H
VE S CO
AV R M
一个I S IO P L
L A IA
BL S N牛逼
E
TISP5070H3BJ THRU TISP5190H3BJ
正向传导单向晶闸管
过电压保护
*R
o
TISP5xxxH3BJ过电压保护器系列
模拟线路卡和ISDN保护
- 模拟SLIC
- ISDN U接口
- ISDN电源
8千伏10/700 ， 200 A 310分之5 ITU -T K.20 / 45分之21评级
离子注入击穿区
- 精确和稳定的电压
在低压浪涌电压过冲
设备名称
TISP5070H3BJ
TISP5080H3BJ
TISP5095H3BJ
TISP5110H3BJ
TISP5115H3BJ
TISP5150H3BJ
TISP5190H3BJ
V
DRM
V
-58
-65
-75
-80
-90
-120
-160
V
（BO）
V
-70
-80
-95
-110
-115
-150
-190
A
SD5XAD
SMB封装（顶视图）
A 1
2 K
MD5UFCAB
设备符号
K
额定国际浪涌波形
波形
2/10
8/20
10/160
10/700
10/560
10/1000
标准
GR-1089-CORE
ANSI C62.41
TIA-968-A
ITU -T K.20 /四十五分之二十一
TIA-968-A
GR-1089-CORE
I
PPSM
A
500
300
250
200
160
100
.............................................. UL认证组件
描述
这些装置被设计为限制在电话线和数据线的过电压。过电压通常是由交流引起电力系统或
它们诱导的或到电话线进行的闪电干扰。单一设备提供了2个点的保护，是
通常用于ISDN的电源馈送的保护。两个设备，一个是环输出，另一个用于输出提示，将提供
保护单电源模拟SLIC组件。三个设备的组合将给出一个低电容保护网络的3点
保护ISDN线路。
所述保护器是由一个电压触发的单向晶闸管与反并联二极管。负过电压是由最初剪辑
击穿夹紧直到电压上升到导通的水平，这会导致设备撬棍插入状态的低电压。这种低
电压导通状态时，产生出的过电压产生的电流可以通过设备安全地转移。高撬棍保持电流
防止直流闭锁的分流电流补贴。正的过电压是由反并联二极管的导通受到限制。
如何订购
标准
终止完成
顺序
对于无铅
终止完成
顺序
TISP5xxxH3BJR-S
设备
TISP5xxxH3BJ
包
支架
记号
CODE
5xxxH3
标准。
QUANTITY
3000
BJ （ J-弯
压花
DO - 214AA / SMB）带绞纱TISP5xxxH3BJR
插入对应的070 ， 080 ，110， 115和150保护的电压XXX值。
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
1998年1月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP5xxxH3BJ过压保护系列
绝对最大额定值， TA = 25
°C
（除非另有说明）
等级
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
符号
价值
-58
-65
-75
-80
-90
-120
-160
±500
±300
±250
±220
±200
±200
±200
±160
±100
55
60
2.1
±400
-40到+150
-65到+150
单位
重复峰值断态电压（见注1 ）
V
DRM
V
非重复性峰值脉冲电流（见注2 ， 3和4 ）
2/10
s
（ GR -1089 -CORE ， 2/10
s
电压波形）
8/20
s
（ IEC 61000-4-5 ， 1.2 / 50
s
电压， 8/20
s
目前的混合波形发生器）
10/160
s
（ TIA - 968 -A ，一百六十○分之一十
s
电压波形）
5/200
s
（ VDE 0433 ， 10/700
s
电压波形）
0.2/310
s
(I3124, 0.5/700
s
波形）
5/310
s
（ ITU -T K.44 ， 10/700
s
用于K.20 /四十五分之二十一电压波形）
5/310
s
（ FTZ R12 ， 10/700
s
电压波形）
10/560
s
（ TIA - 968 -A ，五百六十分之一十
s
电压波形）
10/1000
s
（ GR -1089 -CORE ， 10/1000
s
电压波形）
非重复性峰值通态电流（见注2 ， 3和5 ）
20毫秒， 50赫兹（全正弦波）
16.7毫秒， 60赫兹（全正弦波）
1000第50赫兹/ 60赫兹交流电
通态电流上升的初始速度， GR -1089 -CORE 2/10
s
波形
结温
存储温度范围
注：1 。
2.
3.
4.
5.
I
TSM
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
A
A / μs的
°C
°C
I
PPSM
A
参见图9为电压值在较低的温度。
最初的设备必须在以T热平衡
J
= 25
°C.
电涌可能会在设备返回到其初始条件后，重复进行。
参见图10 ，在其它温度下的额定电流。
EIA / JESD51-2环境和EIA / JESD51-3 PCB与5 A额定印刷线路板连接标准封装尺寸
赛道的宽度。为-0.61 ％ / ℃的环境温度高于25电流降额值
°C.
参见图8为其他额定电流
持续时间。
电气特性， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
I
DRM
重复峰值断态电流
V
D
= V
DRM
测试条件
T
A
= 25
°C
T
A
= 85
°C
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
最小典型最大
-5
-10
-70
-80
-95
-110
-115
-150
-190
-80
-90
-105
-120
-125
-160
-200
单位
A
V
（BO）
击穿电压
的dv / dt = -250 V / ms的，R
来源
= 300
V
V
（BO）
脉冲导通电压
dv / dt的
≥
-1000 V / μs的，线性电压斜坡，
最大斜坡值= -500 V
的di / dt = -20 A / μs的，线性电流斜坡，
最大斜坡值= -10一
V
1998年1月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP5xxxH3BJ过压保护系列
电气特性， TA = 25
°C
（除非另有说明） （续）
参数
I
（BO）
V
F
V
FRM
V
T
I
H
I
D
导通电流
正向电压
峰值正向恢复电压
通态电压
保持电流
FF-态电流
I
F
= 5 A，T
W
= 500
s
dv / dt的
≤
+1000 V / μs的，线性电压斜坡，
最大斜坡值= 500 V
的di / dt = 20 A / μs的，线性电流斜坡，
最大斜坡值= +10
I
T
= -5 A，T
w
= 500
s
I
T
= -5 A ， di / dt的= 30毫安/ MS
V
D
= -50 V
T
A
= 85
°C
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
300
280
260
240
214
140
140
260
245
225
205
180
120
120
90
80
73
65
56
35
35
30
30
-150
-5
-10
420
390
365
335
300
195
195
365
345
315
285
250
170
170
125
110
100
90
80
50
50
40
30
测试条件
的dv / dt = -250 V / ms的，R
来源
= 300
最小典型最大
-150
-600
3
5
-3
-600
单位
mA
V
V
V
mA
KV / μs的
A
崛起的断态电压线性斜坡电压，最大斜坡值< 0.85V的dv / dt的临界速度
DRM
F = 1MHz时， V
d
= 1 V有效值，V
D
= -1 V
C
O
关态电容
（见注6 ）
F = 1MHz时， V
d
= 1 V有效值，V
D
= -2 V
pF
F = 1MHz时， V
d
= 1 V有效值，V
D
= -50 V
F = 1MHz时， V
d
= 1 V有效值，V
D
= -100 V
注意：
6.高达10 MHz的容量基本上与频率无关。 10MHZ以上的有效电容是强
依赖于连接电感。
热特性， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
测试条件
EIA / JESD51-3 PCB，我
T
= I
TSM(1000)
（见注7 ）
265毫米X 210毫米填充线卡
4层PCB板，我
T
= I
TSM(1000)
注意：
50
民
典型值
最大
113
° C / W
单位
R
θJA
结到环境的热阻
7. EIA / JESD51-2环境和PCB与5 A额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
1998年1月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP5070H3BJ ， TISP5080H3BJ ， TISP5110H3BJ ， TISP5150H3BJ
正向传导
单向晶闸管过电压保护
版权所有1999创新动力有限公司， UK
1998年1月 - 修订1999年3月
电信系统高电流过电压保护
q
模拟线路卡和ISDN保护
- 模拟SLIC
- ISDN U接口
- ISDN电源
8千伏10/700 ， 200 A 310分之5 ITU -T K20 / 21的评价
离子注入击穿区
精确稳定的电压
在低压浪涌电压过冲
V
DRM
设备
‘5070
‘5080
‘5110
‘5150
V
-58
-65
-80
-120
V
（BO）
SMBJ包装
（ TOP VIEW ）
1
2
q
q
MDXXBGB
设备符号
2
最小最大
V
-70
-80
-110
-150
SD5XAB
1
q
额定国际浪涌波形
波形
2/10 s
8/20 s
10/160 s
10/700 s
10/560 s
10/1000 s
标准
GR-1089-CORE
ANSI C62.41
FCC第68部分
ITU -T K20 / 21
FCC第68部分
GR-1089-CORE
I
TSP
A
500
300
250
200
160
100
描述
这些装置被设计为限制在电话线和数据线的过电压。过电压通常
造成交流这些感应或传导到电力系统或闪电的干扰
电话线。单个设备提供的2点保护和通常用于ISDN的保护
电源饲料。两个设备，一个是环输出，另一个用于输出提示，将提供
保护单电源模拟SLIC组件。三个设备的组合将给出一个低电容
保护网络的ISDN线路3点的保护。
所述保护器是由一个电压触发的单向晶闸管与反并联二极管。负
过电压被击穿夹紧最初削，直到电压升高到导通的水平，这
导致器件撬棍插入状态的低电压。在这种状态下的低电压使电流
从过电压造成安全地通过设备转移。高撬棍保持电流
防止直流闭锁的分流电流补贴。正过电压通过导通的限制
的反并联二极管。
这TISP5xxxH3BJ范围包括四个不同的电压，以满足不同系统的最高电压等级
（ 58 V至120 V ） 。这样可以保证电压限制和抵御国际上市雷电浪涌的
两极。这些高（H），电流保护器件是一个塑料封装SMBJ （ JEDEC的DO - 214AA
与J-弯引线）和压花载体卷包装供应。
产品
信息
1
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TISP5070H3BJ ， TISP5080H3BJ ， TISP5110H3BJ ， TISP5150H3BJ
正向传导
单向晶闸管过电压保护
1998年1月 - 修订1999年3月
绝对最大额定值，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
等级
‘5070
重复峰值断态电压（见注1 ）
‘5080
‘5110
‘5150
非重复性峰值通态脉冲电流（见注2 ， 3和4 ）
2/10微秒（ GR -1089 -CORE ， 2/10 μs的电压波形）
8/20微秒（ IEC 61000-4-5 ， 1.2 / 50μs的电压，电流8/20组合波发生器）
一百六分之一十微秒（ FCC第68部分，一百六分之一十μs的电压波形）
200分之5微秒（ VDE 0433 ， 10/700 μs的电压波形）
0.2 / 310微秒（ I3124 ， 0.5 / 700 μs的电压波形）
三百一分之五微秒（ITU-T K20 / 21 10/700 μs的电压波形）
三百一分之五微秒（ FTZ R12 ， 10/700 μs的电压波形）
五百六十○分之一十微秒（ FCC第68部分，五百六十〇分之一十μs的电压波形）
10/1000微秒（ GR -1089 -CORE ， 10/1000微秒的电压波形）
非重复性峰值通态电流（见注2 ， 3和5 ）
20毫秒（ 50赫兹）全正弦波
16.7毫秒（ 60Hz）的全正弦波
1000第50赫兹/ 60赫兹交流电
通态电流上升的初始速度，
结温
存储温度范围
注：1 。
2.
3.
4.
5.
指数目前的斜坡，斜坡的最大价值< 140一
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
I
TSM
55
60
2.1
400
-40到+150
-65到+150
A / μs的
°C
°C
A
I
TSP
500
300
250
220
200
200
200
160
100
A
V
DRM
符号
价值
- 58
- 65
- 80
-120
V
单位
参见图9为电压值在较低的温度。
最初的TISP5xxxH3BJ必须为T的热平衡
J
= 25°C.
浪涌可以重复后TISP5xxxH3BJ返回到其初始条件。
参见图10 ，在其它温度下的额定电流。
EIA / JESD51-2环境和EIA / JESD51-3 PCB与5 A额定印刷线路板连接标准封装尺寸
赛道的宽度。参见图8为其他持续电流额定值。为-0.61 ％/℃的环境温度降低电流值
25℃以上
电气特性端子对，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
I
DRM
场外重复峰值
目前状态
V
D
= V
DRM
测试条件
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
‘5070
V
（BO）
击穿电压
的dv / dt = -750 V / ms的，
R
来源
= 300
‘5080
‘5110
‘5150
dv / dt的
≥
-1000 V / μs的，线性电压斜坡，
V
（BO）
脉冲导通
电压
导通电流
正向电压
峰值正向恢复
电压
通态电压
保持电流
最大斜坡值= -500 V
的di / dt = -20 A / μs的，线性电流斜坡，
最大斜坡值= -10一
I
（BO）
V
F
的dv / dt = -750 V / ms的，
I
F
= 5 A，T
W
= 500 s
dv / dt的
≤
+1000 V / μs的，线性电压斜坡，
V
FRM
最大斜坡值= 500 V
的di / dt = 20 A / μs的，线性电流斜坡，
最大斜坡值= +10
V
T
I
H
I
T
= -5 A，T
W
= 500 s
I
T
= -5 A ， di / dt的= 30毫安/ MS
-0.15
-3
-0.6
V
A
5070 '通' 5150
5
V
R
来源
= 300
5070 '通' 5150
‘5070
‘5080
‘5110
‘5150
-0.15
民
典型值
最大
-5
-10
-70
-80
-110
-150
-80
-90
-120
-160
-0.6
3
A
V
V
V
单位
A
产品
2
信息
TISP5070H3BJ ， TISP5080H3BJ ， TISP5110H3BJ ， TISP5150H3BJ
正向传导
单向晶闸管过电压保护
1998年1月 - 修订1999年3月
电气特性端子对，T
A
= 25 ℃（除非另有说明） （续）
参数
dv / dt的
I
D
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
测试条件
线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 0.85V
DRM
V
D
= -50 V
F = 100千赫
（见注6 ）
V
d
= 1 Vrms的，V
D
= -1V,
T
A
= 85°C
‘5070
‘5080
‘5110
‘5150
F = 100千赫
C
关闭
关态电容
F = 100千赫
V
d
= 1 Vrms的，V
D
= -50 V
V
d
= 1 Vrms的，V
D
= -2 V
‘5070
‘5080
‘5110
‘5150
‘5070
‘5080
‘5110
‘5150
F = 100千赫
记
V
d
= 1 Vrms的，V
D
= -100 V
‘5150
300
280
240
140
260
245
205
120
90
80
65
35
30
民
-5
-10
420
390
335
195
365
345
285
170
125
110
90
50
40
pF
典型值
最大
单位
KV / μs的
A
6 ：高达10 MHz的容量基本上与频率无关。 10MHZ以上的有效电容是强
依赖于连接电感。
热特性
参数
测试条件
EIA / JESD51-3 PCB，我
T
= I
TSM(1000)
,
R
θJA
结到自由空气的热阻
T
A
= 25 ° C， （见注7 ）
265毫米X 210毫米填充线卡
4层PCB板，我
T
= I
TSM(1000)
, T
A
= 25 °C
记
50
民
典型值
最大
113
° C / W
单位
7 ： EIA / JESD51-2环境和PCB与5 A额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
产品
信息
3
TISP5070H3BJ ， TISP5080H3BJ ， TISP5110H3BJ ， TISP5150H3BJ
正向传导
单向晶闸管过电压保护
1998年1月 - 修订1999年3月
参数测量信息
+i
I
TSP
我象限
前锋
传导
特征
I
TSM
I
F
V
F
V
DRM
-v
I
DRM
V
D
I
D
+v
I
（BO）
I
H
V
（BO）
V
T
I
T
I
TSM
第三象限
开关
特征
-i
I
TSP
PMXXACA
图1.电压 - 电流特性终端PAIR
所有测量到终端1中引用
产品
4
信息
TISP5070H3BJ ， TISP5080H3BJ ， TISP5110H3BJ ， TISP5150H3BJ
正向传导
单向晶闸管过电压保护
1998年1月 - 修订1999年3月
典型特征
FF-态电流
vs
结温
100
TC5XAFA
1.10
正规化的击穿电压
vs
结温
TC5XAIA
正规化的击穿电压
10
I
D
- 断态电流 - μA
1.05
1
0·1
V
D
= -50 V
0·01
1.00
0·001
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
0.95
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
图2中。
ON状态和正向电流
vs
ON状态和正向电压
I
T
, I
F
- 通态电流，正向电流 - 一个
200
150
100
70
50
40
30
20
15
10
7
5
4
3
2
1.5
1
0.7
TC5LAC
网络连接gure 3 。
归一化控股电流
vs
结温
TC5XAD
2.0
T
A
= 25 °C
t
W
= 100 s
1.5
归一化控股电流
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 结温 - °C
150
V
F
V
T
1
1.5
2
3
4 5
7
10
V
T
, V
F
- 通态电压，正向电压 - V
图4中。
图5中。
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