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TISP61089AS
双正向导电的P- GATE闸流体
可编程过电压保护
版权所有1999创新动力有限公司, UK
1999年10月
呼入SLIC过电压保护LSSGR “ 1089
q
双电压可编程保护器
- 高电压额定值........................- 120 V
- 宽编程范围..... 0到-100 V
- 低栅极触发电流....... < 5毫安
- 高保持电流................ > 150毫安
增加Gound脚间隙的版本
TISP61089AD
- 地线漏电................ > 3毫米
- 小外形表面贴装封装
额定LSSGR “ 1089条件
波形
2/10 s
10/1000 s
60 Hz功率
故障时间
100毫秒
1s
5s
300 s
900 s
“ 1089 TEST CLAUSE
与试验#
4.5.8第二级1
4.5.7第一级3
“ 1089 TEST CLAUSE
与试验#
4.5.13第二级2
4.5.13第二级2
4.5.13第二级2
4.5.13第二等级1
4.5.13第二等级1
I
TSP
A
120
30
I
TSM
A
11
4.8
2.7
0.95
0.92
( TOP VIEW )
( TIP )
K1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
A
A
NC
MD6XBA
(门)G
(环) K2
(接地)
(接地)
q
q
NC - 无内部连接
在显示终端的典型应用程序的名称
插入语
设备符号
K1
A
G1,G2
A
q
2/10保护电压指定
元素
二极管
CROWBAR
V
GG
= -48 V
科幻RST级
V @ 56一
6
-57
第二级
V @ 100 A
8
-60
K2
端子K1,K2和甲对应的替代
T, R和G或A,B和C线代号
负的保护电压由控制
电压,V
GG,
适用于G终端。
SD6XAP
q
额定ITU-T K20 K21 &冲动
波形
电压
10/700 s
当前
5/320
I
TSP
A
40
描述
该TISP61089AS是双前锋,进行缓冲的P-门过电压保护。它被设计成
保护振铃的SLIC (用户线路接口电路)对电话线路上的过电压造成的
雷击,交流电源触点和归纳。该TISP61089AS限制电压超出SLIC供电
轨电压。该TISP61089AS参数指定允许设备符合Bellcore实验室GR-
1089 -CORE ,第1期。
可选项
支架
录音和缠绕
订单号
TISP61089ASD
TISP61089ASDR
产品
信息
1
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TISP61089AS
双正向导电的P- GATE闸流体
可编程过电压保护
1999年10月
在SLIC线驱动部分通常是从0V(地),并在该区域的负电压供电
-10 V至-100V。该保护栅极连接到该负电源。这涉及到保护
(削波)的电压到负电源电压。作为保护电压就掌握其负电源
电压上的SLIC的过电压应力被最小化。
正的过电压是由二极管正向导通剪切到地面。负过电压最初
限幅接近在SLIC负电源轨的值。如果有足够的电流可从过压,然后
该保护器将撬棍成通态电压低的情况。由于过电压平息高控股
撬棍电流防止直流闭锁。
该TISP61089AS拟用的25的串联组合使用
或更高的电阻和一
合适的过电流保护。电源故障符合要求的系列过流元件开路
或成为高阻抗(见应用信息) 。对于设备符合ITU -T
建议K20 K21或只,串联电阻值,由电源交叉的要求设置。对于K20
和K21 , 10最小串联电阻值
值得推荐。
这些单芯片保护装置制作离子注入平面垂直权力结构的高
可靠性和系统正常运行他们几乎是透明的。该TISP61089AS缓冲门
期间所造成的权力交叉和感应过电压的设计,降低了SLIC电源的负载。
该TISP61089AS是用不同的引出线TISP61089AD 。馈通环(导致4 - 5 ),并提示
(导致1 - 8 )的连接已被取代的单环(导致4)和提示(铅1 )连接。这
增大了偏置到地的连接包的爬电距离,从约0.7mm到超过3毫米。
这种增加的间距简化遵守各种安全标准,例如UL 1950的设计任务。
绝对最大额定值
等级
重复峰值断态电压,I
G
= 0, -40°C
T
J
85°C
重复峰值门极 - 阴极电压,V
KA
= 0, -40°C
T
J
85°C
非重复性峰值通态脉冲电流(见注1和2 )
10/1000微秒(符合Bellcore GR -1089 -CORE ,第1期, 1994年11月,第4节)
三百二十〇分之五微秒( ITU - T建议K20 K21 & ,开路电压波形10/700 )
1.2 / 50微秒(符合Bellcore GR -1089 -CORE ,第1期, 1994年11月第4节,另类)
2/10微秒(符合Bellcore GR -1089 -CORE ,第1期, 1994年11月,第4节)
非重复性峰值通态电流,V
GG
= -80 V, 50 Hz至60 Hz的(见注1和2 )
100毫秒
1s
5s
300 s
900 s
非重复性峰值栅极电流,半微秒脉冲,阴极commoned (见注1和2 )
工作自由空气的温度范围内
结温
存储温度范围
I
GSM
T
A
T
J
T
英镑
I
TSM
11
4.8
2.7
0.95
0.92
40
-40至+85
-40到+150
-65到+150
A
°C
°C
°C
A
I
TSP
30
40
100
120
A
符号
V
DRM
V
GKRM
价值
-120
-120
单位
V
V
注: 1,最初的保护必须是热平衡与-40°C
T
J
85°C 。电涌可能会重复后,设备返回到
它的初始条件。
2.额定电流值可涂在环至地面或尖端接地端子对。此外,这两种
终端对可以具有它们的额定电流值的同时施加(在这种情况下,接地端子的电流将是两倍
单个端子对的额定电流值)。高于25 ° C的环境温度下,减免线性在-0.6 % / ℃。当前值
对于其他时间和栅极电压示于图2中。
产品
2
信息
TISP61089AS
双正向导电的P- GATE闸流体
可编程过电压保护
1999年10月
推荐工作条件
C
G
R
S
门去耦电容
TISP61089AS串联电阻为第一级和第二级浪涌生存
TISP61089AS串联电阻为第一级电涌生存
100
40
25
典型值
220
最大
单位
nF
电特性,T
J
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
I
D
FF-态电流
V
D
= V
DRM
, I
G
= 0
测试条件
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
-57
-60
-60
-64
3
6
8
8
12
-150
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
-5
-50
5
2.5
0.1
100
50
mA
A
A
mA
V
C
pF
pF
V
V
V
典型值
最大
-5
-50
单位
A
A
2/10微秒,我
T
= -56 A,R
S
= 45
,
V
GG
= -48 V ,C
G
= 220 nF的
V
(BO)
击穿电压
2/10微秒,我
T
= -100 A,R
S
= 50
,
V
GG
= -48 V ,C
G
= 220 nF的
1.2 / 50微秒,我
T
= -53 A,R
S
= 47
,
V
GG
= -48 V ,C
G
= 220 nF的
1.2 / 50微秒,我
T
= -96 A,R
S
= 52
,
V
GG
= -48 V ,C
G
= 220 nF的
V
F
正向电压
峰值正向恢复
电压
保持电流
门反向电流
门极触发电流
门极触发电压
门开关充电
阳极 - 阴极摘
态电容
I
F
= 5 A,T
w
= 200 s
2/10微秒,我
F
= 56 A,R
S
= 45
,
V
GG
= -48 V ,C
G
= 220 nF的
V
FRM
2/10微秒,我
F
= 100 A,R
S
= 50
,
V
GG
= -48 V ,C
G
= 220 nF的
1.2 / 50微秒,我
F
= 53 A,R
S
= 47
,
V
GG
= -48 V ,C
G
= 220 nF的
1.2 / 50微秒,我
F
= 96 A,R
S
= 52
,
V
GG
= -48 V ,C
G
= 220 nF的
I
H
I
GKS
I
GT
V
GT
Q
GS
C
AK
I
T
= -1时,的di / dt = 1A / MS ,V
GG
= -48 V
V
GG
= V
GK
= V
GKRM
, V
KA
= 0
I
T
= 3 A,T
P( G)
20微秒,V
GG
= -48 V
I
T
= 3 A,T
P( G)
20微秒,V
GG
= -48 V
1.2 / 50微秒,我
T
= 53 A,R
S
= 47
,
V
GG
= -48 V
G
= 220 nF的
F = 1MHz时, V
d
= 1 V,I
G
= 0 , (见注3 )
V
D
= -3 V
V
D
= -48 V
3:这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θJA
结到自由空气的热阻
测试条件
T
A
= 25 ° C, EIA / JESD51-3 PCB ,
EIA / JESD51-2环境下,我
T
= I
TSM(900)
典型值
最大
105
单位
° C / W
产品
信息
3
TISP61089AS
双正向导电的P- GATE闸流体
可编程过电压保护
1999年10月
参数测量信息
+i
I
FSP
(= |I
TSP
|)
我象限
前锋
传导
特征
I
FSM
(= |I
TSM
|)
I
F
V
F
V
GK ( BO )
V
GG
V
D
I
D
-v
+v
I
(BO)
I
S
I
H
V
T
I
T
I
TSM
V
(BO)
V
S
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
PM6XAAA
图1.电压 - 电流特性
产品
4
信息
TISP61089AS
双正向导电的P- GATE闸流体
可编程过电压保护
1999年10月
热信息
峰值不重复通态电流
vs
当前时间
TI6LAE
I
TSM
- 峰值不重复50 Hz至60 Hz电流 - 一个
20
15
10
8
7
6
5
4
3
2
1.5
1
0.8
0.7
0.6
0.5
0.01
RING和TIP端子:
I
TSM
值同时适用
接地端子:
目前我两次
TSM
价值
EIA / JESD51
环境
印刷电路板,T
A
= 25 °C
V
GG
= -80 V
V
GG
= -60 V
V
GG
= -100 V
0.1
1
10
100
1000
吨 - 当前时间 - S
图2.非重复性峰值通态对当前时间
应用信息
门控保护器
本节涵盖三个主题。首先,它解释了为什么需要门控保护。第二,该电压
保护器的限流作用进行说明。第三,一个示例应用电路进行说明。
门控保护器的目的
固定电压晶闸管过电压保护器已被用于从上世纪80年代初,以保护整体
的SLIC (用户线路接口电路)对电话线路上的过电压造成的雷击,交流
电源触点和归纳。如在SLIC通常是从一个固定的电压负电源轨供电,所述
限制保护器的电压也可以是一个固定值。该TISP1072F3是固定的一个典型例子
电压SLIC保护。
SLIC组件也越来越高。为了降低功耗,有些设计会自动调整
电源电压V
BAT
到一个值,该值刚好足以驱动所需要的线电流。对于短线的
电源电压将被设置为低,而对于长行,一个更高的电源电压,就可以产生用于驱动
足够的线电流。这种类型的SLIC的最佳保护将被保护电压应给予
跟踪在SLIC供电电压。这可以通过在保护晶闸管门极连接到实现
SLIC供电,如图3。该门控(可编程)保护装置最小的电压应力
SLIC的,不管是什么的电源电压的值。
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