B
I
F
V
BAT2
I
G
AI6XBN
C2
100 nF的
0V
AI6XBO
C2
100 nF的
0V
图2.负过压条件
图3.正向过压条件
负的过电压（图2）是由晶体管的导通开始裁剪接近在SLIC负电源轨值（VBAT ）
基极 - 发射极和所述晶闸管的门极 - 阴极结。如果有足够的电流可以从该过电压，则晶闸管将撬棍成
低压接地参考的通态条件。为平息过压撬棍晶闸管防止的，高保持电流
直流闭锁。每个晶闸管对中的公共栅极连接在适当的SLIC电池馈电电压（ VBAT1或VBAT2 ） 。
所述负的保护电压V （BO） ，将所述栅极电压（ VBAT ）和峰值栅极（端子） -cathode电压（VGT ）的总和。下
交流过压条件下的VGT将小于2.5V。在TISP6NTP2A集成的晶体管缓冲大大降低保护器的源
和水槽上的VBAT电源电流负载。没有晶体管，晶闸管的门极电流会收取VBAT电源。电子
电源通常不被设计为类似的电池进行充电。其结果是，在电子供给会关掉，并且晶闸管门
电流将提供在SLIC供电电流。通常在SLIC电流将小于栅极的电流，这将导致供应
电压增加，通过一个电源过压破坏的SLIC 。集成的晶体管缓冲消除这个问题。
快速上涨的冲动将导致短期超调栅极 - 阴极电压。冲动的条件下负电压保护会
如果有栅极去耦电容和栅极端子之间的长连接还可以增加。在一个快速的初始上升
脉冲，栅极电流（IG ）是相同的阴极电流（IK） 。 60 A / μs的速率可以2.5厘米造成的0.6 V电压感应
印刷电路轨道。为了尽量减少这种感应电压的增加保护电压时，所述电容器的栅终端跟踪的长度
应该被最小化。
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